CN107068590A - 清洗装置及基板处理装置 - Google Patents

清洗装置及基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107068590A
CN107068590A CN201710025972.XA CN201710025972A CN107068590A CN 107068590 A CN107068590 A CN 107068590A CN 201710025972 A CN201710025972 A CN 201710025972A CN 107068590 A CN107068590 A CN 107068590A
Authority
CN
China
Prior art keywords
partition wall
chute
substrate
cleaning
mouth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710025972.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN107068590B (zh
Inventor
徐海洋
宫崎充
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of CN107068590A publication Critical patent/CN107068590A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107068590B publication Critical patent/CN107068590B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041—Cleaning travelling work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)

Abstract

本发明提供一种可捕捉附着于分隔壁的清洗液以防止基板污染的清洗装置及基板处理装置。清洗装置及基板处理装置具备：用于清洗基板(W)的清洗室(16)；邻接于清洗室(16)，用于搬送基板(W)的搬送室(17)；划分清洗室(16)与搬送室(17)的分隔壁(40)；固定于分隔壁(40)的流槽(51)；及连接于流槽(51)的底部(51a)的排出管(52)。在分隔壁(40)形成有第一通过口(45)及位于第一通过口(45)下方的第二通过口(46)。流槽(51)位于第一通过口(45)与第二通过口(46)之间，且从分隔壁(40)的一方侧端(40a)延伸至另一方侧端(40b)。

