CN106795622A - 包含Al‑Te‑Cu‑Zr基合金的溅射靶及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有20原子％～40原子％Te，含有5原子％～20原子％Cu，含有5原子％～15原子％Zr，剩余部分包含Al，溅射靶组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相和Zr相构成。本发明的课题在于提供一种有效地抑制了由组成偏差引起的特性劣化的Al‑Te‑Cu‑Zr基合金溅射靶及其制造方法。

Description

包含Al-Te-Cu-Zr基合金的溅射靶及其制造方法

技术领域

本发明涉及包含Al-Te-Cu-Zr基合金的溅射靶及其制造方法，特别是用于形成作为电阻变化型材料的包含Al-Te-Cu-Zr基合金的薄膜的Al-Te-Cu-Zr基合金溅射靶及其制造方法。

背景技术

近年来，使用利用电阻变化来记录信息的包含Te-Al基材料或Te-Zr基材料的薄膜作为电阻变化型记录材料。作为形成包含这些材料的薄膜的方法，通常利用真空蒸镀法、溅射法等一般被称为物理蒸镀法的方法来进行。特别是从操作性、成膜的稳定性出发，经常使用磁控溅射法来形成。

利用溅射法的薄膜形成通过以下方式进行，使氩离子等正离子与设置在阴极的靶物理性地撞击，利用该撞击能量使构成靶的材料放出，从而将与靶材料几乎相同组成的膜层叠于对置的阴极侧的基板上。利用溅射法的成膜具有以下特征：通过调节处理时间、供给功率等，可以以稳定的成膜速度形成埃单位的薄膜到数十μm的厚膜。

作为Te-Al基溅射用靶，例如，在专利文献1中公开了一种靶，其包含选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和镧系元素的元素组中的一种以上高熔点金属元素、选自Al、Ge、Zn、Co、Cu、Ni、Fe、Si、Mg、Ga中的一种以上元素和选自S、Se、Te中的一种以上硫族元素。另外，作为其制造方法，公开了制作AlCuZr合金锭，然后将该合金锭粉碎而制成合金粉末，在该合金粉末中混合Te粉末和Ge粉末，并进行烧结，由此制造AlCuGeTeZr靶材。

在制作包含多元合金的烧结体的情况下，如上所述，经常进行预先合成构成成分，然后将其作为原料使用的方法。然而，在制造Al-Te-Cu-Zr合金的情况下，存在以下等问题，如果预先合成Te-Zr，则由于Te的蒸气压大，因此在与高熔点的Zr的液相合成中，会发生组成偏差(1000℃下的Te的蒸气压100kPa，Zr的蒸气压1kPa以下)，另外，如果将Al与Te合金化，则会生成非常活跃且难以处理的Al-Te。

另外，在形成作为电阻变化型记录材料的Te-Al基等合金膜的情况下，成为问题的是，在溅射时在靶表面产生结瘤，成为粉粒或电弧放电的原因。特别是对于Al-Te-Cu-Zr合金靶而言，由于由成膜速度不同的多种金属成分构成，因此存在结瘤的产生频率高，粉粒的产生量也多的问题。而且，这样的靶或溅射时的问题已成为使作为记录介质的薄膜的品质降低的重大原因。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-26679号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的课题在于提供组成偏差小，具备所期望的特性的Al-Te-Cu-Zr基合金溅射靶及其制造方法。

用于解决问题的手段

为了解决上述课题，本发明人进行了深入研究，结果得到了下述发现：通过设计制造方法，可以制造相对于原料配合比的烧结体的组成偏差小且粉粒产生量少的Al-Te-Cu-Zr基合金溅射靶。

基于这样的发现，本发明提供：

1)一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有20原子％～40原子％Te，含有5原子％～20原子％Cu，含有5原子％～15原子％Zr，剩余部分包含Al，溅射靶组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相和Zr相构成。

2)根据上述1)所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的平均粒径为1μm～50μm，最大粒径为100μm以下。

3)根据上述1)或2)中任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的纯度为3N以上，氧含量为3000重量ppm以下。

4)根据上述1)～3)中任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有选自Si、C、Ti、Hf、V、Nb、Ta、镧系元素、Ge、Zn、Co、Ni、Fe、Mg、Ga、S、Se中的任意一种以上元素。

5)根据上述1)～4)中任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的相对密度为90％以上。

另外，本发明提供：

6)一种溅射靶的制造方法，其特征在于，称量Al原料粉末、Te原料粉末、Cu原料粉末、Zr原料粉末以达到所期望的组成，然后将其混合，接着，对得到的混合粉末进行烧结。

7)根据上述6)所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，使用平均粒径为1μm～50μm、最大粒径为100μm以下的原料粉末。

8)根据上述6)或7)所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，在300℃～380℃下进行烧结。

9)根据上述6)～8)中任一项所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，在氩气气氛下进行烧结。

发明效果

本发明的Al-Te-Cu-Zr基合金烧结体溅射靶由于未预先进行合成，因而具有由该合成引起的组成偏差小，可以抑制由组成偏差引起的特性劣化的优良效果。

附图说明

图1为表示溅射靶的粒径的测定部位的图。

图2为实施例1的溅射靶的外观照片。

图3为实施例1的溅射靶的使用FE-EPMA得到的元素分布图。

具体实施方式

本发明的Al-Te-Cu-Zr基合金溅射靶含有20原子％～40原子％Te，含有5原子％～20原子％Cu，含有5原子％～15原子％Zr，剩余部分包含Al。确定各自的组成范围以得到作为电阻变化型记录材料的特性。

另外，本发明的Al-Te-Cu-Zr基合金溅射靶的组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相和Zr相构成。这些相可以通过利用EPMA的组织观察来确认。存在纯Te相时，由于溅射速度大，因此存在下述等问题：发生组成偏差，或者产生结瘤。此外，由于Te的蒸气压高，因此靶中容易产生孔洞，另外，由于热导率低，因此也存在热积聚、容易破裂等问题。然而，如本发明这样，通过使Te形成与其它金属元素的合金相，可以解决上述问题。

在本发明的溅射靶中，优选平均粒径为1μm以上且50μm以下，最大粒径为100μm以下。在由成膜速度不同的相构成的复合材料的情况下，通过减小晶粒尺寸，可以降低溅射靶表面的起伏，由此可以减少结瘤的产生。需要说明的是，如后所述，溅射靶的晶粒尺寸不仅会因原料粉末的粒径调节，而且会因混合方法、烧结条件等而大幅变动。

另外，本发明的溅射靶的氧含量优选为3000重量ppm以下。通过这样降低氧含量，可以抑制由氧含量引起的粉粒的产生，此外，能够提高电阻变化型存储器等器件的特性。另外，杂质元素的存在会降低器件特性，因此，更优选将溅射靶的纯度调节为3N(99.9％)以上。但是，本发明的纯度为不包括作为靶或膜的构成元素和Zr的同族元素的Ti、Hf以及气体成分(C、O、N、H)的纯度。

本发明的溅射靶以Al、Te、Cu、Zr作为主要成分，但是为了调节电阻变化型存储器等器件的特性，可以添加其它成分。例如，可以添加选自Si、C、Ti、Hf、V、Nb、Ta、镧系元素、Ge、Zn、Co、Ni、Fe、Mg、Ga、S、Se中的任意一种以上元素。这些添加物优选以0.1重量％～5.0重量％的量添加，由此可以提高器件性能。

本发明的溅射靶的相对密度优选为90％以上。通过使用这样的致密的靶，可以实现优良的溅射特性。本发明中的相对密度由下式计算。

相对密度＝{(烧结体的密度)/(理论密度)}×100

其中，所述烧结体密度通过用游标卡尺测定烧结体的尺寸，由其体积和测定重量计算出，理论密度如下所示，通过各原料的单体密度乘以混合质量比，并对所得到的值求和来求出。

理论密度＝∑{(各原料的理论密度×混合比)+(各原料的理论密度×混合比)+···}

本发明的Al-Te-Cu-Zr基合金溅射靶例如可以通过以下方法来制作。

首先，准备Al原料粉末、Te原料粉末、Cu原料粉末、Zr原料粉末、以及根据需要的上述添加金属的原料粉末。在本发明中特别重要的是，在不预先合成这些原料粉末的情况下，直接进行烧结。虽然通过预先合成，可以得到原材料变均匀、膜的均匀性提高、而且粉粒减少的优点，但是如上所述，存在在合成的过程中原料的一部分挥发、或者通过合成而得到的合金变得难以处理等问题。另一方面，虽然考虑到对原料粉末在不合成的情况下进行烧结时，会存在多个相，从而粉粒容易增加等问题，但是根据本发明，通过反应烧结将纯Te合金化，由此可以消除这样的问题。

对于这些金属粉末而言，优选使用平均粒径为1μm～50μm、最大粒径为100μm的范围的金属粉末。通过使用这样的粒径的粉末，可以在不降低密度的情况下使氧减少。特别是在平均粒径大于50μm的情况下，有时分散不均匀。

接着，称量上述的原料粉末以达到所期望的组成，以不进行氧化的方式温和地进行混合。混合可以使用一般的粉末用混合机、超声波振动筛等。混合功率过强时，由于会因粒径差、比重差而分离，因此在混合机的情况下，优选尽量低速运转，在超声波振动筛的情况下，优选设定为尽量高的频率。另外，对于球磨机或磨碎机等使用介质的混合方法而言，由于粉末会被压接于介质或罐内壁，因此不优选。为了有效地防止粉末的氧化，优选在真空或惰性气氛下进行混合。在无法在真空或惰性气氛下进行混合处理的情况下，可以通过之后进行氢还原来降低氧含量。

在真空环境或惰性气体气氛下对以这样的方式得到的混合粉末进行烧结。作为烧结方法，可以使用热压法、放电等离子体烧结法、热等静压烧结法等各种加压烧结方法。另外，也可以将混合粉末成形后，对其成形体进行烧结。烧结时的保持温度优选设定为300℃～380℃的温度范围。低于300℃时，密度无法充分地提高，担心在溅射中产生粉粒或电弧放电。另一方面，高于380℃时，Te与Al、Zr发生反应而释放出强烈的反应热，使烧结体熔化，因此不优选。另外，Te为挥发性非常高的原材料，为了不过度产生气体，与真空环境相比，优选在惰性气体(氩气)气氛下进行烧结。

可以根据需要利用切削、抛光等机械加工将通过上述方法制作的AlTeCuZr烧结体、以及添加有其它成分的烧结体制作成规定形状的溅射靶。由此，可以制作具有上述特征的本发明的Al-Te-Cu-Zr基合金溅射靶。

需要说明的是，烧结体的粒径通过以下的方法测定。首先，对靶截面利用SEM(扫描型电子显微镜)在2000倍的视野内对4个部位(参照图1)进行观察。然后，在各自的视野中，根据基于JIS G0551的切割法的评价方法，测定粒径。计算出该4个视野的粒径的平均值作为平均粒径，并计算出4个视野中的最大的粒径作为最大粒径。

实施例

以下，基于实施例和比较例进行说明。需要说明的是，本实施例仅为一例，并不受该例任何限制。即，本发明仅受权利要求书限制，包含本发明中包含的实施例以外的各种变形。

(实施例1)

称量纯度4N的Al原料粉末(平均粒径43μm、最大粒径84μm)、纯度5N的Te原料粉末(平均粒径29μm、最大粒径76μm以下)、纯度4N的Cu原料粉末(平均粒径45μm、最大粒径96μm)、纯度98％的Zr原料粉末(平均粒径13μm、最大粒径42μm以下)以达到Al∶Te∶Cu∶Zr＝38∶39∶12∶11(原子％)的组成。接着，对称量的粉末用旋转式混合机以2000rpm进行30分钟粗混合，接着用超声波振动筛进行混合。超声波的频率设定为35kHz。然后，将从超声波振动筛取出的混合粉末填充在模具中，通过热压进行烧结。热压的条件为氩气气氛、保持温度300℃、保持时间4小时30分钟，从升温开始时至保持结束以面压300kg/cm²进行加压。保持结束后在腔室内原样自然冷却。

用车床将所得到的烧结体切削加工成直径125mm、厚度3mm的形状，制作圆盘状的溅射靶。将该溅射靶的外观照片示于图2。测定该溅射靶的粒径和密度，结果是，平均粒径为16μm，最大粒径为70μm，相对密度为90％。分析的结果是，纯度为3N以上，氧浓度为2700重量ppm。

接着，将其安装至溅射装置，进行溅射。溅射条件为输入功率1kW、Ar气压1.7Pa，在硅基板上成膜20秒。然后，测定附着在基板上的粉粒，结果是，为不存在影响品质的问题的水平。另外，对于溅射后的靶，利用EPMA观察组织。将EPMA的分布图像示于图2。根据图3确认了，靶的组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、TeZr相、Zr相构成。另外，溅射评价的结果是，粉粒(0.4μm以上)为86个，产生率极低。

