CN107076790B - 基板检查装置及基板检查方法 - Google Patents

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Abstract

提供容易地降低电容和电阻值的测定工时的基板检查装置和基板检查方法。所述基板检查装置具备：测定处理部(41)，其与将多个连接端子(Tx)和多个连接端子(Ty)分别组合而得到的多个组合对应，针对与各组合对应的连接端子(Tx、Ty)，通过交流电源(2)向该连接端子(Ty)供给交流信号(SA)，通过电流计(3)检测流动到该连接端子(Tx)的电流，由此执行获取与各组合对应的电流的测定处理；计算部(42)，其执行基于在测定处理中通过电流计(3)检测出的电流的大小和表示相位的信息来计算与各组合对应的电容和电阻值的计算处理。

Description

基板检查装置及基板检查方法
技术领域
本发明涉及检查基板的基板检查装置及基板检查方法。
背景技术
近年来，伴随着以智能手机、平板电脑为首的电子设备的快速普及，对检测人的手指和/或触控笔所触摸的位置的触摸面板的需求特别高。作为这样的触摸面板而为人所知的有使两张电阻膜相对配置并将其配置在触摸面，并根据用户触摸触摸面时的电阻值来检测触摸位置的电阻膜式的触摸面板。作为这样的电阻膜式的触摸面板的检查方法而为人所知的有例如专利文献1。
另一方面，近年来，将配置成网格状的透明电极配置在触摸面，并基于在用户用手指触摸面板时产生的电容来检测触摸位置的电容式的触摸面板得到广泛应用。就电容式的触摸面板而言，在面板表面设定X-Y的二维坐标，并以与X-Y坐标对应的方式在例如玻璃等透明基板上相互绝缘地相对配置有沿X方向延伸的多个透明电极和沿Y方向延伸的多个透明电极。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-274225号公报
发明内容
技术问题
然而，在检查上述那样的电容式的触摸面板时，需要测定在沿X方向延伸的透明电极与沿Y方向延伸的透明电极之间产生的电容和透明电极的电阻。对于电容的测定使用电容用测定装置，对于电阻值的测定使用测定器等电阻用测定装置。因此，就需要电容测定工序和电阻值测定工序，存在检查工时增加这样的缺点。
本发明的目的在于，提供一种在检查例如触摸面板那样地、以沿预定的第一方向延伸的多个第一电极和沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极彼此对置的方式形成的基板时，容易地降低电容和电阻值的测定工时的基板检查装置及基板检查方法。
技术方案
本发明的基板检查装置为检查以沿预定的第一方向延伸的多个第一电极和沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极彼此对置的方式形成的基板的基板检查装置，其具备：交流电压输出部，其输出预定的交流电压；电流检测部，其检测电流；多个第一连接端子，能够分别与所述多个第一电极电连接；多个第二连接端子，能够分别与所述多个第二电极电连接；测定处理部，其与将所述多个第一连接端子和所述多个第二连接端子分别组合而得到的多个组合对应，针对与各所述组合对应的第一连接端子和第二连接端子，通过所述交流电压输出部向该第二连接端子提供所述交流电压，通过所述电流检测部检测流动到该第一连接端子的电流，由此执行获取与各所述组合对应的电流的测定处理；以及计算部，其执行基于在所述测定处理中通过所述电流检测部检测出的电流的大小和表示相位的信息来计算与各所述组合对应的电容和电阻值的计算处理。
此外，本发明的基板检查方法为检查以沿预定的第一方向延伸的多个第一电极和沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极彼此对置的方式形成的基板的基板检查方法，其包括：将多个第一连接端子分别与所述多个第一电极电连接的工序；将多个第二连接端子分别与所述多个第二电极电连接的工序；测定处理工序，与将所述多个第一连接端子和所述多个第二连接端子分别组合而得到的多个组合对应，针对与各所述组合对应的第一连接端子和第二连接端子，向该第二连接端子供给交流电压，并检测流动到该第一连接端子的电流，由此执行获取与各所述组合对应的电流的测定处理；以及计算工序，执行基于在所述测定处理中检测到的所述电流的大小和表示相位的信息来计算与各所述组合对应的电容和电阻值的计算处理。
根据这些构成，在检查以沿预定的第一方向延伸的多个第一电极和沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极彼此对置的方式形成的基板时，与将多个第一连接端子和多个第二连接端子分别组合而得到的多个组合，即多个第一电极和多个第二电极的各组合对应，向第二连接端子供给交流电压，并检测流动到第一连接端子的电流，由此基于检测到的电流的大小和表示相位的信息来计算与各组合对应的电容和电阻值。其结果是，不需要将电容的测定工序和电阻值的测定工序分开执行。因此，在检查以沿预定的第一方向延伸的多个第一电极和沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极彼此对置的方式形成的基板时，容易地降低电容和电阻值的测定工序。
此外，优选地，所述基板包括：多个第一基板端子，分别与所述多个第一电极导通；以及多个第二基板端子，分别与所述多个第二电极导通，所述多个第一连接端子分别与所述多个第一基板端子连接，并经由该多个第一基板端子分别与所述多个第一电极电连接，所述多个第二连接端子分别与所述多个第二基板端子连接，并经由该多个第二基板端子分别与所述多个第二电极电连接。
根据该结构，能够不将第一连接端子和第二连接端子直接连接到第一电极和第二电极，而将第一连接端子和第二连接端子连接到第一基板端子和第二基板端子，经由第一基板端子和第二基板端子检查第一电极和第二电极，因此，容易一边降低因划伤第一电极和第二电极等而产生损坏的可能性，一边进行基板检查。
此外，优选地，所述基板为触摸面板，所述触摸面板被预定为：将为了读取各所述第一电极和各所述第二电极交叉的位置的电容而预先设定的读取频率的交流信号供给到各所述第一电极和各所述第二电极，所述交流电压的频率与所述读取频率大致相等。
根据该结构，使用频率与在使用触摸面板时所使用的读取频率大致相等的交流电压来进行触摸面板的检查，因此能够在接近实际使用条件的条件下检查触摸面板。
此外，优选地，所述基板检查装置还具备内部参数存储部，所述内部参数存储部将对应于各所述组合而在所述基板检查装置内部产生的电容和电阻值作为内部电容和内部电阻值存储，所述计算部还执行内部参数修正处理，所述内部参数修正处理基于对应于各所述组合而存储在所述内部参数存储部的内部电容和内部电阻值来修正与各该组合对应的电容和电阻值。
根据该结构，能够根据对应于第一电极和第二电极的组合而测定、计算的电容和电阻值来降低在基板检查装置内部产生的电容和电阻值的影响，因此，能够提高检查对象位置的电容和电阻值的获取精度。
