CN107057690A - 一种用LiAlH4制取发光多孔硅的方法 - Google Patents
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Abstract
一种用LiAlH4制取发光多孔硅的方法,为:将白炭黑、LiAlH4按(0.8‑1.6):(0.53‑1.13)重量份之比混均得混合物,将混合物置于炉腔容积为10‑30升的加热炉内;在混合物表面均匀撒布100‑325目的碳粉,碳粉、混合物重量份之比为(0.07‑0.17):(1.33‑2.73);将加热炉炉腔温度经1‑2h升温至400‑550℃,保温反应3‑5h,得到反应产物;将反应产物逐步冷却至室温,冷却条件为每小时降低温度55‑65℃,然后,依次利用盐酸、常温蒸馏水、乙醇洗涤反应产物至少一遍,得到洗涤物;将洗涤物在90‑110℃烘干2‑3h,得到光电效应较佳的发光多孔硅。
Description
技术领域
本发明涉及一种用LiAlH4制取发光多孔硅的方法。
背景技术
现有制取发光多孔硅的方法,大都采用电化学腐蚀法,即:在聚四氟乙烯腐蚀槽里,插入硅片和铂片分别作为阳极和阴极,用氢氟酸或氢氟酸加乙醇作为电解液,发光多孔硅的制取受到溶液的浓度和成分、电流密度、电阻率、环保及温度等诸多因素的限制,发光多孔硅的制取对光照较为敏感。该方法制取发光多孔硅的化学反应过程较复杂,至今并不完全清楚,在氢氟酸溶液中,硅片的电化学腐蚀速度是极慢的,产生的废液也难以处理。
该方法存在以下缺馅:一、制取过程中产生废液等,污染环境;二、制取过程中消耗大量的电能,能耗高;三、制得的发光多孔硅提纯较困难;四、制取成本高(原材料价格较高),所用设备须耐腐蚀(氢氟酸的腐蚀性极强),结构较复杂。上述缺馅,使得现有制取发光多孔硅的方法难以在工业上大规模使用。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种用LiAlH4制取发光多孔硅的方法,本方法绿色环保,能耗低,工艺简单,成本低,设备少且简单,易于在工业上大规模使用;另,制取的发光多孔硅的光电效应较佳。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种用LiAlH4制取发光多孔硅的方法,依次包括以下步骤:
(1)将白炭黑、LiAlH4按(0.8-1.6):(0.53-1.13)的重量份之比混合均匀,得混合物,并将混合物置于炉腔容积为10-30升的加热炉内;
(2)在混合物的表面均匀撒布100-325目的碳粉,碳粉、混合物的重量份之比为(0.07-0.17):(1.33-2.73);
(3)将加热炉的炉腔温度经1-2h升温至400-550℃,保温反应3-5h,得到反应产物;
(4)将反应产物逐步冷却至室温,冷却条件为每小时降低温度55-65℃,然后,依次利用盐酸、常温蒸馏水、乙醇洗涤反应产物至少一遍,得到洗涤物;
(5)将洗涤物在90-110℃的温度下烘干2-3h,得到发光多孔硅。
在本发明的制备方法中:
(3)中,将加热炉的炉腔温度经1-2h升温至400-550℃,保温反应3-5h,得到反应产物。这样,碳粉经过有氧燃烧,可充分消耗加热炉中的氧气,为还原反应打下良好基础。
其反应机理为:LiAlH4+SiO2=LiAlO2+Si+4H2↑
这样,在较低的反应温度(400-550℃)、较短的反应时间(3-5h)条件下,白炭黑(微米或纳米级二氧化硅)、LiAlH4(还原剂)之间就可充分地发生还原反应并得到反应产物,反应产物中包括LiAlO2(盐类)、发光多孔硅。
故,本方法的优点为:
一、绿色环保,制取过程中产生的是盐类,不会污染环境;
二、能耗低,制取过程中的反应温度仅400-550℃;
三、制取的发光多孔硅提纯较容易,利用较为简单的洗涤、烘干步骤,就可去除反应产物中的盐类,且制取的发光多孔硅的光电效应较佳;
四、制取成本低(原材料价格较低),所用设备少且无须耐腐蚀,结构较简单。
上述优点,使得本方法易于在工业上大规模使用。
本发明在发光多孔硅的制取过程中:
所述(4)中依次利用盐酸、常温蒸馏水、乙醇按逐遍方式重复洗涤反应产物三遍,且每一遍洗涤反应产物时,均采用2-5重量份、重量百分比浓度为5-10%的盐酸,均采用2-5重量份的常温蒸馏水,均采用2-5重量份、分析纯级的乙醇。
依次利用盐酸、常温蒸馏水、乙醇按逐遍方式重复洗涤反应产物三遍,这样,可充分洗去反应产物中的盐类。
附图说明
图1是本方法实施例三制取的发光多孔硅的XRD衍射图。
图2是本方法实施例三制取的发光多孔硅的红外光谱图。
图3是本方法实施例三制取的发光多孔硅的扫描电子显微镜图。
图4是本方法实施例三制取的发光多孔硅的固体发射光谱图。
具体实施方式
下面通过给出的实施例可以进一步清楚地了解本发明。但,它们不是对本发明的限定。实施例一
一种用LiAlH4制取发光多孔硅的方法,依次包括以下步骤:
(1)将白炭黑、LiAlH4按0.8:0.53的重量份之比混合均匀,得混合物,并将混合物置于炉腔容积为10升的加热炉内;
(2)在混合物的表面均匀撒布100目的碳粉,碳粉、混合物的重量份之比为0.07:1.33;
(3)将加热炉的炉腔温度经1h升温至400℃,保温反应5h,得到反应产物;
(4)将反应产物逐步冷却至室温,冷却条件为每小时降低温度55℃,然后,依次利用盐酸、常温蒸馏水、乙醇按逐遍方式重复洗涤反应产物三遍,且每一遍洗涤反应产物时,均采用2重量份、重量百分比浓度为10%的盐酸,均采用2重量份的常温蒸馏水,均采用2重量份、分析纯级的乙醇,得到洗涤物;
(5)将洗涤物在90℃的温度下烘干3h,得到0.29重量份的发光多孔硅。
其中,(3)步骤的反应机理为:LiAlH4+SiO2=LiAlO2+Si+4H2↑
实施例二
一种用LiAlH4制取发光多孔硅的方法,依次包括以下步骤:
(1)将白炭黑、LiAlH4按1.6:1.13的重量份之比混合均匀,得混合物,并将混合物置于炉腔容积为30升的加热炉内;
(2)在混合物的表面均匀撒布325目的碳粉,碳粉、混合物的重量份之比为0.17:2.73;
(3)将加热炉的炉腔温度经2h升温至550℃,保温反应3h,得到反应产物;
(4)将反应产物逐步冷却至室温,冷却条件为每小时降低温度65℃,然后,依次利用盐酸、常温蒸馏水、乙醇按逐遍方式重复洗涤反应产物三遍,且每一遍洗涤反应产物时,均采用5重量份、重量百分比浓度为5%的盐酸,均采用5重量份的常温蒸馏水,均采用5重量份、分析纯级的乙醇,得到洗涤物;
(5)将洗涤物在110℃的温度下烘干2h,得到0.69重量份的发光多孔硅。
其中,(3)步骤的反应机理为:LiAlH4+SiO2=LiAlO2+Si+4H2↑
实施例三
一种用LiAlH4制取发光多孔硅的方法,依次包括以下步骤:
(1)将白炭黑、LiAlH4按1.2:0.83的重量份之比混合均匀,得混合物,并将混合物置于炉腔容积为20升的加热炉内;
(2)在混合物的表面均匀撒布230目的碳粉,碳粉、混合物的重量份之比为0.12:2.03;
(3)将加热炉的炉腔温度经1.5h升温至500℃,保温反应4h,得到反应产物;
(4)将反应产物逐步冷却至室温,冷却条件为每小时降低温度60℃,然后,依次利用盐酸、常温蒸馏水、乙醇按逐遍方式重复洗涤反应产物三遍,且每一遍洗涤反应产物时,均采用3.5重量份、重量百分比浓度为7%的盐酸,均采用3.5重量份的常温蒸馏水,均采用3.5重量份、分析纯级的乙醇,得到洗涤物;
(5)将洗涤物在100℃的温度下烘干2.5h,得到0.49重量份的发光多孔硅。
其中,(3)步骤的反应机理为:LiAlH4+SiO2=LiAlO2+Si+4H2↑
对于本方法实施例三制取的发光多孔硅,分别进行XRD衍射检测、红外光谱检测、扫描电子显微镜检测、固体发生光谱检测,相应的具体表征内容如下:
1、XRD衍射检测
X射线衍射检测的扫描衍射角角度为10~90°,扫描速度为4°/min。
参见图1,图1是本方法实施例三制取的发光多孔硅的XRD衍射图。其中:横坐标为XRD衍射检测的扫描衍射角角度(度),纵坐标为XRD衍射峰的强度。从图1可知,在衍射角为28.4、38.5、45.6、66.7和77.6度时,分别对应有明显且尖锐的XRD衍射特征晶面(111)、(220)、(311)、(400)和(331)衍射峰,所述的衍射峰与硅的标准值(JCPDSNO.27-1402)完全对应,这表明制取的发光多孔硅为晶化程度较高的硅晶丝,其晶型较好、光电效应较佳。图1中的晶面(210)、(3’1’1’)、(222)、和(4’0’0’)杂质峰,为发光多孔硅中未洗净的少许LiAlO2所致,另外,衍射角为11.8度时,未标晶面的衍射峰是由于空气中二氧化碳的原因等所致。
2、红外光谱检测
采用KBr压片法对制取的发光多孔硅进行压片,压力设置为15MPa,设定波数范围为4000~500cm-1。
参见图2,图2为本方法实施例三制取的发光多孔硅的红外光谱图。其中:横坐标为红外光的波数(波/cm),纵坐标为透光率(%)。从图2可知,在波数3455处出现一个较弱的宽峰,该峰为-OH的反对称伸缩振动特征红外峰,表明制取的发光多孔硅的表面有少量硅羟基;在波数1095附近,出现一个强而宽的吸收峰,它是Si-Si键的反对称伸缩振动特征红外峰;在波数792处为硅氧键与Si-Si键重叠后的特征红外峰;在波数622处为Si-Si键的弯曲振动特征红外峰。
3、扫描电子显微镜检测
利用SEM二次电子信号成像的原理,观察制取的发光多孔硅的表面形貌,以此确定发光多孔硅的晶体生长情况。
参见图3,图3是本方法实施例三制取的发光多孔硅的扫描电子显微镜图。从图3可知,发光多孔硅的孔洞形状为圆形、孔径为1.5~2.5μm,所述孔洞由硅晶丝所形成,根据本方法的反应机理可知,氢气的生成和逸去、副产物LiAlO2的洗去,有助于发光多孔硅的多孔洞结构的形成,且所述硅晶丝和孔洞的分布均匀、有序,孔洞的孔径较为统一,表明发光多孔硅具有更大的比表面积和量子尺寸效应,光电效应较佳。
4、固体发射光谱检测
将制得的发光多孔硅均匀平铺在高纯石英比色池中,发光多孔硅的厚度为0.1-0.2毫米,激发光源的紫外光波长为252nm,在Aminco Bowman Series2型荧光仪上对发光多孔硅激发后进行测定。
参见图4,图4是本方法实施例三制取的发光多孔硅的固体发射光谱图。其中:横坐标为荧光发射光的波长(nm),纵坐标为荧光发射光的强度(a.u.)。从图4可知,发光多孔硅用252nm波长的紫外光激发后,所得到较强的荧光发射光的波长在310-450nm,其原因在于:发光多孔硅是由纳米级、多孔洞的晶丝所组成,这些晶丝具有二维量子效应,导致硅的基态价电子能有效吸收紫外光后跃迁到更高价,发光多孔硅内同时产生空穴,而当激发态电子辐射跃迁回到基态时,产生荧光发射光。从图4还可知,发光多孔硅有着十分明显的荧光发射光特征峰(382nm),这是因其具有更高的孔洞密度、更大的比表面积和量子效应,这些与扫描电子显微镜检测的结果相一致。
Claims (2)
1.一种用LiAlH4制取发光多孔硅的方法,依次包括以下步骤:
(1)将白炭黑、LiAlH4按(0.8-1.6):(0.53-1.13)的重量份之比混合均匀,得混合物,并将混合物置于炉腔容积为10-30升的加热炉内;
(2)在混合物的表面均匀撒布100-325目的碳粉,碳粉、混合物的重量份之比为(0.07-0.17):(1.33-2.73);
(3)将加热炉的炉腔温度经1-2h升温至400-550℃,保温反应3-5h,得到反应产物;
(4)将反应产物逐步冷却至室温,冷却条件为每小时降低温度55-65℃,然后,依次利用盐酸、常温蒸馏水、乙醇洗涤反应产物至少一遍,得到洗涤物;
(5)将洗涤物在90-110℃的温度下烘干2-3h,得到发光多孔硅。
2.根据权利要求1所述的一种用LiAlH4制取发光多孔硅的方法,其特征在于:所述(4)中依次利用盐酸、常温蒸馏水、乙醇按逐遍方式重复洗涤反应产物三遍,且每一遍洗涤反应产物时,均采用2-5重量份、重量百分比浓度为5-10%的盐酸,均采用2-5重量份的常温蒸馏水,均采用2-5重量份、分析纯级的乙醇。
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