CN106802537B - 承载机台和曝光方法 - Google Patents
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Abstract
一种承载机台和曝光方法。该承载机台包括多个子机台。多个子机台被配置为共同承载物体,各子机台包括具有第一承载面的平台以及位置调节单元,位置调节单元设置在平台远离第一承载面的一侧并可调节平台的高度和/或倾斜角度。由此,该承载机台可提供一种新型的承载机台,可用于调整待曝光物体上不同位置处的曝光间距。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及一种承载机台以及曝光方法。
背景技术
光刻工艺为半导体制作工艺中最重要的工艺之一。光刻工艺的精度和准确度对所制造的芯片或基板的尺寸、精度以及良率有着非常重要的作用。通常的光刻制作工艺包括:将待曝光物体放置在承载机台上;将掩模板放置在待曝光物体上;以及通过掩模板对待曝光物体进行曝光。
发明内容
本发明至少一个实施例提供一种承载机台以及曝光方法。该承载机台可提供一种新型的承载机台,可用于调整待曝光物体上不同位置处的曝光间距。
本发明至少一个实施例提供一种承载机台,其包括多个子机台,被配置为共同承载物体;各所述子机台包括:平台,具有第一承载面;以及位置调节单元,设置在所述平台远离所述第一承载面的一侧并被配置为调节所述平台的高度和/或倾斜角度。
例如,在本发明一实施例提供的承载机台中,各所述子机台还包括:至少一个距离探测单元,设置在所述平台上。
例如,本发明一实施例提供的承载机台还包括:控制单元,与所述多个子机台的所述位置调节单元分别通信相连,所述控制单元被配置为分别控制每个所述子机台的所述位置调节单元。
例如,本发明一实施例提供的承载机台中还包括:工作台,所述多个子机台呈阵列设置在所述工作台上。
例如,在本发明一实施例提供的承载机台中,相邻的所述子机台之间的距离小于各所述子机台的所述第一承载面尺寸的1/10。
例如,在本发明一实施例提供的承载机台中,所述多个子机台的所述第一承载面组成第二承载面,所述第二承载面的尺寸大于1m。
例如,在本发明一实施例提供的承载机台中,所述位置调节单元包括:平台升降机构,被配置为进行升降以调节所述平台的高度和/或倾斜角度。
例如,在本发明一实施例提供的承载机台中,所述位置调节单元包括:至少两个所述平台升降机构,分别设置在所述平台的边缘,各所述平台升降机构被配置为独立进行升降。
例如,在本发明一实施例提供的承载机台中,所述平台升降机构包括气缸。
例如,在本发明一实施例提供的承载机台中,所述平台升降机构包括:固定件,固定设置在所述平台远离所述第一承载面的一侧;旋转机构,包括一转轴;连杆;滚轮,具有一轴承;所述旋转机构设置在所述固定件上,所述连杆一端与所述转轴固定连接并被配置为随所述转轴沿一弧线运动,所述连杆另一端与所述轴承固定连接。
例如,在本发明一实施例提供的承载机台中,所述旋转机构包括电机。
本发明至少一个实施例还提供一种曝光方法,其包括:提供承载机台,所述承载机台包括多个子机台,各所述子机台的高度和/或倾斜角度可调节;在所述多个子机台上放置待曝光物体;在所述待曝光物体远离所述承载机台的一侧设置掩模板;以及分别调节所述多个子机台以调节所述待曝光物体上不同位置处所述待曝光物体与所述掩模板的间距。
例如,在本发明一实施例提供的曝光方法中,分别调节所述多个子机台以调节所述待曝光物体上不同位置处所述待曝光物体与所述掩模板的间距包括:测量所述待曝光物体上不同测量位置处的所述待曝光物体与所述掩模板的间距;以及分别调节所述多个子机台的高度和/或倾斜角度以使相邻的所述测量位置处的所述待曝光物体与所述掩模板的间距的差值小于20μm,并使所有的所述测量位置处的所述待曝光物体与所述掩模板的间距的差值小于40μm。
例如,在本发明一实施例提供的曝光方法中,还包括:使用所述掩模板进行一次曝光;测量曝光后的所述待曝光物体上形成的曝光图案的偏差值;根据所述偏差值计算各所述多个子机台的调节修正值;以及根据所述调节修正值再次分别调节所述多个子机台的高度和/或倾斜角度以进一步提高所述待曝光物体的不同位置处的所述待曝光物体与所述掩模板的间距分布的均一性。
