KR101743551B1 - 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법 및 이에 따른 스크러버, 이 스크러버를 이용한 내부식성 향상 및 산화물 부착방지 방법 - Google Patents

반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법 및 이에 따른 스크러버, 이 스크러버를 이용한 내부식성 향상 및 산화물 부착방지 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법 및 이에 따른 스크러버, 이 스크러버를 이용한 내부식 및 산화물 부착방지 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예는, 반응챔버의 내주면에 라이너가 형성된 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법에 있어서, 라이너의 내주벽에 무기 세라믹 코팅재를 상온 대기압하에서 스프레이 코팅 방식으로 코팅층을 형성하는 1단계; 1단계에서 코팅된 라이너에 퍼지 홀을 가공하는 2단계; 코팅층이 형성된 라이너를 200~300℃에서 표면 열처리하는 3단계; 표면 열처리된 라이너의 퍼지 홀 및 코팅 두께를 측정하는 4단계;를 포함하여 구성된다. 바람직하게는 무기 세라믹 코팅재는 그래핀 소재이며, 라이너는 반응챔버의 내주벽과 일정한 간극을 갖도록 형성되도록 한다.
이에 따르면 스크러버의 라이너의 표면 및 퍼지 홀에 산화물이 부착되지 않도록 함으로써 고온 환경에서 내구성이 우수한 부식 및 공정 산화물 부착을 동시에 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법 및 이에 따른 스크러버, 이 스크러버를 이용한 내부식성 향상 및 산화물 부착방지 방법{Manufacturing method for a semiconductor of the scrubber waste gas treatment and thus the scrubber, to prevent corrosion and oxide adhesion method using the scrubber}
본 발명은 반도체 폐가스 처리용 스크러버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 및 LCD 제조 중 발생되는 폐가스를 처리하는 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법 및 이에 따른 스크러버, 이 스크러버를 이용한 내부식성 향상 및 산화물 부착방지 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 및 LCD제조 Fab.의 CVD 및 Etching Process는 가스캐비넷에서 특수가스를 프로세스 챔버에 공급하여 웨이퍼에 프로세스를 진행한후 진공 펌프로 공정 중 발생한 부산물 및 미반응 가스를 드레인(Drain)시키고 폐가스 처리 스크러버 에서 1차 처리하여 옥상으로 배출한다.
또한 폐가스 처리 가스 스크러버에서는 공정에서 미반응한 SiH4, SF6, NF3 가스 등과 반응 부산물인 SiO2등의 산화물과 HF,F2등의 부식성 가스를 650~1300℃의 고온의 연소 챔버 내부에서 에어나 O2로 산화 처리하여 SiO2와 HF등으로 전환한 후 후단의 습식 챔버(Wet Chamber)에서 물로 흡수분해하여 처리한 후 대기로 배출한다.
이러한 고온의 연소 챔버 내부의 버너 노즐 표면, 반응기 라이너(Reactor Liner)의 벽면 등에 산화물이 달라붙어 막힘 등을 유발하고 HF등의 부식성 가스에 의한 산화 및 침식이 일어나 부품을 빈번히 교체하고 있으며, 특히 텅스텐 화학기상증착(W-CVD)와 같은 금속 화학기상증착(Metal CVD)공정에서는 텅스텐(W)과 같은 금속이 버너 노즐 표면에 침식되어 열적스트레스에 의해 갑자기 떨어지는 스폴링 현상에 의한 화재의 위험성도 있어 이를 해결할 솔루션이 절실하게 요구되고 있다.
현재까지 반도체 폐가스처리 스크러버의 연소 챔버의 버너 노즐 및 반응기 라이닝에 대한 부식방지 및 공정 산화물 부착방지 솔루션은 주로 Inconel,Hastelloy등의 내부식 재료를 사용하거나 N2, 공기(Air), 물 등을 표면 및 벽에 부식성 가스 및 산화물이 벽에 부착되지 않도록 유체막을 형성하도록 하였지만 빈번한 교체가 이루어지고 있는 실정이다.
국내 특허출원 10-2006-0011011호에는 '반도체 폐가스 처리용 스크러버의 파우더 제거장치'가 개시되어 있다.
상기 선행기술은 연소 챔버의 내벽에 소정 압력을 갖는 가스 펄스파를 제공하여, 연소 챔버의 내벽에 반도체 제조 공정중 발생되며 강제 연소되어 형성된 각종 파우더가 침적(沈積)되지 않도록 하는 것과 관련된다.
한편 SUS 304/316재질의 노즐 및 라이닝(Lining)에 열용사 코팅 등을 실시하여 테스트를 실시하기도 하였으나 고온환경에서 박리 및 핀홀등에 의한 부식 진행으로 내구성에 문제가 있어 적용이 되지 않고 있다.
현재까지 라이너에 대한 코팅의 대부분은 부식방지를 위한 코팅으로 산화물의 부착에 의한 성장으로 막힘 등의 문제점은 해결되지 않고 있는 실정이다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 고온 환경에서 내구성이 우수한 부식 및 공정 산화물 부착을 동시에 방지하는 코팅기술을 포함하는 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법 및 이에 따른 스크러버, 이 스크러버를 이용한 내부식성 향상 및 산화물 부착방지 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 본 발명의 목적은,
1. 반응챔버의 내주면에 라이너(Liner)가 형성된 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법에 있어서, 상기 라이너의 내주벽에 무기 세라믹 코팅재를 상온 대기압하에서 스프레이 코팅 방식으로 코팅층을 형성하는 1단계; 상기 1단계에서 코팅된 라이너에 퍼지 홀을 가공하는 2단계; 상기 코팅층이 형성된 라이너를 200~300℃에서 표면 열처리하는 3단계; 상기 표면 열처리된 라이너의 코팅 두께를 측정하는 4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조 방법에 의해 달성될 수 있다.
상기 무기 세라믹 코팅재는 그래핀 소재이며, 두께는 40~100㎛으로 코팅되는 것을 특징으로 한다.
상기 라이너는 반응챔버의 내주벽과 일정한 간극을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 라이너는 내부가 비어있는 이중관으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
2. 본 발명의 목적은, 반응챔버의 내주면에 라이너가 형성된 반도체 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 라이너의 내벽에 무기 세라믹 코팅층이 형성되고, 상기 무기 세라믹 코팅층은 반응챔버의 내주벽과 일정한 간극을 갖도록 형성되거나 또는 라이너는 내부가 비어있는 이중관으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 폐가스 처리용 스크러버에 의해 달성될 수 있다.
3. 본 발명의 목적은, 상기 반도체 폐가스 처리용 스크러버를 이용하는 부착방지 방법에 있어서, 상기 코팅층의 표면에 상부에서부터 세척수를 흘려주어 라이너의 내주면과 외주면에 각기 수막이 형성되도록 하여 내부식성 향상 및 산화물의 부착을 방지하는 것을 특징으로 하는 스크러버를 이용한 내부식성 향상 및 산화물 부착방지 방법에 의해 달성될 수 있다.
상기 라이너의 하부에는 흘러내린 세척수를 회수하고, 회수된 세척수를 다시 라이너의 상부에 공급하여 순환시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 스크러버의 라이너의 표면 및 퍼지 홀에 산화물이 부착되지 않도록 함으로써 고온 환경에서 내구성이 우수한 부식 및 공정 산화물 부착을 동시에 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 폐가스 처리용 스크러버를 나타낸 도면,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법의 흐름도,
도 3은 상기 도 2에 도시된 제조방법에 의해 제조된 본 발명의 스크러버를 나타낸 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 스크러버를 이용하는 내부식성 향상 및 산화물 부착방지의 구성을 나타낸 도면.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 토대로 상세하게 설명하면 다음과 같다.
하기에서 설명될 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이며, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.
또한, 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있으며, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있고, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 함을 밝혀둔다.
첨부된 도면 중에서, 도 1은 본 발명에 따른 반도체 폐가스 처리용 스크러버를 나타낸 도면, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법의 흐름도, 도 3은 상기 도 2에 도시된 제조방법에 의해 제조된 본 발명의 스크러버를 나타낸 단면도, 도 4는 본 발명에 따른 스크러버를 이용하는 내부식성 향상 및 산화물 부착방지의 구성을 나타낸 도면이다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반응챔버의 내주면에 라이너가 형성된 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법에 있어서,
라이너(100)의 내주벽에 무기 세라믹 코팅재를 상온 대기압하에서 스프레이 코팅 방식으로 코팅층(120)을 형성하는 1단계(S1);
1단계에서 코팅된 라이너(100)에 퍼지 홀(140)을 가공하는 2단계(S2);
코팅층(120)이 형성된 라이너(100)를 200~300℃에서 표면 열처리하는 3단계(S3);
표면 열처리된 라이너(100)의 코팅 두께를 측정하는 4단계(S4);를 포함하여 구성된다.
1단계(S1)
라이너(또는 버너 노즐(N)도 포함된다.)는 내부가 비어 있는 중공형태이며, 내주면에는 라이너(100)가 소정의 간극을 두고 형성된다.
라이너(100)는 버너 노즐(N)로부터 발생된 화염에 견딜 수 있도록 내화성 재질, 즉 SUS 304/316재질로 형성된다.
라이너(100)를 압축 에어로 퍼지하여 먼지를 제거하여 클리닝한 후 치구에 장착시켜 고정한다.
2단계(S2)
라이너(100)의 내주벽에 무기 세라믹 코팅재로 소정의 두께를 갖도록 스프레이하여 코팅층(120)을 형성시킨다.
스프레이 건으로 2~3회 코팅한다.
상기 무기 세라믹 코팅재는 그래핀 소재이며, 코팅층(120)의 두께는 40~100㎛으로 코팅된다.
3단계(S3)
건조로에서 라이너(100)를 넣고 250℃, 1시간 동안 건조시키거나 토치로 가열하여 건조시킨다.
4단계(S4)
코팅층(120)의 두께를 측정하여 검사한다.
상기 라이너(100)는 반응챔버(500)의 내주벽과 일정한 간극(510)을 갖도록 형성된다. 따라서 라이너(100)와 반응챔버(500) 사이의 간극(510)을 통해 후술될 세척수가 흘러내릴 수 있게 된다.
또는 상기 라이너(100)는 내부가 비어있는 이중관으로 형성될 수 있다. 따라서 내부가 비어있으므로 이 빈 공간을 통해 세척수가 라이너(100)의 표면을 충분히 세척하면서 흘러내리게 된다.
상술한 제조방법을 통해 제조되는 본 발명에 따른 반응챔버(500)의 내주면에 라이너가 형성된 반도체 폐가스 처리용 스크러버는,
상기 라이너(100)의 내벽에 무기 세라믹 코팅층(120)이 형성되고,
상기 무기 세라믹 코팅층(120)은 반응챔버(500)의 내주벽과 일정한 간극(510)을 갖도록 형성되거나 또는 라이너(100)는 내부가 비어있는 이중관으로 형성되어 이루어진다.
상기 라이너(100)는 다수개의 퍼지 홀(140)이 형성된 것이거나 또는 홀이 없는 매끄러운 표면을 갖는 것으로 실시될 수 있다.
퍼지 홀(140)이 형성된 라이너(100)는 퍼지 홀(140)을 통해 퍼지용 에어나 질소 가스가 공급됨으로써 산화물이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
따라서 라이너(100)가 무기 세라믹 코팅재로 이루어져 산화물의 부착이 방지될 수 있도록 함과 아울러 퍼지 가스의 공급으로 인해 이중의 방지 구조를 구현할 수 있게 된다.
한편 상술한 반도체 폐가스 처리용 스크러버를 이용하는 부착방지 방법을 살펴보면 다음과 같다.
상기 코팅층(120)의 표면에 상부에서부터 세척수를 흘려주어 라이너(100)의 내주면과 외주면에 각기 수막이 형성되도록 하여 내부식성 향상 및 산화물의 부착을 방지한다.
이와 더불어 라이너(100)의 퍼지 홀(140)을 통해 퍼지 가스를 토출시켜 산화물이 라이너(100)의 내주벽에 부착되지 않도록 방지할 수 있다.
또한 라이너(100)의 하부에는 흘러내린 세척수를 회수하기 위해 오버플로우 배출구(610)가 형성되고, 오버플로우 배출구(610)를 통해 배출된 세척수를 회수하는 저수조(620)와, 상기 저수조(620)에 저수된 세척수를 다시 라이너(100)의 상부에 공급하여 순환시키는 펌프를 포함하는 세척수 순환부(630)가 더 포함될 수 있다.
비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변형이 가능한 것은 당업자라면 용이하게 인식할 수 있을 것이며, 이러한 변경 및 수정은 모두 첨부된 청구의 범위에 속함은 자명하다.
100 : 라이너 120 : 코팅층
140 : 퍼지 홀

Claims (9)

  1. 반응챔버의 내주면에 라이너가 형성된 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조방법에 있어서,
    상기 라이너의 내주벽에 무기 세라믹 코팅재를 상온 대기압하에서 스프레이 코팅 방식으로 코팅층을 형성하는 1단계;
    상기 1단계에서 코팅된 라이너에 퍼지 홀을 가공하는 2단계;
    상기 코팅층이 형성된 라이너를 200~300℃에서 표면 열처리하는 3단계;
    상기 표면 열처리된 라이너의 코팅 두께를 측정하는 4단계;
    를 포함하되,
    상기 무기 세라믹 코팅재는 그래핀 소재이며, 두께는 40~100㎛으로 코팅되고,
    상기 라이너는 내부가 비어있는 이중관으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1항에 기재된 제조방법에 의해 제조되며, 반응챔버의 내주면에 라이너가 형성된 반도체 폐가스 처리용 스크러버에 있어서,
    상기 라이너의 하부에는 흘러내린 세척수를 회수하기 위해 형성된 오버플로우 배출구와, 상기 오버플로우 배출구를 통해 배출된 세척수를 회수하는 저수조와, 상기 저수조에 저수된 세척수를 다시 라이너의 상부에 공급하여 순환시키는 펌프로 구성되는 세척수 순환부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 폐가스 처리용 스크러버.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 5항에 기재된 반도체 폐가스 처리용 스크러버를 이용하는 내부식성 향상 및 산화물 부착방지 방법에 있어서,
    상기 코팅층의 표면에 상부에서부터 세척수를 흘려주어 라이너의 내주면과 외주면에 각기 수막이 형성되도록 하여 내부식성 향상 및 산화물의 부착을 방지하고,
    상기 라이너의 하부에는 흘러내린 세척수를 회수하고,
    회수된 세척수를 다시 라이너의 상부에 공급하여 순환시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스크러버를 이용한 내부식성 향상 및 산화물 부착방지 방법.
  9. 삭제
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004356373A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体デバイスの製造方法
JP2007088006A (ja) 2005-09-20 2007-04-05 Seiko Epson Corp 半導体製造装置の反応管
US20140345526A1 (en) * 2013-05-23 2014-11-27 Applied Materials, Inc. Coated liner assembly for a semiconductor processing chamber

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004356373A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体デバイスの製造方法
JP2007088006A (ja) 2005-09-20 2007-04-05 Seiko Epson Corp 半導体製造装置の反応管
US20140345526A1 (en) * 2013-05-23 2014-11-27 Applied Materials, Inc. Coated liner assembly for a semiconductor processing chamber

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