CN106796905A - 衬底容器 - Google Patents

Abstract

一种前开口晶片容器，具有前后堆叠式V形晶片边缘接纳部分集合、晶片架组件的后置部件，且包括用聚碳酸酯预制并包覆成型的PBT薄膜。所述堆叠式V形晶片边缘接纳部分集合在架上座接位置上方提供架间座接位置。所述PBT为所述晶片边缘提供低摩擦滑动啮合表面，借此在所述晶片容器的门移除时提供晶片从所述架间位置到所述架上位置的均匀且一致下落。

Description

衬底容器

相关申请案

本申请案主张2014年8月28日申请的第62/043,297号美国临时申请案及2014年9月11日申请的第62/049,144号美国临时申请案的优先权。两个申请案都以全文引用方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及晶片容器及用于使晶片容器及其它衬底容器成型的技术。

背景技术

半导体工业将独特及非常规纯度及抗污要求引入到产品设计及制造工艺的发展及实施中。在组件及组合件的制造、存储及运输中，材料选择是很重要的。

将晶片圆盘加工到集成电路芯片中通常涉及若干步骤，其中圆盘在包含晶片容器的晶片载体中被重复处理、存储及运输。归因于圆盘的精致性质及其极值，贯穿此程序适当地保护其是至关重要的。晶片载体的一个目的是提供此保护。另外，因为晶片圆盘的加工通常是自动的，所以相对于加工设备精确地定位圆盘以用于晶片的机器人移除及插入是必要的。晶片载体的第二目的是在运输期间牢固地固持晶片圆盘。

晶片载体通常经配置以将晶片或圆盘轴向布置于架或狭槽中，且由其外围边缘支撑晶片或圆盘或接近其外围边缘支撑晶片或圆盘。常规地可在朝上的径向方向上或水平地从载体移除晶片或圆盘。载体可具有辅助顶盖、底盖或外壳以围封晶片或圆盘。尽管某些已知晶片托运人可仅具有两个部件：基底及盖，但用于300mm及450mm的大晶片的前开口晶片容器可相当复杂，其具有闩锁系统、分离架及外部安装的处理及机器界面组件、压载系统、传感器及甚至环境控制。此外，当然，大晶片比需要增强的质量控制及保护免受损坏的更小晶片贵得多。

载体及衬底载体的容器(其包含晶片容器)通常由注射成型塑料形成，例如聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、全氟烷氧基(PFA)、丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)、聚醚醚酮(PEEK)、聚丙烯(PP)及其它。存在数种材料特性，其取决于载体类型及争论中的载体的特定部件或组件对晶片载体有用且有利。此类特性包含材料成本及使材料成型中的轻松或困难。下文论述与半导体制造相关联的各种问题，因为其与材料特性有关。通常，某一聚合物将用于一个组件，且另一聚合物用于不同组件。或组件可由两个或两个以上聚合物制成。

在半导体晶片或磁盘的加工期间，颗粒的存在或产生呈现非常显著的污染问题。污染被认为是半导体工业中产率损失的唯一最大原因。随着集成电路的大小已继续减小，可污染集成电路的粒子的大小也已变得更小，从而使污染的最小化成为重中之重。呈粒子形式的污染物可通过磨损产生，例如载体与晶片或圆盘、与载体盖或外壳、与存储机架、与其它载体或与加工设备的摩擦或刮擦。因此，载体的最合意特性是对塑料成型材料的磨损、摩擦或刮擦之后产生的粒子的抵抗力。参见即时应用的所有者的公司前身拥有的第5,780,127号美国专利。所述专利论述与用于晶片载体的此类材料的适用性相关的塑料的各种特性。所述专利出于所有目的以引用方式并入本文中。

载体材料还应具有挥发性组分的最小释气，因为这些挥发性组分可能会离开也构成可损坏晶片及圆盘的污染物的膜。释放污染物的聚合物材料被认为是“脏”材料，且在密闭的晶片密封环境内使用所述聚合物材料会致使污染问题。一种此材料是聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)，且因此，此材料的使用已被限制于晶片载体，尤其是晶片容器。