例如,在本发明一实施例提供的曝光方法中,所述曝光方法还包括:记录使用所述掩模板进行一次曝光之前所述多个子机台的调节值;记录所述调节修正值;以及根据所述调节值和所述调节修正值对与所述待曝光物体属于同一批次的多个物体分别进行曝光。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为一种曝光机加载掩模板的示意图;
图2为一种曝光单元关键尺寸的分布结果图;
图3为一种彩膜基板中不同关键尺寸的绿色滤光图案的示意图;
图4为本发明一实施例提供的一种承载基板的结构示意图;
图5a为本发明一实施例提供的一种承载基板的平面示意图;
图5b为本发明一实施例提供的另一种承载基板的平面示意图;
图6为本发明一实施例提供的一种使用多个子机台提高待曝光物体上不同位置处的曝光间距的示意图;
图7为本发明一实施例提供的一种承载机台中控制单元的示意图;
图8为本发明一实施例提供的另一种承载基板的结构示意图;
图9为本发明一实施例提供的另一种承载基板的结构示意图;
图10为本发明一实施例提供的另一种承载基板的结构示意图;
图11a为发明一实施例提供的另一种承载基板的结构示意图;
图11b为本发明一实施例提供的一种承载基板中的平台升降机构的结构示意图;以及
图12位本发明一实施例提供的一种曝光方法的流程图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
在研究中,本申请的发明人注意到:在光刻工艺中,掩模板和待曝光物体(例如,待曝光物体)之间的曝光间距(gap)对曝光的结果影响较大;而且,曝光间距与关键尺寸(Critical Dimension,CD)的关联性更为明显。图1示出了一种曝光机加载掩模板的示意图,如图1所示,托架(holder)300通过真空吸附的方式吸附掩模板200的两端;然而,由于掩模板200自身的重力,掩模板200会产生一定的弯曲,从而使得曝光后的图案的关键尺寸出现不均一的问题。图2示出了一种曝光单元关键尺寸的分布结果图,如图2所示,曝光单元的四个角的关键尺寸较大,而中心区域的关键尺寸较小,从而导致该曝光单元的关键尺寸的均一性较差。并且,曝光间距不同会导致所形成曝光图案具有各种缺陷;例如,如图3所示,在彩膜基板的绿色滤光图案的制作工艺中,如果绿色滤光图案420的关键尺寸较小,则绿色滤光图案420与红色滤光图案410和蓝色滤光图案430无法完全覆盖整个彩膜基板,会导致漏光风险;如果绿色滤光图案420的关键尺寸较大,则绿色滤光图案420会与红色滤光图案410或蓝色滤光图案430产生交叠,从而导致混色风险。因此,控制掩模板和待曝光物体(例如,待曝光的基板)之间的曝光间距,提高待曝光物体上不同位置处的曝光间距的均一性有利于提高产品的良率。
本发明实施例提供一种承载机台和曝光方法。该承载机台包括多个子机台。多个子机台被配置为共同承载物体(例如,待曝光物体),各子机台包括具有第一承载面的平台以及位置调节单元,位置调节单元设置在平台远离第一承载面的一侧并可调节平台的高度和/或倾斜角度。由此,该承载机台可提供一种新型的承载机台,可用于调整待曝光物体上不同位置处的曝光间距。
下面结合附图对本发明实施例提供的承载机台和曝光方法进行说明。
实施例一
本实施例提供一种承载机台。图4为本实施例提供的一种承载机台的结构示意图,如图4所示,该承载机台包括多个子机台110,多个子机台110可共同承载物体,例如待曝光物体。各子机台110包括具有第一承载面1110的平台111以及设置在平台111远离第一承载面1110的一侧的位置调节单元112,位置调节单元112可调节平台111的高度和/或倾斜角度。例如,多个子机台可用于调节待曝光物体上不同位置处的待曝光物体和掩模板之间的间距。
在本实施例提供的承载机台中,多个子机台可共同承载待曝光物体,也就是说,待曝光物体可同时设置在多个子机台的第一承载面上。由于位置调节单元可调节平台的高度和/或倾斜角度,因此待曝光物体上不同位置处的高度和/或倾斜角度可通过该位置所对应的子机台的位置调节单元调节,也就是说,可通过多个子机台调节待曝光物体上不同位置处的高度和/或倾斜角度。由此,可通过调节待曝光物体上不同位置处的高度和/或倾斜角度以与待曝光物体上设置的掩模板因重力导致的形变相匹配,从而提高待曝光物体上不同位置处的曝光间距的均一性,进而提高曝光的精度和曝光产品的良率。
例如,图5a和图5b为图4所示的承载机台的平面示意图。在本实施例一示例提供的承载机台上,如图5a所示,该承载机台还可包括工作台120,多个子机台110呈阵列设置在工作台120上。例如,如图5a所示,九个子机台呈阵列设置在工作台120上。如图5b所示,多个子机台110设置在工作台120上,待曝光物体900同时设置在多个子机台110上。由此,工作台可提供一个工作平台,多个子机台设置在工作平台上。例如,工作台还可包括升降机构,从而可对所有子机台的高度进行调节;例如,在使用接近式曝光工艺时,可先通过工作台将待曝光物体运送到预定高度,然而通过多个子机台对待曝光物体不同位置的高度和/或倾斜角度进行微调,从而提高待曝光物体上不同位置处的待曝光物体与掩模板之间的曝光间距的均一性。当然,本发明实施例包括但不限于此,承载台也可不设置工作平台,直接设置在地面上。
例如,在本实施例一示例提供的承载机台中,如图5a所示,相邻的子机台110之间的距离小于各子机台110的第一承载面1110的1/10。由此,可避免相邻子机台110距离较大而造成的待曝光物体因在相邻子机台之间的位置处缺少支撑而导致的不良形变。当然,本发明实施例包括但不限于此,相邻的子机台之间的距离可根据实际情况(例如,待曝光物体的尺寸、材料)来进行设置。
例如,随着显示技术的不断发展,市场对于大尺寸的显示面板的需求也越来越强烈。因此,在本实施例一示例提供的承载机台中,如图5b所示,多个子机台110的第一承载面1110可组成第二承载面130,第二承载面130的尺寸大于1m。例如,如图5b所示,第二承载面130为正方形并且第二承载面130的边长为1.5m。由此,本示例提供的承载机台可用于大尺寸显示面板的制作,例如,彩膜基板上各彩色滤光图案的制作。并且,由于可通过多个子机台调节待曝光物体上不同位置处的高度和/或倾斜角度以与待曝光物体上设置的掩模板因重力导致的形变相匹配,从而提高待曝光物体上不同位置处的曝光间距的均一性,因此本示例提供的承载机台在制作大尺寸的显示面板时具有较好的精度和良率。
例如,图6示出了一种使用多个子机台提高待曝光物体上不同位置处的曝光间距的示意图;如图6所示,托架(holder)300通过真空吸附的方式吸附掩模板200的两端;然而,由于掩模板200自身的重力,掩模板200会产生一定的弯曲。当待曝光物体900上的掩模板200因自身重力产生两侧高,中间低的形变时,可通过多个子机台110调节待曝光物体900上不同位置处的高度,使待曝光物体900的两侧较高,中间较低。此时,待曝光物体900两侧位置处的曝光间距G1与待曝光物体900中间位置处的曝光间距G2的差距可被缩小甚至消除,从而可提高待曝光物体上不同位置处的曝光间距的均一性,进而提高曝光的精度和产品的良率。需要说明的是,为了清楚地、简便地表示使用多个子机台提高待曝光物体上不同位置处的曝光间距的原理,本实施例中掩模板的形变有所夸大;另外,本实施例仅示出了九个子机台并且仅对子机台的高度进行了调节;然而,本发明实施例包括但不限于此,子机台的数量可根据实际情况设置,并且除了调节子机台的高度外,还可根据掩模板的形变来调整子机台的倾斜角度或者同时调节子机台的高度和倾斜角度,从而提高待曝光物体上不同位置处的曝光间距的均一性。
例如,在本实施例一示例提供的承载机台中,承载机台还可包括控制单元。图7示出了一种承载机台中控制单元的示意图,如图7所示,控制单元160分别于多个子机台110的位置调节单元112通信相连,并且控制单元160可单独控制每个子机台110的位置调节单元112。也就是说,控制单元160可单独控制每个子机台110的位置调节单元112所调节的高度和/或倾斜角度。由此,可通过控制单元对子机台进行控制。例如,控制单元可包括单片机、计算机等设备。
例如,图8示出了本实施例提供的另一种承载机台的结构示意图。在本实施例一示例提供的承载机台中,如图8所示,位置调节单元112可包括平台升降机构1120。平台升降机构1120用于进行升降以调节平台111的高度。例如,平台升降机构1120可包括气缸,当然,本发明实施例包括但不限于此。
例如,在本实施例一示例提供的承载机台中,如图8所示,位置调节单元112可包括至少两个平台升降机构1120。平台升降机构1120设置在平台111的边缘,平台升降机构1120可独立进行升降;也就是说,不同的平台升降机构1120可升降相同的高度也可升降不同的高度。通过将至少两个平台升降机构1120所升降的高度调节为不同,可使得平台111具有不同的倾斜角度,从而实现对平台111的倾斜角度的调节。
例如,在本实施例一示例提供的承载机台中,如图8所示,平台111上还可设置凸起140,以支撑待曝光物体,并且防止平台吸附待曝光物体,例如待曝光的玻璃基板。例如,凸起的材料可包括铝或铝合金;当然,本发明实施例包括但不限于此。
本实施例提供的承载机台可用于光刻工艺中的曝光工艺。可在多个子机台的第一承载面上放置待曝光物体,例如待曝光的基板;在待曝光的基板远离所述承载机台的一侧设置掩模板,例如利用托架真空吸附掩模板以将掩模板设置在待曝光物体上方;以及通过位置调节单元分别调节多个子机台的高度和/或倾斜角度以使所述待曝光物体上不同位置处的待曝光物体与所述掩模板的间距分布均一,例如将掩模板因重力下垂的位置所对应的子机台的高度降低以匹配该掩模板因重力产生的向下的形变,或者将除掩模板因重力下垂的位置的其他位置所对应的子机台的高度升高以匹配该掩模板因重力产生的向下的形变,从而提高曝光工艺所产生的曝光图案的精度和良率。
实施例二
在实施例一的基础上,本实施例提供一种承载机台。图9示出了本实施例提供的一种承载机台的结构示意图。如图9所示,各子机台110还可包括设置在平台111上的至少一个距离探测单元113。距离探测单元113可探测距离探测单元113所在位置处的待曝光物体与掩模板之间的曝光间距。由此,可通过距离探测单元探测该距离探测单元所在位置处的待曝光物体与掩模板之间的曝光间距,从而根据所探测的曝光间距来控制子机台的位置调节单元调节平台的高度和/或倾斜角度。另外,上述的距离探测单元还可通过与控制单元通信相连,从而实现自动对待曝光物体上不同位置处的高度和/或倾斜角度进行调节以提高待曝光物体上不同位置处的曝光间距的均一性。
例如,各子机台上的距离探测单元的数量包括但不限于一个。图10示出了本实施例提供的另一种承载机台的结构示意图。如图10所示,各子机台可包括三个距离探测单元113。当各子机台上设置多个距离探测单元113时,便于根据同一子机台上不同的距离探测单元所探测的曝光间距来调节平台的倾斜角度。需要说明的是,距离探测单元的具体位置可根据实际情况进行设置,本发明实施例在此不作限制。另外,承载机台也可不设置距离探测单元,本发明实施例在此不作限制;例如,可采用其他测量距离的方式或设备测量承载机台上承载的待曝光物体上不同位置处的曝光间距。
当本实施例提供承载机台用于光刻工艺中的曝光工艺时,可使用上述距离探测单元测量距离探测单元所在位置处的待曝光物体与掩模板的间距,即曝光间距;并且还可根据距离探测单元测量的间距来控制多个子机台的位置调节单元以调节多个子机台的高度和/或倾斜角度以使所述待曝光物体上不同位置处的待曝光物体与所述掩模板的间距分布均一。
实施例三
在实施例一的基础上,本实施例提供一种承载机台。图11a示出了本实施例提供的一种承载机台的结构示意图,图11b示出了本实施例提供的一种平台升降机构的结构示意图。如图11a所示,平台升降机构1120设置在平台111远离第一承载面1110的一侧,并且一端与平台111固定相连。如图11b所示,平台升降机构1120包括固定件1121、旋转机构1122、连杆1124以及滚轮1125。固定件1121固定设置在平台111远离第一承载面1110的一侧,旋转机构1122包括一转轴1123,滚轮1125具有一轴承1126。连杆1124一端与转轴1123固定连接并可随着转轴1123沿一弧线运动,连杆1124的另一端与轴承1126固定连接。由此,旋转机构1122可通过转轴1123带动连杆1124沿一弧线运动,从而带动滚轮1125在水平方向上运动,进而实现对平台111的升降。
例如,在本实施例一示例提供的承载机台中,旋转机构可包括电机。
实施例四
本实施例提供一种曝光方法。图12示出了本实施例提供的一种曝光方法的流程图。如图12所示,该曝光方法包括步骤S401-S404。
步骤S401:提供承载机台,该承载机台包括多个子机台,各子机台的高度和/或倾斜角度可调节。
例如,承载机台可为上述实施例一至实施例三中任一项所描述的子机台。
步骤S402:在多个子机台上放置待曝光物体,例如待曝光的基板。
例如,待曝光物体可为液晶显示面板中的彩膜基板。当然,本发明实施例包括但不限于此,待曝光物体还可为液晶显示面板中的阵列基板或其他需要曝光的基板。
步骤S403:在待曝光物体远离承载机台的一侧设置掩模板。需要说明的是,掩模板与待曝光物体间隔设置,掩模板与待曝光物体之间的距离为曝光间距。
例如,当待曝光物体为彩膜基板时,掩模板可为包括彩色滤光图案的掩模板。
步骤S404:分别调节多个子机台以调节待曝光物体上不同位置处的待曝光物体与掩模板的间距,即曝光间距。
在本实施例提供的曝光方法中,可通过调节多个子机台以调节待曝光物体上不同位置处的曝光间距以与掩模板因重力导致的形变相匹配,从而提高待曝光物体上不同位置处的曝光间距的均一性,进而提高曝光的精度和产品的良率。
例如,在本实施例一示例提供的曝光方法中,上述的步骤S404,即:分别调节多个子机台以调节待曝光物体上不同位置处的待曝光物体与掩模板的间距的步骤可包括:测量待曝光物体上不同测量位置处的待曝光物体与掩模板的间距;以及分别调节多个子机台的高度和/或倾斜角度以使相邻的测量位置处的待曝光物体与掩模板的间距的差值小于20μm,并使所有的测量位置处的待曝光物体与掩模板的间距的差值小于40μm。由此,可通过测量并调节待曝光物体上不同测量位置处的待曝光物体与掩模板的间距,从而提高待曝光物体上不同位置处的曝光间距的均一性。需要说明的是,上述的测量位置可为设置在子机台上的距离探测单元所在的位置,具体可参见实施例二中的相关描述,在此不再赘述。当然,本发明实施例包括但不限于此,上述的测量位置也可为采用其他测量方式所选定的位置。
例如,本实施例一示例提供的曝光方法还可包括:使用掩模板进行一次曝光;测量曝光后的待曝光物体上形成的曝光图案的偏差值,例如关键尺寸的偏差值;根据偏差值计算各多个子机台的调节修正值;以及根据调节修正值再次分别调节多个子机台的高度和/或倾斜角度以进一步提高待曝光物体不同位置处的待曝光物体与掩模板的间距分布的均一性。也就是说,在执行一次步骤S404,即分别调节多个子机台以调节待曝光物体上不同位置处的待曝光物体与掩模板的间距之后,可通过掩模板进行曝光测试并通过曝光结果的偏差值,例如关键尺寸的偏差值计算调节修正值,再根据上述的调节修正值调节多个子机台的高度和/或倾斜角度以进一步提高待曝光物体与掩模板的间距分布的均一性。由此,一方面可通过二次调节来提高待曝光物体不同位置处的待曝光物体与掩模板的间距分布的均一性;另一方面,可避免步骤S404的执行不到位或相关设备的故障导致的大批产品不合格的情况,从而可提高该曝光方法的安全性。特别是,当该曝光方法采用自动的承载机台时,可避免相关设备和控制单元的故障导致的大批产品不合格的情况,从而可提高该曝光方法的安全性。
例如,本实施例一示例提供的曝光方法还可包括:所述曝光方法还包括:记录使用掩模板进行一次曝光之前多个子机台的调节值;记录上述的调节修正值;以及根据调节值和调节修正值对与待曝光物体属于同一批次的多个物体分别进行曝光。也就是说,当确定同一批次的待曝光物体的调节值和调节修正值后,在一次曝光工艺之后,不用对后续的属于同一批次的其他待曝光物体进行复杂的步骤,直接使用确定后的调节值和调节修正值调节各子机台的高度和/或倾斜角度,从而对属于同一批次的其他待曝光物体进行曝光。由此,可节省工艺步骤,大大提高曝光效率。
有以下几点需要说明:
(1)本发明实施例附图中,只涉及到与本发明实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下,本发明同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种承载机台,用于半导体工艺,包括:
多个子机台,被配置为共同承载物体;
其中,各所述子机台包括:
平台,具有第一承载面;以及
位置调节单元,设置在所述平台远离所述第一承载面的一侧并被配置为调节所述平台的高度和/或倾斜角度;
其中,所述位置调节单元包括至少两个平台升降机构,分别设置在所述平台的边缘,各所述平台升降机构被配置为独立进行升降;
其中,所述平台升降机构包括:
固定件,固定设置在所述平台远离所述第一承载面的一侧;
旋转机构,包括一转轴;
连杆;
滚轮,具有一轴承;
其中,所述旋转机构设置在所述固定件上,所述连杆一端与所述转轴固定连接并被配置为随所述转轴沿一弧线运动,所述连杆另一端与所述轴承固定连接。
2.根据权利要求1所述的承载机台,其中,各所述子机台还包括:
至少一个距离探测单元,设置在所述平台上。
3.根据权利要求1所述的承载机台,还包括:
控制单元,与所述多个子机台的所述位置调节单元分别通信相连,
其中,所述控制单元被配置为分别控制每个所述子机台的所述位置调节单元。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的承载机台,还包括:
工作台,
其中,所述多个子机台呈阵列设置在所述工作台上。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的承载机台,其中,相邻的所述子机台之间的距离小于各所述子机台的所述第一承载面尺寸的1/10。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的承载机台,其中,所述多个子机台的所述第一承载面组成第二承载面,所述第二承载面的尺寸大于1m。
7.根据权利要求1所述的承载机台,其中,所述平台升降机构包括气缸。
8.根据权利要求1所述的承载机台,其中,所述旋转机构包括电机。
9.一种曝光方法,包括:
提供承载机台,所述承载机台用于半导体工艺,包括多个子机台并被配置为共同承载物体;
其中,各所述子机台包括:
平台,具有第一承载面;以及
位置调节单元,设置在所述平台远离所述第一承载面的一侧并被配置为调节所述平台的高度和/或倾斜角度;
其中,所述位置调节单元包括至少两个平台升降机构,分别设置在所述平台的边缘,各所述平台升降机构被配置为独立进行升降,从而各所述子机台的高度和/或倾斜角度可调节;
其中,所述平台升降机构包括:
固定件,固定设置在所述平台远离所述第一承载面的一侧;
旋转机构,包括一转轴;
连杆;
滚轮,具有一轴承;
其中,所述旋转机构设置在所述固定件上,所述连杆一端与所述转轴固定连接并被配置为随所述转轴沿一弧线运动,所述连杆另一端与所述轴承固定连接;
在所述多个子机台上放置待曝光物体;
在所述待曝光物体远离所述承载机台的一侧设置掩模板;以及
分别调节所述多个子机台以调节所述待曝光物体上不同位置处所述待曝光物体与所述掩模板的间距。
10.根据权利要求9所述曝光方法,其中,分别调节所述多个子机台以调节所述待曝光物体上不同位置处所述待曝光物体与所述掩模板的间距包括:
测量所述待曝光物体上不同测量位置处的所述待曝光物体与所述掩模板的间距;以及
分别调节所述多个子机台的高度和/或倾斜角度以使相邻的所述测量位置处的所述待曝光物体与所述掩模板的间距的差值小于20μm,并使所有的所述测量位置处的所述待曝光物体与所述掩模板的间距的差值小于40μm。
11.根据权利要求10所述的曝光方法,其中,所述曝光方法还包括:
使用所述掩模板进行一次曝光;
测量曝光后的所述待曝光物体上形成的曝光图案的偏差值;
根据所述偏差值计算各所述多个子机台的调节修正值;以及
根据所述调节修正值再次分别调节所述多个子机台的高度和/或倾斜角度以进一步提高所述待曝光物体的不同位置处的所述待曝光物体与所述掩模板的间距分布的均一性。
12.根据权利要求11所述的曝光方法,其中,所述曝光方法还包括:
记录使用所述掩模板进行一次曝光之前所述多个子机台的调节值;
记录所述调节修正值;以及
根据所述调节值和所述调节修正值对与所述待曝光物体属于同一批次的多个物体分别进行曝光。
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