Description

清洗装置及基板处理装置
技术领域
本发明是关于一种清洗晶片等基板的清洗装置。此外，本发明是关于一种具备此种清洗装置的基板处理装置。
背景技术
众所周知有具备研磨装置及清洗装置的基板处理装置。研磨装置是在研磨垫上供给研磨液(浆液)并使晶片等基板与研磨垫滑动接触而研磨基板表面的装置。研磨后的基板上会残留包含研磨粒的研磨液、研磨屑。清洗装置是清洗研磨后的基板，除去残留于基板的研磨液、研磨屑的装置。
图9是表示清洗基板的清洗装置的图。如图9所示，清洗装置划分成第一清洗室110、第一搬送室111、第二清洗室112、第二搬送室113、干燥室114。在第一清洗室110中配置有沿着铅直方向排列的上侧一次清洗模块100A及下侧一次清洗模块100B。第二清洗室112中配置有沿着铅直方向排列的上侧二次清洗模块101A及下侧二次清洗模块101B。第一搬送室111中配置有搬送机器人103，第二搬送室113中配置有搬送机器人104。干燥室114中配置有沿着铅直方向排列的上侧干燥模块102A及下侧干燥模块102B。
第一清洗室110及第一搬送室111通过分隔壁105划分，第一搬送室111及第二清洗室112通过分隔壁106划分，第二清洗室112及第二搬送室113通过分隔壁107划分，第二搬送室113及干燥室114通过分隔壁108划分。基板在第一清洗室110中进行一次清洗，在第二清洗室112中进行二次清洗。
图10是图9的A-A线剖面图。如图10所示，分隔壁105中形成有供基板W通过的基板通过口120、121，搬送机器人103通过基板通过口120、121从第一清洗室110取出基板W。搬送机器人103在保持基板W的状态下转换方向，搬送基板W至第二清洗室112。
在第一清洗室110清洗的基板W上附着有清洗液。搬送机器人103在保持基板W状态下转换方向时，附着于基板W的清洗液通过离心力会飞溅而附着于分隔壁105。因此，如图10所示，在分隔壁105中安装有将附着于分隔壁105的清洗液引导至基板通过口121外侧的倾斜导板115。附着于分隔壁105的清洗液在倾斜导板115上斜向移动。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-262767号公报
但是，如箭头A所示，清洗液会越过倾斜导板115而从分隔壁105流下。此种清洗液会掉落在通过基板通过口121的基板W上。再者，被倾斜导板115引导的清洗液如箭头B所示，会从分隔壁105斜向流动而掉落在通过基板通过口121的基板W上。从分隔壁105流下的清洗液附着于基板W时会污染基板W。
发明内容
本发明是为了解决上述的过去问题而完成的，其目的为提供一种可捕捉附着于分隔壁的清洗液以防止基板污染的清洗装置。再者，本发明的目的为提供一种具备此种清洗装置的基板处理装置。
为了达成上述目的，本发明一种方式的清洗装置的特征在于，具备：清洗室，该清洗室用于清洗基板；搬送室，该搬送室邻接于所述清洗室，用于搬送所述基板；分隔壁，该分隔壁划分所述清洗室与所述搬送室；流槽，该流槽固定于所述分隔壁；及排出管，该排出管连接于所述流槽的底部；在所述分隔壁形成有第一通过口及位于所述第一通过口的下方的第二通过口，所述流槽位于所述第一通过口与所述第二通过口之间，且从所述分隔壁的一方侧端延伸至另一方侧端。
本发明优选的方式的特征在于：所述流槽的底部相对于水平方向倾斜，所述排出管连接于所述流槽的所述底部的最低的位置，且延伸至所述第二通过口的下方。
本发明优选的方式的特征在于：所述流槽具有堤防壁，该堤防壁从所述流槽的所述底部延伸至上方，所述堤防壁朝向所述分隔壁弯曲；所述分隔壁具有开口部，该开口部在所述堤防壁与所述分隔壁最接近的位置开口，所述开口部被闭塞部件闭塞，且所述开口部位于所述闭塞部件与所述流槽之间。
本发明的其他方式的基板处理装置的特征在于，具备：研磨装置，该研磨装置研磨基板；及上述清洗装置，该清洗装置清洗研磨后的所述基板。
(发明效果)
采用本发明时，附着于分隔壁的清洗液会在第二通过口上方的位置集中于流槽中，并通过排出管送往清洗装置外部。因此，清洗液不会附着于通过第二通过口的基板，可防止基板污染。
附图说明
图1是表示基板处理装置的整体结构的俯视图。
图2是表示研磨单元的立体图。
图3是表示清洗装置的一种实施方式的侧视图。
图4是表示上侧一次清洗模块的立体图。
图5是表示分隔壁的立体图。
图6是分隔壁的前视图。
图7是从上方观看流槽的图。
图8是表示清洗装置的其他实施方式的图。
图9是表示清洗基板的清洗装置的图。
图10是图9的A-A线剖面图。
符号说明
10 壳体
12 装载埠
14 研磨部(研磨装置)
14a～14d 研磨单元
15清洗部 (清洗装置)
16 第一清洗室
17 第一搬送室
18 第二清洗室
19 第二搬送室
20 干燥室
21A 上侧一次清洗模块
21B 下侧一次清洗模块
22A 上侧二次清洗模块
22B 下侧二次清洗模块
23A 上侧干燥模块
23B 下侧干燥模块
24 研磨台
24a 研磨垫
25 顶环
26 研磨液供给喷嘴
29 顶环轴杆
30 控制部(控制装置)
31 搬送机器人
32 基板搬送单元
35 第一搬送机器人
36 第二搬送机器人
40、41、42、43 分隔壁
40a 一方侧端
40b 另一方侧端
40c 开口部
40d 背面
40e 前面
45 第一通过口
46 第二通过口
47 第三通过口
51、61 流槽
51a、61a 底部
51b、61b 连通孔
51c 堤防壁
52、62 排出管
54 内壁
55 外壁
56 闭塞部件
71、72、73、74 保持辊
75 基板旋转装置
77、78 滚筒海绵
80、81 清洗具旋转装置
82 升降驱动机构
85 上侧清洗液供给喷嘴
87 上侧药剂供给喷嘴
89 导轨
100A 上侧一次清洗模块
