CN107134487A - 一种基于氧化铪的铁电栅结构及其制备工艺 - Google Patents
一种基于氧化铪的铁电栅结构及其制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107134487A CN107134487A CN201710417470.1A CN201710417470A CN107134487A CN 107134487 A CN107134487 A CN 107134487A CN 201710417470 A CN201710417470 A CN 201710417470A CN 107134487 A CN107134487 A CN 107134487A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hafnium oxide
- layer
- grid structure
- cushion
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 88
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 86
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 title claims abstract description 49
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 64
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 72
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 17
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 9
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 8
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 substrate Chemical compound 0.000 abstract description 8
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- KQHQLIAOAVMAOW-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Zr+4].[Hf+4] KQHQLIAOAVMAOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 230000002929 anti-fatigue Effects 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- PDKGWPFVRLGFBG-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) oxygen(2-) silicon(4+) Chemical compound [O-2].[Hf+4].[Si+4].[O-2].[O-2].[O-2] PDKGWPFVRLGFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 235000000396 iron Nutrition 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/516—Insulating materials associated therewith with at least one ferroelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
- H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
- H01L29/40111—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a layer which is used for its ferroelectric properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/6684—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a ferroelectric gate insulator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/78391—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate the gate comprising a layer which is used for its ferroelectric properties
Abstract
