CN106903595A - 研磨装置 - Google Patents

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Abstract

提供研磨装置，该研磨装置至少包含：卡盘工作台，其对晶片进行保持；研磨单元，其具有研磨垫，该研磨垫与保持在该卡盘工作台上的晶片相对而进行研磨；研磨垫进给单元，其使该研磨单元的该研磨垫接近和远离该卡盘工作台上所保持的晶片；以及浆料提供机构，其对该卡盘工作台所保持的晶片和该研磨垫提供浆料，该浆料提供机构至少包含：容器，其形成围绕该卡盘工作台而上部开放的空间并且对所提供的浆料进行贮存；以及浆料飞散单元，其配设在该容器的底部，使贮存在该容器中的浆料飞散而提供给从该卡盘工作台悬突的该研磨垫。

Description

研磨装置
技术领域
本发明涉及对半导体晶片等被加工物进行研磨的研磨装置。
背景技术
在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的正面上通过呈格子状排列的被称为间隔道的切断线而划分出多个矩形区域，在该矩形区域的各个区域内形成IC、LSI等器件。将这样形成有多个器件的半导体晶片沿着间隔道分割，由此，形成各个半导体器件。为了实现半导体器件的小型化和轻量化，通常，先将半导体晶片沿着间隔道切断而分割成各个矩形区域，然后对半导体晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度。半导体晶片的背面的磨削通常是通过如下方式来完成的：利用如树脂粘合剂那样合适的粘合剂将金刚石磨粒固结而形成磨削磨具，一边使该磨削磨具高速旋转一边将该磨削磨具按压在半导体晶片的背面。当通过这样的磨削方式对半导体晶片的背面进行磨削时，在半导体晶片的背面残存有磨削痕，这成为被分割成各个半导体芯片的抗折强度降低的原因。作为将产生在该磨削得到的半导体晶片的背面上的磨削痕去除的对策，还实用化了如下的研磨装置：向磨削得到的半导体晶片的背面提供包含有游离磨粒的研磨液(浆料)并对该背面进行研磨。
一般地，在使用浆料的研磨装置中，需要经常持续地向被加工物与研磨垫之间提供浆料，在采用了经常提供新的浆料的结构的情况下，一边在没能充分地活用浆料所包含的游离磨粒的性能的状态下废弃了浆料，一边提供新的浆料，因此，存在与所投入的浆料的量对应的加工成本变高的问题，为了解决该问题，提出了如下的结构：使在研磨中使用的浆料循环而进行再利用(例如，参照专利文献1。)。
专利文献1：日本特开平06-302567号公报
但是，在上述专利文献1中公开的研磨装置中，存在如下的问题：需要用于不使泥状的浆料中断而可靠地循环提供浆料的复杂的循环机构，因此装置自身的成本增加。并且，在设置了使浆料循环的循环机构的情况下，由于按照所贮存的浆料的量而利用浆料对多个晶片进行连续地研磨，所以由于浆料所包含的游离磨粒的劣化以及因研磨而从被加工物脱离的物质在浆料中增加等理由，浆料的研磨能力随着研磨工序的经过时间而逐渐降低。其结果是，存在如下问题：研磨得到的晶片的品质逐渐降低，连续研磨得到的晶片的品质变得不均匀。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的，其目的在于提供一种研磨装置，解决如下的待解决课题：充分利用研磨装置中的浆料的研磨能力而不使浆料浪费，进而使研磨品质保持均匀。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种研磨装置，其提供浆料而对晶片进行研磨，其中，该研磨装置至少包含：卡盘工作台，其在上部具有对晶片进行保持的保持面；研磨单元，其具有能够旋转的研磨垫，该研磨垫与该卡盘工作台所保持的晶片相对而进行研磨；研磨垫进给单元，其使该研磨单元接近和远离该卡盘工作台，而使该研磨垫相对于该卡盘工作台所保持的晶片接触和远离；以及浆料提供机构，其对该卡盘工作台所保持的晶片和该研磨垫提供浆料，该浆料提供机构至少包含：容器，其形成围绕该卡盘工作台而上部开放的空间，并且对所提供的浆料进行贮存；以及浆料飞散单元，其配设在该容器的底部，使该容器中所贮存的浆料飞散而提供给从该卡盘工作台悬突的该研磨垫。
优选该容器的底构成为以向研磨垫悬突的一侧降低的方式倾斜而对浆料进行汇集，该浆料飞散单元使所汇集的浆料飞散而提供给该研磨垫。
能够在该容器的底部形成有将所汇集的浆料排出的排出口，另外，能够构成为该浆料飞散单元在该容器的底部具有气体喷射口，该气体喷射口朝向该研磨垫喷射高压气体，该浆料飞散单元将汇集在底部的浆料与从该喷射口喷射的气体一起提供给研磨垫。而且，能够将该喷射口兼作将汇集在该容器的底部的浆料排出的排出口，该浆料飞散单元能够利用翅片使浆料飞散而提供给该研磨垫。
并且，还可以是当该卡盘工作台和该容器被定位在该装拆位置时，通过浆料提供单元对该容器提供浆料，并且在该研磨单元中配设有盖体，在研磨工序时该盖体将该容器的开放的上部封闭。
根据以本发明为基础的研磨装置，该研磨装置至少包含：卡盘工作台，其在上部具有对晶片进行保持的保持面；研磨单元，其具有能够旋转的研磨垫，该研磨垫与该卡盘工作台所保持的晶片相对而进行研磨；研磨垫进给单元，其使该研磨单元接近和远离该卡盘工作台，而使该研磨垫相对于该卡盘工作台所保持的晶片接触和远离；以及浆料提供机构，其对该卡盘工作台所保持的晶片和该研磨垫提供浆料，该浆料提供机构至少包含：容器，其形成围绕该卡盘工作台而上部开放的空间，并且对所提供的浆料进行贮存；以及浆料飞散单元，其配设在该容器的底部，使该容器中所贮存的浆料飞散而提供给从该卡盘工作台悬突的该研磨垫，由此，该研磨装置能够充分利用所提供的所需最低限度的浆料的研磨能力，并能够通过少量的浆料来执行研磨工序。进而，如果构成为在该容器中设置浆料的排出口，当该卡盘工作台和该容器被定位在该装拆位置时通过浆料提供单元对该容器提供浆料，则在每研磨1张晶片时能够容易地对新的浆料进行更换，还容易实现使研磨品质总是保持为恒定。
附图说明
图1是示出按照本发明而构成的研磨装置的一实施方式的立体图。
图2是示出装备于图1所示的研磨装置的卡盘工作台和容器的说明图。
图3是示出装备于图1所示的研磨装置的研磨单元的图。
图4是用于对由图1所示的研磨装置实施的研磨工序进行说明的说明图。
图5是示出图4所示的研磨工序时的浆料飞散单元的其他实施方式的图。
标号说明
1：研磨装置；2：装置外壳；3：研磨单元；4：研磨垫进给单元；5：旋转工作台；11：第1盒；12：第2盒；13：临时载置单元；14：清洗单元；15：被加工物搬送单元；16：被加工物搬入单元；17：被加工物搬出单元；18：浆料提供喷嘴；32：主轴单元；52：容器；53：盖体。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的研磨装置的优选的实施方式进行详细地说明。
在图1中示出了按照本发明而构成的研磨装置的立体图。
图1所示的研磨装置1具有由标号2示出整体的装置外壳。装置外壳2具有长方体形状的主部21和设置于该主部21的后端部(在图1中的右上侧)且实际上向铅直上方延伸的直立壁22。在直立壁22的前表面设置有在上下方向上延伸的一对导轨221、221。研磨单元3以能够在上下方向上移动的方式安装在该一对导轨221、221上。另外，以下将图1中箭头X所示的方向设为X轴方向，箭头Y所示的方向设为Y轴方向，箭头Z所示的方向设为Z轴方向来进行说明。
研磨单元3具有移动基台31和安装在移动基台31上的主轴单元32。在移动基台31上，在后表面两侧设置有在上下方向(Z轴方向)上延伸的一对腿部311、311，该一对腿部311、311形成有被引导槽312、312，上述一对导轨221、221以能够滑动的方式与该被引导槽312、312卡合。在这样以能够滑动的方式安装在设置于直立壁22的一对导轨221、221上的移动基台31的前表面设置有朝向前方突出的支承部313。在该支承部313上安装有主轴单元32。
主轴单元32具有：主轴外壳321，其安装在支承部313上；旋转主轴322，其自由旋转地配设在该主轴外壳321中；以及电动机壳体323，在该电动机壳体323中内设有伺服电动机，该伺服电动机作为用于对该旋转主轴322进行旋转驱动的驱动源。旋转主轴322的下端部越过主轴外壳321的下端而向下方突出，在其下端设置有圆板形状的工具安装部件324。另外，该工具安装部件324在周向上隔开间隔地形成有多个螺栓贯穿插入孔(省略了图示)。在该工具安装部件324的下表面上安装有研磨工具325。研磨工具325由圆板形状的支承部件326和圆板形状的研磨垫327构成(也同时参照图4)，研磨垫327由粘接在支承部件326上的无纺布、聚氨酯等形成。
当继续进行进一步说明时，图示的研磨装置1具有研磨垫进给单元4，该研磨垫进给单元4使上述研磨单元3沿着上述一对导轨221、221在上下方向(Z轴方向)上移动。该研磨垫进给单元4具有配设在直立壁22的前侧且实际上铅直地延伸的外螺纹杆41。该外螺纹杆41的上端部和下端部被轴承部件42、43支承为自由旋转，该轴承部件42、43被安装在直立壁22上。在上侧的轴承部件42上配设有作为用于对外螺纹杆41进行旋转驱动的驱动源的脉冲电动机44，该脉冲电动机44的输出轴与外螺纹杆41传动连结。在移动基台31的后表面形成有从其宽度方向中央部朝向后方突出的连结部(省略了图示)，该连结部形成有在铅直方向上延伸的贯通内螺纹孔，该外螺纹杆41与该内螺纹孔螺合。因此，当脉冲电动机44正转时，研磨单元3下降，当脉冲电动机44反转时，研磨单元3上升。
在装置外壳2的主部21的后半部上表面上配设有圆板形状的旋转工作台5。该旋转工作台5被安装成以实际上铅直延伸的中心轴线为中心而自由旋转，通过收纳在装置外壳21内的合适的电动机(省略了图示)来使该旋转工作台5旋转驱动。不过，在本实施方式中，如后述的那样，构成为该旋转工作台以180度的角度在周向上往复运动。在旋转工作台5上，在周向上隔开180度的间隔，即，在夹着该旋转工作台5的中心而相对的位置处配设有第1卡盘工作台51a、第2卡盘工作台51b。并且，在该旋转工作台5的配设有该第1、第2卡盘工作台51a、51b的位置处配设有容器52、52以便对该第1、第2卡盘工作台51a、51b的各个卡盘工作台进行收纳。另外，将图1中第1卡盘工作台51a所位于的位置称为对被加工物进行研磨的研磨位置，将第2卡盘单元51b所位于的位置称为将被加工物相对于该卡盘工作台装拆的装拆位置。
参照图2对该容器52和第1卡盘工作台51a的结构进行更具体地说明。
图2是在第1卡盘工作台51a位于图1所示的研磨位置的状态下作为为了方便说明而将容器52在X轴方向上切开的剖视图的说明图。该容器52由侧壁部52a和底部52b构成，以便封闭设置于旋转工作台5的开口孔501且包围第1卡盘工作台51a。该底部52b设置有后述的浆料排出兼气体喷出用的开口52c，并将底部52b设置成以使该开口52c成为底部52b中最低的位置的方式倾斜。并且，在该底部52b的下表面侧设置有对第1卡盘工作台51a进行驱动的电动机M，其驱动力经由对该电动机M的旋转驱动力进行传递的皮带V和配设于第1卡盘工作台51a的旋转轴511的转动接头512而进行传递。并且，该旋转轴511的旋转通过设置在该底部52b且对该旋转轴511进行保持的旋转凸部52d来使第1卡盘工作台51a旋转。
该第1卡盘工作台51a的上表面由能够通气的多孔陶瓷形成，通过旋转轴511和转动接头512来传递来自吸引源513的负压，并对配置在第1卡盘工作台51a上的被加工物进行真空吸附。并且，形成在容器52的底部52b的开口52c经由被电磁驱动的三通阀521和挠性的管而与高压气体容器522和吸引源523连结，通过对该三通阀521进行合适地切换，能够使该开口52c与高压气体容器522连通或与吸引源523侧连通。另外，作为贮存在该高压气体容器522中的气体，除了压缩空气之外，能够从压缩后的N2、CO2和He等合适地选择。并且，由于第2卡盘工作台51b和包围该第2卡盘工作台51b的容器52也具有与此完全同样的结构，所以省略了详细的说明。
进而，在本实施方式中，如图3、4所示，在研磨单元3上具有能够封闭该容器52的上方开口的盖体53。另外，在图1中，为了方便说明，以虚线示出。如图4所示，该盖体53借助设置在该主轴外壳321的外周的盖保持部件324的弹簧325而被保持成能够相对于主轴外壳321在上下方向上滑动并相对移动。该盖体53的下端形成为与容器52的上方开口部的形状对应的形状，在与该容器52接触的部位配设有密封部件54。在该盖体53的上表面设置有使后述的喷射到容器内的高压气体逸出的排气用的开口55。
当回到图1继续进行说明时，在装置外壳2的主部21的前半部上配设有：第1盒11、第2盒12、进行被加工物的中央位置对位的临时载置单元13、清洗单元14、被加工物搬送单元15、被加工物搬入单元16、被加工物搬出单元17以及后述的浆料提供喷嘴18。第1盒11是对研磨加工前的被加工物进行收纳的盒，其被载置在装置外壳2的主部21中的盒搬入区域。第2盒12被载置在装置外壳2的主部21中的盒搬出区域，并对研磨加工后的被加工物进行收纳。该临时载置单元13被配设在第1盒11与被加工物的装拆位置之间，其对将要进行研磨加工的被加工物进行临时载置，并且能够进行临时载置的圆板状的被加工物的中心对位。清洗单元14被配设在被加工物的装拆位置与第2盒12之间，其对研磨加工后的被加工物进行清洗。
被加工物搬送单元15被配设在第1盒11与第2盒12之间，其将收纳在第1盒11内的被加工物搬出到临时载置单元13，并且将由清洗单元14清洗后的被加工物搬入到第2盒12中。被加工物搬入单元16被配设在临时载置单元13与被加工物的装拆位置之间，其将载置在临时载置单元13上的研磨加工前的被加工物搬送到被定位在该装拆位置的卡盘工作台上。被加工物搬出单元17配设在该装拆位置与清洗单元14之间，其将载置在卡盘工作台上的研磨加工后的被加工物搬送到清洗单元14，该卡盘工作台被定位在该装拆位置。当收纳在第1盒11中的加工前的被加工物全部被加工而第1盒11变空时，将空的盒替换成收纳有加工前的被加工物的新的第1盒。并且，当在第2盒12的收纳部中收纳有全部的从第1盒11搬出并研磨加工完的被加工物之后，替换成空的新的第2盒12。
接着，参照图1、2和图4对由上述的研磨装置执行的研磨作业进行说明。
首先，通过被加工物搬送单元15的上下动作进退动作将作为收纳在第1盒11中的研磨加工前的被加工物的半导体晶片W搬出。由被加工物搬送单元15搬出的半导体晶片W被载置在被加工物的临时载置单元13上。载置在临时载置单元13上的半导体晶片W在这里进行了中心对位之后通过被加工物搬入单元16的吸引和回旋动作而被运送并载置在第2卡盘工作台51b上，该第2卡盘工作台51b被定位在被加工物的装拆位置。在半导体晶片W被载置在第2卡盘工作台51b上之后，从图2所示的吸引单元513经由挠性的管而使负压作用于第2卡盘工作台51b的上表面即保持面上。其结果是，半导体晶片W被吸引保持在第2卡盘工作台51b的上表面即保持面上。在半导体晶片W被吸引保持在第2卡盘工作台51b上之后，从浆料提供单元18向围绕着第2卡盘工作台51b的容器52内提供规定的量(例如、200ml左右)的新的研磨用的浆料。
在向围绕着第2卡盘工作台51b的容器52提供了浆料之后，使旋转工作台5旋转180度而使第2卡盘工作台51b移动至研磨单元3的下方的位置即研磨位置，并且之前位于研磨位置的第1卡盘工作台51a被移动至装拆位置。另外，此时，研磨单元3在上方位置待机以使载置在第2卡盘工作台51b上的半导体晶片W不与研磨垫327接触。
当载置有作为被加工物的未加工的半导体晶片W的第2卡盘工作台51b移动至研磨位置时，通过使电动机M工作而使该第2卡盘工作台51b以例如300rpm左右旋转，并对内设在上述电动机壳体323中的伺服电动机进行驱动而使研磨工具325以4000～7000rpm旋转，并且对该研磨垫进给单元4的脉冲电动机44进行正转驱动而使研磨单元3下降。这里，如果研磨垫327与半导体晶片W接近，则对三通阀521进行切换而使开口52c与高压气体容器522侧连结，从容器52的底部52b的开口52c喷出高压气体。如图4所示，该容器的底部构成为倾斜成在研磨垫327相对于卡盘工作台悬突(over hang)的一侧降低而对浆料进行汇集，由于来自该开口52c的高压气体的喷出，贮存在该容器52的底部的泥状的浆料朝向上方飞散，并被吹送至研磨垫327的该悬突的区域。另外，在研磨垫327与半导体晶片W接近的状态下，容器52的上方被与研磨单元3一起下降的盖体53封闭，使该第2卡盘工作台51b的周围成为大致封闭空间，但喷出到该封闭空间内的气体能够从设置在该盖体53的上表面的排气用的开口55放出。
在浆料被吹送至研磨垫327的状态下，使研磨单元3进一步下降而使研磨垫327以规定的负荷按压在第2卡盘工作台51b上的半导体晶片W的研磨面上，实施研磨加工。此时，由于提供给研磨垫327的浆料是泥状，附着在研磨垫上的浆料以泥状保持并也间接地提供给半导体晶片W的加工面上。另外，为了向半导体晶片W的加工面提供浆料，当将使浆料飞散而进行吹送的方向定位在该半导体晶片W的加工面与研磨垫327的抵接部时，进一步提高了加工效率，因此优选。并且，通过实施规定的时间(例如，5分钟左右)的研磨加工，将残存在被加工面上的磨削痕去除，并结束研磨工序。
在实施针对上述的第2卡盘工作台51b上所载置的半导体晶片W的研磨工序的期间，在定位于装拆位置侧的第1卡盘工作台51a上，通过与上述的第2卡盘工作台51b同样的步骤，作为被加工物的研磨加工前的半导体晶片W从第1盒11被搬出，并通过被加工物搬入单元16载置在第1卡盘工作台51a上而成为待机状态。另外，当载置有未加工的半导体晶片的第2卡盘工作台51b被定位在研磨位置并且第1卡盘工作台51a被定位在装拆位置时，当在第1卡盘工作台51a上载置有研磨后的半导体晶片W的情况下，在对研磨加工前的新的半导体晶片W进行载置之前，实施后述的被加工物的搬出工序。
如上述那样，在针对位于研磨位置的第2卡盘工作台51b上的半导体晶片W的研磨工序结束之后，对三通阀521进行切换而使开口52c与吸引源523侧连通，使此前停止的由吸引泵构成的吸引源523工作。由此，贮存在容器52的底部的浆料被吸引并被从容器52去除，并且浆料被废弃到与该吸引源523一起设置的废弃容器(省略了图示)中，经过一定的时间后使该吸引源523的工作停止。并且，与此同时，使研磨垫进给单元4的脉冲电动机44反转而使主轴单元32上升至规定的位置，并且停止研磨工具325的旋转，使第2卡盘工作台51b的旋转也停止。并且，使旋转工作台5按照与旋转方向相反的方向旋转180度，并再次定位在该装拆位置，其中，该旋转方向是使该第2卡盘工作台51b移动至该研磨位置时的旋转方向。
这样，在实施了研磨加工后的第2卡盘工作台51b被定位在装拆位置之后，实施被加工物的搬出工序。首先，使对第2卡盘工作台51b的保持面作用负压的吸引源513的工作停止，而解除对结束了研磨加工的半导体晶片W的吸引保持。通过被加工物搬出单元17将解除了第2卡盘工作台51b的吸引保持的半导体晶片W搬出而搬送到被加工物的清洗单元14上。搬送到该清洗单元14上的半导体晶片W在这里被清洗(晶片清洗工序)，之后通过被加工物搬送单元15将其收纳在第2盒12的规定的位置处。
在实施上述晶片清洗工序时，在装拆位置处，利用未图示的清洗单元对半导体晶片W已被搬出且没有载置任何物体的状态的第2卡盘工作台51b进行清洗。另外，由于该清洗单元不是构成本发明的主要部件，所以省略了其详细的说明。
在实施了针对上述第2卡盘工作台51b的清洗之后，如最初说明的那样，在将加工前的半导体晶片W从第1盒11搬出、载置并吸引保持于第2卡盘工作台51b的上表面上的状态下进行待机。其间，对保持在第1卡盘工作台51a上的半导体晶片W实施上述那样的研磨加工。通过重复进行这样的工序，能够完成针对收纳在第1盒11中的全部的半导体晶片W的研磨工序。
在上述的实施方式中，作为使贮存在容器52的底部52b的浆料飞散到研磨垫327上的浆料飞散单元，通过从开口52c仅喷出高压气体而使浆料以卷入到喷出气体中的方式飞散，但作为该浆料飞散单元，并不仅限于该方式。例如，如图5所示，相对于容器52的底部52b的开口52c，进一步在其上部设置凹部524而在凹部524中配设具有多个翅片的旋转翼525，并通过未图示的电动机来使该旋转翼525旋转。并且，能够使保持在旋转的旋转翼的翅片的上表面的浆料朝向该研磨垫327飞散。另外，也可以不通过该电动机来使该旋转翼525旋转，而是通过从底部52b的开口52c喷出高压气体而使该旋转翼525旋转。
以上，对基于本发明的研磨装置的优选的实施方式进行了说明，但本发明可以包含权利要求书所记载的范围中的各种变形例。例如，在上述实施方式中，具有将容器52的上方封闭的盖体53，但由于浆料是泥状的物质，所以不必使该盖体53成为必须的结构，根据所使用的浆料的状态，能够省略该盖体53。并且，如图2、4所示，采用了开口52c兼用作高压气体喷出口和排出口的结构，但并不仅限于该结构，也可以分别设置，其中，该高压气体喷出口用于使浆料飞散而向研磨垫327的悬突区域吹送浆料，该排出口用于将贮存在容器52中的浆料排出。

Claims (9)

1.一种研磨装置，其提供浆料而对晶片进行研磨，其中，
该研磨装置至少包含：
卡盘工作台，其在上部具有对晶片进行保持的保持面；
研磨单元，其具有能够旋转的研磨垫，该研磨垫与该卡盘工作台所保持的晶片相对而进行研磨；
研磨垫进给单元，其使该研磨单元接近和远离该卡盘工作台，而使该研磨垫接触和远离该卡盘工作台所保持的晶片；以及
浆料提供机构，其对该卡盘工作台所保持的晶片和该研磨垫提供浆料，
该浆料提供机构至少包含：
容器，其形成围绕该卡盘工作台而上部开放的空间，并且对所提供的浆料进行贮存；以及
浆料飞散单元，其配设在该容器的底部，使该容器中所贮存的浆料飞散而提供给从该卡盘工作台悬突的该研磨垫。
2.根据权利要求1所述的研磨装置，其中，
该容器的底构成为以向研磨垫悬突的一侧降低的方式倾斜而对浆料进行汇集，
该浆料飞散单元使所汇集的浆料飞散而提供给该研磨垫。
3.根据权利要求2所述的研磨装置，其中，
在该容器的底部形成有将所汇集的浆料排出的排出口。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的研磨装置，其中，
该浆料飞散单元在该容器的底部具有气体喷射口，该气体喷射口朝向该研磨垫喷射高压气体，该浆料飞散单元将汇集在底部的浆料与从该喷射口喷射的气体一起提供给研磨垫。
5.根据权利要求4所述的研磨装置，其中，
该气体喷射口兼作将汇集在该容器的底部的浆料排出的排出口。
6.根据权利要求1～3中的任意一项所述的研磨装置，其中，
该浆料飞散单元利用翅片使浆料飞散而提供给该研磨垫。
7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的研磨装置，其中，
该卡盘工作台和该容器配设在旋转工作台上，该旋转工作台将该卡盘工作台和该容器定位在对晶片进行装拆的装拆位置以及对晶片进行研磨的研磨位置。
8.根据权利要求7所述的研磨装置，其中，
当该卡盘工作台和该容器被定位在该装拆位置时，通过浆料提供单元对该容器提供浆料。
9.根据权利要求1～8中的任意一项所述的研磨装置，其中，
在该研磨单元中配设有盖体，在研磨工序时该盖体将该容器的开放的上部封闭。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112518573A (zh) * 2020-11-06 2021-03-19 西安奕斯伟硅片技术有限公司 研磨装置、研磨机及研磨方法
CN115070536A (zh) * 2022-07-26 2022-09-20 徐州盛科半导体科技有限公司 一种半导体晶片加工用减薄机

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7032217B2 (ja) * 2018-04-05 2022-03-08 株式会社ディスコ 研磨装置
KR102582770B1 (ko) * 2021-03-03 2023-09-27 (주)미래컴퍼니 연마 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302567A (ja) * 1993-04-12 1994-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハ遊離砥粒研磨装置
JP2000158331A (ja) * 1997-12-10 2000-06-13 Canon Inc 基板の精密研磨方法および装置
JP2005153090A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工装置
CN101041184A (zh) * 2006-03-23 2007-09-26 北京有色金属研究总院 一种强制均匀凝固连续制备金属浆料的方法
CN104816235A (zh) * 2015-04-23 2015-08-05 华文进 一种法兰研磨装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005103696A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置
US8133097B2 (en) * 2009-05-07 2012-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing apparatus
JP6302567B2 (ja) 2014-12-01 2018-03-28 シャープ株式会社 食品管理システム、冷蔵庫、サーバ、冷蔵庫の制御方法、およびサーバの制御方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302567A (ja) * 1993-04-12 1994-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハ遊離砥粒研磨装置
JP2000158331A (ja) * 1997-12-10 2000-06-13 Canon Inc 基板の精密研磨方法および装置
JP2005153090A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工装置
CN101041184A (zh) * 2006-03-23 2007-09-26 北京有色金属研究总院 一种强制均匀凝固连续制备金属浆料的方法
CN104816235A (zh) * 2015-04-23 2015-08-05 华文进 一种法兰研磨装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112518573A (zh) * 2020-11-06 2021-03-19 西安奕斯伟硅片技术有限公司 研磨装置、研磨机及研磨方法
CN112518573B (zh) * 2020-11-06 2022-06-07 西安奕斯伟硅片技术有限公司 研磨装置、研磨机及研磨方法
CN115070536A (zh) * 2022-07-26 2022-09-20 徐州盛科半导体科技有限公司 一种半导体晶片加工用减薄机

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