100B 下侧一次清洗模块
101A 上侧二次清洗模块
101B 下侧二次清洗模块
102A 上侧干燥模块
102B 下侧干燥模块
103 搬送机器人
104 搬送机器人
105、106、107、108 分隔壁
110 第一清洗室
111 第一搬送室
112 第二清洗室
113 第二搬送室
114 干燥室
115 倾斜导板
120、121 基板通过口
W 基板
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
图1是表示基板处理装置的整体结构的俯视图。如图1所示，基板处理装置具备：大致矩形的壳体10；及装载收容多个晶片等基板的基板匣盒的装载埠12。装载端口12邻接于壳体10而配置。在壳体10内部配置有：研磨部(研磨装置)14、清洗部(清洗装置)15、及控制这些研磨部14及清洗部15的动作的控制部(控制装置)30。研磨部14具备多个(本实施方式是4个)研磨单元14a～14d。
由于研磨单元14a～14d彼此具有相同构成，因此，以下说明研磨单元14a。图2是表示研磨单元14a的立体图。研磨单元14a具备：安装了具有研磨面的研磨垫24a的研磨台24；用于保持基板W，且将基板W按压于研磨台24上的研磨垫24a而研磨的顶环25；及用于在研磨垫24a上供给研磨液、修整液(例如纯水)的研磨液供给喷嘴26。
顶环25支承于顶环轴杆29。在研磨台24上面贴合有研磨垫24a，该研磨垫24a的上表面构成研磨基板W的研磨面。顶环25及研磨台24如箭头所示是以在其轴心周围旋转的方式构成。基板W在顶环25下表面通过真空吸附而保持。研磨时，顶环25及研磨台24分别旋转，并从研磨液供给喷嘴26供给研磨液于研磨垫24a的研磨面。基板W通过顶环25按压于研磨面，在研磨液的存在下通过基板W滑动接触于研磨面而研磨基板W表面。
返回图1，清洗部15划分成：第一清洗室16、邻接于第一清洗室16的第一搬送室17、邻接于第一搬送室17的第二清洗室18、邻接于第二清洗室18的第二搬送室19、及邻接于第二搬送室19的干燥室20。清洗室16、18是用于清洗基板W的房间，搬送室17、19是用于搬送基板W的房间。
研磨单元14a～14d沿着基板处理装置的长度方向排列。第一清洗室16、第一搬送室17、第二清洗室18、第二搬送室19及干燥室20也沿着基板处理装置的长度方向排列，并按此顺序串联排列。第一清洗室16及第一搬送室17通过分隔壁40划分，第一搬送室17及第二清洗室18通过分隔壁41划分，第二清洗室18及第二搬送室19通过分隔壁42划分，第二搬送室19及干燥室20通过分隔壁43划分。
在被装载埠12、研磨部14及清洗部15包围的区域配置搬送机器人31，并与研磨单元14a～14d平行地配置有基板搬送单元32。搬送机器人31从装载埠12取出研磨前的基板W而送交基板搬送单元32，并且将在干燥室20中干燥的基板W送回装载埠12。基板搬送单元32搬送从搬送机器人31接收的基板W，并在各研磨单元14a～14d之间进行基板W的交接。
图3是清洗部(清洗装置)15的一种实施方式的侧视图。图3中，以剖面描绘分隔壁40、41、42、43。如图3所示，在第一清洗室16中配置有沿着铅直方向排列的上侧一次清洗模块21A及下侧一次清洗模块21B。上侧一次清洗模块21A配置于下侧一次清洗模块21B的上方。在第二清洗室18中配置有沿着铅直方向排列的上侧二次清洗模块22A及下侧二次清洗模块22B。上侧二次清洗模块22A配置于下侧二次清洗模块22B的上方。一次及二次清洗模块21A、21B、22A、22B是使用清洗液来清洗基板W的清洗机。
说明上侧一次清洗模块21A。图4是表示上侧一次清洗模块21A的立体图。本实施方式是使用在水平方向延伸的滚筒海绵作为清洗基板W的清洗具。清洗具也可使用笔型海绵。上侧一次清洗模块21A具备：保持基板W并使其旋转的4个保持辊71、72、73、74、分别接触于基板W上下表面的圆柱状的滚筒海绵77、78、使这些滚筒海绵77、78在其中心轴线周围旋转的清洗具旋转装置80、81、在基板W的上表面供给清洗液(例如纯水)的上侧清洗液供给喷嘴85、及在基板W的上表面供给药剂的上侧药剂供给喷嘴87。虽未图示，但设有：在基板W的下表面供给清洗液(例如纯水)的下侧清洗液供给喷嘴、及在基板W的下表面供给药剂的下侧药剂供给喷嘴。使用的药剂的一例为对构成基板W的表面的薄膜具有蚀刻作用的蚀刻液。
保持辊71、72、73、74构成保持基板并使其旋转的基板保持部。保持辊71、72、73、74通过无图标的驱动机构(例如空气气缸)可在接近及离开基板W的方向移动。4个保持辊中的2个保持辊71、74连结于基板旋转装置75，这些保持辊71、74通过基板旋转装置75可在相同方向旋转。在4个保持辊71、72、73、74保持基板W的状态下，通过2个保持辊71、74旋转，则基板W绕其中心轴线旋转。
使上侧滚筒海绵77旋转的清洗具旋转装置80安装于引导其上下方向运动的导轨89上。此外，该清洗具旋转装置80被升降驱动机构82支承，清洗具旋转装置80及上侧滚筒海绵77通过升降驱动机构82可在上下方向移动。
虽未图示，但使下侧滚筒海绵78旋转的清洗具旋转装置81也支承于导轨上，清洗具旋转装置81及下侧滚筒海绵78可通过升降驱动机构而上下运动。升降驱动机构例如使用滚珠螺杆的马达驱动机构或空气气缸。基板W清洗时，滚筒海绵77、78在彼此接近的方向移动而接触于基板W的上下表面。
返回图3，在干燥室20中配置有沿着铅直方向排列的上侧干燥模块23A及下侧干燥模块23B。在第一清洗室16及第二清洗室18中清洗后的基板W通过上侧干燥模块23A或下侧干燥模块23B的其中之一干燥。上侧干燥模块23A及下侧干燥模块23B由自旋干燥装置等众所周知的干燥机构成。
