CN106990616A - 制备配向膜的系统与方法、基板以及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了制备配向膜的系统与方法、基板以及显示面板，该系统包括：刻蚀装置，所述刻蚀装置中限定出样品容纳空间；模板装置，所述模板装置包括刻蚀模板，所述刻蚀模板与所述刻蚀装置相对设置；以及等离子体装置，所述等离子体装置设置在所述模板装置远离所述刻蚀装置的一侧，所述等离子体装置被设置为能够产生等离子体，且所述等离子体能够通过所述刻蚀模板，作用于所述样品容纳空间中的待刻蚀样品。由此，可以利用等离子体刻蚀制备配向膜，使配向膜边缘整齐，有利于LCD的窄边框化，并缓解配向膜边缘扩散区域厚度不均的问题。

Description

制备配向膜的系统与方法、基板以及显示面板

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，具体地，涉及制备配向膜的系统与方法、基板以及显示面板。

背景技术

目前，LCD(液晶显示器)行业已经趋于成熟，被广泛应用于各类应用场景，实现显示以及人机交互功能。在LCD中，为了为液晶分子提供预倾角，需要在彩膜基板以及阵列基板上设置配向膜，以便经过摩擦后为液晶旋转提供预倾角。目前制备配向膜的方法主要有转印和喷涂两种方式。这两种方式制备的配向膜，由配向膜边缘至显示区的距离(EdgeMargin，EM)约为1-2mm左右。随着显示技术的发展，各大面板厂商都在提升自身产品的竞争力，致力于制备高分辨率、高色域、轻质化、窄边框化以及高对比度的LCD。随着LCD窄边框化发展，要求配向膜边缘至显示区的距离也随之降低。因此，造成由于配向膜边缘位置控制不够精确，产品良率下降。

因此，目前的制备配向膜的系统与方法、基板以及显示面板仍有待改进。

发明内容

本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：

发明人发现，目前的配向膜涂覆工艺普遍存在着配向膜边缘不整齐、EM值(配向膜边缘至显示区的距离)过大、配向膜边缘扩散区域(Halo区域)膜厚不均匀等问题。为了适应目前市场上LCD产品的超窄边框、高解析度和高透过率的发展趋势，从而对TFT-LCD生产工艺提出了更高的要求，产品的EM值均要求确保在1mm以内(传统的制备工艺中EM值在1-2mm左右)，同时加上Halo区域膜厚不均匀的影响，目前的配向膜涂覆工艺很难满足新技术的设计要求。发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于目前的配向膜涂覆工艺制备的配向膜的不规则扩散造成的，从而使配向膜的边缘不整齐、EM值过大以及产生一定区域的Halo区域。配向膜的性能受其不规则扩散的影响，进而影响了显示器的对比度、响应时间等显示特性。然而，通过改进配向膜涂覆工艺来改善上述问题十分困难。通过涂覆的方法制备的配向膜，如需要精确控制最终获得的配向膜边缘位置，则需要对涂覆过程进行精确控制，从而造成生产成本大幅增加，生产效率下降。并且，由于涂覆工艺是通过涂覆配向膜液(PI液)形成配向膜的，配向膜液的自由扩散过程以及干燥过程，也造成最终形成的配向膜边缘扩散区域厚度不均匀。因此，如能在涂覆配向膜后，通过简单的操作改正上述问题，将不仅有利于提高产品良率，且可以保证LCD的生产成本以及生产效率不受影响。

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提出了一种制备配向膜的系统，该系统包括：刻蚀装置，所述刻蚀装置中限定出样品容纳空间；模板装置，所述模板装置包括刻蚀模板，所述刻蚀模板与所述刻蚀装置相对设置；以及等离子体装置，所述等离子体装置设置在所述模板装置远离所述刻蚀装置的一侧，所述等离子体装置被设置为能够产生等离子体，且所述等离子体能够通过所述刻蚀模板，作用于所述样品容纳空间中的待刻蚀样品。由此，可以利用等离子体刻蚀制备配向膜，使配向膜边缘整齐，有利于LCD的窄边框化，并缓解配向膜边缘扩散区域厚度不均的问题。

根据本发明的实施例，所述等离子体装置进一步包括：等离子体发生单元，所述等离子体装置为气体电解等离子体装置；气体介质单元，所述气体介质单元向所述等离子体发生单元供给气体介质。由此，可以进一步提高利用等离子体刻蚀制备配向膜的性能，同时，可以通过对刻蚀气体的选择以及产生等离子体参数的调控，使产生的等离子体仅与配向膜反应，防止损伤配向膜下方的其他有机模结构。

根据本发明的实施例，该系统进一步包括：对位装置，所述对位装置与所述模板装置相连，用于基于所述待刻蚀样品的位置，对所述刻蚀模板进行对位处理。由此，可以防止刻蚀过度，进一步提高等离子体刻蚀的精度。

根据本发明的实施例，所述刻蚀模板上具有刻蚀区以及遮挡区，所述刻蚀区环绕所述遮挡区设置，所述刻蚀区是由网状模板构成的，所述网状模板的网丝直径为10-20微米。由此，可以进一步提高利用该系统制备配向膜的效率和效果。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种制备配向膜的方法，该方法包括：通过等离子体装置产生等离子体，利用所述等离子体，基于所述模板装置的刻蚀模板，对刻蚀装置中的待刻蚀样品进行刻蚀处理，以便获得所述配向膜。通过将待刻蚀配向膜厚度不均、界线不规则的边缘区域刻蚀除去，可以简便地获得形状规则、厚度均匀的配向膜，且可以简便地控制配向膜的边缘位置。由此，有利于提高利用该配向膜制备LCD时的产品良率。

根据本发明的实施例，所述等离子体装置为气体电解等离子体装置。由此，可以通过对刻蚀气体的选择以及产生等离子体参数的调控，使产生的等离子体仅与配向膜反应，防止损伤配向膜下方的其他有机模结构。

根据本发明的实施例，在进行所述刻蚀处理之前，进一步包括：利用对位装置，基于所述待刻蚀样品的位置，对所述刻蚀模板进行对位处理，所述对位处理是通过以下步骤实现的：所述待刻蚀样品包括衬底以及待刻蚀配向膜，所述待刻蚀配向膜设置在所述衬底上，所述待刻蚀配向膜包括显示区以及待刻蚀区，所述待刻蚀区环绕所述显示区设置，所述遮挡区的面积大于所述显示区的面积，基于所述显示区的位置，对所述刻蚀模板进行对位处理，使所述遮挡区的边缘在所述衬底上的投影，与所述显示区的边缘之间的距离为0.15-0.3mm。由此可以进一步提高刻蚀的精度。

根据本发明的实施例，所述刻蚀区是由网状模板构成的，所述网状模板的网丝直径为10-20微米，所述方法进一步包括：通过调节所述网丝直径，控制所述刻蚀处理的刻蚀速率。由此，可以控制刻蚀速率，进一步提高制备配向膜的效率。

在本发明的又一方面，本发明提出了一种基板，该基板包括：衬底；配向膜，所述配向膜设置在所述衬底上，所述配向膜是由前面所述的制备配向膜的系统制备的。由此，该配向膜具有前面描述的制备配向膜的系统制备的配向膜所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该基板具有配向膜边缘厚度均匀、形状规则、配向膜边缘与显示区之间距离较近等优点的至少之一。

在本发明的又一方面，本发明提出了一种显示面板，该显示面板包括：彩膜基板，所述彩膜基板上设置有第一配向膜；阵列基板，所述阵列基板与所述彩膜基板对盒设置，所述阵列基板上设置有第二配向膜；液晶层，所述液晶层设置在所述第一配向膜以及所述第二配向膜之间，其中，所述第一配向膜以及所述第二配向膜的至少之一是由前面所述的系统制备的。由此，该显示面板具有前面描述的制备配向膜的系统制备的配向膜所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示面板具有边框较窄、产品良率较高等优点的至少之一。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1显示了根据本发明一个实施例的制备配向膜的系统的结构示意图；

图2显示了根据本发明另一个实施例的制备配向膜的系统的结构示意图；

图3显示了根据本发明一个实施例的待刻蚀样品的结构示意图；

图4显示了根据本发明一个实施例的待刻蚀配向膜的结构示意图；

图5显示了利用涂覆工艺制备的配向膜的边缘照片；

图6显示了利用涂覆工艺制备的配向膜的边缘照片图；

图7显示了利用涂覆工艺制备的配向膜边缘扩散区域的示意图；

图8显示了利用涂覆工艺制备的配向膜边缘的结构示意图；

图9显示了根据本发明一个实施例的配向膜边缘的结构示意图；

图10显示了根据本发明一个实施例的制备配向膜的方法的流程示意图；

图11显示了根据本发明一个实施例的基板的结构示意图；以及

图12显示了根据本发明一个实施例的显示面板的结构示意图。

附图标记说明：

100：刻蚀装置；110：样品容纳空间；120：待刻蚀样品；130：衬底；140：待刻蚀配向膜；141：显示区；142：待刻蚀区；150：基板；200：模板装置；210：刻蚀模板；211：遮挡区；212：刻蚀区；300：等离子体装置；310：等离子体发生单元；320：气体介质单元；400：配向膜；410：第一配向膜；420：第二配向膜；500：彩膜基板；600：阵列基板；700：液晶层；800：封框胶部；900：对位装置；10：显示区的边缘；20：待刻蚀配向膜的边缘；30：遮挡区在衬底上的投影。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种制备配向膜的系统，参考图1，该系统包括：刻蚀装置100、模板装置200以及等离子体装置300。根据本发明的实施例，刻蚀装置100中限定出样品容纳空间110。模板装置200包括刻蚀模板(图中未示出)，刻蚀模板与刻蚀装置100相对设置。等离子体装置300设置在模板装置200远离刻蚀装置100的一侧，等离子体装置300被设置为能够产生等离子体(如图中的箭头所示)，等离子体可以通过刻蚀模板，作用于样品容纳空间110中的待刻蚀样品，以便实现配向膜的制备。由此，可以利用等离子体刻蚀制备配向膜，使配向膜边缘整齐，有利于LCD的窄边框化，并缓解配向膜边缘扩散区域厚度不均的问题。

根据本发明的实施例，利用该系统制备的配向膜，可以为用于显示装置的彩膜基板或阵列基板上的配向膜。下面根据本发明的具体实施例，对该系统的各个装置进行详细说明：

根据本发明的实施例，参考图2，等离子体装置300的具体类型不受特别限制，只要可以产生等离子体，并实现对待刻蚀样品的刻蚀即可。例如，可以采用液体等离子体或是气体等离子体发生装置，构成等离子体装置300。根据本发明的具体实施例，等离子体装置300为气体电解等离子体装置，由此，可以进一步提高利用等离子体进行刻蚀处理的效率，并提高刻蚀精度。等离子体装置300可以进一步包括：等离子体发生单元310以及气体介质单元320。根据本发明的实施例，气体介质单元320向等离子体发生单元310供给气体介质。根据本发明的实施例，等离子体能够通过刻蚀模板210，作用于待刻蚀样品120。根据本发明的实施例，气体介质的具体类型不受特别限制，只需可以采用等离子体装置300产生气体电解等离子体即可。根据本发明的具体实施例，气体介质可以包括空气。可以通过对刻蚀气体的选择以及产生等离子体参数的调控，使产生的等离子体仅与配向膜反应，防止损伤配向膜下方的其他有机模结构。由此，可以防止损伤配向膜下方的其他有机模结构，进一步提高利用等离子体刻蚀制备配向膜的性能。

下面，首先对利用刻蚀模板以及等离子体装置100产生的等离子体进行配向膜制备的过程进行简单说明：

根据本发明的实施例，参考图2，待刻蚀样品120包括：衬底130以及待刻蚀配向膜140。其中，待刻蚀配向膜140设置在衬底130上，待刻蚀配向膜140在刻蚀装置200中朝向刻蚀模板210设置。待刻蚀配向膜140包括显示区141以及待刻蚀区142。其中，待刻蚀区142环绕显示区141设置。本领域技术人员能够理解的是，为了提高制备效率，可以在衬底130上设置多个待刻蚀配向膜140，待刻蚀配向膜140经过根据本发明实施例的装置处理后，形成配向膜。随后，通过对衬底130进行裁切，可以获得多个具有配向膜的基板。根据本发明的实施例，模板装置200进一步包括刻蚀模板210。根据本发明的实施例，刻蚀模板210进一步包括：刻蚀区212以及遮挡区211。根据本发明的实施例，刻蚀区212环绕遮挡区211。遮挡区211能够遮挡气体等离子体通过，刻蚀区212可以使等离子体通过。由此，由等离子体装置300产生的等离子体(如图中箭头所示)，首先经过刻蚀模板210，遮挡区211处的等离子体被遮挡，无法作用于待刻蚀样品。而刻蚀区212处的等离子体，可以穿过刻蚀模板210，作用于待刻蚀样品120的待刻蚀区142上。由此，可以实现配向膜的制备。

根据本发明的实施例，为了更加精确的控制等离子体的刻蚀精度，该系统还可以进一步包括对位装置900。对位装置900和刻蚀模板210相连，用于基于待刻蚀样品120的位置，对刻蚀模板210进行对位处理。具体地，如前所述，待刻蚀样品120上设置有多个待刻蚀配向膜140，且可以通过后期对衬底130进行剪切处理，获得多个基板。本领域技术人员可以理解的是，待刻蚀配向膜140，设置在最终获得的基板中。也即是说，参考图3，待刻蚀配向膜140(图中未示出)设置在基板150的中央，待刻蚀配向膜140中包括显示区141以及待刻蚀区142。显示区141的边缘、待刻蚀区142的边缘(即待刻蚀配向膜140的边缘)、基板150的边缘以及衬底130的边缘之间，均存在着一定的距离。对位装置900可以根据待刻蚀样品120的具体位置，调整刻蚀模板210的位置，使得刻蚀模板210中遮挡区211的位置，更好地与待刻蚀样品120中显示区141的位置进行对应。由此，一方面可以精确控制最终获得的配向膜的边缘的位置，有利于该基板制备的显示面板可以更好地窄边框化；另一方面，可以进行防止在刻蚀过程中由于刻蚀过度，损伤显示区141的待刻蚀配向膜，造成显示区141的配向膜损伤。

根据本发明的具体实施例，参考图4，遮挡区211在衬底上的投影30，环绕显示区141。显示区的边缘10与遮挡区在衬底上的投影30之间的距离D可以控制为0.15-0.3mm。例如，可以将上述距离控制为0.3mm。根据本发明的具体实施例，通过对位装置900控制刻蚀模板210，可以将对位精度控制在0.1mm，而进行对位时，在位置移动过程中产生的误差可以控制在1微米左右。由于目前窄边框化的显示装置，普遍要求配向膜边缘和显示区的边缘具有1mm以内的距离，因此，利用对位装置900进行对位处理之后，可以保证最终形成的配向膜的边缘(即遮挡区211在衬底上投影30的边缘)，与显示区141之间的距离可以满足超窄边框显示装置的要求。

根据本发明的实施例，上述对位处理，可以是通过设置在衬底130上的对位标记而实现的。根据本发明的具体实施例，对位装置可以进一步包括用于抓取对位标记位置的CCD，在进行对位处理时，可以通过CCD抓取对位标记的位置，然后基于衬底上对位标记的位置，移动刻蚀模板210而实现。上述对位处理的精度可以控制在0.1mm，能够充分满足配向膜边缘位置精度的要求。

根据本发明的具体实施例，利用根据本发明实施例的系统，可以获得边缘较为规则、厚度均一且位置控制精确的配向膜。具体地，由于目前制备配向膜是利用涂覆工艺进行的，而涂覆配向膜液(PI液)形成配向膜的过程中，由于配向膜液存在自由扩散过程以及干燥过程的影响，造成最终形成的配向膜存在边缘不整齐，厚度不均一的问题。参考图5，由于配向膜液存在自由扩散过程，因此，最终形成的配向膜边缘(图中所示出的PI边缘)到显示区的距离(图中所示出的EM值)要大于预设的EM值。也即是说，配向膜液的不规则扩散导致EM值过大。并且，参考图6以及图7，由于自由扩散过程以及干燥过程的影响，最终形成的配向膜在边缘扩散区域(Halo区域)的厚度存在不均匀的问题。而为了适应显示装置窄边框化的要求，需要设置有配向膜的基板，在进行对盒设置时，封框胶部距离显示区的距离尽可能小。参考图8，配向膜400边缘不均匀，而在设置封框胶部800时，容易造成配向膜400的边缘向外凸起的部分，与封框胶部800之间的距离过近。且由于边缘扩散区域的配向膜厚度较厚，造成配向膜400与封框胶部800接触的风险增大，进而影响封装效果，导致产品良率降低。本领域技术人员能够理解的是，上述不规则的边缘以及扩散区域，在利用根据本发明实施例的系统对待刻蚀样品进行处理时，处于刻蚀模板210的刻蚀区212对应的位置，并在等离子体的作用下，被刻蚀除去。经根据本发明实施例的系统处理后的配向膜如图9所示。由于根据本发明实施例的系统制备的配向膜的边缘，是通过前面所述的刻蚀处理而形成的，并非自由扩散形成，因此，利用根据本发明实施例的系统，可以得到位置精度高、边缘整齐、边缘膜厚均匀的配向膜400，同时也避免了配向膜和封框胶部800接触的风险。由此，可以提高产品良率，降低LCD的生产成本、提高生产效率。

根据本发明的实施例，参考图2，刻蚀区212是由网状模板构成的，网状模板的网丝直径为10-20微米。根据本发明的实施例，网丝直径可调，从而可以控制刻蚀处理的刻蚀速率。由此，可以控制刻蚀速率，进一步提高制备配向膜的效率。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种制备配向膜的方法。根据本发明的实施例，该方法可以是利用前面描述的系统进行的。具体地，参考图10，该方法包括：

S100：产生等离子体

在该步骤中，通过等离子体装置产生等离子体，以便后续利用该等离子体对待刻蚀配向膜进行刻蚀。根据本发明的实施例，等离子体装置可以具有前面描述的等离子体装置相同的特征以及优点，在此不再赘述。根据本发明的具体实施例，可以利用气体电解等离子体装置，产生等离子体。产生等离子体的气体介质可以包括空气。由此，可以通过对刻蚀气体的选择以及产生等离子体参数的调控，使产生的等离子体仅与配向膜反应，防止损伤配向膜下方的其他有机模结构。

S200：刻蚀处理

在该步骤中，利用前面产生的等离子体，基于模板装置的刻蚀模板，对刻蚀装置中的待刻蚀样品进行刻蚀处理，以便获得配向膜。其中，待刻蚀样品包括衬底以及待刻蚀配向膜，待刻蚀配向膜设置在衬底上，待刻蚀配向膜在刻蚀装置中朝向刻蚀模板设置。根据本发明的实施例，待刻蚀配向膜包括显示区以及待刻蚀区，待刻蚀区环绕显示区设置，刻蚀模板上具有刻蚀区以及遮挡区，刻蚀区环绕遮挡区设置，遮挡区的面积大于显示区的面积，通过将待刻蚀配向膜厚度不均、界线不规则的边缘区域刻蚀除去，可以简便地获得形状规则、厚度均匀的配向膜，且可以简便地控制配向膜的边缘位置。由此，有利于提高利用该配向膜制备LCD时的产品良率。

为了进一步提高利用该方法制备的配向膜的性能，在产生等离子体之前，该方法可以进一步包括：

S10：对位处理

根据本发明的实施例，在该步骤中，在进行刻蚀处理之前，也就是说，在产生等离子体之前，可以首先进行对位处理。该对位处理可以是利用前面描述的对位装置，基于待刻蚀样品的位置，对刻蚀模板进行对位处理。根据本发明的实施例，对位处理是通过以下步骤实现的：该对位处理是利用设置在待刻蚀样品上的对位标记，对刻蚀模板进行对位，以便遮挡区与显示区相对设置，且显示区的边缘在遮挡区上的投影，与遮挡区的边缘之间的距离为0.15-0.3mm(如图4中的D)。如前所述，上述对位处理的精度可以控制在0.1mm，误差控制在1微米以内，由此，能够充分满足配向膜边缘位置精度的要求，由此可以进一步提高刻蚀的精度。

根据本发明的实施例，为了进一步提高利用该方法进行刻蚀的效率以及效果，在产生等离子体之前，还可以进一步包括：

S20：控制刻蚀速度

根据本发明的实施例，刻蚀模板的刻蚀区是由网状模板构成的，而等离子体需要穿过上述网状模板，实现对待刻蚀样品的刻蚀。由此，可以在开始刻蚀处理或进行刻蚀模板的对位处理之前，通过调节网丝直径(选择具有特定直径的丝网形成刻蚀模板的刻蚀区)，控制刻蚀处理的刻蚀速率。具体地，在该步骤中，可以选择直径为10-20微米的网丝，形成刻蚀模板。根据本发明的具体实施例，可以采用直径为15微米的网丝形成刻蚀区。本技术人员可以理解的是，网状模板的网丝直径越小，刻蚀速率就越高。由此，可以控制刻蚀速率，进一步提高制备配向膜的效率。

综上所述，该制备配向膜的方法可以是利用前面描述的制备配向膜的系统进行的，由此，该方法具有前面描述的制备配向膜的系统所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，通过将待刻蚀配向膜厚度不均、界线不规则的边缘区域刻蚀除去，可以简便地获得形状规则、厚度均匀的配向膜，且可以简便地控制配向膜的边缘位置。由此，有利于提高利用该配向膜制备LCD时的产品良率。

在本发明的又一方面，本发明提出了一种基板，参考图11，该基板150包括：衬底130以及配向膜400。根据本发明的实施例，配向膜400设置在衬底130上，配向膜400是由前面所述的制备配向膜的系统制备的。由此，该配向膜具有前面描述的制备配向膜的系统制备的配向膜所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。本领域技术人员能够理解的是，基板150可以是通过以下步骤获得的：在衬底上设置多个待刻蚀配向膜140，待刻蚀配向膜140经过根据本发明实施例的系统处理后，形成配向膜400。随后，通过对衬底进行裁切，可以获得多个具有配向膜的基板150，由此可以提高制备效率。也即是说，基板150的衬底130，是通过对前面描述的待刻蚀样品的衬底进行裁切而获得的。总的来说，该基板150具有配向膜400边缘厚度均匀、形状规则、配向膜边缘与显示区之间距离较近等优点的至少之一。

在本发明的又一方面，本发明提出了一种显示面板，参考图12，该显示面板包括：彩膜基板500、阵列基板600、液晶层700、第一配向膜410以及第二配向膜420。根据本发明的实施例，彩膜基板500上设置有第一配向膜410，阵列基板600与彩膜基板500对盒设置，阵列基板600上设置有第二配向膜420，液晶层700设置在第一配向膜410以及第二配向膜420之间。其中，第一配向膜410以及第二配向膜420的至少之一是由前面所述的系统制备的。由此，该显示面板具有前面描述的制备配向膜的系统制备的配向膜所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示面板具有边框较窄、产品良率较高等优点的至少之一。

在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种制备配向膜的系统，其特征在于，包括：

刻蚀装置，所述刻蚀装置中限定出样品容纳空间；

模板装置，所述模板装置包括刻蚀模板，所述刻蚀模板与所述刻蚀装置相对设置；以及

等离子体装置，所述等离子体装置设置在所述模板装置远离所述刻蚀装置的一侧，所述等离子体装置被设置为能够产生等离子体，且所述等离子体能够通过所述刻蚀模板，作用于所述样品容纳空间中的待刻蚀样品。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述等离子体装置进一步包括：

等离子体发生单元，所述等离子体装置为气体电解等离子体装置；

气体介质单元，所述气体介质单元向所述等离子体发生单元供给气体介质。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包括：

对位装置，所述对位装置与所述模板装置相连，用于基于所述待刻蚀样品的位置，对所述刻蚀模板进行对位处理。

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述刻蚀模板上具有刻蚀区以及遮挡区，所述刻蚀区环绕所述遮挡区设置，所述刻蚀区是由网状模板构成的，所述网状模板的网丝直径为10-20微米。

5.一种制备配向膜的方法，其特征在于，包括：

通过等离子体装置产生等离子体，利用所述等离子体，基于所述模板装置的刻蚀模板，对刻蚀装置中的待刻蚀样品进行刻蚀处理，以便获得所述配向膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述等离子体装置为气体电解等离子体装置。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在进行所述刻蚀处理之前，进一步包括：

利用对位装置，基于所述待刻蚀样品的位置，对所述刻蚀模板进行对位处理，

所述对位处理是通过以下步骤实现的：

所述待刻蚀样品包括衬底以及待刻蚀配向膜，所述待刻蚀配向膜设置在所述衬底上，所述待刻蚀配向膜包括显示区以及待刻蚀区，所述待刻蚀区环绕所述显示区设置，所述遮挡区的面积大于所述显示区的面积，基于所述显示区的位置，对所述刻蚀模板进行对位处理，使所述遮挡区的边缘在所述衬底上的投影，与所述显示区的边缘之间的距离为0.15-0.3mm。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述刻蚀区是由网状模板构成的，所述网状模板的网丝直径为10-20微米，所述方法进一步包括：

通过调节所述网丝直径，控制所述刻蚀处理的刻蚀速率。

9.一种基板，其特征在于，包括：

衬底；

配向膜，所述配向膜设置在所述衬底上，所述配向膜是由权利要求1-4任一项所述的系统制备的。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

彩膜基板，所述彩膜基板上设置有第一配向膜；

阵列基板，所述阵列基板与所述彩膜基板对盒设置，所述阵列基板上设置有第二配向膜；

液晶层，所述液晶层设置在所述第一配向膜以及所述第二配向膜之间，

其中，所述第一配向膜以及所述第二配向膜的至少之一是由权利要求1-4任一项所述的系统制备的。