此外，优选地，所述基板检查装置还具备内部参数获取处理部，所述内部参数获取处理部将在所述多个第一电极和所述多个第二电极与所述多个第一连接端子和所述多个第二连接端子未连接的状态下，通过由所述测定处理部和所述计算部执行所述测定处理和所述计算处理而对应于各所述组合得到的电容和电阻值与各该组合对应地作为所述内部电容和所述内部电阻值而存储于所述内部参数存储部。
根据该结构，能够测定、计算在基板检查装置内部产生的电容和电阻值，并作为内部电容和内部电阻值而存储于内部参数存储部。
此外，优选地，所述基板检查装置还具备杂散电容存储部，所述杂散电容存储部对应于各所述组合而存储在所述基板产生的杂散电容，所述计算部执行杂散电容修正处理，所述杂散电容修正处理基于对应于各所述组合而存储在所述杂散电容存储部的杂散电容来修正与各该组合对应的电容。
根据该结构，能够根据对应于第一电极和第二电极的组合而测定、计算的电容来降低在基板产生的杂散电容的影响，因此，能够提高检查对象位置的电容的获取精度。
此外，优选地，所述基板检查装置还具备：基准电容存储部，其存储预先得知了基准电容的基准基板的与各所述组合对应的所述基准电容，所述基准电容为对应于各所述组合而在基板内部产生的电容；以及杂散电容获取处理部，其基于在所述多个第一连接端子和所述多个第二连接端子连接于所述基准基板的状态下，通过由所述测定处理部和所述计算部执行所述测定处理和所述计算处理而对应于各所述组合得到的电容、和由所述基准电容存储部对应于各所述组合而存储的所述基准电容，来计算与各所述组合对应的杂散电容，并将该杂散电容存储于所述杂散电容存储部。
根据该结构，能够测定、计算对应于各组合而在基板产生的杂散电容，并存储于杂散电容存储部。
此外，优选地，所述基板检查装置还具备显示图像的显示部，所述图像为将通过所述计算处理而计算出的与各所述组合对应的电阻值以三维图表来表示而得到的图像。
根据该结构，由于各组合与多个第一电极和多个第二电极的组合对应，即与基板上的坐标位置对应，因此通过将与各组合对应的电阻值以三维图表来表示，能够使用户在视觉上确认与基板上的位置对应的电阻值。
此外，优选地，所述基板检查装置还具备显示图像的显示部，所述图像为将通过所述计算处理而计算出的与各所述组合对应的电容以三维图表来表示而得到的图像。
根据该结构，由于各组合与多个第一电极和多个第二电极的组合对应，即与基板上的坐标位置对应，因此通过将与各组合对应的电容以三维图表来表示，能够使用户在视觉上确认与基板上的位置对应的电容。
此外，优选地，所述基板检查装置还具备显示图像的显示部，所述图像为将通过所述判定部计算出的与各所述组合对应的差以三维图表来表示而得到的图像。
根据该构成，由于各组合与多个第一电极和多个第二电极的组合对应，即与基板上的坐标位置对应，因此通过将与各组合对应的电阻值的计算值与判定值的差以三维图表来表示，能够使用户在视觉上确认与基板上的位置对应的电阻值的偏差。
此外，优选地，所述基板检查装置具备：判定值存储部，其预先存储成为判定与各所述组合对应的所述电阻值的合格与否的基准的判定值；以及判定部，其对应于各所述组合分别计算出由所述计算部得到的与各所述组合对应的电阻值与对应于各该组合而存储于所述判定值存储部的判定值的差，在与各该组合对应的差超过预先设定的差值判定值时，将与超过该差值判定值的组合对应的由所述第一电极和所述第二电极表示的坐标位置判定为所述基板的不良位置。
根据该结构，能够针对对应于第一电极和第二电极的组合而测定、计算的各电阻值来判定合格与否，并且判定其不良位置。
技术效果
这样的结构的基板检查装置及基板检查方法在检查以沿预定的第一方向延伸的多个第一电极和沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极彼此对置的方式形成的基板时，容易地降低电容和电阻值的测定工时。
附图说明
图1是概念性示出本发明的一个实施方式的基板检查装置的结构的一例的框图。
图2是将图1所示的基板检查装置简化并概念性示出的概念图。
图3是等效地示出在图1所示的测定处理部的测定处理中，在连接端子Txm、Tyn被选择的情况下执行测定处理时的测定电路的等效电路。
图4是示出交流信号的电压波形与通过电流计检测出的电流波形之间的关系的波形图。
图5是用于说明根据测定阻抗和相位差来计算电阻值与电容的方法的说明图。
图6是示出本发明的一个实施方式的基板检查方法的流程图。
图7是示出本发明的一个实施方式的基板检查方法的流程图。
图8是示出本发明的一个实施方式的基板检查方法的流程图。
图9是示出本发明的一个实施方式的基板检查方法的流程图。
图10是示出与触摸面板基板的各坐标位置对应的测定电容与用于测定的交流信号的频率之间的关系的一例的说明图。
图11是示出与触摸面板基板的各坐标位置对应的测定电容与用于测定的交流信号的频率之间的关系的一例的说明图。
图12是示出与触摸面板基板的各坐标位置对应的测定电容与用于测定的交流信号的频率之间的关系的一例的说明图。
图13是示出对图12所示的测定电容进行了修正的结果的说明图。
图14是表示与触摸面板基板的各坐标位置对应的电阻值的理论值的图表。
图15是示出与触摸面板基板的各坐标位置对应的测定电阻值与测定频率之间的关系的图表。
图16是示出与触摸面板基板的各坐标位置对应的测定电阻值与测定频率之间的关系的图表。
图17是用于说明在触摸面板基板的电极产生不良的情况的说明图。
图18是示出针对图17所示的触摸面板基板的与各坐标位置对应的差值的图表。
图19是示出图1所示的基板检查装置的变形例的说明图。
图20是图19所示的基板检查装置中的针对触摸面板基板的与各坐标位置对应的测定电阻值的图表。
符号说明
1：基板检查装置
2：交流电源(交流电压输出部)
3：电流计(电流检测部)
4：控制部
5：显示部
6：操作部
41：测定处理部
42：计算部
43：内部参数获取处理部
44：杂散参数获取处理部(杂散电容获取处理部)
45：内部参数存储部
46：杂散参数存储部(杂散电容存储部)
47：基准参数存储部
48：判定值存储部
49：判定部
C：电容
Cf：杂散电容
Ci：内部电容
Cj：电容判定值
Cmes：测定电容
Cref：基准电容
Dc：差值
Dcj：差值判定值
Dr：差值
Drj：差值判定值
f：频率
f0：读取频率
I：电流值
P：触摸面板基板(基板)
Pref：基准基板
Px、Px1～Px7：基板端子(第一基板端子)
Py、Py1～Py5：基板端子(第二基板端子)
R：电阻值
Rf：杂散电阻值
Ri：内部电阻值
Rj：电阻判定值
Rmes：测定电阻值
Rref：基准电阻值
SA：交流信号
SW1、SW2：切换开关
Tx1～Tx7：连接端子(第一连接端子)
Ty1～Ty5：连接端子(第二连接端子)
V：输出电压
X1～X7：电极(第一电极)
Y1～Y5：电极(第二电极)
Z：测定阻抗
θ：相位差
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。应予说明，在各图中标记了相同符号的结构表示相同结构，而省略其说明。图1是概念性示出本发明的一个实施方式的基板检查装置的结构的一例的框图。图1所示的基板检查装置1具备：交流电源2(交流电压输出部)、电流计3(电流检测部)、控制部4、显示部5(通知部)、操作部6、连接端子Tx1～Tx4(第一连接端子)、连接端子Ty1～Ty4(第二连接端子)、及切换开关SW1、SW2。应予说明，也可以将连接端子Tx1～Tx4作为第二连接端子，将连接端子Ty1～Ty4作为第一连接端子。
在图1所示的基板检查装置1连接有检查对象的触摸面板基板P(基板)。在图1所示的触摸面板基板P设定有X-Y坐标，在图1所示的例子中，将横向设为X轴，将纵向设为Y轴。
在触摸面板基板P，相互分离地沿Y轴方向(第一方向)延伸的多个X电极X1～X4(第一电极)与相互分离地沿与Y轴方向垂直交叉的X轴方向(第二方向)延伸的多个Y电极Y1～Y4(第二电极)以在触摸面板基板P的厚度方向(纸面进深方向)上彼此对置的方式形成在板状的例如玻璃等透明基材Pa的表面。由此，X电极X1～X4与X坐标对应，Y电极Y1～Y4与Y坐标对应。
即，X电极X1与Y电极Y1的组合与触摸面板基板P中的坐标位置(X1，Y1)对应，X电极Xm与Y电极Yn的组合与触摸面板基板P中的坐标位置(Xm，Yn)对应(m、n为任意整数)。
应予说明，基板可以不一定是触摸面板用的基板，也可以是例如印制布线基板、柔性基板、陶瓷多层布线基板、液晶显示器和/或等离子体显示器用的电极板、以及半导体封装用的封装基板和/或薄膜载体(フィルムキャリア)等各种基板。
应予说明，在图1所示的例子中为了简化说明，方便起见示出了X电极、Y电极分别有四个的例子，但是，电极的数量可根据触摸面板基板P的大小和/或位置检测精度而适当设定。
X电极X1～X4和Y电极Y1～Y4为所谓的透明电极，例如由氧化铟锡(Indium TinOxide，ITO)和/或氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)等构成。应予说明，作为X电极X1～X4和Y电极Y1～Y4，可以使用各种材料，也可以不一定是透明电极。
在X电极X1～X4与Y电极Y1～Y4交叉的位置，在X电极X1～X4与Y电极Y1～Y4之间形成有绝缘涂层，彼此被电绝缘。此外，根据绝缘涂层的厚度，在X电极X1～X4与Y电极Y1～Y4之间产生微小的间隔。
X电极X1～X4和Y电极Y1～Y4的形状分别设为将固定大小的多个小菱形串起来那样的图案，且宽幅部与窄幅部在长度方向上反复交替出现。X电极X1～X4和Y电极Y1～Y4在上述窄幅部的部分中，在俯视时相互交叉。由此，通过X电极X1～X4和Y电极Y1～Y4中的任一个覆盖大致整个能够检测触摸位置的区域(以下，称为触摸区域)。
在触摸面板基板P形成有与X电极X1～X4导通连接的基板端子Px1～Px4(第一基板端子)、和与Y电极Y1～Y4导通连接的基板端子Py1～Py4(第二基板端子)。基板端子Px1～Px4和基板端子Py1～Py4为使用例如银浆和/或铜浆等具有导电性的浆料通过丝网印刷而形成的。
应予说明，基板端子Px1～Px4、Py1～Py4可以是例如连接器，也可以是其他连接手段。基板端子Px1～Px4、Py1～Py4只要使X电极X1～X4、Y电极Y1～Y4与连接端子Tx1～Tx4、Ty1～Ty4导通连接即可，不限于上述例子。此外，也可构成为不设置基板端子Px1～Px4、Py1～Py4，而将X电极X1～X4、Y电极Y1～Y4与连接端子Tx1～Tx4、Ty1～Ty4直接导通连接。
图2是将图1所示的基板检查装置1简化并概念性示出的概念图。对于图2所示的基板检查装置1，示出了具备七个X电极X1～X7、和五个Y电极Y1～Y5的例子。虽然在图2中省略图示，但在以下说明中，以基板检查装置1具备与X电极X1～X7对应的基板端子Px1～Px7(第一基板端子)、连接端子Tx1～Tx7(第一连接端子)和切换开关SW1，并具备与Y电极Y1～Y5(第二电极)对应的基板端子Py1～Py5(第二基板端子)、连接端子Ty1～Ty5(第二连接端子)和切换开关SW2的情况进行说明。
以下，适当参照图1和图2对基板检查装置1的结构进行说明。以下，将X电极X1～X7、Y电极Y1～Y5分别总称为X电极X、Y电极Y，将基板端子Px1～Px7、Py1～Py5分别总称为基板端子Px、Py，将连接端子Tx1～Tx7、Ty1～Ty5分别总称为连接端子Tx、Ty。
在触摸面板基板P被组装于产品而使用时，触摸面板基板P被预定为将为了读取X电极X与Y电极Y交叉的位置的电容而预先设定的读取频率f0的交流信号经由连接端子Ty和基板端子Py向Y电极Y提供，并经由该交叉的位置的电容提供给X电极X。读取频率f0变得越高则越能够使触摸面板的位置检测速度高速化，提高触摸面板的响应性。
另一方面，读取频率f0变得越高则越容易产生噪声，且难以进行噪声对策。因此，从用户操作触摸面板时的操作性的观点及设计上的制约来看，作为能够得到触摸面板的适当的响应性的读取频率f0，使用例如100kHz～1MHz的频率，更优选地使用300kHz～500kHz左右的频率。
连接端子Tx1～Tx7、Ty1～Ty5为构成为能够与基板端子Px1～Px7、Py1～Py5连接的连接端子。连接端子Tx1～Tx7、Ty1～Ty5通过例如用户将检查对象的触摸面板基板P安装到基板检查装置1的预定的安装位置来与基板端子Px1～Px7、Py1～Py5连接，使连接端子Tx1～Tx7和连接端子Ty1～Ty5与X电极X1～X7和Y电极Y1～Y5导通。
切换开关SW1根据来自控制部4的控制信号，将连接端子Tx1～Tx7的连接对象分别在电流计3和电路接地之间切换。切换开关SW2根据来自控制部4的控制信号，将连接端子Ty1～Ty5的连接对象分别在交流电源2和电路接地之间切换。
交流电源2以例如有效值将输出电压V的交流信号SA向由切换开关SW2选择的连接端子Ty供给。交流信号SA被设为例如正弦波或方波。此外，交流信号SA的频率f为与读取频率f0大致相等的频率，设定在例如f0×0.9～f0×1.1的频率范围内。通过将频率f设为与读取频率f0大致相等的频率，能够在与触摸面板基板P的使用条件相同的条件下检查触摸面板基板P，因此，能够提高检查的可靠性。
电流计3检测流动到由切换开关SW1选择的连接端子Tx的电流，并将表示其电流值I和其相位差θ的信息向控制部4输出。相位差θ表示检测电流相对于交流信号SA的相位的差。应予说明，对于电流计3，示出了输出相位差θ来作为表示相位的信息的例子，但是，表示相位的信息不限于相位差θ。例如，可以实时输出检测到的电流的相位。在此情况下，可以通过例如控制部4来计算交流信号SA与检测电流的相位差θ。
显示部5为例如液晶显示装置或有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器等显示装置。操作部6为接收用户的操作输入的操作装置。作为操作部6，可以使用例如操作开关、键盘和/或触摸面板等。
控制部4由例如执行预定的运算处理的CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、临时存储数据的RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、存储预定的控制程序的非易失性的ROM(Read Only Memory：只读存储器)和/或HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)等存储装置、由HDD等存储装置构成的内部参数存储部45、杂散参数存储部46(杂散电容存储部)、基准参数存储部47(基准电容存储部)、判定值存储部48等存储部以及他们的外围电路等构成。并且，控制部4通过执行存储在例如上述存储装置的控制程序来作为测定处理部41、计算部42、内部参数获取处理部43、杂散参数获取处理部44(杂散电容获取处理部)以及判定部49发挥功能。
就测定处理部41而言，与将连接端子Tx1～Tx7、和连接端子Ty1～Ty5分别组合而得到的多个组合对应，针对与这些各组合对应的连接端子Txm和连接端子Tyn，通过交流电源2向该连接端子Tyn提供交流信号SA，通过电流计3检测流动到该连接端子Txm的电流。由此，测定处理部41执行获取与这些各组合对应的电流的电流值I和相位差θ的测定处理。
测定处理部41在选择连接端子Txm时，通过切换开关SW1使连接端子Txm与电流计3连接，并使除了连接端子Txm以外的连接端子Tx与电路接地连接。此外，测定处理部41在选择连接端子Tyn时，通过切换开关SW2使连接端子Tyn与交流电源2连接，并使除了连接端子Tyn以外的连接端子Ty与电路接地连接。
应予说明，测定处理部41和切换开关SW1、SW2可以构成为将除了被选择的连接端子以外的连接端子开路(断开)。
这里，因为连接端子Tx1～Tx7、连接端子Ty1～Ty5分别与X电极X1～X7、Y电极Y1～Y5电连接，所以连接端子Txm与连接端子Tyn的组合与X电极Xm与Y电极Yn的组合对应。即，连接端子Txm与连接端子Tyn的组合与坐标位置(Xm，Yn)对应。
即，测定处理部41在测定处理中与触摸面板基板P的所有的坐标位置(X1，Y1)～(X7，Y5)对应地获取电流值I和相位差θ。以下，将与坐标位置(Xm，Yn)对应的电流值I称为电流值I(m，n)，将与坐标位置(Xm，Yn)对应的相位差θ称为相位差θ(m，n)。此外，将测定处理部41在测定处理中通过切换开关SW1、SW2选择连接端子Txm、Tyn，并通过电流计3测定电流值I(m，n)和相位差θ(m，n)的情况简化而简称为测定电流值I(m，n)和相位差θ(m，n)。
计算部42基于在测定处理部41的测定处理中通过电流计3检测出的电流的大小即电流值I和表示相位的信息即相位差θ，来计算与连接端子的各组合即触摸面板基板P的所有的坐标位置(X1，Y1)～(X7，X5)对应的电容C和X电极、Y电极的电阻值R。以下，将与坐标位置(Xm，Yn)对应的电容C称为电容C(m，n)，将与坐标位置(Xm，Yn)对应的电阻值R称为电阻值R(m，n)。
图3是等效地示出在图1所示的测定处理部41的测定处理中，在连接端子Txm、Tyn被选择的情况下即执行坐标位置(Xm，Yn)的测定处理时的测定电路的等效电路。在此情况下的测定电路中，从连接端子Tyn与基板端子Pyn之间的连接点到Y电极Yn与X电极Xm交叉为止的区间的电阻值成为电阻值Ry(m，n)，在Y电极Yn与X电极Xm的交叉部分形成的电容成为电容C(m，n)，从Y电极Yn与X电极Xm的交叉部分起到达基板端子Pxm与连接端子Txm之间的连接点为止的区间的电阻值成为电阻值Rx(m，n)。
在执行坐标位置(Xm，Yn)的测定处理时，该测定对象的电路由电阻值Ry(m，n)、电容C(m，n)和电阻值Rx(m，n)的串联电路来表示。进一步地，产生未图示的基板检查装置1内部的电阻值即内部电阻值Ri(m，n)和基板检查装置1内部的内部电容Ci(m，n)。
此外，在触摸面板基板P形成有杂散电容Cf(m，n)和伴随着杂散电容Cf(m，n)产生的杂散电阻值Rf(m，n)。在图3中，根据说明的情况将杂散电容Cf(m，n)和杂散电阻值Rf(m，n)记载为连接在电容C(m，n)与电阻值Rx(m，n)之间，但是实际上杂散电容Cf(m，n)和杂散电阻值Rf(m，n)遍布测定对象的电路整体而产生。
计算部42基于在测定处理部41的测定处理中得到的电流值I(m，n)和相位差θ(m，n)、以及交流电源2的输出电压V，利用例如下述的式(1)来计算测定阻抗Z(m，n)。
Z(m，n)＝V/I(m，n)…(1)
其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5。
图4是示出交流信号SA的电压波形与通过电流计3检测出的电流波形之间的关系的波形图。图5是用于说明根据测定阻抗Z(m，n)和相位差θ(m，n)来计算电阻值R(m，n)与电容C(m，n)的方法的说明图。交流信号SA的频率f为与读取频率f0大致相等的频率。读取频率f0为读取人使手指在触摸面板上移动的速度的程度的频率，因此为较低频率。因此，根据交流信号SA的频率f产生的包含在测定阻抗Z(m，n)的电感分量极小，如图3所示，能够用RC电路来近似测定电路。
因此，如图5所示，通过基于相位差θ(m，n)的向量运算能够将测定阻抗Z(m，n)分解为电阻分量和电容分量。具体地说，计算部42执行基于下述的式(2)、式(3)计算测定电阻值Rmes(m，n)和测定电容Cmes(m，n)的计算处理。
Rmes(m，n)＝Z(m，n)×COSθ…(2)
Cmes(m，n)＝1/{2×π×f×Z(m，n)×SINθ}…(3)
(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)
这里，测定电阻值Rmes(m，n)中包括上述内部电阻值Ri(m，n)和杂散电阻值Rf(m，n)。测定电容Cmes(m，n)中包括上述内部电容Ci(m，n)和杂散电容Cf(m，n)。因此，为了精度良好地获取电阻值R(m，n)和电容C(m，n)，需要将内部电阻值Ri(m，n)、杂散电阻值Rf(m，n)、内部电容Ci(m，n)和杂散电容Cf(m，n)从测定电阻值Rmes(m，n)和测定电容Cmes(m，n)去除。因此，设置有内部参数获取处理部43和杂散参数获取处理部44。
内部参数获取处理部43在将例如触摸面板基板P从基板检查装置1拆下而使X电极X和Y电极Y与连接端子Tx、Ty未进行电连接的状态下，即断开了连接端子Tx、Ty的状态下，通过测定处理部41和计算部42来执行上述测定处理和计算处理。由此，内部参数获取处理部43将对应于所有的坐标位置而得到的测定电容Cmes和测定电阻值Rmes作为对应于与连接端子Tx、Ty的组合相当的坐标位置(Xm、Yn)的内部电容Ci(m，n)和内部电阻值Ri(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)而存储于内部参数存储部45。
应予说明，可以不一定具备内部参数获取处理部43。例如可以预先实验性地测定内部电容Ci(m，n)和内部电阻值Ri(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)，并预先存储于内部参数存储部45。
在基准参数存储部47中，针对预先得知了在触摸面板基板P内部产生的电容和电阻值即基准电容Cref和基准电阻值Rref的基准基板Pref，对应于所有的坐标位置(X1，Y1)～(X7，X5)，而例如预先实验性地测定并存储有基准电容Cref(m，n)和基准电阻值Rref(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。
杂散参数获取处理部44在例如用户将基准基板Pref安装于基板检查装置1而使基板端子Px1～Px7、Py1～Py5与连接端子Tx1～Tx7、Ty1～Ty5连接的状态下，在接收到操作部6的用户指示执行杂散参数获取处理(杂散电容获取处理)的操作指示时，通过测定处理部41和计算部42来执行上述测定处理和计算处理，由此，计算出对应于所有的坐标位置(X1，Y1)～(X7，Y5)而得到的测定电容Cmes(m，n)和测定电阻值Rmes(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。
并且，杂散参数获取处理部44基于这样得到的测定电容Cmes(m，n)和测定电阻值Rmes(m，n)及由基准参数存储部47所存储的基准电容Cref(m，n)和基准电阻值Rref(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)，来计算与所有的坐标位置(X1，Y1)～(X7，Y5)对应的杂散电容Cf(m，n)和杂散电阻值Rf(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)，并存储于杂散参数存储部46。
具体地说，杂散参数获取处理部44基于例如下述的式(4)、式(5)来计算杂散电容Cf(m，n)和杂散电阻值Rf(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。
杂散电容Cf(m，n)＝Cmes(m，n)-Cref(m，n)…(4)
杂散电阻值Rf(m，n)＝Rmes(m，n)-Rref(m，n)…(5)
(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。
计算部42基于存储在内部参数存储部45的内部电容Ci(m，n)和内部电阻Ri(m，n)及存储在杂散参数存储部46的杂散电容Cf(m，n)和杂散电阻值Rf(m，n)来修正检查对象的触摸面板基板P的测定电容Cmes(m，n)和测定电阻值Rmes(m，n)，并获取检查对象的触摸面板基板P的电阻值R(m，n)和电容C(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。
具体地说，计算部42基于例如下述的式(6)、式(7)来获取检查对象的触摸面板基板P的电容C(m，n)和电阻值R(m，n)。
电容C(m，n)＝Cmes(m，n)-Ci(m，n)-Cf(m，n)…(6)
电阻值R(m，n)＝Rmes(m，n)-Ri(m，n)-Rf(m，n)…(7)
(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。
应予说明，计算部42也可以不将杂散电容Cf(m，n)和杂散电阻值Rf(m，n)用于修正，而基于下述的式(8)、式(9)来进行修正。
电容C(m，n)＝Cmes(m，n)-Ci(m，n)…(8)
电阻值R(m，n)＝Rmes(m，n)-Ri(m，n)…(9)
(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。
此外，计算部42也可以不将内部电容Ci(m，n)和内部电阻值Ri(m，n)用于修正，而基于下述的式(10)、式(11)进行修正。
电容C(m，n)＝Cmes(m，n)-Cf(m，n)…(10)
电阻值R(m，n)＝Rmes(m，n)-Rf(m，n)…(11)
(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。
此外，计算部42也可以不进行修正。
在判定值存储部48中预先存储有与电阻值R(m，n)和电容C(m，n)对应的成为判定合格与否的基准的判定值即电阻判定值Rj(m，n)和电容判定值Cj(m，n)。电阻判定值Rj(m，n)和电容判定值Cj(m，n)可以使用合格品的触摸面板基板P的实测值，也可以使用设计上的理论值，例如可以将基准电阻值Rref(m，n)和基准电容Cref(m，n)用作电阻判定值Rj(m，n)和电容判定值Cj(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。
判定部49对应于所有的坐标位置(X1，Y1)～(X7，Y5)而分别计算出由计算部42得到的电阻值R(m，n)与存储在判定值存储部48的电阻判定值Rj(m，n)的差值Dr(m，n)，在与该各坐标位置对应的差值Dr(m，n)超过预先设定的差值判定值Drj时，将超过该差值判定值Drj的坐标位置(Xm，Yn)判定为触摸面板基板P的电阻不良位置，并将该电阻不良位置显示在显示部5。
此外，判定部49对应于所有的坐标位置(X1，Y1)～(X7，Y5)而分别计算出由计算部42得到的电容C(m，n)与存储在判定值存储部48的电容判定值Cj(m，n)的差值Dc(m，n)，在与该各坐标位置对应的差值Dc(m，n)超过预先设定的差值判定值Dcj时，将超过该差值判定值Dcj的坐标位置(Xm，Yn)判定为触摸面板基板P的电容不良位置，并将该电容不良位置显示在显示部5。
接下来，对上述那样构成的基板检查装置1的动作进行说明。图6～图9是示出本发明的一个实施方式的基板检查方法的流程图。首先，例如在触摸面板基板P未安装于基板检查装置1，而断开了连接端子Tx1～Tx7、Ty1～Ty5的状态下，在例如用户操作操作部6而输入了指示测定基板检查装置1的内部参数的内部参数获取指示时，操作部6接收内部参数获取指示(在步骤S1为“是”)，内部参数获取处理部43执行图8所示的内部参数获取处理(步骤S2)。
另一方面，在操作部6未接收到内部参数获取指示的情况下(在步骤S1为“否”)，内部参数获取处理部43不执行内部参数获取处理，而转移至步骤S3。
首先，对图8所示的内部参数获取处理进行说明。在内部参数获取处理中，首先，通过内部参数获取处理部43将变量m和n初始化为1(步骤S101)。接下来，内部参数获取处理部43通过测定处理部41来测定电流值I(m，n)和相位差θ(m，n)(步骤S102)。
在步骤S102中，触摸面板基板P未安装于基板检查装置1。在此状态下，在基板检查装置1内部中，电流经由连接于交流电源2的切换开关SW2和/或连接端子Tyn与连接于电流计3的切换开关SW1和/或连接端子Txm之间的电容耦合而流动。在步骤S102中测定这样地流动的电流，并获取该电流的电流值I(m，n)和相位差θ(m，n)。
接下来，内部参数获取处理部43通过计算部42根据电流值I(m，n)和输出电压V基于例如式(1)来计算测定阻抗Z(m，n)(步骤S103)。
接下来，内部参数获取处理部43根据测定阻抗Z(m，n)和相位差θ(m，n)，基于例如式(2)、式(3)来计算测定电容Cmes(m，n)和测定电阻值Rmes(m，n)(步骤S104)。这样地得到的测定电容Cmes(m，n)和测定电阻值Rmes(m，n)为反映基板检查装置1内部的参数的值。
因此，内部参数获取处理部43将测定电容Cmes(m，n)作为内部电容Ci(m，n)，将测定电阻值Rmes(m，n)作为内部电阻值Ri(m，n)而存储于内部参数存储部45(步骤S105)。
内部参数获取处理部43在变量m不为7时(在步骤S106为“否”)，即针对坐标Yn还剩有未完成处理的X坐标时，为了获取对应于新的X坐标的内部电容Ci(m，n)和内部电阻值Ri(m，n)而对变量m加1(步骤S107)，并再次重复步骤S102～S106。
另一方面，在变量m为7时(在步骤S106为“是”)，即针对坐标Yn的所有的X坐标结束了处理时，内部参数获取处理部43将变量m初始化为1(步骤S108)，将变量n与5进行比较(步骤S109)。
内部参数获取处理部43在变量n不为5时(在步骤S109为“否”)，即还剩有未完成处理的Y坐标时，为了获取对应于新的Y坐标的内部电容Ci(m，n)和内部电阻值Ri(m，n)而对变量n加1(步骤S110)，并再次重复步骤S102～S109。
另一方面，在变量n为5时(在步骤S109为“是”)，即针对与触摸面板基板P的所有的坐标位置(X1，Y1)～(X7，Y5)对应的连接端子Tx与连接端子Ty的组合，将内部电容Ci(m，n)和内部电阻值Ri(m，n)存储到内部参数存储部45，因此内部参数获取处理部43结束内部参数获取处理，转移至图6的步骤S3。
在进行杂散参数获取处理时，用户将基准基板Pref安装于基板检查装置1，而处于基板端子Px1～Px7、Py1～Py5与连接端子Tx1～Tx7、Ty1～Ty5连接的状态。在此状态下，在例如用户操作操作部6而输入了指示测定杂散参数的杂散参数获取指示时，操作部6接收杂散参数获取指示(在步骤S3为“是”)，杂散参数获取处理部44执行图9所示的杂散参数获取处理(步骤S4)。另一方面，在操作部6未接收到杂散参数获取指示时(在步骤S3为“否”)，杂散参数获取处理部44不执行步骤S4而转移至步骤S5。
在图9所示的杂散参数获取处理中，通过杂散参数获取处理部44执行步骤S201～S204。步骤S201～S204由于除了杂散参数获取处理部44代替内部参数获取处理部43而进行处理这一点之外，与图8中的步骤S101～S104相同，所以省略其说明。
在步骤S205中，杂散参数获取处理部44基于在步骤S204得到的测定电容Cmes(m，n)和基准参数存储部47所存储的基准电容Cref(m，n)，利用例如式(4)来计算杂散电容Cf(m，n)，并存储到杂散参数存储部46(步骤S205)。
接下来，杂散参数获取处理部44基于在步骤S204得到的测定电阻值Rmes(m，n)和基准参数存储部47所存储的基准电阻值Rref(m，n)，利用例如式(5)来计算杂散电阻值Rf(m，n)，并存储到杂散参数存储部46(步骤S206)。
杂散参数获取处理部44在变量m不为7时(在步骤S207为“否”)，即针对坐标Yn还剩有未完成处理的X坐标时，为了获取对应于新的X坐标的杂散电容Cf(m，n)和杂散电阻值Rf(m，n)而对变量m加1(步骤S208)，并再次重复步骤S202～S207。
另一方面，在变量m为7时(在步骤S207为“是”)，即针对坐标Yn的所有的X坐标结束了处理时，杂散参数获取处理部44将变量m初始化为1(步骤S209)，将变量n与5进行比较(步骤S210)。
杂散参数获取处理部44在变量n不为5时(在步骤S210为“否”)，即还剩有未完成处理的Y坐标时，为了获取对应于新的Y坐标的杂散电容Cf(m，n)和杂散电阻值Rf(m，n)而对变量n加1(步骤S211)，并再次重复步骤S202～S210。
另一方面，在变量n为5时(在步骤S210为“是”)，即针对与触摸面板基板P的所有的坐标位置(X1，Y1)～(X7，Y5)对应的连接端子Tx与连接端子Ty的组合，将杂散电容Cf(m，n)和杂散电阻值Rf(m，n)存储到杂散参数存储部46，因此杂散参数获取处理部44结束杂散参数获取处理，转移至图6的步骤S5。
用户在进行触摸面板基板P的检查时，将检查对象的触摸面板基板P安装于基板检查装置1，而处于基板端子Px1～Px7、Py1～Py5与连接端子Tx1～Tx7、Ty1～Ty5连接的状态。在此状态下，在例如用户操作操作部6而输入了指示开始检查的检查开始指示时，利用操作部6接收检查开始指示(在步骤S5为“是”)，测定处理部41为了开始触摸面板基板P的检查而将变量m和n初始化为1(步骤S6)。
接下来，通过测定处理部41来测定电流值I(m，n)和相位差θ(m，n)(步骤S7)。接下来，通过计算部42根据电流值I(m，n)和输出电压V基于例如式(1)来计算测定阻抗Z(m，n)(步骤S8)。
接下来，计算部42根据测定阻抗Z(m，n)和相位差θ(m，n)，基于例如式(2)、式(3)来计算测定电容Cmes(m，n)和测定电阻值Rmes(m，n)(步骤S9)。这样地得到的测定电容Cmes(m，n)、测定电阻值Rmes(m，n)中除了包括检查对象的触摸面板基板P的电容C(m，n)、电阻值R(m，n)之外，还分别包括内部电容Ci(m，n)、内部电阻值Ri(m，n)和杂散电容Cf(m，n)、杂散电阻值Rf(m，n)。
因此，计算部42基于存储在内部参数存储部45的内部电容Ci(m，n)和存储在杂散参数存储部46的杂散电容Cf(m，n)利用例如式(6)来修正测定电容Cmes(m，n)，获取电容C(m，n)(步骤S10，内部参数修正处理、杂散电容修正处理)。
由此，能够降低内部电容Ci(m，n)和杂散电容Cf(m，n)的影响，因此，能够提高电容C(m，n)的测定精度。
接下来，计算部42基于存储在内部参数存储部45的内部电阻值Ri(m，n)和存储在杂散参数存储部46的杂散电阻值Rf(m，n)利用例如式(7)来修正测定电阻值Rmes(m，n)，获取电阻值R(m，n)(步骤S11，内部参数修正处理、杂散电阻值修正处理)。
由此，能够降低内部电阻值Ri(m，n)和杂散电阻值Rf(m，n)的影响，因此，能够提高电阻值R(m，n)的测定精度。
接下来，判定部49计算由计算部42得到的电阻值R(m，n)与存储在判定值存储部48的电阻判定值Rj(m，n)的差值Dr(m，n)(步骤S21)。
并且，判定部49对差值Dr(m，n)和预先设定的差值判定值Drj进行比较(步骤S22)，在差值Dr(m，n)超过差值判定值Drj时(在步骤S22为“是”)，通过显示部5显示表示在坐标位置(Xm，Yn)产生电阻不良的意思的消息(步骤S23)。另一方面，在差值Dr(m，n)未超过差值判定值Drj时(在步骤S22为“否”)，判定部49不执行步骤S23而向步骤S24转移。差值判定值Drj可根据对触摸面板基板P要求的性能而适当设定。
在步骤S24中，判定部49计算由计算部42得到的电容C(m，n)与存储在判定值存储部48的电容判定值Cj(m，n)的差值Dc(m，n)(步骤S24)。
并且，判定部49对差值Dc(m，n)和预先设定的差值判定值Dcj进行比较(步骤S25)，在差值Dc(m，n)超过差值判定值Dcj时(在步骤S25为“是”)，通过显示部5显示表示在坐标位置(Xm，Yn)产生电容不良的意思的消息(步骤S26)。另一方面，在差值Dc(m，n)未超过差值判定值Dcj时(在步骤S25为“否”)，判定部49不执行步骤S26而向步骤S27转移。差值判定值Dcj可根据对触摸面板基板P要求的性能而适当设定。
在步骤S27中，测定处理部41在变量m不为7时(在步骤S27为“否”)，即针对坐标Yn还剩有未完成处理的X坐标时，为了执行对应于新的X坐标的检查而对变量m加1(步骤S28)，并再次重复步骤S7～S27。
另一方面，在变量m为7时(在步骤S27为“是”)，即针对坐标Yn的所有的X坐标结束了处理时，测定处理部41将变量m初始化为1(步骤S29)，将变量n与5进行比较(步骤S30)。
测定处理部41在变量n不为5时(在步骤S30为“否”)，即还剩有未完成处理的Y坐标时，为了执行对应于新的Y坐标的检查而对变量n加1(步骤S31)，并再次重复步骤S7～S30。
另一方面，在变量n为5时(在步骤S30为“是”)，即针对与触摸面板基板P的所有的坐标位置(X1，Y1)～(X7，Y5)对应的连接端子Tx与连接端子Ty的组合，结束了检查，因此结束处理。
以上，根据步骤S7、S102、S202的测定处理(测定工序)和步骤S8、S9、S103、S104、S203、S204的计算处理(计算工序)，仅针对各坐标位置分别测定一次电流值I和相位差θ，就能够得到对应于各坐标位置的电容和电阻值，因此，与将电容的测定工序和电阻值的测定工序分开执行相比，容易地降低电容和电阻值的测定工时。
此外，通过步骤S10、S11的处理，能够降低内部电容Ci、内部电阻值Ri、杂散电容Cf和杂散电阻值Rf的影响，因此，能够提高电容C和电阻值R的测定精度，其结果是能够提高触摸面板基板P的检查精度。
图10～图12是示出与触摸面板基板P的各坐标位置对应的测定电容Cmes与用于测定的交流信号SA的频率f之间的关系的一例的说明图。图10示出了频率f为低频的情况，图11示出了频率f为比图10高的中等程度的频率的情况，图12示出了图1所示的基板检查装置1的例子，且示出了频率f为与读取频率f0大致相等的高频的情况的例子。
与触摸面板基板P的各坐标位置对应的电容C(m，n)虽然存在由制造偏差引起的一些偏差，但原则上为彼此大致相等的值。并且，在将频率f设为低频的情况下，如图10所示，可知与该各坐标位置对应的测定电容Cmes为彼此大致相等的值，基本上能够将实际的电容C(m，n)直接测定出来。
然而，如果提高频率f，则如图11所示，内部电容Ci和/或杂散电容Cf的影响增大，根据坐标位置的不同而在测定电容Cmes产生差异。进一步地，由于需要如上所述地提高检查的可靠性，所以如果将频率f设为与读取频率f0大致相等的高频，则如图12所示，内部电容Ci和/或杂散电容Cf的影响进一步显著增大，由坐标位置引起的测定电容Cmes的差异变大，因此，变得难以基于测定电容Cmes来判定触摸面板基板P的合格与否。
图13是示出通过步骤S10的处理对图12所示的测定电容Cmes进行了修正的结果而得到的电容C的说明图。如图13所示，能够确认通过步骤S10、S11的处理，能够降低内部电容Ci和/或杂散电容Cf的影响，并降低由坐标位置引起的电容C的差异。
图14是表示与触摸面板基板P的各坐标位置对应的电阻值R的理论值的图表。由于电阻测定路径的X电极X和Y电极Y的长度根据坐标位置而不同，因此电阻值R根据坐标位置而成为不同的值。然而，如图14所示，该值相对于坐标位置大致线性变化。
图15、图16是示出与触摸面板基板P的各坐标位置对应的测定电阻值Rmes与测定频率f之间的关系的图表。图15、图16的底面表示坐标位置，高度表示测定电阻值Rmes。图15示出了频率f为比读取频率f0低的低频的情况，图16示出了图1所示的基板检查装置1的例子，且示出了频率f为与读取频率f0大致相等的高频的情况的例子。
能够确认在频率f为比读取频率f0低的低频的情况下，如图15所示，相对于坐标位置的测定电阻值Rmes的偏差增大，与此相对，在频率f为与读取频率f0大致相等的高频的情况下，如图16所示，测定电阻值Rmes的偏差为与图14所示的理论值大致相同的程度。
图17是用于说明在触摸面板基板P的X电极X2产生不良F的情况的说明图。在图17中，不良F产生在坐标位置(X2，Y1)和坐标位置(X2，Y2)。图18是示出针对图17所示的触摸面板基板P的与各坐标位置对应的差值Dr(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)的图表。图18的底面表示坐标位置，高度表示差值Dr。
如图18所示能够确认在产生不良F的坐标位置(X2，Y1)和坐标位置(X2，Y2)出现电阻值大的峰值，由此，能够确认可确定不良F的产生位置。
图19是示出图1所示的基板检查装置1的变形例的说明图。在图1所示的基板检查装置1中示出了电流计3仅连接在X电极X的一端，交流电源2仅连接在Y电极Y的一端的例子。然而，如图19所示，可以构成为电流计3连接在X电极X的两端，交流电源2连接在Y电极Y的两端。在此情况下，如图20所示，针对触摸面板基板P的与各坐标位置对应的测定电阻值Rmes的图表未形成图14所示那样的平面形状，而成为山形。即使在此情况下，也能够通过图6～图9所示的步骤S1～S211的处理来检查触摸面板基板P。
应予说明，计算部42可以将在例如图16所示的图表中代替测定电阻值Rmes而表示电阻值R的图表显示在显示部5。具体地说，可以像例如图16所示的图表那样，将与X电极X1～X7对应的X坐标、与Y电极Y1～Y5对应的Y坐标和与该X-Y坐标对应的坐标位置(Xm，Yn)的电阻值R(m，n)以三维图表来表示，并将该表示所得的图像显示在显示部5。
此外，计算部42可以将例如图13所示的图表显示在显示部5。具体地说，可以像例如图13所示的图表那样，将与X电极X1～X7对应的X坐标、与Y电极Y1～Y5对应的Y坐标和与该X-Y坐标对应的坐标位置(Xm，Yn)的电容C(m，n)三维地进行表示，并将该表示所得的图像显示在显示部5。
此外，如图18所示，可以将与X电极X1～X7对应的X坐标、与Y电极Y1～Y5对应的Y坐标和与该X-Y坐标对应的坐标位置(Xm，Yn)的差值Dr(m，n)三维地进行表示，并将该表示所得的图像显示在显示部5。
此外，可以代替图18所示的差值Dr(m，n)而显示差值Dc(m，n)。即，可以将与X电极X1～X7对应的X坐标、与Y电极Y1～Y5对应的Y坐标和与该X-Y坐标对应的坐标位置(Xm，Yn)的差值Dc(m，n)三维地进行表示，并将该表示所得的图像显示在显示部5。

Claims (12)

1.一种基板检查装置，其特征在于，检查以沿预定的第一方向延伸的多个第一电极和沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极彼此对置的方式形成的基板，所述基板检查装置具备：
交流电压输出部，其输出预定的交流电压；
电流检测部，其检测电流；
多个第一连接端子，能够分别与所述多个第一电极电连接；
多个第二连接端子，能够分别与所述多个第二电极电连接；
测定处理部，其与将所述多个第一连接端子和所述多个第二连接端子分别组合而得到的多个组合对应，针对与各所述组合对应的第一连接端子和第二连接端子，通过所述交流电压输出部向该第二连接端子供给所述交流电压，通过所述电流检测部检测流动到该第一连接端子的电流，由此执行获取与各所述组合对应的电流的测定处理；
计算部，其执行基于在所述测定处理中通过所述电流检测部检测出的电流的大小和表示相位的信息来计算与各所述组合对应的电容和电阻值的计算处理；以及
内部参数存储部，其将对应于各所述组合而在所述基板检查装置内部产生的电容和电阻值作为内部电容和内部电阻值存储，
所述计算部还执行内部参数修正处理，所述内部参数修正处理基于对应于各所述组合而存储在所述内部参数存储部的内部电容和内部电阻值来修正与各该组合对应的电容和电阻值。
2.根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于，
所述基板检查装置还具备内部参数获取处理部，所述内部参数获取处理部将在所述多个第一电极和所述多个第二电极与所述多个第一连接端子和所述多个第二连接端子未连接的状态下，通过由所述测定处理部和所述计算部执行所述测定处理和所述计算处理而对应于各所述组合得到的电容和电阻值与各该组合对应地作为所述内部电容和所述内部电阻值而存储于所述内部参数存储部。
3.一种基板检查装置，其特征在于，检查以沿预定的第一方向延伸的多个第一电极和沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极彼此对置的方式形成的基板，所述基板检查装置具备：
交流电压输出部，其输出预定的交流电压；
电流检测部，其检测电流；
多个第一连接端子，能够分别与所述多个第一电极电连接；
多个第二连接端子，能够分别与所述多个第二电极电连接；
测定处理部，其与将所述多个第一连接端子和所述多个第二连接端子分别组合而得到的多个组合对应，针对与各所述组合对应的第一连接端子和第二连接端子，通过所述交流电压输出部向该第二连接端子供给所述交流电压，通过所述电流检测部检测流动到该第一连接端子的电流，由此执行获取与各所述组合对应的电流的测定处理；
计算部，其执行基于在所述测定处理中通过所述电流检测部检测出的电流的大小和表示相位的信息来计算与各所述组合对应的电容和电阻值的计算处理；以及
杂散电容存储部，其对应于各所述组合而存储在所述基板产生的杂散电容，
所述计算部执行杂散电容修正处理，所述杂散电容修正处理基于对应于各所述组合而存储在所述杂散电容存储部的杂散电容来修正与各该组合对应的电容。
4.根据权利要求3所述的基板检查装置，其特征在于，所述基板检查装置还具备：
基准电容存储部，其存储预先得知了基准电容的基准基板的与各所述组合对应的所述基准电容，所述基准电容为对应于各所述组合而在基板内部产生的电容；以及
杂散电容获取处理部，其基于在所述多个第一连接端子和所述多个第二连接端子连接于所述基准基板的状态下，通过由所述测定处理部和所述计算部执行所述测定处理和所述计算处理而对应于各所述组合得到的电容、和由所述基准电容存储部对应于各所述组合而存储的所述基准电容，来计算与各所述组合对应的杂散电容，并将该杂散电容存储于所述杂散电容存储部。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板检查装置，其特征在于，
所述基板包括：
多个第一基板端子，分别与所述多个第一电极导通；以及
多个第二基板端子，分别与所述多个第二电极导通，
所述多个第一连接端子分别与所述多个第一基板端子连接，并经由该多个第一基板端子分别与所述多个第一电极电连接，
所述多个第二连接端子分别与所述多个第二基板端子连接，并经由该多个第二基板端子分别与所述多个第二电极电连接。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的基板检查装置，其特征在于，
所述基板为触摸面板，所述触摸面板被预定为：将为了读取各所述第一电极和各所述第二电极交叉的位置的电容而预先设定的读取频率的交流信号供给到各所述第一电极和各所述第二电极，
所述交流电压的频率与所述读取频率大致相等。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的基板检查装置，其特征在于，所述基板检查装置具备：
判定值存储部，其预先存储成为判定与各所述组合对应的所述电阻值的合格与否的基准的判定值；以及
判定部，其对应于各所述组合分别计算出由所述计算部得到的与各所述组合对应的电阻值与对应于各该组合而存储于所述判定值存储部的判定值的差，在与各该组合对应的差超过预先设定的差值判定值时，将与超过该差值判定值的组合对应的由所述第一电极和所述第二电极表示的坐标位置判定为所述基板的不良位置。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的基板检查装置，其特征在于，所述基板检查装置还具备显示图像的显示部，所述图像为将通过所述计算部而得到的与各所述组合对应的电阻值以三维图表来表示而得到的图像。
9.根据权利要求1～4中任一项所述的基板检查装置，其特征在于，所述基板检查装置还具备显示图像的显示部，所述图像为将通过所述计算部而得到的与各所述组合对应的电容以三维图表来表示而得到的图像。
10.根据权利要求7所述的基板检查装置，其特征在于，所述基板检查装置还具备显示图像的显示部，所述图像为将通过所述判定部计算出的与各所述组合对应的差以三维图表来表示而得到的图像。
11.一种基板检查方法，其特征在于，检查以沿预定的第一方向延伸的多个第一电极和沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极彼此对置的方式形成的基板，所述基板检查方法包括：
将多个第一连接端子分别与所述多个第一电极电连接的工序；
将多个第二连接端子分别与所述多个第二电极电连接的工序；
测定处理工序，与将所述多个第一连接端子和所述多个第二连接端子分别组合而得到的多个组合对应，针对与各所述组合对应的第一连接端子和第二连接端子，向该第二连接端子供给交流电压，并检测流动到该第一连接端子的电流，由此执行获取与各所述组合对应的电流的测定处理；
计算工序，执行基于在所述测定处理中检测到的所述电流的大小和表示相位的信息来计算与各所述组合对应的电容和电阻值的计算处理；以及
内部参数修正工序，基于与各所述组合对应的内部电容和内部电阻值来修正与各该组合对应的电容和电阻值。
12.一种基板检查方法，其特征在于，检查以沿预定的第一方向延伸的多个第一电极和沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极彼此对置的方式形成的基板，所述基板检查方法包括：
将多个第一连接端子分别与所述多个第一电极电连接的工序；
将多个第二连接端子分别与所述多个第二电极电连接的工序；
测定处理工序，与将所述多个第一连接端子和所述多个第二连接端子分别组合而得到的多个组合对应，针对与各所述组合对应的第一连接端子和第二连接端子，向该第二连接端子供给交流电压，并检测流动到该第一连接端子的电流，由此执行获取与各所述组合对应的电流的测定处理；
计算工序，执行基于在所述测定处理中检测到的所述电流的大小和表示相位的信息来计算与各所述组合对应的电容和电阻值的计算处理；以及
杂散电容修正工序，基于对应于各所述组合而在所述基板产生的杂散电容来修正与各该组合对应的电容。
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