在第一搬送室17中配置有可上下运动的第一搬送机器人35，在第二搬送室19中配置有可上下运动的第二搬送机器人36。第一搬送机器人35在上侧一次清洗模块21A、下侧一次清洗模块21B、上侧二次清洗模块22A及下侧二次清洗模块22B之间搬送基板W而动作。第二搬送机器人36在上侧二次清洗模块22A、下侧二次清洗模块22B、上侧干燥模块23A及下侧干燥模块23B之间搬送基板W而动作。
清洗部15以如下方式清洗、干燥基板W。基板W通过第一搬送机器人35搬送至第一清洗室16中，以上侧一次清洗模块21A或下侧一次清洗模块21B的其中一个清洗。清洗后的基板W通过第一搬送机器人35从第一清洗室16取出，而搬送至第二清洗室18。基板W以上侧二次清洗模块22A或下侧二次清洗模块22B的其中一个进一步清洗。清洗后的基板W通过第二搬送机器人36从第二清洗室18取出而搬送至干燥室20中。基板W通过上侧干燥模块23A或下侧干燥模块23B的其中一个干燥。如此清洗及干燥后的基板W通过图1所示的搬送机器人31从干燥室20取出，送回装载埠12上的基板匣盒。
其次，参照附图说明用于捕捉附着于分隔壁40的清洗液的结构。图5是表示分隔壁40的立体图，图6是分隔壁40的前视图。在分隔壁40形成有：经上侧一次清洗模块21A清洗后的基板W通过的缝隙状第一通过口45；及经下侧一次清洗模块21B清洗后的基板W通过的缝隙状第二通过口46。第二通过口46配置于第一通过口45下方。第一通过口45及第二通过口46在水平方向延伸。第一搬送机器人35可通过第一通过口45及第二通过口46从第一清洗室16取出清洗后的基板W。
第一搬送机器人35在保持附着有清洗液的基板W的状态下在第一搬送室17中转换方向时，清洗液会通过离心力飞溅而附着于分隔壁40。因此，将可使从分隔壁40流下的清洗液集中的流槽51固定于分隔壁40上。流槽51的底部51a连接有排出管52。如图3所示，流槽51及排出管52也设于分隔壁42。因为设于分隔壁40、42的流槽51及排出管52具有相同结构，所以，以下说明设于分隔壁40的流槽51及排出管52。
如图5及图6所示，流槽51固定于分隔壁40的前表面40e，且位于第一通过口45与第二通过口46之间。分隔壁40的前表面40e是形成有第一搬送室17的面。流槽51从分隔壁40的一方侧端40a延伸至另一方侧端40b。因此，从分隔壁40流下的清洗液被流槽51挡住而集中于流槽51中。如图6所示，流槽51的底部51a相对于水平方向以指定角度倾斜。因此，集中于流槽51的清洗液流至流槽51的最低位置。
流槽51具有从其底部51a延伸到上方的堤防壁51c。堤防壁51c朝向分隔壁40而弯曲。如此，通过使堤防壁51c弯曲，可容许保持基板W的第一搬送机器人35在铅直方向移动。因此，在保持基板W的状态下即使第一搬送机器人35在铅直方向移动，保持于第一搬送机器人35的基板W不与流槽51接触。
如图6所示，排出管52连接于流槽51的底部51a的最低位置，且延伸至第二通过口46的下方位置。在流槽51的底部51a的最低位置形成有连通孔51b。排出管52的一端连接于连通孔51b，另一端位于第二通过口46的下方。例如，排出管52的另一端连接于清洗部15的外部排水管(无图示)。通过如此构成，被流槽51挡住的清洗液通过连通孔51b而流入排出管52中，并通过排出管52流到清洗部15外部。
图7是从上方观看流槽51的图。如图7所示，分隔壁40配置于基板处理装置的外壁55与内壁54之间。分隔壁40的一方侧端40a连接于外壁55，另一方侧端40b连接于内壁54。
分隔壁40具有在堤防壁51c与分隔壁40最接近的位置开口的开口部40c。分隔壁40的开口部40c为闭塞部件56所闭塞。闭塞部件56通过螺丝等紧固件(无图示)而固定于分隔壁40的背面40d。分隔壁40的背面40d是形成第一清洗室16的面。闭塞部件56比开口部40c大，具有覆盖开口部40c的形状。开口部40c位于安装在分隔壁40的背面40d的闭塞部件56与流槽51之间。通过如此构成，可实质地扩充流槽51中清洗液的流路。因此，清洗液不从堤防壁51c溢流，而可流入流槽51中。
采用本实施方式时，附着于第一通过口45与第二通过口46间的分隔壁40的清洗液被流槽51挡住，可通过排出管52排出。因此，可确实防止清洗液附着于基板W。
图8是表示清洗装置的其他实施方式的图。如图8所示，分隔壁40中除了第一通过口45及第二通过口46以外，还形成有第三通过口47。第三通过口47具有与通过口45、46相同形状，且配置于第二通过口46的下方。
本实施方式的清洗装置进一步具备：固定于分隔壁40的流槽61；及连接于流槽61的底部61a的排出管62。以下，将流槽51称为第一流槽51，将流槽61称为第二流槽61。同样的，将排出管52称为第一排出管52，将排出管62称为第二排出管62。
第二流槽61配置于第一流槽51下方，第二排出管62配置于第一排出管52下方。第二流槽61位于第二通过口46与第三通过口47之间，且具有与第一流槽51相同构成。因此，省略第二流槽61的详细说明。
第二排出管62的一端连接于第二流槽61的底部61a，另一端连接于清洗装置15外部的排水管(无图示)。第一排出管52的一端连接于第一流槽51的底部51a，另一端位于第二流槽61中。更具体而言第一排出管52的另一端位于形成在第二流槽61的底部61a的连通孔61b上方。
采用本实施方式时，附着于第二通过口46与第三通过口47间的分隔壁40的清洗液通过第二流槽61挡住，可通过第二排出管62排出。因此，可确实防止清洗液附着于基板W。
上述实施方式是以具有本发明所属技术领域的公知常识的人可实施本发明为目的而记载的。本领域技术人员当然可完成上述实施方式的各种变形例，且本发明的技术性思想也可适用于其他实施方式。因此，本发明不限定于记载的实施方式，应是按照通过申请专利范围所定义的技术性思想的最广范围。

Claims (4)

1.一种清洗装置，其特征在于，具备：
清洗室，该清洗室用于清洗基板；
搬送室，该搬送室邻接于所述清洗室，用于搬送所述基板；
分隔壁，该分隔壁划分所述清洗室与所述搬送室；
流槽，该流槽固定于所述分隔壁；及
排出管，该排出管连接于所述流槽的底部；
在所述分隔壁形成有第一通过口及位于所述第一通过口的下方的第二通过口，
所述流槽位于所述第一通过口与所述第二通过口之间，且从所述分隔壁的一方侧端延伸至另一方侧端。
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，
所述流槽的底部相对于水平方向倾斜，
所述排出管连接于所述流槽的所述底部的最低的位置，且延伸至所述第二通过口的下方。
3.根据权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，
所述流槽具有堤防壁，该堤防壁从所述流槽的所述底部延伸至上方，
所述堤防壁朝向所述分隔壁弯曲，
所述分隔壁具有开口部，该开口部在所述堤防壁与所述分隔壁最接近的位置开口，
所述开口部被闭塞部件闭塞，且所述开口部位于所述闭塞部件与所述流槽之间。
4.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
研磨装置，该研磨装置研磨基板；及
权利要求1至3中任一项所述的清洗装置，所述清洗装置清洗研磨后的所述基板。
CN201710025972.XA 2016-01-15 2017-01-13 清洗装置及基板处理装置 Active CN107068590B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-006213 2016-01-15
JP2016006213A JP6659368B2 (ja) 2016-01-15 2016-01-15 洗浄装置、基板処理装置、および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107068590A true CN107068590A (zh) 2017-08-18
CN107068590B CN107068590B (zh) 2022-04-12

Family

ID=59314832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710025972.XA Active CN107068590B (zh) 2016-01-15 2017-01-13 清洗装置及基板处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10438817B2 (zh)
JP (1) JP6659368B2 (zh)
KR (1) KR102675417B1 (zh)
CN (1) CN107068590B (zh)
TW (1) TWI750147B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112864066A (zh) * 2020-12-31 2021-05-28 至微半导体(上海)有限公司 一种晶圆清洗设备推拉式晶圆盒装载输送系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163162A (ja) * 1996-12-04 1998-06-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002166217A (ja) * 2000-09-25 2002-06-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
CN1786827A (zh) * 2004-12-06 2006-06-14 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置
CN1934684A (zh) * 2004-05-27 2007-03-21 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
CN102078850A (zh) * 2009-10-16 2011-06-01 东京毅力科创株式会社 液处理装置、液处理方法和存储介质
JP2013038249A (ja) * 2011-08-09 2013-02-21 Ebara Corp 基板処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5575079A (en) * 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
JPH09262767A (ja) 1996-03-28 1997-10-07 Ebara Corp ポリッシング装置の排気構造
US6331437B1 (en) * 1998-07-14 2001-12-18 Bayer Corporation Automatic handler for feeding containers into and out of an analytical instrument
DE19934300C2 (de) * 1999-07-21 2002-02-07 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
US6807972B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Gutter and splash-guard for protecting a wafer during transfer from a single wafer cleaning chamber
US20060278164A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Petrach Philip M Dual gate isolating maintenance slit valve chamber with pumping option
JP4527670B2 (ja) * 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP6295023B2 (ja) * 2012-10-03 2018-03-14 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および研磨装置
SG10201808052SA (en) * 2014-04-30 2018-10-30 Ebara Corp Substrate Polishing Apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163162A (ja) * 1996-12-04 1998-06-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002166217A (ja) * 2000-09-25 2002-06-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
CN1934684A (zh) * 2004-05-27 2007-03-21 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
CN1786827A (zh) * 2004-12-06 2006-06-14 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置
CN102078850A (zh) * 2009-10-16 2011-06-01 东京毅力科创株式会社 液处理装置、液处理方法和存储介质
JP2013038249A (ja) * 2011-08-09 2013-02-21 Ebara Corp 基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112864066A (zh) * 2020-12-31 2021-05-28 至微半导体(上海)有限公司 一种晶圆清洗设备推拉式晶圆盒装载输送系统

Also Published As

Publication number Publication date
US20170207106A1 (en) 2017-07-20
KR20170085975A (ko) 2017-07-25
US10438817B2 (en) 2019-10-08
TWI750147B (zh) 2021-12-21
JP6659368B2 (ja) 2020-03-04
TW201726270A (zh) 2017-08-01
CN107068590B (zh) 2022-04-12
KR102675417B1 (ko) 2024-06-13
JP2017126706A (ja) 2017-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4197103B2 (ja) ポリッシング装置
JP6546343B2 (ja) ドレッシング装置及びこれを含むウエハー研磨装置
CN101414549B (zh) 基板清洗设备
JP6054805B2 (ja) 基板洗浄装置
US9677811B2 (en) Substrate cleaning and drying apparatus
CN107627201A (zh) 研磨基板的表面的装置和方法
KR20090039629A (ko) 기판세정장치
KR101899435B1 (ko) 웨이퍼 처리 장치
TW201617171A (zh) 使用傾向引導流體於噴灑主體下方且前往入口埠之流體出口的拋光墊清理系統及其方法
CN110064611A (zh) 加工装置、及制品的制造方法
KR100687008B1 (ko) 파티클을 효과적으로 흡입 배출할 수 있는 기판 반송 장치
JP6815912B2 (ja) 洗浄装置及び基板処理装置
CN107068590A (zh) 清洗装置及基板处理装置
JP6534861B2 (ja) 研削装置
US10777417B2 (en) Dressing device, polishing apparatus, holder, housing and dressing method
JP6895341B2 (ja) 基板処理装置
JP2008132592A (ja) ポリッシング装置およびポリッシング方法
JP5538971B2 (ja) 洗浄装置
US20210394332A1 (en) Substrate processing apparatus
JP6708514B2 (ja) 基板カセット洗浄装置
JP2019175933A (ja) 洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法
CN214672522U (zh) 一种硅片清洗设备
TWI706813B (zh) 基板處理裝置
JP2023037400A (ja) 加工装置
KR20180123805A (ko) 기판의 이면을 세정하는 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant