CN107032829A - 在修复周期期间保护特征的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及在修复周期期间保护特征的方法。具体而言，一种方法可包括将掩模应用至CMC结构，以及使具有应用的掩模的结构经历修复过程。在一个实施例中，将掩模应用至CMC结构可包括将掩模应用至CMC结构的特征。

Description

在修复周期期间保护特征的方法
技术领域
本公开内容大体上涉及陶瓷基质复合物(CMC)结构，并且具体地涉及用于在修复周期期间保护CMC结构的特征的方法。
背景技术
用于制造CMC结构的各种方法是已知的。CMC结构可通过熔体渗透(MI)制造。使用MI，预形件可置于室中，且布置成与液态硅源接触。液态硅可与预形件材料反应。CMC结构还可使用化学气相渗透(CVI)来制造。对于CVI的执行，预形件可置于蒸气室中来引起室的蒸气与预形件的材料之间的反应。CMC结构还可使用聚合物浸渍和热解(PIP)来制造。对于PIP的执行，聚合碳化硅前体可用于渗透纤维状预形件。CMC结构还可使用过程的组合来制造。
CMC结构在操作期间受到破坏。例如，CMC结构可与刚性物体接触且可变为刺穿或另外受损的。
发明内容
一种方法包括将掩模应用至CMC结构，以及使具有应用的掩模的CMC结构经历用于修复CMC结构的过程。在一个实施例中，将掩模应用至CMC结构可包括将掩模应用至CMC结构的特征。
技术方案1. 一种方法，包括：
将掩模应用至陶瓷基质复合物(CMC)结构；以及
使具有所述掩模的所述结构经历修复过程。
技术方案2. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括熔体渗透(MI)。
技术方案3. 根据技术方案2所述的方法，其中，所述掩模包括在所述修复过程中对液体润湿有抗性的材料。
技术方案4. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括选自由包括氮化物的材料和包括氧化物的材料组成的组的抗润湿材料。
技术方案5. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括选自由包括氮化硼的材料和包括二氧化硅的材料组成的组的抗润湿材料。
技术方案6. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括在所述修复过程的处理条件下热稳定的材料。
技术方案7. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括熔体渗透，其中所述应用包括将所述掩模应用至所述结构的功能特征，且其中所述掩模适于在熔体渗透期间阻止液态材料流至所述功能特征。
技术方案8. 根据技术方案7所述的方法，其中，所述掩模包括BN，且其中所述液态材料包括液态硅。
技术方案9. 根据技术方案7所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述液态材料包括液态硅。
技术方案10. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括化学气相渗透(CVI)。
技术方案11. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括抗气化材料。
技术方案12. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括抗润湿材料，所述抗润湿材料包括氮化物。
技术方案13. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括化学汽相渗透，其中所述应用包括将所述掩模应用至所述结构的功能特征，且其中所述掩模适于在化学气相渗透期间阻止蒸气流至所述功能特征。
技术方案14. 根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括金属材料，且其中所述方法包括在所述经历之后使用化学蚀刻过程除去所述掩模。
技术方案15. 根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述方法包括在所述经历之后使用化学蚀刻过程除去所述掩模。
技术方案16. 根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述方法包括在所述经历之后使用对于所述CMC结果是惰性的湿蚀刻剂除去所述掩模。
技术方案17. 根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述方法包括使用湿蚀刻剂除去所述掩模，所述湿蚀刻剂选自由酸性湿蚀刻剂和碱性湿蚀刻剂组成的组。
技术方案18. 根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述方法包括使用对于所述CMC结构是惰性的湿蚀刻剂除去所述掩模，其中所述氧化物材料选自由氧化硅、氧化钇、氧化锆组成的组，其中所述湿蚀刻剂选自由NaOH、HF和硝酸组成的组。
技术方案19. 根据技术方案13所述的方法，其中，所述方法包括使用干蚀刻剂除去所述掩模。
技术方案20. 根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括碳材料，且其中所述方法包括使用干蚀刻过程除去所述掩模。
技术方案21. 根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括碳材料，且其中所述方法包括使用氧化过程除去所述掩模。
技术方案22. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述方法包括使用减除处理来从所述结构除去堆积物。
技术方案23. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述应用包括将所述掩模应用至所述结构的功能特征。
技术方案24. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述应用包括将所述掩模应用至所述结构的功能特征，所述功能特征选自由冷却孔、附接(安装)孔、密封表面和槽口组成的组。
技术方案25. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模适于为易碎的，且其中所述方法包括使用机械工艺除去所述掩模。
技术方案26. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模适于化学地蚀刻，且其中所述方法包括使用化学蚀刻剂除去所述掩模。
技术方案27. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述应用掩模包括应用所述掩模使得所述掩模的区域包括在由所述结构的特征限定的内部内。
技术方案28. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述结构包括具有内部的特征，且其中所述应用掩模包括向所述内部填充形成所述掩模的材料。
技术方案29. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模适于为化学惰性的，使得所述掩模对与所述结构化学粘结有抗性。
技术方案30. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括氮化硼。
技术方案31. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括具有聚乙烯亚胺(PEI)分散剂的氮化硼浆料。
技术方案32. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模适于氧化去除，且其中所述方法包括所述掩模的氧化去除。
技术方案33. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括聚合物浸渍和热解(PIP)。
技术方案34. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括应用热，且其中所述方法包括应用所述掩模至所述CMC结构的功能特征。
技术方案35. 根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括以下选自由熔体渗透(MI)、化学气相渗透(CVI)以及聚合物浸渍和热解(PIP)组成的组中的两种或更多种的组合。
附图说明
图1为示出可关于CMC结构执行的方法的流程图；
图2为示出可经历修复的CMC结构的图；
图3为示出可经历修复的CMC结构的图；
图4为可经历修复的CMC结构的简图；
图5a为具有特征的CMC结构的照片；
图5b为具有特征的CMC结构在未应用掩模的修复过程执行之后的照片；
图6a为具有功能特征和应用至该特征的掩模的CMC结构的照片；
图6b为具有功能特征的CMC结构在应用掩模的修复过程执行之后的照片；
图7a为没有应用至功能特征的掩模的CMC结构在修复过程执行之后的照片；
图7b为具有应用的掩模的CMC结构在修复过程执行之后且之前应用至功能特征的掩模除去之后的照片。
图7c为CMC结构在修复过程执行之后且之前应用至功能特征的掩模除去之后的照片。
具体实施方式
参看图1，方法可包括在框110处将掩模应用至CMC结构。在框120处，方法可包括使具有应用的掩模的CMC结构经历用于修复CMC结构的过程。在一个实施例中，用于修复CMC结构的过程可包括应用热。
图2中示出了修复中的示例性CMC结构10。CMC结构10在一个实施例中可为由使用CMC制造过程形成的陶瓷基质复合物(CMC)材料形成的结构。CMC结构10可包括用于加强CMC结构10的功能的多个特征212。例如，特征212可包括冷却孔、附接(安装)孔、密封表面和槽口。在一个实施例中，特征212可为加工成具有小公差的临界尺寸(CD)的特征。
在一个实施例中，对于框110的执行，掩模216可应用至CMC结构10的一个或多个特征212。在一个实施例中，掩模216可应用以覆盖、涂布和/或填充CMC结构10的一个或多个特征212。掩模216可填充特征212，其中特征212包括内部。在一个实施例中，掩模216可包括多个掩模区段。例如，参看图2，掩模216可包括第一掩模区段216a和第二掩模区段216b。在一个实施例中，其中CMC结构10为限定中空结构的壁，掩模区段216a可为外部掩模区段，且掩模区段216b可为内部掩模区段。
另一方面，结构10可包括受损区域220。受损区域220可在结构10经历修复过程时修复。在框120处执行的修复过程可包括应用热。一方面，以虚线形式示出的补块224可在执行框120处的修复过程之前应用至结构10作为准备过程的一部分。在一个实施例中，本文提到的方法可没有补块224的应用。
另一方面，参看图2，堆积物230可由于修复过程的执行而形成在结构10上。
在一个实施例中，用于修复CMC结构10的过程可与CMC结构10变得受损之前的CMC结构10的制造过程不相似。
在一个实施例中，用于修复CMC结构10的过程可包括与CMC结构10变得受损之前的CMC结构10的制造过程共同的特点。
在一个实施例中，结构10可为使用熔体渗透(MI)制造的CMC结构，且结构10可在框120处经历的修复过程可包括执行MI。通过将与原来用于制造结构10的过程一样的过程用作CMC结构10的修复过程，结构10的修复可改善。结构10可修复来展现在受损之前展现的结构性质。
在修复结构10的过程可包括使用MI时，包括补块224(如果存在)的结构10可置于与MI室(未示出)内的硅(Si)源接触，且室内的热可启用以加热结构10。在一个实施例中，MI的执行期间的温度可范围从大约1380℃到大约1600℃，且可等温或非等温地应用。
确定了在MI用作修复结构10的过程时，可形成在结构10的表面上的由框120处的修复过程的执行引起的堆积物230可为硅的形式。来自MI室内的硅源的硅和结构10的修复区域的碳可反应以形成碳化硅。碳化硅可包括基本上不可溶的晶格结构。然而，不反应形成碳化硅的多余的硅可凝固来限定硅形式的堆积物230。堆积物230可形成在结构10的表面上，且可能有损结构10的功能性。堆积物230可聚集在可能已加工成临界尺寸的特征212处。
确定了在使用MI的情况下，在MI在框120处执行时可产生的液态形式的多余的硅可能转移来与特征212接触、凝固且有损结构10的功能性，例如通过在特征212处凝固来形成可不利地影响特征212的操作的堆积物230。确定了如果例如由硅形成的堆积物230在特征212内凝固，则减除过程(例如，喷砂、加工)可能用于除去堆积物230，但减除过程可能破坏此特征212的公差。可能地，特征212可再加工，但再加工可降低CMC结构10的结构强度，可引起临界尺寸超出公差范围，且再加工可在任何情况下造成相当高的成本。
在给定堆积物230可变为化学地粘结至结构10的表面的一些实施例中，堆积物230可特别难以除去。
在结构10可在框210处经历的修复过程可包括MI的情况下，掩模216可适于阻止液态硅与特征212接触。结构10上的堆积物示为在远离特征212的区域处，而没有掩模216的堆积物230可形成在特征处212。
在一个实施例中，结构10可为使用化学气相渗透(CVI)制造的CMC结构，且结构10可在框120处经历的修复过程可包括CVI。通过在修复过程中使用用于结构10的原始制造中的过程。结构10可修复，使得其可展示受损之前由结构10展示的结构性质。
根据CVI过程，结构10可置于CVI室(未示出)中，热源可启用以加热室，且蒸气源(未示出)可启用以便蒸气接触CVI室内的结构10。在一个实施例中，CVI的执行期间的温度可范围从大约700℃到大约1400℃。
确定了在执行CVI来根据图2修复结构10时，蒸气可接触特征212(图2)，且反应产物可凝固来限定可形成在结构10的表面上的堆积物230。反应产物可包括碳化硅(SiC)。在未应用掩模216的情况下，反应产物可粘附至特征212的表面且可凝固来限定堆积物230以阻止特征212起作用。在结构10在框210处可经历的修复过程可包括CVI的情况下，掩模216可适于阻止蒸气与特征212接触。结构10上的堆积物230示为在远离特征212的区域处，在未应用掩模216的情况下，堆积物230可容易形成在特征212处。掩模216在CVI用作修复过程的情况下可提供气密性密封，以便限制气体接触应用了掩模216的特征。
为了在其中修复包括执行CVI的框120处的修复过程的执行期间阻止蒸气与特征212接触，掩模216可应用至如图2中所示的特征212。
在一个实施例中，本文提出的修复过程可包括聚合物浸渍和热解(PIP)。对于PIP的执行，聚合碳化硅前体可用于渗透纤维预形件。在一个实施例中，结构10可为使用PIP制造的CMC结构，且如本文提到的修复过程可包括PIP。
在一个实施例中，修复过程可包括修复过程的组合，例如，如本文提出的MI、CVI或PIP过程中的两种或更多种的组合。
在框120(图1)结束时，可执行额外的过程。例如，在框120结束时，在MI的情况下的凝固的硅或CVI的情况下的凝固的SiC的形式的不需要的材料(例如堆积物)可形成在结构10的表面上。
在图1中提出的方法100的一个实施例中，方法10可包括除去形成在结构10上的堆积物230。在执行框120的修复过程期间，图2的堆积物230可堆积在结构10上，且掩模216可留在结构10上。
堆积物230的除去例如可包括手动刷洗或轻柔清洁。在一个实施例中，加工或喷砂可用于除去一个或多个堆积物230或掩模216。在一个实施例中，比除去堆积物230的磨蚀性更低的清洁过程可用于除去掩模216。在一个实施例中，减除过程(例如喷砂或加工)可用于除去此类不需要的材料。然而，在本文的方法的发展中，确定了减除处理可能使特征212受破坏。因此，可能有利的是使用比用于除去堆积物230磨蚀性更低的过程来用于除去掩模216。在一些实施例中，可能有利的是使用非磨蚀性或非接触的过程，例如，化学蚀刻过程或超声清洁过程来用于除去掩模216。
在图3中所示的一个方面中，具有一个或多个掩模区段的掩模216可包括释放层2162。释放层2162可适于容易地除去，从而允许容易除去形成在掩模216上的堆积物230。释放层2162可形成在掩模216下方，以便掩模216可随释放层2162的除去而除去。
一方面，补充掩模218(图2)可在框120的执行之后和在除去堆积物230的减除过程的执行之前应用在掩模216上。在掩模216包括释放层2162的情况下，释放层2162可在掩模218应用之前除去。掩模218可具有多个区段，例如，区段218a和218b。掩模218可在除去堆积物230的减除过程的执行期间阻止对结构10的保护区域的破坏。在一个实施例中，掩模218可由乙烯基形成。在应用补充掩模218的情况下，加工或喷砂可在降低对特征212破坏的风险的情况下对于堆积物230的除去执行。
在框120(图1)结束时，例如，在除去堆积物230之后、之前或同时，掩模216和/或补充掩模218可除去。用于除去掩模216和/或掩模218的过程例如可包括手动洗刷、其它轻柔清洁、使用湿蚀刻(例如，使用酸或碱)的化学蚀刻或使用干蚀刻(例如，使用氧化或其它反应气氛)的化学蚀刻中的一种或多种。用于除去掩模的过程可在一些情况中基于掩模的材料选择。
掩模216可由多种不同材料形成。掩模可适于阻止液态材料在熔体渗透期间流至功能特征212。例如，可通过提供不由液体润湿的材料、通过提供对于液体惰性的气体和/或通过提供材料以便材料可与液体反应而不允许液体渗透掩模至功能特征212来实现阻止至特征212的流。
在一个实施例中，掩模216可提供为易碎的。在掩模216提供为易碎的情况下，掩模216可使用机械清洁过程除去。
在一个实施例中，易碎掩模材料可包括氮化硼(BN)。在一个示例中，易碎掩模材料可包括具有分散剂(例如，聚乙烯亚胺，PEI)的BN。在另一个示例中，易碎掩模材料可包括具有分散剂(例如，聚乙烯亚胺，PEI)的BN。在掩模216由易碎材料(例如，包括BN的材料)提供时，掩模216可使用机械过程除去，例如，喷砂、喷水、超声清洁、温和磨蚀性洗刷或加工。BN可研磨成颗粒形式。
在一个实施例中，掩模216可适于化学地除去。在其中掩模216适于化学地除去的一个实施例中，掩模216例如可使用湿蚀刻来除去。在其中掩模216适于化学地除去的一个实施例中，掩模216例如可使用氧化过程来除去。在一个实施例中，掩模216可适于氧化除去，且本文的方法可包括掩模216的氧化除去。在其中掩模216适于化学地除去的一个实施例中，掩模216例如可使用挥发掩模的另一反应性气氛来除去，且本文的方法可包括掩模216的反应气氛除去。
可使用湿蚀刻过程化学地除去的掩模材料的示例包括金属，例如，镍、硅、铝、钨；或基于氧化物的材料，例如，氧化硅、氧化钇、氧化锆。湿蚀刻可包括使用化学蚀刻剂，例如NaOH(用于氧化硅)或硝酸(用于氧化钇)。氧化物材料掩模可构造成对于CVI系统中的气体是惰性的，且可构造成提供气密性密封，且因此可良好适于结合用于修复的CVI过程使用。用于除去氧化物材料掩模的湿蚀刻材料(例如，NaOH(用于氧化硅)或硝酸(用于氧化钇))可相对于结构10是惰性的，以便湿蚀刻材料在用于除去氧化物材料掩模时不会破坏结构10。
可使用氧化过程化学地除去的掩模材料的示例包括具有带高氧化物蒸气压力的碳或金属的材料。在掩模216由具有碳的材料形成的情况下，掩模216可通过氧化除去。具有碳的材料可构造成对于CVI系统中的气体是惰性的，且可构造成提供气密性密封，且因此可良好适于结合用于修复的CVI过程使用。在掩模216由具有金属的材料形成的情况下，掩模216可通过氧化除去。
一方面，掩模216可提供成化学惰性的，以阻止掩模216化学地粘结至CMC结构10的表面。将掩模216提供成化学惰性的以阻止掩模216化学粘结至结构10的表面可适应掩模216，以便掩模216可适于容易地除去。
一方面，掩模216可适于对液体润湿有抗性。确定提供掩模216以便掩模216可抗润湿可避免这样的问题，其中掩模216可变得经由毛细作用润湿使得由框120的执行引起的液体产物接触特征212(例如，孔)且然后凝固。抗润湿的材料的示例包括氮化物材料和氧化物材料。在其中液体为硅的一个实施例中，掩模216可由氮化硼(BN)形成。在其中液体为硅的一个实施例中，掩模216可由二氧化硅(SiO2)形成。
一方面，掩模216可适于使得在执行包括应用热的框120处的修复过程期间，掩模216为抗熔化或抗气化中的一种或多种。在本文的方法的发展中，确定了掩模216的材料可能熔化或气化来形成可接触特征212的产物。为了降低掩模熔化或气化产物接触特征212的风险，掩模216可由一种或多种抗熔化或抗气化材料形成。将掩模216形成为抗熔化或抗气化中的一种或多种可在框120的修复过程的执行期间阻止掩模216的材料气化。抗熔化材料的示例可包括氮化物、氧化物和碳，例如，氮化硼、二氧化硅(硅土)、碳、氧化钇。抗气化材料的示例可包括氮化物、氧化物和碳，例如，氮化硼、二氧化硅(硅土)、碳、氧化钇。
掩模216可使用多种不同的过程应用至结构10。掩模216例如可涂布、喷洒、沉积或喷溅。在一个实施例中，形成掩模216的材料可为喷溅到结构10的表面上的基于碳的材料。在此实施例中，掩模216可通过氧化除去。用于应用掩模216的方法例如可包括刷洗、喷洒、喷溅、化学气相沉积、切割成带且将带应用至表面、将油灰形式的掩模应用至表面。
可经历修复过程的CMC结构10的特定示例在图4中示出。在图4的实施例中，结构10可为燃烧器衬套的形式。结构10可为如图4中所示的中空形式且可限定内部和外部。结构10的功能特征212可包括如图4中所示的一个或多个附接孔，其可包括应用到其上的掩模区段216a、216b、216c、216d、216e、216z。如图4中所示的功能特征212可包括具有应用到其上的掩模区段216zz的一个或多个密封表面212。在图4中所示的示例中，可在框110(图1)处应用的掩模216可包括多个外部掩模区段，例如，掩模区段216a、216b、216c、216d、216e。图4中所示的示例中的掩模216可包括多个内部掩模区段，例如，掩模区段216z。图4中所示的示例中的掩模216可包括掩模区段216zz，其可应用至由密封表面提供的功能特征212。在图4的示例中的掩模区段(例如，掩模区段216b和216c、216d和216e)附近可限定放出孔217。放出孔(掩模中的间隙)217可设计成在执行根据框120(图1)的修复过程期间有助于液态材料流出结构10。尽管图4的示例中的结构10为燃烧器衬套的形式，但结构10可作为备选例如以护罩、叶片、导叶、喷嘴、涡轮中心框架、罩、排气混合器的形式提供。
图5a示出了具有由密封槽口提供的特征212的结构。图5b示出了执行MI之后且未应用掩模216的特征212。在无掩模216的情况下，由硅提供的堆积物230可形成在特征212处，包括在由特征212限定的任何内部内，以不利地影响特征212的操作。堆积物230可化学地粘结至结构10而使堆积物230特别难除去。
参看图6a，图6a示出了由掩模216保护的特征212。图6b示出了应用掩模216的情况下执行MI之后的图6a的结构。掩模216可包括如图6b中所示的区域，其延伸至可由特征212限定的内部。在应用掩模216的情况下，特征212(如图5和图5b中所示)由掩模216保护，且因此硅不会形成在特征212的内部。
图7a为没有掩模216的CMC结构10在执行修复过程之后的照片。在无掩模216应用至功能特征212的情况下，功能特征212可易于具有形成在其上的堆积物230。图7b为具有应用的掩模216的CMC结构10在执行修复过程之后且之前应用至功能特征212的掩模216除去之后的照片。在应用掩模216的情况下，功能特征212可受保护，且可保持没有堆积物230形成在其上。图7c为CMC结构10在执行修复过程之后且除去之前应用至功能特征212的掩模216之后的照片。在修复过程期间由掩模216保护的功能特征212可通过用于除去堆积物230的过程和用于除去掩模216的过程来保持其临界大小。
将理解的是，以上描述意在为示范性且非限制性的。例如，上述实施例(和/或其方面)可与彼此组合使用。此外，可作出许多改型来使特定情形或材料适于各种实施例的教导内容而不脱离其范围。尽管本文所述的材料的大小和类型意在限定各种实施例的参数，但它们绝不是限制性的，且仅为示例性的。本领域的技术人员在阅读以上描述时将清楚许多其它实施例。因此，各种实施例的范围应当参照所附权利要求以及赋予此权利要求权利的等同方案的完整范围确定。在所附权利要求中，用语"包括(including)"和"在其中(inwhich)"用作相应用语"包含(comprising)"和"其中(which)"的通俗英文同义词。此外，在以下权利要求中，用语"第一"、"第二"和"第三"等仅用作标记，且不意在对其对象施加数字要求。此外，以下权利要求的限制并未以装置加功能的格式撰写，且不意在基于35 U.S.C.§112的第六段理解，除非且直到此权利要求限制明确地使用短语"用于…的装置"后接没有进一步的结构的功能的声明。将理解的是，本文所述的所有此类目的或优点不一定可根据任何特定实施例实现。因此，例如，本领域的技术人员将认识到，本文所述的系统和技术可以以一种方式体现或执行，使得实现或优化如本文教导的一个优点或优点组合，而不需要实现如本文教导或建议的其它目的或优点。
尽管仅结合了有限数目的实施例详细描述本发明，但应当理解的是，本发明不限于此公开实施例。相反，本发明可改变以结合迄今未描述的但与本发明的精神和范围相当的任何数目的变型、改型、置换或等同布置。此外，尽管已经描述了本发明的各种实施例，但将理解的是，本公开内容的方面可仅包括所述实施例中的一些。因此，本发明不看作由前述描述限制，而是仅由所附权利要求的范围限制。
该书面描述使用示例来公开本发明，包括最佳模式，并且还使本领域技术人员能够实践本发明，包括制造和使用任何装置或系统以及执行任何包含的方法。本发明可申请专利的范围由权利要求限定，并且可包括本领域技术人员想到的其它示例。如果这些其它示例具有不与权利要求的字面语言不同的结构要素，或者如果它们包括与权利要求的字面语言无实质差异的等同结构要素，则意在使这些其它示例处于权利要求的范围内。

Claims (10)

1. 一种方法，包括：
将掩模应用至陶瓷基质复合物(CMC)结构；以及
使具有所述掩模的所述结构经历修复过程。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修复过程包括熔体渗透(MI)。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩模包括在所述修复过程中对液体润湿有抗性的材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩模包括选自由包括氮化物的材料和包括氧化物的材料组成的组的抗润湿材料。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩模包括选自由包括氮化硼的材料和包括二氧化硅的材料组成的组的抗润湿材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩模包括在所述修复过程的处理条件下热稳定的材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修复过程包括熔体渗透，其中所述应用包括将所述掩模应用至所述结构的功能特征，且其中所述掩模适于在熔体渗透期间阻止液态材料流至所述功能特征。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述掩模包括BN，且其中所述液态材料包括液态硅。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述液态材料包括液态硅。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修复过程包括化学气相渗透(CVI)。
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