CN107123645A - 扇出型集成封装结构及其制作方法、终端设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了扇出型集成封装结构及其制作方法、终端设备。该扇出型集成封装结构包括：基板；重新布线层，形成在基板的一侧；至少一个第一器件，固定于重新布线层远离基板的一侧，且与重新布线层电相连；塑封层，形成在至少一个第一器件远离重新布线层的一侧；第二器件，为电池单元；以及第三器件，制作在基板的另一侧，且为OLED器件。本发明所提出的扇出型集成封装结构，可同时将电池单元、电子元器件和OLED单元集成在同一基板上，并通过扇出成型的垂直几何打造出含有多层电路系统的重新布线层，显著地压缩了体积空间，从而实现了体积更小、密度更高、更高集成度的封装结构，进而满足移动设备轻薄化的市场需求。
Description
技术领域
本发明涉及封装技术领域，具体的，本发明涉及扇出型集成封装结构及其制作方法、终端设备。
背景技术
随着市场的发展和产品性能的需求，移动设备如何通过技术的发展和进步而变得越来越轻薄，这是行业内必须考虑和解决的问题。
目前在结构设计中，多数采用水平几何的堆叠设计，如此设计就决定了器件及终端产品的大体积，无法满足越来越追求的轻薄的需求。
因此，现阶段的封装结构的设计仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
本发明是基于发明人的下列发现而完成的：
本发明人在研究过程中发现，不仅可以采用扇出成型工艺将电池与电路板等电子元器件形成集成化结构，还可以将基板复用，即同时作为上述电路载体的基板以及OLED的背板，从而实现高集成度的封装结构，进而满足移动设备轻薄化的市场需求。进一步还可采用聚酰亚胺等材料形成的基板，同时复用为OLED器件的驱动基板和电路载体基板，从而还可以应用于柔性终端产品。
有鉴于此，本发明的一个目的在于提出一种体积更小、集成度更高或者更轻薄化的扇出型集成封装结构。
在本发明的第一方面，本发明提出了一种扇出型集成封装结构。
根据本发明的实施例，所述扇出型集成封装结构包括：基板；重新布线层，所述重新布线层形成在所述基板的一侧；至少一个第一器件，所述第一器件固定于所述重新布线层远离所述基板的一侧，且与所述重新布线层电相连；塑封层，所述塑封层形成在所述至少一个第一器件远离所述重新布线层的一侧；第二器件，所述第二器件为电池单元；以及第三器件，所述第三器件制作在所述基板的另一侧，且所述第三器件为OLED器件。
发明人经过研究发现，本发明实施例的扇出型集成封装结构，可同时将电池单元、电子元器件和OLED单元集成在同一基板上，并通过扇出成型的垂直几何打造出含有多层电路系统的重新布线层，显著地压缩了体积空间，从而实现了体积更小、密度更高、更高集成度的封装结构，进而满足移动设备轻薄化的市场需求。
另外，根据本发明上述实施例的扇出型集成封装结构，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的实施例，所述第一器件包括选自芯片、电阻、电容、摄像头、基带处理单元、应用处理器和麦克风的至少一种。
根据本发明的实施例，所述第二器件固定于所述塑封层远离所述重新布线层的一侧；所述塑封层进一步包括过孔形成在所述第二器件靠近所述基板的一侧，且贯穿所述塑封层和所述重新布线层；所述扇出型集成封装结构进一步包括金属层，所述金属层设置在所述过孔内，且与所述第二器件电相连。
根据本发明的实施例，所述扇出型集成封装结构包括多个所述第二器件，多个所述第二器件设置在所述至少一个第一器件的周边区域，且所述多个第二器件采用串联连接关系。
根据本发明的实施例，所述重新布线层由选自导电聚合物和纳米导电材料的至少之一形成的；其中，所述导电聚合物包括选自聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙炔、聚双炔中的至少一种；所述纳米导电材料包括选自纳米银、石墨烯、磷烯、纳米金球中的至少一种。
根据本发明的实施例，所述基板由聚酰亚胺材料形成。
在本发明的第二方面，本发明提出了一种制作上述的扇出型集成封装结构的方法。
根据本发明的实施例，所述方法包括：在基板的一侧制作第三器件；在所述基板的另一侧通过扇出成型工艺形成重新布线层；在所述重新布线层远离所述基板的一侧固定至少一个第一器件，且所述第一器件与所述重新布线层电连接；在所述至少一个第一器件远离所述基板的一侧形成塑封层；固定第二器件。
发明人经过研究发现，采用本发明实施例的制作方法，通过扇出成型工艺将电池单元和其他单元高度集成化，同时替代了现有的PCB结构及相应的SMT工艺。本领域技术人员能够理解的是，前面针对扇出型集成封装结构所描述的特征和优点，仍适用于该制作扇出型集成封装结构的方法，在此不再赘述。
另外，根据本发明上述实施例的制作方法，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的实施例，形成所述塑封层之后，进一步包括：在所述塑封层和所述重新布线层形成过孔，且在所述过孔中形成金属层，其中，所述金属层用于电连接所述第二器件；在所述塑封层远离所述基板的一侧固定第二器件。
根据本发明的实施例，形成所述塑封层之前，进一步包括：在所述至少一个第一器件的周边区域，固定多个所述第二器件，且所述多个第二器件采用串联连接关系。
根据本发明的实施例，在制作所述第三器件之后，进一步包括：在所述第三器件的表面形成保护层；在固定所述第二器件之后，进一步包括：去除所述保护层。
根据本发明的实施例，在固定所述第二器件之后，进一步包括：在所述重新布线层、所述塑封层、所述第二器件的表面形成保护层；在制作所述第三器件之后，进一步包括：去除所述保护层。
根据本发明的实施例，所述保护层由耐酸碱的UV固化材料形成。
在本发明的第三方面，本发明提出了一种终端设备。
根据本发明的实施例，所述终端设备包括上述的扇出型集成封装结构。
发明人经过研究发现，本发明实施例的终端设备，其扇出型集成封装结构高度集成了电池和其他单元，特别是集成了OLED器件，从而使终端设备的体积更小、密度更高，进而满足了市场对该移动设备轻薄化的需求。本领域技术人员能够理解的是，前面针对扇出型集成封装结构、制作扇出型集成封装结构的方法所描述的特征和优点，仍适用于该终端设备，在此不再赘述。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本发明一个实施例的扇出型集成封装结构的结构示意图；
图2是本发明另一个实施例的扇出型集成封装结构的结构示意图；
图3是本发明另一个实施例的扇出型集成封装结构的结构示意图；
图4是本发明另一个实施例的扇出型集成封装结构的结构示意图；
图5是本发明一个实施例的制作扇出型集成封装结构方法的流程示意图；
图6是本发明另一个实施例的制作扇出型集成封装结构方法的流程示意图；
图7是本发明另一个实施例的制作扇出型集成封装结构方法的流程示意图；
图8是本发明另一个实施例的制作扇出型集成封装结构方法的流程示意图；
图9是本发明一个实施例的制作方法的各步骤的产品结构示意图；
图10是本发明另一个实施例的制作方法的各步骤的产品结构示意图；
图11是本发明一个实施例的重新布线层的底部金属层的俯视和侧视的结构示意图；
图12是本发明另一个实施例的扇出型集成封装结构的结构示意图。
附图标记
100 基板
200 重新布线层
210 介质亚层
220 金属布线亚层
230 底部金属层
300 第一器件
400 塑封层
500 第二器件
600 第三器件
610 低温多晶硅层
620 支撑物
630 熔块
640 发光功能层
700 金属层
800 保护层
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，本技术领域人员会理解，下面实施例旨在用于解释本发明，而不应视为对本发明的限制。除非特别说明，在下面实施例中没有明确描述具体技术或条件的，本领域技术人员可以按照本领域内的常用的技术或条件或按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可通过市购到的常规产品。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种扇出型集成封装结构。参照图1～4和图12，对本发明的扇出型集成封装结构进行详细的描述。
根据本发明的实施例，参照图1，该扇出型集成封装结构包括：基板100，重新布线层200，至少一个第一器件300，塑封层400，第二器件500以及第三器件600；其中，重新布线层200形成在基板100的一侧；第一器件300固定于重新布线层200远离基板100的一侧，且与重新布线层电200相连；塑封层400形成在至少一个第一器件300远离重新布线层200的一侧；第二器件500为电池单元；而第三器件600制作在基板200的另一侧，且第三器件600为OLED器件。
在本发明的一些实施例中，参照图2，第二器件500固定于塑封层400远离重新布线层200的一侧；并且，塑封层400还可以进一步包括过孔，该过孔形成在第二器件500靠近基板100的一侧，且贯穿塑封层400和重新布线层200；而且，该扇出型集成封装结构可以进一步包括金属层410，该金属层410设置在过孔内，且与第二器件500电相连。如此设计，不仅能使获得将第一器件300与电池单元500直接集成化的高集成度的封装结构，还可增加电池单元的面积，从而进一步提升该封装结构组成的终端产品的续航能力。
在本发明的另一些实施例中，参照图12，该扇出型集成封装结构包括多个第二器件500，多个第二器件500设置在第一器件300的周边区域，且多个第二器件500采用串联连接关系。如此设计，可充分利用电子元器件(主要由第一器件300组成)之间的空间形成串联的电池单元，从而最大化地利用水平几何空间，进而实现封装结构的体积更小、密度更高、集成度更高的设计效果，更满足移动设备轻薄化的市场需求。
根据本发明的实施例，基板100的具体材料不受特别的限制，只要该材料组成的基板100的两侧可分别形成第三器件600和重新布线层200即可，本领域技术人员可根据该扇出型集成封装结构的具体使用要求进行选择。在本发明的一些实施例中，基板100可以是由聚酰亚胺(PI)材料形成。如此，采用上述材料组成的基板100的柔韧性好，从而可实现柔性终端设备的设计。
根据本发明的实施例，重新布线层200的具体材料也不受特别的限制，只要该材料组成的重新布线层100能有效地实现第一器件300、第二器件500各自在垂直几何方向上的电连接即可，本领域技术人员可根据该封装结构的具体使用要求进行选择。在本发明的一些实施例中，重新布线层200可以包括介质亚层210和金属布线亚层220，并可设计出多层电路系统，如此，可实现第一器件300、第二器件500各自在垂直几何方向上的电连接。
根据本发明的实施例，重新布线层200中，金属布线亚层220可以是由选自导电聚合物和纳米导电材料的至少之一形成的。其中，导电聚合物包括选自聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙炔、聚双炔中的至少一种；而纳米导电材料包括选自纳米银、石墨烯、磷烯、纳米金球中的至少一种。如此，采用上述材料组成的重新布线层100的柔韧性更好，从而可实现柔性终端设备的设计。
根据本发明的实施例，重新布线层200中，介质亚层210的具体材料不受特别的限制，只要该材料组成的介质亚层210能有效地填充在金属布线亚层220之间起到绝缘作用即可，本领域技术人员可根据该封装结构的具体使用要求进行选择。在本发明的一些实施例中，介质亚层210可以由树脂材料形成。如此，采用树脂材料的介质亚层210不仅能更好地起到填充和绝缘的效果，还可进一步具有柔韧性，从而实现柔性终端设备的设计。
据本发明的实施例，重新布线层200的具体结构不受特别的限制，只要该结构的重新布线层200能实现第一器件300、第二器件500各自在垂直几何方向上的电连接即可，本领域技术人员可根据该封装结构的实际使用要求进行设计。在本发明的一些实施例中，参考图3，重新布线层200(图中未标出)可以包括介质亚层210和金属布线亚层220，并可设计出多层电路系统，如此，可实现第一器件300、第二器件500各自在垂直几何方向上的电连接。
根据本发明的实施例，第一器件300的具体种类不受特别的限制，本领域内常用的能与电池单元500集成的单元结构均可，本领域技术人员可根据该封装结构的使用要求进行选择和设计。在本发明的一些实施例中，第一器件300可以包括选自芯片等有源器件、电容、电阻等被动电子器件、摄像头(Camera)、基带处理(Baseband Process，BP)单元、应用处理器(Application Processor，AP)和麦克风的至少一种。如此，将上述有源电子器件、被动型电子元器件、功能型电子元器件等的第一器件300与电池单元500集成的封装结构，能实现多功能化。
根据本发明的实施例，第一器件300的具体数量不受特别的限制，本领域技术人员可根据该扇出型集成封装结构组成的终端设备的具体使用要求进行选择和设计。在本发明的一些实施例中，该扇出型封装结构可以包括多个第一器件300，需要说明的是，本文中的“多个”是指两个或两个以上。
根据本发明的实施例，塑封层400的具体材料不受特别的限制，只要该材料组成的塑封层400能有效地封装第一器件300并起保护作用即可，本领域技术人员可根据该封装结构的具体使用要求进行选择。在本发明的一些实施例中，塑封层400可以由树脂材料形成，如此，采用上述树脂材料的塑封层400，不仅能更有效地起到封装和保护作用，还可进一步具有柔韧性，从而实现柔性终端设备的设计。
根据本发明的实施例，第三器件600的具体结构不受特别的限制，只要该结构的OLED器件600能自发光即可，本领域技术人员可根据该扇出型集成封装结构组成的终端设备的具体使用需求进行设计。在本发明的一些实施例中，参考图4，该OLED器件600可以进一步包括低温多晶硅(LTPS)层610、支撑物(PS)620、熔块(Frit)630以及发光结构层640等具有功能性的亚层结构。其中，在基板100及其另一侧形成的低温多晶硅层610可作为OLED器件的驱动基板，支撑物620和熔块630都形成在低温多晶硅层610远离基板100的一侧，而带有第二基板的发光层640与驱动基板是对盒地设置，并且发光结构层640靠近低温多晶硅层610的一侧有阳极图案、空穴注入层/空隙传输层(HIL/HTL)、发光层、电子传输层(ETL)和阴极等功能结构。如此，采用上述结构的OLED器件600，不仅具有OLED自发光的功能，其驱动基板还与重新布线层200共用同一个基板，可更有效地压缩体积空间，从而进一步实现了体积更小、密度更高、更高集成度的封装结构，进而更满足了移动设备轻薄化的市场需求。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种扇出型集成封装结构，可同时将电池单元、电子元器件和OLED单元集成在同一基板上，并通过扇出成型的垂直几何打造出含有多层电路系统的重新布线层，显著地压缩了体积空间，从而实现了体积更小、密度更高、更高集成度的封装结构，进而满足移动设备轻薄化的市场需求。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种制作上述的扇出型集成封装结构的方法。参照图5～11，对本发明的制作方法进行详细的描述。
根据本发明的实施例，该制作方法中各步骤的先后顺序不受特别的限制，只要通过各步骤可获得上述的扇出型集成封装结构即可，本领域技术人员可根据该封装结构的具体结构和使用要求进行设计。
在本发明的一些实施例中，先制作第三器件600，具体请参照图5，该方法可以包括：在基板100的一侧制作第三器件600；在基板100的另一侧通过扇出成型工艺形成重新布线层200；在重新布线层200远离基板100的一侧固定至少一个第一器件300，且至少一个第一器件与重新布线层200电连接；在至少一个第一器件300远离基板100的一侧形成塑封层400；固定第二器件500。如此，由于OLED器件600的LTPS工艺温度较高，按照上述步骤先制作第三器件600，可减少高温对后续工艺的影响。
在本发明的另一些实施例中，后制作第三器件600，具体请参照图6，该方法可以包括：在基板100的一侧通过扇出成型工艺形成重新布线层200；在重新布线层200远离基板100的一侧固定至少一个第一器件300，且至少一个第一器件与重新布线层200电连接；在至少一个第一器件300远离基板100的一侧形成塑封层400；固定第二器件500；在基板100的另一侧制作第三器件600。如此，按照上述步骤后制作第三器件600，可降低OLED器件600制作工序引起基板变形的可能性，从而可进一步提高阵列基板(TFT)的精度。
具体的，对各个步骤S100、S210～S250和S310～S340在下面逐一进行详细的说明：
S100：在基板100的一侧制作第三器件600。
在该步骤中，在基板100的一侧制作出OLED器件600。根据本发明的实施例，制作OLED器件600的具体方法不受特别的限制，只要该方法能在基板100的一侧形成具有自发光功能的OLED器件600即可，本领域技术人员可根据OLED器件600的具体结构进行选择和设计。在本发明的一些实施例中，OLED器件600的具体结构参考图4，则制作OLED器件600的方法具体可以包括：S110在第二基板表面依次形成阳极图案、HIL/HTL功能层、发光层、ETL功能层和阴极，以便获得发光结构层640；S120在基板100的一侧依次制作LTPS层610和PS620，以获得OLED器件的驱动基板；S130在LTPS层620远离基板100的一侧涂Frit 630，并将驱动基板与发光结构层进行对盒、封装，以获得制作在基板100一侧的OLED器件600。
在本发明的一些具体示例中，先制作第三器件600，参考图9，直接在基板100的一侧依次形成LTPS层610、PS 620、Frit 630和发光结构层640。如此，基板100可直接作为OLED器件的驱动基板使用。在本发明的另一些具体示例中，后制作第三器件600，参考图10的S100，将基板100翻转，并在基板100的另一侧，即基板100远离保护层800的一侧，依次形成LTPS层610、PS 620、Frit 630和发光结构层640。如此，基板100可同时作为电路载体基板和OLED器件的驱动基板使用。
在本发明的一些实施例中，先制作第三器件600，参照图7，在制作第三器件600之后，该制作方法可进一步包括：
S310：在第三器件600的表面形成保护层800。
在该步骤中，参考图9，在制作好的第三器件600的表面形成保护层800，来避免后续制作过程中各工艺可能会对OLED器件产生的影响。
根据本发明的实施例，保护层800的具体材料不受特别的限制，只要该保护层800能有效的保护第三器件600不受后续步骤的影响即可，本领域技术人员可根据后续步骤S210～250的具体工艺来选择。在本发明的一些实施例中，保护层800可以由耐酸碱的UV固化材料组成，如此，采用上述材料组成的保护层800，可更充分地保护OLED器件的内部结构和使用功能，从而使该扇出型集成封装结构的良品率更高。
根据本发明的实施例，形成保护层800的具体方法也不受特别的限制，只要该方法能有效地在第三器件600的表面形成保护层800且不会影响OLED器件的内部结构和使用功能即可，本领域技术人员可根据保护层800的具体材料以及OLED器件的内部结构和使用功能进行选择，在此不再赘述。
S210：在基板100的另一侧通过扇出成型工艺形成重新布线层200。
在该步骤中，在基板100的一侧通过扇出成型工艺形成重新布线层200。其中，重新布线层200中的金属布线亚层120可预先根据该封装结构的第一器件300和第二器件500的位置设计进行多层电路系统的垂直几何设计。
根据本发明的实施例，形成的重新布线层200的具体结构不受特别的限制，本领域技术人员可根据第一器件300和第二器件500的具体个数和位置进行设计。在本发明的一些实施例中，该重新布线层200可进一步包括底部金属层230，该底部金属层230形成在重新布线层200靠近基板100的一侧，且底部金属层230的具体结构可以参考图11。如此，采用上述设计的底部金属层230，可更好地对第一器件300和第二器件500的垂直几何电路进行集成。
根据本发明的实施例，形成重新布线层200的具体方法不受特别的限制，具体例如预先制备成型后再贴附到基板100的一侧，或者在基板100的一侧逐分层地形成底部金属层230、金属布线亚层220和介质亚层210，等等，本领域技术人员可根据实际的制造情况进行选择，在此不再赘述。
在本发明的一些具体示例中，先制作第三器件600，参考图9，将基板100翻转后，在基板100的另一侧，即基板100远离保护层800的一侧，形成重新布线层200。如此，可将基板100复用，同时作为OLED器件的驱动基板和电路载体基板，进而使该扇出型集成封装结构的体积更小、集成度更高。在本发明的另一些具体示例中，后制作第三器件600，参考图10，直接在基板100的一侧形成重新布线层200。如此，基板100可作为电路载体基板使用。
S220：在重新布线层200远离基板100的一侧固定至少一个第一器件300。
在该步骤中，在重现布线层200远离基板100的一侧，固定至少一个第一器件300，且第一器件300与重新布线层200电连接。如此，可通过垂直几何的电路设计对第一器件300的输入输出口进行重新设计。
S230：在至少一个第一器件300远离基板100的一侧形成塑封层400。
在该步骤中，在第一器件300远离基板100的一侧形成塑封层400，从而固定并保护至少一个第一器件300。
根据本发明的实施例，形成塑封层400的具体方法不受特别的限制，本领域内常用的注塑方法均可，只要该方法形成的塑封层400能有效地固定并保护第一器件300均可，本领域技术人员可根据塑封层400和第一器件300的具体材料进行选择，在此不再赘述。
在本发明的一些具体示例中，可以在第一器件300的周边区域同时固定多个第二器件500，且多个第二器件500采用串联连接关系。再在至少一个第一器件300和多个第二器件500远离基板100的一侧，形成塑封层400。如此，可充分利用第一器件300之间的空间形成串联的电池单元，从而最大化地利用水平几何空间。
在本发明的另一些具体示例中，在形成塑封层400之后，该制作方法可进一步包括：
S250：在塑封层400和重新布线层200形成过孔，且在过孔中形成金属层700。
在该步骤中，在塑封层400和垂直对应的重新布线层200中形成过孔，并在过孔中进一步形成金属层700，其中，金属层700用于电连接第二器件300。
根据本发明的实施例，形成过孔的具体方法不受特别的限制，只要该方法形成的过孔能填充金属层700即可，本领域技术人员可根据塑封层400和重新布线层200的具体材料进行选择，在此不再赘述。
根据本发明的实施例，形成金属层700的具体方法也不受特别的限制，只要该方法形成的金属层700有效地电连接第二器件500即可，本领域技术人员可根据该封装结构的具体使用要求进行选择，在此不再赘述。
S240：固定第二器件500。
在该步骤中，固定好第二器件500。在本发明的一些具体示例中，该第二器件500可以直接固定在重新布线层200远离基板100的一侧，且固定在第一器件300的周边区域。如此，可充分利用第一器件300之间的空间形成串联的电池单元，从而最大化地利用水平几何空间。在本发明的另一些具体示例中，可在塑封层400远离基板100的一侧固定第二器件500。如此，可充分增加电池单元500的面积，并充分利用第一器件300之间的空间实现电池单元500的垂直几何设计的电路，不仅进一步提高了制备的封装结构的集成度，还可使相同体积下的终端结构的续航能力更高。
在本发明的一些实施例中，先制作第三器件600，参照图7，在固定第二器件500之后，该制作方法可进一步包括：
S320：去除第三器件600表面的保护层800。
在该步骤中，参照图9，在制作完成电路一侧的结构后，将基板100的另一侧的保护层800去除，从而可获得扇出型集成封装结构。
根据本发明的实施例，去除保护层800的方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据第三器件600和保护层800的具体材料进行选择，具体例如剥离、刻蚀，等等，在此不再赘述。
在本发明的另一些实施例中，后制作第三器件600，参照图8，在固定第二器件500之后，该制作方法可进一步包括：
S330：在重新布线层200、塑封层400和第二器件500的表面形成保护层800。
在该步骤中，参照图10，在制作好的重新布线层200、塑封层400和第二器件500的表面形成保护层800，来避免后续制作过程中各工艺可能会对上述结构产生的影响。
根据本发明的实施例，保护层800的具体材料不受特别的限制，只要该保护层800能有效的保护上述结构不受后续步骤的影响即可，本领域技术人员可根据后续步骤S100的具体工艺来选择。在本发明的一些实施例中，保护层800可以由耐酸碱的UV固化材料组成，如此，采用上述材料组成的保护层800，可更充分地保护上述结构的完整性和使用性，从而使该扇出型集成封装结构的良品率更高。
根据本发明的实施例，形成保护层800的具体方法也不受特别的限制，只要该方法能有效地在上述结构的表面形成保护层800且不会影响上述结构的完整性和使用性即可，本领域技术人员可根据保护层800的具体材料以及上述结构的材料进行选择，在此不再赘述。
在本发明的另一些实施例中，后制作第三器件600，参照图8，在制作第三器件600之后，该制作方法可进一步包括：
S340：去除重新布线层200、塑封层400和第二器件500表面的保护层800。
在该步骤中，参照图10，在制作完成OLED器件一侧的结构后，将基板100的另一侧的保护层800去除，从而可获得扇出型集成封装结构。
根据本发明的实施例，去除保护层800的方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据重新布线层200、塑封层400、第二器件500和保护层800的具体材料进行选择，具体例如剥离、刻蚀，等等，在此不再赘述。
还根据本发明的实施例，将获得的扇出型集成封装结构可以再进一步切割(Cutting)，如此可得到单个OLED器件的单元(CELL)。根据本发明的实施例，切割的具体方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据OLED器件的具体结构、基板以及重新布线层、塑封层的具体材料进行选择，在此不再赘述。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种制作扇出型集成封装结构的方法，可在同一基板上集成电池单元、电子元器件和OLED器件，获得的扇出型集成封装结构的集成度非常高、体积更小，并且该方法通过扇出成型工艺将电池单元和其他单元集成化，并且取消了PCT板，且省去了SMT工艺。本领域技术人员能够理解的是，前面针对扇出型集成封装结构所描述的特征和优点，仍适用于该制作扇出型集成封装结构的方法，在此不再赘述。
在本发明的一个方面，本发明提出了另一种终端设备。
根据本发明的实施例，该终端设备包括上述的扇出型集成封装结构。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种终端设备，其扇出型集成封装结构高度集成了电池和其他单元，特别是集成了OLED器件，从而使终端设备的体积更小、密度更高，进而满足了市场对该移动设备轻薄化的需求。本领域技术人员能够理解的是，前面针对扇出型集成封装结构、制作扇出型集成封装结构的方法所描述的特征和优点，仍适用于该终端设备，在此不再赘述。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (13)
1.一种扇出型集成封装结构，其特征在于，包括：
基板；
重新布线层，所述重新布线层形成在所述基板的一侧；
至少一个第一器件，所述第一器件固定于所述重新布线层远离所述基板的一侧，且与所述重新布线层电相连；
塑封层，所述塑封层形成在所述至少一个第一器件远离所述重新布线层的一侧；
第二器件，所述第二器件为电池单元；以及
第三器件，所述第三器件制作在所述基板的另一侧，且所述第三器件为OLED器件。
2.根据权利要求1所述的扇出型集成封装结构，其特征在于，所述第一器件包括选自芯片、电阻、电容、摄像头、基带处理单元、应用处理器和麦克风的至少一种。
3.根据权利要求2所述的扇出型集成封装结构，其特征在于，
所述第二器件固定于所述塑封层远离所述重新布线层的一侧；
所述塑封层进一步包括过孔形成在所述第二器件靠近所述基板的一侧，且贯穿所述塑封层和所述重新布线层；
所述扇出型集成封装结构进一步包括金属层，所述金属层设置在所述过孔内，且与所述第二器件电相连。
4.根据权利要求2所述的扇出型集成封装结构，其特征在于，包括多个所述第二器件，多个所述第二器件设置在所述至少一个第一器件的周边区域，且所述多个第二器件采用串联连接关系。
5.根据权利要求1所述的扇出型集成封装结构，其特征在于，所述重新布线层由选自导电聚合物和纳米导电材料的至少之一形成的；
其中，所述导电聚合物包括选自聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙炔、聚双炔中的至少一种；
所述纳米导电材料包括选自纳米银、石墨烯、磷烯、纳米金球中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的扇出型集成封装结构，其特征在于，所述基板由聚酰亚胺材料形成。
7.一种制作权利要求1～6任一项所述的扇出型集成封装结构的方法，其特征在于，包括：
在基板的一侧制作第三器件；
在所述基板的另一侧通过扇出成型工艺形成重新布线层；
在所述重新布线层远离所述基板的一侧固定至少一个第一器件，且所述第一器件与所述重新布线层电连接；
在所述至少一个第一器件远离所述基板的一侧形成塑封层；固定第二器件。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，
形成所述塑封层之后，进一步包括：在所述塑封层和所述重新布线层形成过孔，且在所述过孔中形成金属层，其中，所述金属层用于电连接所述第二器件；
在所述塑封层远离所述基板的一侧固定第二器件。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，
形成所述塑封层之前，进一步包括：在所述至少一个第一器件的周边区域，固定多个所述第二器件，且所述多个第二器件采用串联连接关系。
10.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，
在制作所述第三器件之后，进一步包括：在所述第三器件的表面形成保护层；
在固定所述第二器件之后，进一步包括：去除所述保护层。
11.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，
在固定所述第二器件之后，进一步包括：在所述重新布线层、所述塑封层、所述第二器件的表面形成保护层；
在制作所述第三器件之后，进一步包括：去除所述保护层。
12.根据权利要求10或11所述的制作方法，其特征在于，所述保护层由耐酸碱的UV固化材料形成。
13.一种终端设备，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的扇出型集成封装结构。
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- 2017-05-11 CN CN201710330981.XA patent/CN107123645A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105793795A (zh) * | 2013-12-17 | 2016-07-20 | 勒克斯维科技公司 | 显示模块和系统应用 |
| US20170084576A1 (en) * | 2015-09-21 | 2017-03-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated Fan-out Stacked SiP and the Methods of Manufacturing |
| CN105514087A (zh) * | 2016-01-26 | 2016-04-20 | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 | 双面扇出型晶圆级封装方法及封装结构 |
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