(实施例2)

除了将热压温度从300℃变为380℃以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由此，得到了纯度3N以上、氧浓度2400重量ppm、相对密度99％、平均粒径29μm、最大粒径89μm的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。另外确认了，烧结体组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、TeZr相、Zr相构成。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件进行溅射，结果是，粉粒(0.4μm以上)极少，为27个。

(实施例3)

除了如表1所述改变Al、Te、Cu、Zr的组成比以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由此，得到了纯度3N以上、氧浓度2500重量ppm、相对密度99％、平均粒径21μm、最大粒径78μm的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。另外确认了，烧结体组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、TeZr相、Zr相构成。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件下进行溅射，结果是，粉粒(0.4μm以上)极少，为35个。

(实施例4)

除了如表1所述改变Al、Te、Cu、Zr的组成比以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由此，得到了纯度3N以上、氧浓度2200重量ppm、相对密度99％、平均粒径34μm、最大粒径97μm的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。另外确认了，烧结体组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、TeZr相、Zr相构成。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件下进行溅射，结果是，粉粒(0.4μm以上)极少，为18个。

(实施例5)

除了添加Si作为添加元素以达到表1所示的组成以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由此，得到了纯度3N以上、氧浓度1900重量ppm、相对密度97％、平均粒径25μm、最大粒径90μm的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。另外确认了，烧结体组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、Si相、TeZr相、Zr相构成。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件下进行溅射，结果是，粉粒(0.4μm以上)极少，为46个。

(实施例6)

除了添加Ti作为添加元素以达到表1所示的组成以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由此，得到了纯度3N以上、氧浓度2900重量ppm、相对密度96％、平均粒径28μm、最大粒径91μm的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。另外确认了，烧结体组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、Si相、TeZr相、Zr相构成。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件下进行溅射，结果是，粉粒(0.4μm以上)极少，为31个。

(实施例7)

除了添加Ge和C作为添加元素以达到表1所示的组成以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由此，得到了纯度3N以上、氧浓度2600重量ppm、相对密度93％、平均粒径30μm、最大粒径88μm的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。另外确认了，烧结体组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、Ti相、TeZr相、Zr相构成。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件下进行溅射，结果是，粉粒(0.4μm以上)极少，为62个。

(比较例1)

称量纯度4N的Al原料粉末(平均粒径43μm、最大粒径84μm)、纯度5N的Te原料粉末(平均粒径29μm、最大粒径76μm以下)、纯度4N的Cu原料粉末(平均粒径45μm、最大粒径96μm)、纯度98％的Zr原料粉末(平均粒径13μm、最大粒径42μm以下)以达到Al∶Te∶Cu∶Zr＝65∶10∶3∶22(原子％)的组成。接着，对称量的粉末用旋转式混合机以2000rpm进行30分钟粗混合，接着用超声波振动筛进行混合。超声波的频率设定为35kHz。然后，将从超声波振动筛取出的混合粉末填充至模具中，通过热压进行烧结。热压的条件为氩气气氛、保持温度300℃、保持时间4小时30分钟，从升温开始时至保持结束以面压300kg/cm²进行加压。保持结束后在腔室内原样自然冷却。

用车床将所得到的烧结体切削加工成直径125mm、厚度3mm的形状，制作圆盘状的溅射靶。测定该溅射靶的粒径和密度，结果是，平均粒径为18μm，最大粒径为72μm，相对密度为99％。分析的结果是，纯度为3N以上，氧浓度为2800重量ppm。

接着，将其安装至溅射装置，进行溅射。溅射条件为输入功率1kW、Ar气压1.7Pa，在硅基板上成膜20秒。然后，测定附着在基板上的粉粒，结果是，为不存在影响品质的问题的水平。确认了靶的组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、TeZr相、Zr相构成。另外，溅射评价的结果是，粉粒(0.4μm以上)减少至59个。但是，对于这样的组成而言，不能得到充分的器件特性。

(比较例2)

除了如表1所述改变Al、Te、Cu、Zr的组成比以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由此，得到了纯度3N以上、氧浓度2700重量ppm、相对密度99％、平均粒径27μm、最大粒径92μm的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。另外确认了，烧结体组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、TeZr相、Zr相构成。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件下进行溅射，结果是，粉粒(0.4μm以上)减少至43个。但是，对于这样的组成而言，不能得到充分的器件特性。

(比较例3)

除了将热压时的保持时间缩短为1小时以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由此，得到了纯度3N以上、氧浓度2600重量ppm、相对密度99％、平均粒径19μm、最大粒径85μm的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。由于保持时间短，因而合金化受到抑制，变成由Al相、Cu相、Te相、Zr相构成的烧结体组织。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件下进行溅射，结果是，产生大量结瘤，粉粒(0.4μm以上)大幅增加至414个。

(比较例4)

除了将热压时的保持时间延长为8小时以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由此，得到了纯度3N以上、氧浓度2700重量ppm、相对密度99％、平均粒径55μm、最大粒径104μm的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。另外确认了，烧结体组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、TeZr相、Zr相构成。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件下进行溅射，结果是，产生大量结瘤，粉粒(0.4μm以上)大幅增加至285个。

(比较例5)

除了将原料粉在大气中放置30分钟以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由此，得到了纯度3N以上、氧浓度3400重量ppm、相对密度99％、平均粒径55μm、最大粒径104μm的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。另外确认了，烧结体组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、TeZr相、Zr相构成。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件下进行溅射，结果是，以靶中所含的氧化物为起点，产生大量电弧放电，粉粒(0.4μm以上)大幅增加至970个。而且，由于氧量多，因此不能得到充分的器件特性。

(比较例6)

除了将热压温度降低为280℃以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由此，平均粒径变为11μm，最大粒径变为53μm。得到了纯度3N以上、氧浓度2700重量ppm、相对密度87％的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。另外确认了，烧结体组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、TeZr相、Zr相构成。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件下进行溅射，结果是，产生大量结瘤，粉粒(0.4μm以上)大幅增加至340个。

(比较例7)

除了将热压温度提高为400℃以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由此，平均粒径变为42μm，最大粒径变为99μm。另外，由于在热压中Te挥发，因此相对密度变为84％。得到了纯度3N以上、氧浓度2600重量ppm的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。另外确认了，烧结体组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、TeZr相、Zr相构成。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件下进行溅射，结果是，产生大量结瘤，粉粒(0.4μm以上)大幅增加至537个。

(比较例8)

除了将热压时的气氛从Ar变为真空以外，在与实施例1同样的条件下制作了烧结体。由于在热压中Te挥发，因此相对密度变为88％。得到了纯度3N以上、氧浓度2700重量ppm、平均粒径33μm、最大粒径94μm的Al-Te-Cu-Zr合金烧结体。另外确认了，烧结体组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相、TeZr相、Zr相构成。接着，使用对该烧结体进行机械加工而制成的靶在与实施例1同样的条件下进行溅射，结果是，产生大量结瘤，粉粒(0.4μm以上)大幅增加至276个。

将以上的结果汇总示于表1。

产业实用性

本发明的Al-Te-Cu-Zr基合金烧结体溅射靶由于组成偏差小，因此具有可以抑制由该组成偏差引起的特性劣化的优良效果。因此，本发明对于稳定地供给作为高品质的电阻变化型记录材料的包含Al-Te基合金的薄膜是有用的。

Claims (9)

1.一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有20原子％～40原子％Te，含有5原子％～20原子％Cu，含有5原子％～15原子％Zr，剩余部分包含Al，溅射靶组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相和Zr相构成。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的平均粒径为1μm～50μm，最大粒径为100μm以下。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的纯度为3N以上，氧含量为3000重量ppm以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有选自Si、C、Ti、Hf、V、Nb、Ta、镧系元素、Ge、Zn、Co、Ni、Fe、Mg、Ga、S、Se中的任意一种以上元素。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的相对密度为90％以上。

6.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，称量Al原料粉末、Te原料粉末、Cu原料粉末、Zr原料粉末以达到所期望的组成，然后将其混合，接着，对得到的混合粉末进行烧结。

7.根据权利要求6所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，使用平均粒径为1μm～50μm、最大粒径为100μm以下的原料粉末。

8.根据权利要求6或7所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，在300℃～380℃下进行烧结。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，在氩气气氛下进行烧结。