本发明公开了一种基于氧化铪的铁电栅结构，包括衬底，所述衬底的表面上依次层叠有缓冲层、底电极层、铁电层和顶电极层，所述铁电层的材料包含氧化铪。本发明还公开了一种基于氧化铪的铁电栅结构的制备工艺。本发明所述基于氧化铪的铁电存储器铁电栅结构既具有优异的电学性能，又能使整个铁电存储器存储介质的纵向尺寸减小10～20倍以上，并且能与硅工艺良好地兼容。
Description
技术领域
本发明涉及一种存储器，具体涉及一种基于氧化铪的铁电栅结构及其制备工艺。
背景技术
铁电存储器(FRAM)因具有高速、非挥发性、低操作电压、抗辐射性能强、能与标准硅集成电路工艺相兼容等特点而受到广泛的研究。其中栅电极/铁电层/缓冲层/衬底(MFIS)结构铁电场效应晶体管因非破坏性读出，结构简单，存储密度高，因此成为目前FRAM领域的研究热点。然而在MFIS结构中，对I层的介电常数和厚度要求较高，且当缓冲层介电常数较小时，该结构会使大部分电压都落在缓冲层，从而导致铁电层分不到足够大的电压，所以在低的电压下，MFIS结构的铁电电滞回线一般是极度不饱和，存储窗口较小。相比之下栅电极/铁电层/底电极层/缓冲层/衬底(MFMIS)结构能够改善界面，应力匹配等问题，从而使分压关系得到改善。
目前，晶体管型铁电存储器大都使用传统铁电薄膜作栅氧层，如钽酸锶铋(SBT)、锆钛酸铅(PZT)、钛酸锶铋(BST)等。然而要使铁电存储器件逐渐趋于高密度，微型化的发展，传统的铁电薄膜是限制其发展的一大障碍。近几年，氧化铪铁电薄膜因具有相比传统铁电薄膜在厚度与矫顽场方面的优势，成为铁电存储器的研究热点。
目前，现有的铁电存储器还存在以下不足：
第一，由于铁电薄膜与硅衬底间的相互反应，相互扩散，使得铁电薄膜和硅衬底很难形成好的界面态，通常的解决办法是在铁电薄膜和硅衬底间引入一层缓冲层来改善界面性能，但是目前研究的缓冲层在介电常数和厚度上与铁电层存在巨大差异，在信号擦写过程中分压较大，导致铁电层在较低工作电压无法完全翻转，存储窗口较小，这就意味着要使铁电层完全翻转需要施加更大的电压，增加了操作电压。
第二，目前应用于存储器中的大部分传统铁电材料如SBT、PZT、BTO等在半导体工艺还存在很多问题，比如与硅工艺的不兼容，PZT薄膜带来的铅污染，小能带以及需要相对很大的物理厚度(一般是几百个纳米)才能得到较大的剩余极化值，阻碍了存储器件微型化发展。
第三，MFIS结构铁电场效应晶体管因结构简单，存储密度高是目前研究的热点，然而在MFIS结构中，当铁电薄膜剩余极化较大时，该结构容易造成缓冲层击穿，进而引发界面效应，使得存储性能变差。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种基于氧化铪的铁电栅结构及其制备工艺。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种基于氧化铪的铁电栅结构，包括衬底，所述衬底的表面上依次层叠有缓冲层、底电极层、铁电层和顶电极层，所述铁电层的材料包含氧化铪。传统铁电薄膜需制备足够厚的厚度(几百纳米)才能达到较大的剩余极化值，因此阻碍了铁电存储器件逐渐趋于高密度、微型化的发展。本发明所述基于氧化铪的铁电存储器使用新型的氧化铪铁电薄膜做栅氧层，对运用传统铁电材料的MFIS结构铁电场效应晶体管进行更改，该铁电薄膜不仅在薄膜厚度上减少了5～15倍以上，薄膜厚度一般是20nm以下，同时其剩余极化也能达到10μC/cm2以上，且与硅工艺兼容性好。本发明所述基于氧化铪的铁电存储器能使器件达到高存储密度，向微型化发展奠定了基础。另外，本发明所述基于氧化铪的铁电栅结构在缓冲层和铁电铁电层之间设置底电极层，有利于诱导氧化铪基材料产生较大的剩余极化，有利于减小了铁电层的退极化场，有利于降低缓冲层上的面电荷密度，降低缓冲层击穿风险。
优选地，所述铁电层的材料为掺杂锆、硅、铝、钇和钆中至少一种元素的氧化铪。
通过对氧化铪掺杂锆、硅、铝、钇和钆元素，能够使铁电栅结构具有铁电性，通着这种掺杂得到的铁电薄膜只需在很小的厚度就能得到剩余极化值达到10μC/cm2以上的优异性能。
更优选地，所述铁电层的材料为掺锆的氧化铪。
尤其铁电层的材料优选为掺锆的氧化铪，掺锆氧化铪的结晶温度低(400-600℃)，有利于集成制备工艺，且在电场强度较高时，掺锆氧化铪的抗疲劳性能较好。
优选地，所述掺锆的氧化铪中铪元素与锆元素的物质的量之比为：铪：锆＝0.4～0.6:0.4～0.6。对于掺锆的氧化铪，在该比例范围内的氧化铪锆具有较大剩余极化值，且漏电流比较小。
优选地，所述铁电层的厚度为5～25nm。
本发明所述铁电栅结构的铁电层的厚度在5～25nm时即可达到较大的极化值，既能保证较小的尺寸，也能具备较优的铁电性能。
优选地，所述缓冲层的材料为氧化铪、掺杂锆、硅、铝、钇和钆中至少一种元素的氧化铪和氧化硅中至少一种，所述缓冲层的厚度为3～10nm。
具体地，当缓冲层的材料为氧化铪时，所述缓冲层的厚度为2～10nm；当缓冲层的材料为氧化硅时，所述缓冲层的厚度为5～10nm。
优选地，所述缓冲层的材料为氧化铪。氧化铪具有较高的介电常数和较宽的能带，能更好地阻挡硅衬底的电子隧穿，并减少整个结构的分压。
优选地，所述缓冲层的厚度为2～5nm。当缓冲层的厚度为2～5nm时，既能较好地阻挡硅衬底的电子隧穿，又能使整个铁电存储器具有较薄的厚度。
优选地，所述衬底的材料为P型硅和/或N型硅；所述底电极层的材料为Pt、TiN和TaN中的至少一种；顶电极层的材料为Pt、TiN、TaN、Al、W、TiSi和多晶硅中的至少一种；所述底电极层的厚度为15～60nm；所述顶电极层的厚度为20～90nm。
底电极层的厚度为15～60nm时，可以在较小厚度的情况下，同时能有效地减少铁电层与缓冲层之间的界面效应。当顶电极层的厚度为20～90nm时，可以保证本发明所述铁电栅结构具有较小尺寸的同时具有较优的铁电性能。
优选地，所述底电极层的材料为TiN。
优选地，所述顶电极层的为两层结构，所述铁电层的表面上依次为TiN层和W层。
本发明的另一目的在于提供了一种上述基于氧化铪的铁电栅结构的制备工艺，包括以下步骤：
(1)、在衬底上形成缓冲层，并且对缓冲层进行退火处理；
(2)、在缓冲层上镀上底电极层，然后在底电极层上形成铁电层；
(3)、在铁电层上形成顶电极层，对顶电极层退火处理，得多层膜结构；
(4)、对步骤(3)所得多层膜结构进行等离子刻蚀，得所述基于氧化铪的铁电栅结构。
优选地，步骤(1)中，所述退火的温度为350～700℃，保持时间为2～10min；步骤(3)中，所述退火的温度为200～450℃，保持时间为20～60s。
步骤(1)中，在退火的温度为350～700℃，保持时间为2～10min的退火条件下，可以减少缓冲层的缺陷，从而降低漏电流。步骤(3)中，在退火的温度为200～450℃，保持时间为20～60s的退火条件下，可以减少整个存储器结构的缺陷，从而降低漏电流。
优选地，所述缓冲层采用原子层沉积、电子束蒸发、等离子溅射或热氧化的方式制备而成。优选地，所述缓冲层的材料为氧化铪，所述缓冲层采用原子层沉积、电子束蒸发或等离子溅射的方式制备而成；所述缓冲层的材料为氧化硅，所述缓冲层采用原子层沉积或热氧化的方式制备而成。
优选地，所述底电极层采用离子溅射或化学气相沉积的方式制备而成。
优选地，所述步骤(1)之前还包括步骤(1a)：衬底的预处理：用氢氟酸对衬底进行清洗。步骤(1a)的目的是去除衬底表面的氧化硅。
本发明的有益效果在于：本发明提供了一种基于氧化铪的铁电栅结构及其制备工艺。本发明所述基于氧化铪的铁电栅结构既具有优异的电学性能，又能使整个存储介质的纵向尺寸减小10～20倍以上，并且能与硅工艺良好地兼容。
附图说明
图1为本发明所述基于氧化铪的铁电栅结构的结构示意图；
图2为实施例1所述基于氧化铪的铁电栅结构的制备工艺流程图；
其中，1、衬底；2、缓冲层；3、底电极层；4、铁电层；5、顶电极层。
具体实施方式
本发明所述基于氧化铪的衬底的材料为P型硅的铁电栅结构的结构示意图如附图1所示，从下至上依次包括衬底1、缓冲层2、底电极层3、铁电层4和顶电极层5。
为更好的说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
本发明所述基于氧化铪的铁电栅结构的一种实施例，包括衬底，所述衬底的表面上依次层叠有缓冲层、底电极层、铁电存储层和顶电极层；其中，衬底的材料为P型硅；缓冲层的材料为3nm的氧化铪；底电极层的材料为55nm的TiN；铁电存储层的材料为15nm的掺杂锆的氧化铪，其中铪元素和锆元素的物质的量之比为：铪：锆＝1：1；顶电极的材料为20nm的金属TiN。
本实施例所述基于氧化铪的铁电栅结构的制备工艺，如附图2所示，包括以下步骤：
(1)、用标准清洗工艺对P型硅进行清洗；
(2)、在P型硅上形成氧化铪缓冲层，并且对氧化铪缓冲层进行退火处理，退火速率为25℃/s，退火温度为620℃，退火时间保持5min；
(2)、用等离子溅射的方式在氧化铪缓冲层上镀上TiN底电极层，然后在底电极层上用等离子溅射方法沉积掺锆的氧化铪的铁电层，在氧气氛中快速退火，退火温度为620℃，退火时间为45s；
(3)、在铁电层上溅射一层TiN顶电极层，对顶电极层退火处理，退火温度为350℃，退火时间为30s，得所述多层膜结构；
(4)、对步骤(3)所得多层膜结构进行等离子刻蚀，得所述基于氧化铪的铁电栅结构。
实施例2
本发明所述基于氧化铪的铁电栅结构的一种实施例，包括衬底，所述衬底的表面上依次层叠有缓冲层、底电极层、铁电层和顶电极层；其中，衬底的材料为N型硅；缓冲层的材料为5nm的氧化铪；底电极层的材料为45nm的金属TaN；铁电层的材料为18nm的掺杂锆的氧化铪，其中铪元素和锆元素的物质的量之比为：铪：锆＝0.55:0.45；顶电极的材料为55nm的金属TiN。
本实施例所述基于氧化铪的铁电栅结构的制备工艺，包括以下步骤：
(1)、用标准清洗工艺对N型硅进行清洗；
(2)、在N型硅上形成氧化铪缓冲层，并且对氧化铪缓冲层进行退火处理，退火速率为25℃/s，退火温度为580℃，退火时间保持7min；
(2)、用等离子溅射的方式在氧化铪缓冲层上镀上TaN底电极层，然后在底电极层上用原子层沉积方法生长氧化铪锆(HZO)的铁电层，在氧气氛中快速退火，退火温度为550℃，退火时间为45s；
(3)、在铁电层上溅射一层TiN顶电极层，对顶电极层退火处理，退火温度为200℃，退火时间为40s，得所述多层膜结构；
(4)、对步骤(3)所得多层膜结构进行等离子刻蚀，得所述基于氧化铪的铁电栅结构。
实施例3
本发明所述基于氧化铪的铁电栅结构的一种实施例，包括衬底，所述衬底的表面上依次层叠有缓冲层、底电极层、铁电层和顶电极层；其中，衬底的材料为P型硅；缓冲层的材料为7nm的氧化铪；底电极层的材料为20nm的金属TiN；铁电层的材料为16nm的掺杂硅的氧化铪，其中铪元素和硅元素的物质的量之比为：铪：硅＝0.75：0.25；顶电极的材料为20nmTiN和30nm的Al。
本实施例所述基于氧化铪的铁电栅结构的制备工艺，包括以下步骤：
(1)、用标准清洗工艺对P型硅进行清洗；
(2)、在P型硅上形成氧化铪缓冲层，并且对氧化铪缓冲层进行退火处理，退火速率为25℃/s，退火温度为600℃，退火时间保持6min；
(2)、用等离子溅射的方式在氧化铪缓冲层上镀上Pt底电极层，然后在底电极层上用等离子溅射的方式镀上一层掺杂硅的氧化铪的铁电层，在氧气氛中快速退火，退火温度为620℃，退火时间为45s；
(3)、在铁电层上依次溅射TiN和Al两层薄膜顶电极层，对顶电极层退火处理，退火温度为400℃，退火时间为20s，得所述多层膜结构；
(4)、对步骤(3)所得多层膜结构进行等离子刻蚀，得所述基于氧化铪的铁电栅结构。
实施例4
本发明所述基于氧化铪的铁电栅结构的一种实施例，包括衬底，所述衬底的表面上依次层叠有缓冲层、底电极层、铁电层和顶电极层；其中，衬底的材料为P型硅；缓冲层的材料为10nm的氧化硅；底电极层的材料为58nm的金属TaN；铁电层的材料为9nm的掺杂铝的氧化铪，其中铪元素和铝元素的物质的量之比为：铪：铝＝0.75：0.25；顶电极的材料为40nm的金属TiN。
本实施例所述基于氧化铪的铁电栅结构的制备工艺，包括以下步骤：
(1)、用标准清洗工艺对P型硅进行清洗；
(2)、在P型硅上形成氧化硅缓冲层，并且对氧化硅缓冲层进行退火处理，退火速率为25℃/s，退火温度为600℃，退火时间保持5min；
(2)、用等离子溅射的方式在氧化硅缓冲层上镀上TaN底电极层，然后在底电极层上用等离子溅射的方式镀上一层掺杂铝的氧化铪的铁电层，在氧气氛中快速退火，退火温度为620℃，退火时间为45s；
(3)、在铁电层上溅射一层TiN顶电极层，对顶电极层退火处理，退火温度为350℃，退火时间为28s，得所述多层膜结构；
(4)、对步骤(3)所得多层膜结构进行等离子刻蚀，得所述基于氧化铪的铁电栅结构。
实施例5
本发明所述基于氧化铪的铁电栅结构的一种实施例，包括衬底，所述衬底的表面上依次层叠有缓冲层、底电极层、铁电层和顶电极层；其中，衬底的材料为P型硅；缓冲层的材料为5nm的氧化硅；底电极层的材料为15nm的金属Pt；铁电层的材料为25nm的掺杂钆的氧化铪，其中铪元素和钆元素的物质的量之比为：铪：钆＝0.8：0.2；顶电极的材料为20nm的多晶硅。
本实施例所述基于氧化铪的铁电栅结构的制备工艺，包括以下步骤：
(1)、用标准清洗工艺对P型硅进行清洗；
(2)、在P型硅上形成氧化硅缓冲层，并且对氧化硅缓冲层进行退火处理，退火速率为25℃/s，退火温度为620℃，退火时间保持8min；
(2)、用等离子溅射的方式在氧化硅缓冲层上镀上Pt底电极层，然后在底电极层上用等离子溅射的方式镀上一层掺杂钆的氧化铪的铁电层，在氧气氛中快速退火，退火温度为620℃，退火时间为45s；
(3)、在铁电层上溅射一层多晶硅顶电极层，对顶电极层退火处理，退火温度为240℃，退火时间为20s，得所述多层膜结构；
(4)、对步骤(3)所得多层膜结构进行等离子刻蚀，得所述基于氧化铪的铁电栅结构。
实施例6
本发明所述基于氧化铪的铁电栅结构的一种实施例，包括衬底，所述衬底的表面上依次层叠有缓冲层、底电极层、铁电层和顶电极层；其中，衬底的材料为N型硅；缓冲层的材料为2nm的氧化铪；底电极层的材料为60nm的金属Pt；铁电层的材料为7nm的掺杂钇的氧化铪，其中铪元素和钇元素的物质的量之比为：铪：钇＝0.8：0.2；顶电极的材料为40nmTiN和50nm的W
本实施例所述基于氧化铪的铁电栅结构的制备工艺，包括以下步骤：
(1)、用标准清洗工艺对N型硅进行清洗；
(2)、在N型硅上形成氧化铪缓冲层，并且对氧化铪缓冲层进行退火处理，退火速率为25℃/s，退火温度为620℃，退火时间保持8min；
(2)、用等离子溅射的方式在氧化铪缓冲层上镀上Pt底电极层，然后在底电极层上用等离子溅射的方式镀上一层掺杂钇的氧化铪的铁电层，在氧气氛中快速退火，退火温度为620℃，退火时间为45s；
(3)、在铁电层上依次溅射TiN和W两层薄膜作为顶电极层，对顶电极层退火处理，退火温度为240℃，退火时间为20s，得所述多层膜结构；
(4)、对步骤(3)所得多层膜结构进行等离子刻蚀，得所述基于氧化铪的铁电栅结构。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种基于氧化铪的铁电栅结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底的表面上依次层叠有缓冲层、底电极层、铁电层和顶电极层，所述铁电层的材料包含氧化铪。
2.如权利要求1所述基于氧化铪的铁电栅结构，其特征在于，所述铁电层的材料为掺杂锆、硅、铝、钇和钆中至少一种元素的氧化铪；优选地，所述铁电层的材料为掺锆的氧化铪。
3.如权利要求2所述基于氧化铪的铁电栅结构，其特征在于，所述掺锆的氧化铪中铪元素与锆元素的物质的量之比为：铪：锆＝0.4～0.6:0.4～0.6。
4.如权利要求1～3中任一项所述基于氧化铪的铁电栅结构，其特征在于，所述铁电层的厚度为5～25nm。
5.如权利要求1所述基于氧化铪的铁电栅结构，其特征在于，所述缓冲层的材料为氧化铪、掺杂锆、硅、铝、钇和钆中至少一种元素的氧化铪和氧化硅中至少一种，所述缓冲层的厚度为2～10nm。
6.如权利要求1所述基于氧化铪的铁电栅结构，其特征在于，所述缓冲层的材料为氧化铪。
7.如权利要求6所述基于氧化铪的铁电栅结构，其特征在于，所述缓冲层的厚度为2～5nm。
8.如权利要求1所述基于氧化铪的铁电栅结构，其特征在于，所述衬底的材料为P型硅和/或N型硅；所述底电极层的材料为Pt、TiN和TaN中的至少一种；顶电极层的材料为Pt、TiN、TaN、Al、W、TiSi和多晶硅中的至少一种；所述底电极层的厚度为15～60nm；所述顶电极层的厚度为20～90nm。
9.一种如权利要求1～8中任一项所述基于氧化铪的铁电栅结构的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)、在衬底上形成缓冲层，并且对缓冲层进行退火处理；
(2)、在缓冲层上镀上底电极层，然后在底电极层上形成铁电层；
(3)、在铁电层上形成顶电极层，对顶电极层退火处理，得多层膜结构；
(4)、对步骤(3)所得多层膜结构进行等离子刻蚀，得所述基于氧化铪的铁电栅结构。
10.如权利要求9所述所述铁电栅结构的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述退火的温度为350～700℃，保持时间为2～10min；步骤(3)中，所述退火的温度为200～450℃，保持时间为20～60s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710417470.1A CN107134487B (zh) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | 一种基于氧化铪的铁电栅结构及其制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710417470.1A CN107134487B (zh) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | 一种基于氧化铪的铁电栅结构及其制备工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107134487A true CN107134487A (zh) | 2017-09-05 |
| CN107134487B CN107134487B (zh) | 2020-07-14 |
Family
ID=59734324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710417470.1A Active CN107134487B (zh) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | 一种基于氧化铪的铁电栅结构及其制备工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107134487B (zh) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108039408A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-05-15 | 湘潭大学 | 一种柔性氧化铪基铁电薄膜的制备方法 |
| CN108493102A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-09-04 | 大连理工大学 | 采用全无机前驱体溶液制备二氧化铪基铁电薄膜的方法及应用 |
| CN109055916A (zh) * | 2018-08-30 | 2018-12-21 | 湘潭大学 | 一种peald低温制备铁电薄膜的方法及铁电薄膜 |
| CN109473431A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-03-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种三维铁电存储器及其制作方法 |
| CN109980014A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-07-05 | 湘潭大学 | 一种后栅极铁电栅场效应晶体管及其制备方法 |
| CN110601673A (zh) * | 2019-08-12 | 2019-12-20 | 清华大学 | 基于铪系铁电薄膜的声表面波器件及薄膜体声波器件 |
| CN112271255A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-26 | 湘潭大学 | 一种铁电电容器和存储单元及其制备方法 |
| CN112736083A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-30 | 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 | 一种三维铁电存储器件的制造方法 |
| CN113437049A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-09-24 | 复旦大学 | 一种铪基铁电存储器及其制备方法 |
| WO2021254989A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | Merck Patent Gmbh | Inherently ferroelectric hf-zr containing films |
| CN113948520A (zh) * | 2019-03-26 | 2022-01-18 | 湘潭大学 | 一种氧化铪基铁电电容及其制备方法 |
| WO2024065881A1 (zh) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 复旦大学 | 具有超高介电常数和/或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件的制备方法及器件 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1347156A (zh) * | 2000-09-22 | 2002-05-01 | 松下电器产业株式会社 | 半导体存储器 |
| CN105556658A (zh) * | 2013-09-13 | 2016-05-04 | 美光科技公司 | 形成铁电存储器单元的方法及相关半导体装置结构 |
| CN106537509A (zh) * | 2014-07-23 | 2017-03-22 | 纳姆实验有限责任公司 | 电荷存储铁电存储器混合体和擦除方案 |
-
2017
- 2017-06-06 CN CN201710417470.1A patent/CN107134487B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1347156A (zh) * | 2000-09-22 | 2002-05-01 | 松下电器产业株式会社 | 半导体存储器 |
| CN105556658A (zh) * | 2013-09-13 | 2016-05-04 | 美光科技公司 | 形成铁电存储器单元的方法及相关半导体装置结构 |
| CN106537509A (zh) * | 2014-07-23 | 2017-03-22 | 纳姆实验有限责任公司 | 电荷存储铁电存储器混合体和擦除方案 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 李晨雨: "H0.5f0.5ZrO2铁电薄膜的制备方法和性能研究", 《重庆电子工程职业学院学报》 * |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108039408A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-05-15 | 湘潭大学 | 一种柔性氧化铪基铁电薄膜的制备方法 |
| CN108493102A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-09-04 | 大连理工大学 | 采用全无机前驱体溶液制备二氧化铪基铁电薄膜的方法及应用 |
| CN109055916A (zh) * | 2018-08-30 | 2018-12-21 | 湘潭大学 | 一种peald低温制备铁电薄膜的方法及铁电薄膜 |
| CN109473431A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-03-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种三维铁电存储器及其制作方法 |
| CN109980014A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-07-05 | 湘潭大学 | 一种后栅极铁电栅场效应晶体管及其制备方法 |
| CN109980014B (zh) * | 2019-03-26 | 2023-04-18 | 湘潭大学 | 一种后栅极铁电栅场效应晶体管及其制备方法 |
| CN113948520A (zh) * | 2019-03-26 | 2022-01-18 | 湘潭大学 | 一种氧化铪基铁电电容及其制备方法 |
| CN110601673A (zh) * | 2019-08-12 | 2019-12-20 | 清华大学 | 基于铪系铁电薄膜的声表面波器件及薄膜体声波器件 |
| CN110601673B (zh) * | 2019-08-12 | 2021-08-13 | 清华大学 | 基于铪系铁电薄膜的声表面波器件及薄膜体声波器件 |
| WO2021254989A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | Merck Patent Gmbh | Inherently ferroelectric hf-zr containing films |
| CN112271255A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-26 | 湘潭大学 | 一种铁电电容器和存储单元及其制备方法 |
| CN112271255B (zh) * | 2020-10-23 | 2023-06-09 | 湘潭大学 | 一种铁电电容器和存储单元及其制备方法 |
| CN112736083A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-30 | 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 | 一种三维铁电存储器件的制造方法 |
| CN113437049A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-09-24 | 复旦大学 | 一种铪基铁电存储器及其制备方法 |
| WO2024065881A1 (zh) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 复旦大学 | 具有超高介电常数和/或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件的制备方法及器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107134487B (zh) | 2020-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107134487A (zh) | 一种基于氧化铪的铁电栅结构及其制备工艺 | |
| TW202103305A (zh) | 摻雜極性層及包含摻雜極性層的半導體器件 | |
| US6121648A (en) | Ferroelectric based memory devices utilizing hydrogen getters and recovery annealing | |
| CN110265400A (zh) | 铁电装置及其形成方法 | |
| JP2002543627A (ja) | 傾斜機能を有する不揮発性メモリアプリケーションのための強誘電体電界効果トランジスタおよびそれを作成する方法 | |
| JPH09139480A (ja) | 薄膜キャパシタおよびこれを用いた半導体記憶装置 | |
| JPH07326683A (ja) | 強誘電体メモリ | |
| CN113948520A (zh) | 一种氧化铪基铁电电容及其制备方法 | |
| CN107170828A (zh) | 一种铁电场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN101894843B (zh) | 基于锆钛酸铅存储介质的铁电动态随机存储器及制备方法 | |
| US11849590B2 (en) | Capacitor comprising a bismuth metal oxide-based lead titanate thin film | |
| TWI765812B (zh) | 鐵電電容器、鐵電記憶體及其製造方法 | |
| US7187575B2 (en) | Memory device and its manufacturing method | |
| JP2005159308A (ja) | 強誘電体膜、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリ | |
| JP4445091B2 (ja) | 強誘電体記憶素子 | |
| CN101872769B (zh) | 基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及制备方法 | |
| JP3641142B2 (ja) | 強誘電体メモリ | |
| CN101872768B (zh) | 基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法 | |
| JP5561300B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3924928B2 (ja) | 強誘電体材料及び強誘電体メモリ | |
| JPH1168057A (ja) | 誘電体素子 | |
| US11765909B1 (en) | Process integration flow for embedded memory enabled by decoupling processing of a memory area from a non-memory area | |
| JP2001028426A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2003243628A (ja) | 強誘電体薄膜、強誘電体キャパシタ、及び強誘電体メモリ素子の製造方法 | |
| KR20040079884A (ko) | 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트 구조의강유전체 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |