CN106921838A - 带有混合cds的cmos图像传感器列级adc - Google Patents

带有混合cds的cmos图像传感器列级adc Download PDF

Info

Publication number
CN106921838A
CN106921838A CN201710071497.XA CN201710071497A CN106921838A CN 106921838 A CN106921838 A CN 106921838A CN 201710071497 A CN201710071497 A CN 201710071497A CN 106921838 A CN106921838 A CN 106921838A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ramp
comparator
signal
electric capacity
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710071497.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN106921838B (zh
Inventor
徐江涛
徐爽
韩立镪
高静
史再峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin Haixin Optoelectronic Technology Co ltd
Original Assignee
Tianjin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin University filed Critical Tianjin University
Priority to CN201710071497.XA priority Critical patent/CN106921838B/zh
Publication of CN106921838A publication Critical patent/CN106921838A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106921838B publication Critical patent/CN106921838B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/772Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Abstract

本发明涉及微电子学的模拟集成电路设计领域,为提出一种采用H‑CDS的两步单斜ADC的实现方式,满足CMOS图像传感器对读出电路的高速度,低噪声的要求。本发明采用的技术方案是,带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC,包括比较器,锁存器,计数器,电容C1、C2、C3和开关SADC1、SADC2、S1、S2和SF,像素输出通过开关s1连接到电容C1、电容C3的上极板,电容C3的下极板接地,电容C1的下极板连接到比较器的同相输入端;并且,比较器的同相输入端通过开关s2与比较器的输出端相连接,比较器的反相输入端通过开关SF连接到斜坡信号。本发明主要应用于微电子学的模拟集成电路设计场合。

Description

带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC
技术领域
本发明涉及微电子学的模拟集成电路设计领域,尤其涉及一种用于CMOS图像传感器中混合CDS的列级ADC。
背景技术
CMOS图像传感器已经被广泛应用到诸如数字照相机,汽车安全记录仪以及医疗设备等应用中。传统CIS结构示意图如图1,通常包括像素,相关双采样(CDS),模数转换器(ADC)和一些数字处理模块等等。在这些模块中,ADC是将模拟的像素电压值转换为数字值的重要模块。从ADC的分类来看,存在芯片级ADC,列级ADC,像素级ADC。通常,综合速度,芯片面积以及功耗的多个方面考虑,列级ADC被广泛应用。但是,由于每列ADC不可能完全一致,会产生很大的列级固定模式噪声(FPN)。因此。模拟CDS电路通常用于消除这一噪声。模拟CDS电路虽然结构简单,速度快,但是由于电容的不匹配,时钟馈通等因素却很难提高它的精度。因此,可以采用将模拟CDS和数字CDS结合的方法来有效的消除这一误差,从而提高其精度。
但是,在采用数字CDS的ADC中,由于要完成对像素的复位信号与曝光信号的两次量化,再将量化的数字码值做差,来消除列级的一些非理想因素,这样会大大降低ADC的量化速度。因此,为了迎合CMOS图像传感器中高的帧频的需要,本文提出了一种采用将数字/模拟混合CDS(H-CDS)的量化方式与两步单斜ADC相结合的方法。
发明内容
为克服现有技术的不足,本发明旨在提出一种采用H-CDS的两步单斜ADC的实现方式,满足CMOS图像传感器对读出电路的高速度,低噪声的要求。本发明采用的技术方案是,带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC,包括比较器,锁存器,计数器,电容C1、C2、C3和开关SADC1、SADC2、S1、S2和SF,像素输出通过开关s1连接到电容C1、电容C3的上极板,电容C3的下极板接地,电容C1的下极板连接到比较器的同相输入端;并且,比较器的同相输入端通过开关s2与比较器的输出端相连接,比较器的反相输入端通过开关SF连接到斜坡信号,同时,反相输入端又通过电容C2和开关SADC1连接到参考电压,电容C2的上极板与比较器的反相输入端相连,下极板通过开关SADC2连接到斜坡信号,比较器的输出端连接到锁存器的输入端,锁存器的输出端连接到计数器的输入端。
在一个具体实例中:
首先,像素输出复位信号,开关S1和S2闭合,开关SADC1,SADC2,以及开关SF断开,比较器进行自归零操作;然后,对像素复位信号的粗量化阶段开始:开关S1,S2断开,开关SADC1,SF闭合,开关SADC2断开,将斜坡发生器输出的粗量化斜坡信号连接到比较器的同相输入端,同时,也是电容C2的上极板,参考电压VRAMP连接到电容C2的下极板;然后,斜坡信号电压值由VRAMP开始下降,此时,计数器高3位开始计数,然后,斜坡信号一直下降到参考电压VREFL1,在此过程中,当粗量化斜坡电压值下降到小于像素复位信号电压值时,比较器输出变为逻辑低电平,此时,开关SF断开,并且,计数器高3位停止计数,至此,对像素复位信号的粗量化阶段结束;然后,对像素复位信号的细量化阶段开始:开关S1,S2,SADC1,SF断开,开关SADC2闭合,将斜坡发生器输出的细量化斜坡信号连接到电容C2的下极板,C2的上极板连接到比较器的同相输入端,然后,细量化斜坡信号由VRAMP+ΔC开始下降,此时,计数器的低7位开始计数.然后,细量化斜坡信号一直下降到参考电压VRAMP,在此过程中,当细量化斜坡电压值下降到小于像素复位信号电压值时,计数器的低7位停止计数,至此,完成了对像素复位信号的细量化操作,对像素复位信号进行量化过程中,计数器进行向下计数操作,然后,开始对像素曝光信号的量化操作:关S1,S2断开,开关SADC1,SF闭合,开关SADC2断开,将斜坡发生器输出的粗量化斜坡信号连接到比较器的同相输入端,同时,也是电容C2的上极板,参考电压VRAMP连接到电容C2的下极板,然后,斜坡信号电压值由VRAMP开始下降,此时,计数器高3位开始计数,然后,斜坡信号一直下降到参考电压VREFL2,在此过程中,当粗量化斜坡电压值下降到小于像素曝光信号电压值时,比较器输出变为逻辑低电平;此时,开关SF断开,并且,计数器高3位停止计数,至此,对像素曝光信号的粗量化阶段结束,然后,对像素曝光信号的细量化阶段开始:开关S1,S2,SADC1,SF断开,开关SADC2闭合,将斜坡发生器输出的细量化斜坡信号连接到电容C2的下极板,C2的上极板连接到比较器的同相输入端,然后,细量化斜坡信号由VRAMP+ΔC开始下降,此时,计数器的低7位开始计数.然后,细量化斜坡信号一直下降到参考电压VRAMP,在此过程中,当细量化斜坡电压值下降到小于像素曝光信号电压值时,计数器的低7位停止计数,至此,完成了对像素曝光信号的细量化操作,对像素曝光信号进行量化过程中,计数器进行向上计数操作,至此,就完成了对像素曝光信号的细量化操作,此时,计数器的数字码值就是对像素曝光信号和像素复位信号两次量化的差值,至此,完成了数字CDS与模拟CDS的操作,以及模拟到数字的转换。
本发明的特点及有益效果是:
通过将H-CDS量化方法与两步单斜ADC相结合,不仅有效的提高了ADC的量化速度,而且,极大地减弱了列级FPN的影响,满足了CMOS图像传感器中对读出电路的高速,低噪声的要求。
附图说明:
图1传统CMOS图像传感器结构示意图。
图2采用H-CDS列级ADC电路结构示意图。
图3采用H-CDS两步单斜ADC工作原理示意图。
具体实施方式
本发明的技术方案是,采用H-CDS的两步单斜列级ADC电路结构框图如图2。它包括了比较器,锁存器,计数器,电容C1,C2,C3和开关SADC1,SADC2,S1,S2,和SF。像素输出通过开关s1连接到电容C1,C3的上极板。电容C3的下极板接地,电容C1的下极板连接到比较器的同相输入端。并且,比较器的同相输入端通过开关s2与比较器的输出端相连接。比较器的反相输入端通过开关SF连接到斜坡信号,同时,反相输入端又通过电容C2和开关SADC1连接到参考电压。电容C2的上极板与比较器的反相输入端相连,下极板通过开关SADC2连接到斜坡信号。比较器的输出端连接到锁存器的输入端,锁存器的输出端连接到计数器的输入端。其工作原理图和电路时序图如图3。其工作方式如下:首先,像素输出复位信号,开关S1和S2闭合,开关SADC1,SADC2,以及开关SF断开,比较器进行自归零操作。然后,对像素复位信号的粗量化阶段开始:开关S1,S2断开,开关SADC1,SF闭合,开关SADC2断开,将斜坡发生器输出的粗量化斜坡信号连接到比较器的同相输入端,同时,也是电容C2的上极板。参考电压VRAMP连接到电容C2的下极板。然后,斜坡信号电压值由VRAMP开始下降,此时,计数器高3位开始计数。然后,斜坡信号一直下降到参考电压VREFL1。在此过程中,当粗量化斜坡电压值下降到小于像素复位信号电压值时,比较器输出变为逻辑低电平。此时,开关SF断开,并且,计数器高3位停止计数。至此,对像素复位信号的粗量化阶段结束。然后,对像素复位信号的细量化阶段开始:开关S1,S2,SADC1,SF断开,开关SADC2闭合。将斜坡发生器输出的细量化斜坡信号连接到电容C2的下极板,C2的上极板连接到比较器的同相输入端。然后,细量化斜坡信号由VRAMP+ΔC开始下降,此时,计数器的低7位开始计数.然后,细量化斜坡信号一直下降到参考电压VRAMP。在此过程中,当细量化斜坡电压值下降到小于像素复位信号电压值时,计数器的低7位停止计数。至此,完成了对像素复位信号的细量化操作。对像素复位信号进行量化过程中,计数器进行向下计数操作。然后,开始对像素曝光信号的量化操作:关S1,S2断开,开关SADC1,SF闭合,开关SADC2断开,将斜坡发生器输出的粗量化斜坡信号连接到比较器的同相输入端,同时,也是电容C2的上极板。参考电压VRAMP连接到电容C2的下极板。然后,斜坡信号电压值由VRAMP开始下降,此时,计数器高3位开始计数。然后,斜坡信号一直下降到参考电压VREFL2。在此过程中,当粗量化斜坡电压值下降到小于像素曝光信号电压值时,比较器输出变为逻辑低电平。此时,开关SF断开,并且,计数器高3位停止计数。至此,对像素曝光信号的粗量化阶段结束。然后,对像素曝光信号的细量化阶段开始:开关S1,S2,SADC1,SF断开,开关SADC2闭合。将斜坡发生器输出的细量化斜坡信号连接到电容C2的下极板,C2的上极板连接到比较器的同相输入端。然后,细量化斜坡信号由VRAMP+ΔC开始下降,此时,计数器的低7位开始计数.然后,细量化斜坡信号一直下降到参考电压VRAMP。在此过程中,当细量化斜坡电压值下降到小于像素曝光信号电压值时,计数器的低7位停止计数。至此,完成了对像素曝光信号的细量化操作。对像素曝光信号进行量化过程中,计数器进行向上计数操作。至此,就完成了对像素曝光信号的细量化操作。此时,计数器的数字码值就是对像素曝光信号和像素复位信号两次量化的差值,至此,完成了数字CDS与模拟CDS的操作,以及模拟到数字的转换。
图2是列级ADC的结构示意图。它包括一个差分输入,单端输出的比较器,锁存器和计数器。比较器的反相输入端与像素输出信号相连,比较器的同相输入端与斜坡信号发生器的输出端相连,并且,斜坡信号发生器由每列ADC共享。在对像素复位信号进行粗量化操作时,斜坡发生器的输出电压范围是由VRAMP至VREFL1,其中共经历4个台阶,每个台阶高度为ΔC1=(VRAMP-VREFL1)/4,此时,计数器的高3位实行向下计数操作。在对像素曝光信号进行细量化操作时,斜坡发生器的输出电压范围是由VRAMP+ΔC1至VRAMP,其中,共经历128个台阶,每个台阶高度为ΔC1/128。此时,计数器的低7位实行向下计数操作。在对像素曝光信号进行粗量化操作时,斜坡发生器的输出电压范围是由VRAMP至VREFL2,其中共经历8个台阶,每个台阶高度为ΔC2=(VRAMP-VREFL1)/8。此时,计数器的高3位实行向上计数操作。在对像素曝光信号进行细量化操作时,斜坡发生器的输出电压范围是由VRAMP+ΔC2至VRAMP,其中,共经历128个台阶,每个台阶高度为ΔC2/128。此时,计数器的低7位实行向上计数操作。其中,ΔC1=ΔC2。

Claims (2)

1.一种带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC,其特征是,包括比较器,锁存器,计数器,电容C1、C2、C3和开关SADC1、SADC2、S1、S2和SF,像素输出通过开关s1连接到电容C1、电容C3的上极板,电容C3的下极板接地,电容C1的下极板连接到比较器的同相输入端;并且,比较器的同相输入端通过开关s2与比较器的输出端相连接,比较器的反相输入端通过开关SF连接到斜坡信号,同时,反相输入端又通过电容C2和开关SADC1连接到参考电压,电容C2的上极板与比较器的反相输入端相连,下极板通过开关SADC2连接到斜坡信号,比较器的输出端连接到锁存器的输入端,锁存器的输出端连接到计数器的输入端。
2.如权利要求1所述的带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC,其特征是,在一个具体实例中:
首先,像素输出复位信号,开关S1和S2闭合,开关SADC1,SADC2,以及开关SF断开,比较器进行自归零操作;然后,对像素复位信号的粗量化阶段开始:开关S1,S2断开,开关SADC1,SF闭合,开关SADC2断开,将斜坡发生器输出的粗量化斜坡信号连接到比较器的同相输入端,同时,也是电容C2的上极板,参考电压VRAMP连接到电容C2的下极板;然后,斜坡信号电压值由VRAMP开始下降,此时,计数器高3位开始计数,然后,斜坡信号一直下降到参考电压VREFL1,在此过程中,当粗量化斜坡电压值下降到小于像素复位信号电压值时,比较器输出变为逻辑低电平,此时,开关SF断开,并且,计数器高3位停止计数,至此,对像素复位信号的粗量化阶段结束;然后,对像素复位信号的细量化阶段开始:开关S1,S2,SADC1,SF断开,开关SADC2闭合,将斜坡发生器输出的细量化斜坡信号连接到电容C2的下极板,C2的上极板连接到比较器的同相输入端,然后,细量化斜坡信号由VRAMP+ΔC开始下降,此时,计数器的低7位开始计数.然后,细量化斜坡信号一直下降到参考电压VRAMP,在此过程中,当细量化斜坡电压值下降到小于像素复位信号电压值时,计数器的低7位停止计数,至此,完成了对像素复位信号的细量化操作,对像素复位信号进行量化过程中,计数器进行向下计数操作,然后,开始对像素曝光信号的量化操作:关S1,S2断开,开关SADC1,SF闭合,开关SADC2断开,将斜坡发生器输出的粗量化斜坡信号连接到比较器的同相输入端,同时,也是电容C2的上极板,参考电压VRAMP连接到电容C2的下极板,然后,斜坡信号电压值由VRAMP开始下降,此时,计数器高3位开始计数,然后,斜坡信号一直下降到参考电压VREFL2,在此过程中,当粗量化斜坡电压值下降到小于像素曝光信号电压值时,比较器输出变为逻辑低电平;此时,开关SF断开,并且,计数器高3位停止计数,至此,对像素曝光信号的粗量化阶段结束,然后,对像素曝光信号的细量化阶段开始:开关S1,S2,SADC1,SF断开,开关SADC2闭合,将斜坡发生器输出的细量化斜坡信号连接到电容C2的下极板,C2的上极板连接到比较器的同相输入端,然后,细量化斜坡信号由VRAMP+ΔC开始下降,此时,计数器的低7位开始计数.然后,细量化斜坡信号一直下降到参考电压VRAMP,在此过程中,当细量化斜坡电压值下降到小于像素曝光信号电压值时,计数器的低7位停止计数,至此,完成了对像素曝光信号的细量化操作,对像素曝光信号进行量化过程中,计数器进行向上计数操作,至此,就完成了对像素曝光信号的细量化操作,此时,计数器的数字码值就是对像素曝光信号和像素复位信号两次量化的差值,至此,完成了数字CDS与模拟CDS的操作,以及模拟到数字的转换。
CN201710071497.XA 2017-02-09 2017-02-09 带有混合cds的cmos图像传感器列级adc Active CN106921838B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710071497.XA CN106921838B (zh) 2017-02-09 2017-02-09 带有混合cds的cmos图像传感器列级adc

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710071497.XA CN106921838B (zh) 2017-02-09 2017-02-09 带有混合cds的cmos图像传感器列级adc

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106921838A true CN106921838A (zh) 2017-07-04
CN106921838B CN106921838B (zh) 2020-01-17

Family

ID=59453632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710071497.XA Active CN106921838B (zh) 2017-02-09 2017-02-09 带有混合cds的cmos图像传感器列级adc

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106921838B (zh)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108551344A (zh) * 2018-03-29 2018-09-18 上海集成电路研发中心有限公司 双采样模数转化电路
CN109645978A (zh) * 2019-01-29 2019-04-19 北京大学 一种脑部探针读出电路
CN109817169A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 上海视涯信息科技有限公司 显示面板的驱动电路和图像显示装置
CN110248120A (zh) * 2018-03-09 2019-09-17 爱思开海力士有限公司 单斜比较装置和包括该单斜比较装置的cmos图像传感器
CN110596667A (zh) * 2019-09-18 2019-12-20 宁波飞芯电子科技有限公司 基于阵列型传感器的计数系统、计数方法及阵列型传感器
CN111225166A (zh) * 2020-03-02 2020-06-02 上海集成电路研发中心有限公司 一种高动态范围的图像传感器读出电路及读出方法
CN111835356A (zh) * 2019-04-18 2020-10-27 宁波飞芯电子科技有限公司 斜坡发生器、模拟数字转换器和产生斜坡信号的控制方法
WO2021077329A1 (en) * 2019-10-23 2021-04-29 Huawei Technologies Co., Ltd. Adaptive correlated multi sampling with input signal level shifting
CN112954240A (zh) * 2021-03-01 2021-06-11 哈尔滨工程大学 一种cmos图像传感器像素级adc电路
CN113014258A (zh) * 2021-02-22 2021-06-22 天津大学 应用于图像传感器领域的高速单斜坡模数转换器
CN113411523A (zh) * 2021-06-08 2021-09-17 天津大学 用于cmos图像传感器的列共用伪相关多采样读出电路
CN113411524A (zh) * 2021-06-08 2021-09-17 天津大学 应用于图像传感器的低功耗列并行单斜式模数转换器
CN114245041A (zh) * 2021-11-18 2022-03-25 北京领丰视芯科技有限责任公司 像素电路和红外成像仪
CN114727039A (zh) * 2022-03-10 2022-07-08 吉林大学 一种用于cmos图像传感器的列级模数转换器及其模数转换方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716773A (zh) * 2004-07-02 2006-01-04 富士通株式会社 差分比较器、模数转换装置和成像装置
CN101540607A (zh) * 2008-03-18 2009-09-23 索尼株式会社 模拟数字转换器及转换方法、固体摄像装置和照相机系统
CN102771114A (zh) * 2010-02-26 2012-11-07 松下电器产业株式会社 固体摄像装置以及摄像装置
JP2012235240A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Renesas Electronics Corp 固体撮像装置
US8482447B2 (en) * 2010-05-26 2013-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Analog-to-digital converter and devices including the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716773A (zh) * 2004-07-02 2006-01-04 富士通株式会社 差分比较器、模数转换装置和成像装置
CN101540607A (zh) * 2008-03-18 2009-09-23 索尼株式会社 模拟数字转换器及转换方法、固体摄像装置和照相机系统
CN102771114A (zh) * 2010-02-26 2012-11-07 松下电器产业株式会社 固体摄像装置以及摄像装置
US8482447B2 (en) * 2010-05-26 2013-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Analog-to-digital converter and devices including the same
JP2012235240A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Renesas Electronics Corp 固体撮像装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109817169A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 上海视涯信息科技有限公司 显示面板的驱动电路和图像显示装置
CN110248120A (zh) * 2018-03-09 2019-09-17 爱思开海力士有限公司 单斜比较装置和包括该单斜比较装置的cmos图像传感器
CN110248120B (zh) * 2018-03-09 2021-10-01 爱思开海力士有限公司 单斜比较装置和包括该单斜比较装置的cmos图像传感器
CN108551344B (zh) * 2018-03-29 2022-04-01 上海集成电路研发中心有限公司 双采样模数转化电路
CN108551344A (zh) * 2018-03-29 2018-09-18 上海集成电路研发中心有限公司 双采样模数转化电路
CN109645978A (zh) * 2019-01-29 2019-04-19 北京大学 一种脑部探针读出电路
CN111835356A (zh) * 2019-04-18 2020-10-27 宁波飞芯电子科技有限公司 斜坡发生器、模拟数字转换器和产生斜坡信号的控制方法
CN110596667A (zh) * 2019-09-18 2019-12-20 宁波飞芯电子科技有限公司 基于阵列型传感器的计数系统、计数方法及阵列型传感器
WO2021077329A1 (en) * 2019-10-23 2021-04-29 Huawei Technologies Co., Ltd. Adaptive correlated multi sampling with input signal level shifting
CN111225166A (zh) * 2020-03-02 2020-06-02 上海集成电路研发中心有限公司 一种高动态范围的图像传感器读出电路及读出方法
CN113014258A (zh) * 2021-02-22 2021-06-22 天津大学 应用于图像传感器领域的高速单斜坡模数转换器
CN113014258B (zh) * 2021-02-22 2022-09-16 天津大学 应用于图像传感器领域的高速单斜坡模数转换器
CN112954240A (zh) * 2021-03-01 2021-06-11 哈尔滨工程大学 一种cmos图像传感器像素级adc电路
CN112954240B (zh) * 2021-03-01 2023-04-18 哈尔滨工程大学 一种cmos图像传感器像素级adc电路
CN113411523A (zh) * 2021-06-08 2021-09-17 天津大学 用于cmos图像传感器的列共用伪相关多采样读出电路
CN113411523B (zh) * 2021-06-08 2022-09-16 天津大学 用于cmos图像传感器的列共用伪相关多采样读出电路
CN113411524A (zh) * 2021-06-08 2021-09-17 天津大学 应用于图像传感器的低功耗列并行单斜式模数转换器
CN114245041A (zh) * 2021-11-18 2022-03-25 北京领丰视芯科技有限责任公司 像素电路和红外成像仪
CN114245041B (zh) * 2021-11-18 2022-11-11 北京领丰视芯科技有限责任公司 像素电路和红外成像仪
CN114727039A (zh) * 2022-03-10 2022-07-08 吉林大学 一种用于cmos图像传感器的列级模数转换器及其模数转换方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106921838B (zh) 2020-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106921838A (zh) 带有混合cds的cmos图像传感器列级adc
CN103986470B (zh) 低功耗列级多参考电压单斜模数转换方法及转换器
CN208768053U (zh) 模数转换器中的被动模拟采样及保持
CN102386924B (zh) 低电压异步逐次逼近模数转换器
CN109587420A (zh) 一种图像传感器高精度读出电路结构及工作时序控制方法
CN102131059B (zh) 面向实时视觉芯片的高速行并行图像传感器
CN108200364A (zh) 一种应用于cmos图像传感器的列读出电路
CN103532553B (zh) 基于循环时间数字转换器的时域adc
CN108574487A (zh) 具有基于分裂电容器的数模转换器的逐次逼近寄存器模数转换器
CN109787633A (zh) 带斩波稳定的适用于混合型adc结构的σδadc
CN110225273A (zh) 转换装置、成像装置、电子装置和转换方法
CN106027924B (zh) 高性能cmos图像传感器阵列模数转换器的数字校正方法
CN109639282A (zh) 一种单端输入的低功耗同步寄存器型逐次逼近adc
WO2020223847A1 (zh) 图像传感器及相关芯片、图像传感器操作方法及手持装置
CN104469201A (zh) 用于cmos图像传感器的模拟读出预处理电路及其控制方法
CN108429894A (zh) 图像传感器、电子设备及图像处理方法
CN106972860B (zh) 一种逐次逼近型模数转换器及其开关方法
CN103487662A (zh) 电容检测电路
CN104506785B (zh) 应用于tdi型cmos图像传感器的模拟累加器
CN106303313B (zh) 压缩感知cmos图像传感器的量化求和电路
CN105245229B (zh) 用于单斜adc的高线性度电压-时间转换方法及转换器
CN108988862A (zh) 模数转换器及模数转换方法
CN201639647U (zh) 一种模数转换电路及图像处理系统
CN107968656A (zh) 一种逐次逼近型模拟数字转换器及其应用切换方法
CN104363019A (zh) 一种流水线模数转换器及其电容失配误差校准方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230322

Address after: 300392 Industrial Incubation 5-1559, North 2-204, No. 18, Haitai West Road, Huayuan Industrial Zone, Binhai New Area, Tianjin

Patentee after: Tianjin Haixin Optoelectronic Technology Co.,Ltd.

Address before: No.92 Weijin Road, Nankai District, Tianjin 300072

Patentee before: Tianjin University

TR01 Transfer of patent right