此外，载体材料必须在载体装载时具有足够的尺寸稳定性，即，刚性。尺寸稳定性对防止损坏晶片或圆盘及最小化晶片或圆盘在载体内的移动是必要的。固持晶片及圆盘的狭槽的公差通常相当小，且载体的任何变形都可直接损坏高度易碎的晶片或增加磨损，且因此在晶片或圆盘被移入载体中、移出载体或移入载体内时产生粒子。尺寸稳定性在载体被装载于某一方向上，例如在于船运期间堆叠载体或在载体与加工设备集成时，也是极其重要的。载体材料还应在存储或清理期间可能遭遇的高温下维持其完整性。

在许多情况下，密闭容器内的晶片的可见性被认为是合意的，且可能是终端用户所需要的。适合于此类容器的透明塑料，例如聚碳酸酯是合意的，这在于此塑料成本低，但此类塑料可能不具有足够的性能特性，例如耐磨性，耐热性，耐化学性，释气密封性，刚性特性，蠕变减少，流体吸收密封性，UV保护及类似物。

特殊聚合物(例如PEEK)的一个主要优点是其耐磨性质。典型的廉价常规塑料在磨损或甚至在与其它材料或物体摩擦时释放微小粒子到空气中。虽然这些粒子通常是裸眼不可见的，但其导致可粘附到正加工的半导体组件的潜在破坏性污染物的引入且到必须控制的环境中。此类特殊热塑形材料聚合物比常规聚合物昂贵得多。

因此，衬底容器的制造商，尤其是晶片容器的制造商已采用包覆成型，其中两个相异部分：一者被注射成型且一者由不同聚合物材料形成，所述两者在包覆成型期间被制成整体，使得在两个不同聚合物之间不存在间隙、裂缝、密封接合。参见即时应用的所有者拥有的第6,428,729号、第6,428,729号及第7,168,564号美国专利。这些专利出于所有目的以引用方式并入本文中。在某些环境中，已发现，应力可能与包覆成型组件相关联，尤其是在例如容器部分中存在显著膨胀的聚合物的情况中。这些应力使在冲击情况下的断裂更常见。这将有助于解决断裂问题。此外，当两个(或多个)部分被注射成型时，制造用于包覆成型的不同模具组件是昂贵的。另外，参见美国专利公开案US20050236110及US20050056601，其中薄膜成型揭示于包覆成型应用中。这些公开案出于所有目的以引用方式并入本文中。薄膜具有一些最小刚性，使得将其插入三维复杂结构中是有问题的。所述公开案中所揭示的技术出于各种原因尚未被商业上采用，这可能是由于其在实际使用中的困难及包含使用薄膜使一致产品重复成型的困难。

正如上文提到的，关键是晶片被正确地定位在晶片载体中，使得其被适当地抓握且不被机器人处理设备损坏。已发现，在移除300mm晶片容器(例如FOSBS(“前开口船运箱”))的门期间，晶片从架间座接位置不一致地下落到架上座接位置。换句话说，晶片不均匀地定位在架上。欢迎解决这个问题。

克服使薄膜包覆成型的缺点并发现用于薄膜成型的有利应用将受到工业界的欢迎。

发明内容

本发明的实施例大体上涉及一种在半导体加工工业中利用的处理器、转运器、载体、托盘和类似装置的成型过程中包含薄保护性密封热聚合物膜的系统和方法。具有合适大小及形状的所述热塑性膜可真空成型成接近所期望的组件部分的最终形状的预制品。接着，经塑形的预制品被放入组件模具中，且用一次注射成型聚合物包覆成型。在实施例中，销或其它结构可将薄膜固定于适当位置中，使得被注射的聚合物不会使预塑形的薄膜位移或移动。可在薄膜插入于组件模具中之前提供合适的纹理化，或模具可具有表面处理以改变最终成型组件中的薄膜表面纹理。

在实施例中，薄的PBT条通过以合适的形式加热所述条以对晶片容器的背侧处的晶片啮合斜坡表面塑形而被预塑形。接着，预制的条，“预制品”被放入包含晶片架及斜坡表面的模具中，且常规聚碳酸酯在预制的条上注射成型。在实施例中，PBT薄膜厚度可为.254mm或在.254mm的正或负25％的范围内。PBT允许晶片容易地从V形凹部的谷部中的座接位置滑落以坐落在架上，如在前开口船运箱(FOSB)中常见的那样。

在其它实施例中，PBT膜可为约.254mm。在其它实施例中，PBT薄膜可为.254mm±.050mm。在其它实施例中，PBT薄膜厚度可为.100到.400mm。在其它实施例中，PBT薄膜可小于.300mm。在其它实施例中，PBT薄膜可小于.500mm。在其它实施例中，PBT薄膜可小于1mm。上述范围也可适用于其它薄膜，例如PEEK、PTFE、PFA、PC以及其它。此类膜可由聚合物的组合形成且具有添加剂。

一些实施例的特征及优点是最初用于非包覆成型应用的常规模具可用于包覆成型应用而无需针对所述包覆成型的第一部分构造的新模具。相反，较不精确的形式，例如薄组件的真空成型的形式可用于形成预制品。此类形式比注射模具便宜得多。

在实施例中，销或爪形器具或其它结构可使预制的膜在使聚合物注射成型于其上之前及期间保持于适当位置中。

在实施例中，原始模具可以被充分加热以在一次成型操作之前预制薄膜；更大量的意义上的“一次”，例如当聚碳酸酯注射基底时。

在实施例中，组件模具可具有用于在模腔中与薄膜部分的座接位置直接相对地注射熔融聚合物的浇口，其用于提供薄膜在模具中的改进固持。对于功能性，在所期望的薄膜的位置从注射浇口位移时，薄膜插入部分可经放大以相对所述浇口定位薄膜的部分以更好地固定所述薄膜。

在实施例中，模具可具有浇口，其相对薄膜将放置的地方放置，且具有辅助销、挂钩或其它压紧特征。

在实施例中，可预制用于晶片啮合表面、分划板啮合表面、机器界面啮合表面、其它接触表面的薄膜。在实施例中，薄膜可经预塑形以界定密封表面，借此提供屏障以防止水分从一次密封材料(其可为例如PC)排出或扩散。

特定实施例的特征及优点是：其提供选择性地利用合意的聚合物及聚合物的对应功能特性的具成本效益的方法，其中其不一定利用比所需的更多的聚合物。

特定实施例的另一优点及特征是：功能热塑性膜可选择性地被接合到晶片载体的部分、芯片托盘或其它半导体组件处理器或接触敏感部件、组件的转运器或加工设备。

特定实施例的另一优点及特征是：在用于半导体加工工业中用于啮合衬底接触表面的功能部分的部件上选择性地使用优选的低摩擦及/或耐磨聚合物膜。

特定实施例的又另一优点及特征是：形成具有透明或半透明的聚合物成膜表面区域的半导体组件处理装置同时仍为所选择的表面提供功能性能改进。此处理装置通过利用装置的所选择的目标结构上的足够薄的材料层、预制所述层、及使所述结构包覆成型成由例如PC的材料构造的大体上透明或半透明装置主体。

实施例的特征及优点是：利用预制的薄膜中间注射成型包覆成型部分。在此类应用中，所述薄膜可经预制以施加于第一注射成型部分，且第二注射成型部分在其上成型。

实施例的特征及优点是：前开口晶片容器，其具有用于晶片的由前后V形晶片边缘接纳部分界定的架间座接位置及架上座接位置，且其利用后V形晶片边缘接纳部分中的材料，相对于所述晶片，所述材料具有小于前V形晶片边缘接纳部分所利用的材料的摩擦系数。借此当门从前开口晶片容器移除时，晶片从架间座接位置更均匀地下落到架上座接位置，且更不趋向于不适当地座接。在此类实施例中，后V形晶片边缘接纳部分的材料可为PBT，且前V形晶片边缘接纳部分的材料可为聚碳酸酯或对在V形晶片边缘接纳部分的斜坡上滑动的晶片呈现耐磨性的其它材料。

本文中的实施例的特征及优点是：在打开到并入本发明的300mm晶片容器的门之后，晶片比现有技术晶片容器更均匀地下落且座接到晶片架上。本发明的实施例的特征和优点是将PBT用于晶片座接部分，而不将晶片暴露于来自PBT的不可接受水平的污染物。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的前开口晶片容器的透视图。

图2是图1的晶片容器的容器部分的前透视图。

图3是图2的容器部分的局部分解图，其中晶片架组件被移除。

图4是图1的门的内表面及侧壁的透视图。

图5是根据本发明的实施例的晶片容器的部分的侧横截面图，且其说明晶片的架上座接位置，其中门未处于适当位置中。

图6是根据本发明的实施例的门经放置且由容器部分接纳之后图5的晶片容器的部分的侧横截面图，且其说明关上门时晶片到架间位置的提升。

图7是根据本发明的实施例的图5及6的晶片容器的部分的侧横截面图，其中晶片容器旋转借此容器中的晶片针对船运而被垂直定向。

图8是根据本发明的实施例的聚碳酸酯晶片架的透视图，其中预制的晶片啮合膜由聚碳酸酯包覆成型。

图9A是根据本发明的实施例的适合于预制品的薄膜条的正视图。

图9B是根据本发明的实施例的预制的薄膜的正视图。

图10是根据本发明的实施例的具有从在模具中用于压制目的的条的功能部分延伸的龙头预制的薄膜条的正视图。

图11是根据本发明的实施例的图8的晶片架组件的特写图，其说明由聚碳酸酯包覆成型的插入条(如图所示)。

图12是根据本发明的实施例的图8及11的晶片架组件的特写图，其说明由聚碳酸酯包覆成型的插入条(如图所示)的V形晶片接纳部分。

图13是根据本发明的实施例的适合于附接到门或晶片容器的背侧的晶片接纳堆叠式斜坡组件的透视图。

图14是根据本发明的实施例的晶片架组件模具零件的横截面图，其说明预制品的放置位置。

图15是根据本发明的实施例的具有夹钳构件的晶片架组件模具的横截面图。

图16是根据本发明的实施例的图15的模具的横截面图，其中夹钳构件固定预制品且熔融聚合物正被注射于其中。

图17是根据本发明的实施例的图15的模具的横截面图，其中夹钳构件固定预制品且熔融聚合物已被注射于其中。

图18是根据本发明的实施例的图15的模具的横截面图，其中夹钳构件回缩。

图19是根据本发明的实施例的具有回缩的夹钳构件及先前由夹钳构件位移的区域中填充的聚合物的图15的模具的横截面图。

图20是根据本发明的实施例的晶片架组件模具的横截面图，其说明预制品及定位于与放置位置相对的模腔中的注射成型浇口的放置位置。

图21是根据本发明的实施例的图20的晶片架组件模具的横截面图，其说明熔融聚合物的注射成型流动动态。

具体实施方式

参考图1到4，前开口晶片容器20包括适合于300mm 450mm晶片24的容器部分22及门23。容器部分具有左侧壁25及右侧壁26、背壁27、底壁28、一对晶片架组件30、附接到所述底壁的运动耦合件32、机器人法兰34及手动处理附接结构36。晶片24通过由门框41界定的敞开的前部40被接纳，从而引导到敞开的内部42。

参考图1及4，门23具有前侧43、背侧44、可在所述前侧接近的闩锁机构45、及附接于所述背侧上的凹部47处的晶片衬垫组件46。晶片啮合组件具有多个指状物48，其各自具有V形晶片边缘接纳部分49，其具有斜坡53以用于啮合晶片的边缘及顶点除的座接位置54。所述指状物具有形成两组堆叠式斜坡55的斜坡。

参考图1到4及8到13，晶片架组件30可通过连接件50及闩锁52(其附接到例如容器部分(图3)的侧壁25、26上的凸耳56及小块57的特征件)附接到侧壁25、26。晶片架组件30具有多个晶片架60，其中晶片座接脊62横向延伸到架60的纵向尺寸。在实施例中，晶片架组件具有多个V形晶片边缘接纳部分64，其各自具有形成一组垂直的堆叠式斜坡66的斜坡65(图12)。每一V形晶片接纳部分64具有V形凹部68的顶点处的晶片边缘座接位置67(图11)。参考图13，在一些实施例中，所述组堆叠式斜坡66可为与架60分离的堆叠式斜坡组件70，且架组件30可被附接到背壁27，例如由图3中的虚线69所说明的位置处。替代地，还可代替由离散晶片指状物48提供的堆叠式斜坡将此组件安装到门23内或背侧(图4)。组件70可通过常规方法(例如，压入配合具有孔径的突片71)附接到门上的小块上或容器部分上或通过类似于用于附接本文所描述的晶片架组件的方法的方法。

参考图5、6及7，当门23用架60上的晶片24封闭敞开的前部40时，晶片从“架上”座接位置75沿着斜坡76上升以座接于“架间”座接位置77中的V形凹部68的顶点中。当门23移除时，晶片下滑以再次座接于架上。参见即时应用的所有者拥有且出于所有目的以引用方式并入本文中的第6,267,245号美国专利。发明者已发现，由晶片容器中使用的常见材料聚碳酸酯形成的斜坡具有高摩擦系数，且晶片可能不能完全下落到架，这是因为门被移除，如由图5中的虚线80所说明。一种有效的解决方案是利用PBT作为晶片边缘接触表面，已发现，这大体上消除移除门之后晶片不能完全下落到架的问题。如所说明的晶片边缘接纳部分64的堆叠包括通过包覆成型提供的PBT条84。所述条被接合到PC基底部分86。在其它实施例中，门23可包含具有非PBT晶片啮合表面的非PBT晶片衬垫。在所述组的堆叠式斜坡由在装载时转向的离散指状物48界定的情况中(图4)，与PBT相比，聚碳酸酯或其它聚合物的较高摩擦系数并不是一个因素。此外，因为门被移走，所以晶片将一定会从前或后V形晶片接纳部分中的至少一者下降，且接着啮合架。接着，架将“抓握”晶片，使得其将一定会从门释放。已发现，PBT条的使用提供晶片从架间座接位置到架上座接位置的均匀且一致的释放特性。显著地，已知PBT可释放污染物，尽管已发现在本申请案中利用的量不会明显增加污染问题。所以本文中适合使用的薄文件条的宽度小于1英寸且长度小于14英寸。

在实施例中，PBT薄膜厚度可为.254mm或在正或负25％的范围内。在其它实施例中，PBT薄膜厚度可为.254mm±.050mm。在其它实施例中，PBT薄膜厚度可为.100到.400mm。在其它实施例中，PBT薄膜可小于.300mm。在其它实施例中，PBT薄膜可小于.500mm。在其它实施例中，PBT薄膜可小于1mm。上述范围也可适用于其它薄膜，例如PEEK、PTFE、PFA、PC以及其它。此类膜可由聚合物的组合形成且具有添加剂。

参考图9A到9B及14到19，说明根据本发明的实施例的包覆成型序列。例如通过如由各种已知真空成型方法(例如，第3,041,669号美国专利中所描述)所说明的真空成型对图9A的扁平条90进行预制。所述参考文献出于所有目的以引用方式并入本文中。所述预制品被配置为预制的条92，如图9B中所说明。所述预制品具有近似或更好的最终模具形状及配置，使得其座接于模具94内(图14)。所述预制品被放置于模具94中反映晶片架组件30的堆叠式斜坡66的位置的适当的放置位置97中。所述模具是密闭的，如图15中所展示，使得反映最终部件形状的模腔91由相应的第一模具部件95及第二模具部件96界定。

可在薄膜插入于组件模具中之前提供合适的纹理化，或模具可具有表面处理以改变最终成型组件中的薄膜表面纹理。

预制品92可具有从所述预制品的功能部分98位移的保持部分93，例如突片，所述预制品从斜坡及V形啮合部分位移。所述保持部分可由夹钳构件104抓握或夹持于模具94中，参见图15及16，所述保持部分可被配置为销，使得所述预制品在注射成型过程期间在熔融聚合物100的流动期间被固持于适当位置中。可使用若干此类夹钳构件，且其理想地被定位于预制部件的“上游”侧上，如图16中所见。在模具模腔已被填满(图17)使得熔融聚合物不流动或已大体上停止流动之后，夹钳构件104回缩(图18)。接着，聚合物可回填到先前由夹钳构件104位移的区域107中。可利用夹钳构件的其它配置，例如如由图18及19中的虚线所说明在第一模具零件95中操作的挂钩零件109。

除使单个膜插入成型外，多个膜可经层压以形成用于可模制接合到半导体组件处理装置的复合膜结构。例如，各种膜层可包含本文所列的不同性能或密封特性或提供其组合。能想象到膜层压领域的技术人员已知的无数膜层压技术以结合本发明的实施例使用。例如，第3,660,200号、第4,605,591号、第5,194,327号、第5,344,703号及第5,811,197号美国专利揭示热塑性层压技术，且所述美国专利出于所有目的以全文引用方式并入本文中。

参考图20及21，说明用于使预制品保持于适当位置中的另一成型方法。预制品92如上述方法中那样被放置于放置位置97中。第二模具零件包含用于注射熔融聚合物的浇口116，且所述浇口定位于预制品放置位置97直接相对的模具模腔处。移动的熔融聚合物抵靠预制品的驱动力有效地将预制品固定于第一模具零件上的适当位置中。箭头指示熔融聚合物的流动方向。也可利用其它已知技术将预制品固定于适当位置中。

本申请案中的所有段落中的上述参考文献出于所有目的以全文引用的方式并入本文中。

本说明书(其包含通过参考并入的参考文献、任何所附权利要求书、摘要说明书和附图)中所揭示的所有特征及/或如此揭示的任何方法或过程的所有步骤可以除其中手动排除的至少部分此类特征及/或步骤的组合外的任何组合组合。

本说明书(其包含通过参考并入的参考文献、任何所附权利要求书、摘要说明书和附图)中所揭示的每一特征可由适合相同、等效或类似目的的替代特征取代，除非另外明确陈述。因此，除非另外明确陈述，否则所揭示的每一特征仅作为等效或类似特征的通用系列的一个实例。

本发明不限于前述实施例的细节。本发明延伸到本说明书中(其包含通过参考参考文献并入的任何者、任何所附权利要求书、摘要说明书和附图)揭示的特征中的任何新型一者或任何新型组合，或者延伸到如此揭示的任何方法或过程的步骤的任何新型一者或任何新型组合。本申请案的所有段落中的上述参考文献出于所有目的以全文引用方式并入本文。

尽管本文已说明并描述特定实例，但所属领域的一般技术人员应了解，经计算以实现相同目的的任何布置可取代所展示的特定实例。本申请案希望涵盖本标的物的修改或变化。因此，希望本发明由所附权利要求书及其合法等效物以及以下说明性方面定义。本发明的上述方面、实施例仅描述其原理，且不应被认为是具限制性。相关领域的技术人员应想到本文中所揭示的本发明的另外修改，且所有此类修改被认为是在本发明的范围内。

Claims (23)

1.一种前开口晶片容器，其包括：

容器部分，其包括壳部分、界定敞开前部的门框，及

门，其经设定大小以被接纳于所述门框中，所述门包括用于将所述门闩锁到所述容器部分的闩锁机构，及

一对晶片架组件，其定位于所述容器部分中以用于界定晶片接纳区域，所述晶片架组件中的每一者具有界定V形凹部的多个V形座接部分，其中所述座接部分上暴露有包括聚对苯二甲酸丁二醇酯PBT的薄膜条以用于啮合晶片边缘。

2.根据权利要求1所述的前开口晶片容器，其中所述容器部分经设定大小以接纳300mm晶片。

3.根据权利要求1所述的前开口晶片容器，其中所述晶片架组件中的每一者进一步具有多个垂直布置的架，所述架中的每一者界定架上座接位置。

4.根据权利要求3所述的前开口晶片容器，其进一步包括所述容器部分的底侧上的运动耦合件及所述容器部分的顶侧上的机器人法兰。

5.根据权利要求所述的前开口晶片容器，其中所述薄膜条被接合到所述晶片架组件的基底材料，所述基底材料包括聚碳酸酯。

6.根据权利要求5所述的前开口晶片容器，其中所述薄膜条通过包覆成型过程被接合到所述基底材料。

7.一种前开口晶片容器，其包括：

容器部分，其经配置以接纳300mm或450mm晶片，且具有：敞开的前部；及经配置用于接纳所述晶片的一组堆叠式斜坡，所述斜坡中的每一者通向架间晶片座接位置；及一对架集合，其提供多个架上座接位置；及门，其经设定大小以由所述容器部分接纳以关闭所述敞开的前部，所述门具有与所述容器部分中的所述组堆叠式斜坡协作的一组堆叠式斜坡；

其中所述容器部分的所述组堆叠式斜坡由相对于所述晶片的所述边缘提供比所述门的所述堆叠式斜坡更小的滑动摩擦的聚合物形成。

8.根据权利要求7所述的前开口晶片容器，其中所述门具有多个离散指状物部分，每一指状物部分界定所述门的所述组堆叠式斜坡。

9.根据权利要求7所述的前开口晶片容器，其中所述组堆叠式斜坡包括聚对苯二甲酸丁二醇酯PBT。

10.根据权利要求9所述的前开口晶片容器，其中所述PBT呈接合到基底材料的薄膜形式。

11.根据权利要求10所述的前开口晶片容器，其中所述基底材料是聚碳酸酯，且所述PBT通过使所述聚碳酸酯包覆成型于所述PBT上而被接合到所述聚碳酸酯。

12.根据权利要求7所述的前开口晶片容器，其中所述离散指状物部分由聚碳酸酯组成。

13.根据权利要求7所述的前开口晶片容器，其中所述组堆叠式斜坡中的每一者通过使聚合物而非PBT包覆成型到PBT上而形成。

14.一种前开口晶片容器，其包括具有敞开的前部的容器部分及用于关上所述敞开的前部的门，所述容器部分包括界定架上座接位置的多个架及界定提高的架间座接位置的多个斜坡，所述架由第一聚合物材料形成，且所述多个斜坡由第二聚合物材料形成。

15.根据权利要求13所述的前开口晶片容器，其中所述多个架包括所述容器部分的一个侧上的第一组堆叠式架及与所述容器部分的所述一个侧对置的侧上的第二组堆叠式架，其中所述多个斜坡包括所述容器部分的所述一个侧上的第一组堆叠式斜坡及所述容器部分的所述相对侧上的第二组堆叠式斜坡。

16.根据权利要求15所述的前开口晶片容器，其中所述第一组堆叠式架及所述第一组堆叠式斜坡在晶片架组件中是整体的，且所述第二组堆叠式架及所述第二组堆叠式斜坡在另一晶片架组件中是整体的。

17.根据权利要求15所述的前开口晶片容器，其中所述第一组堆叠式架在晶片架组件中是整体的，且所述第二组堆叠式架在另一晶片架组件中是整体的，且所述第一组堆叠式斜坡及所述第二组堆叠式斜坡与所述晶片架组件或所述另一晶片架组件不是整体。

18.根据权利要求14到17中任一权利要求所述的前开口晶片组件，其中每一组堆叠式斜坡由具有包覆成型基底部分的聚对苯二甲酸丁二醇酯的薄膜条界定。

19.一种制造晶片容器的方法，其包括：

由聚对苯二甲酸丁二醇酯PBT形成包括一组堆叠式斜坡的预制品；

将所述预制品插入到晶片架组件的模具中；

注射聚碳酸酯到所述模具中，借此使所述聚碳酸酯包覆成型到所述PBT预制品上；

从所述模具移除具有所述包覆成型PBT的所述成型的晶片架组件；及

将所述晶片架组件安装到容器部分中。

20.根据权利要求19所述的方法，其包括选择所述PBT预制品的薄膜条。

21.根据权利要求19所述的方法，其包括使聚碳酸酯的一组前堆叠式斜坡成型，及将所述组堆叠式斜坡安装于针对所述容器部分设定大小的门上。

22.根据权利要求19所述的方法，其包括在所述聚碳酸酯的所述注射期间向下机械压紧所述预制品。

23.根据权利要求19所述的方法，其包括从相对于模腔相对所述模具中的所述预制品的位置而定位的浇口注射所述聚碳酸酯。