CN106756572A - 一种高导电率的复合金属材料及其制备方法 - Google Patents

一种高导电率的复合金属材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106756572A
CN106756572A CN201611079692.9A CN201611079692A CN106756572A CN 106756572 A CN106756572 A CN 106756572A CN 201611079692 A CN201611079692 A CN 201611079692A CN 106756572 A CN106756572 A CN 106756572A
Authority
CN
China
Prior art keywords
matrix
composite material
temperature
graphene layer
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201611079692.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106756572B (zh
Inventor
王举
孙益民
芮定文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qinhuangdao star Polytron Technologies Inc
Original Assignee
ANHUI RUIYAN NEW MATERIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ANHUI RUIYAN NEW MATERIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE Co Ltd filed Critical ANHUI RUIYAN NEW MATERIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE Co Ltd
Priority to CN201611079692.9A priority Critical patent/CN106756572B/zh
Publication of CN106756572A publication Critical patent/CN106756572A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106756572B publication Critical patent/CN106756572B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/007—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
    • C21D1/26—Methods of annealing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/002—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing In, Mg, or other elements not provided for in one single group C22C38/001 - C22C38/60
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/008—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/06—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/10—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing cobalt
    • C22C38/105—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing cobalt containing Co and Ni
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/16—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高导电率的复合金属材料及其制备方法，其复合金属材料包括基体和石墨烯层，基体由以下金属材料按照重量百分比组成：银为2.8wt%‑3.4wt%，铝为1wt%‑2.6wt%，钴为2wt%‑2.8wt%，镍为2.8wt%‑3.4wt%，钙为3wt%‑3.6wt%，锡为1wt%‑2.4wt%，铜为4wt%‑8wt%，余量为铁；其制备方法，包括以下步骤：S1：将基体中的各种金属原料投入真空高温熔炼炉中，真空高温熔炼炉的温度设置为1200‑1500℃以及压强设置为100‑500Pa，此时真空高温熔炼炉中的升温速率为50‑80℃/min，即可得到片状基体。本发明中基体的金属组成材料包含铁、钴、镍等金属材料，便于石墨烯层的生长，使得复合金属材料具有较强的防腐蚀能力和较高的导电率，且石墨烯层通过活化处理，进一步的提高了复合金属材料的导电率。

Description

一种高导电率的复合金属材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及复合金属材料技术领域，尤其涉及一种高导电率的复合金属材料及其制备方法。
背景技术
合金是由两种或两种以上的金属与金属或非金属经一定方法所合成的具有金属特性的物质。合金一般通过熔合成均匀液体和凝固而得。合金的生成常会改善元素单质的性质，例如，钢的强度大于其主要组成元素铁。合金的物理性质，例如密度、反应性、杨氏模量、导
电性和导热性可能与合金的组成元素尚有类似之处，但是合金的抗拉强度和抗剪强度却通常与组成元素的性质有很大不同。正因为合金有着比纯金属更多优越的性质，合金的的使用范围也是越来越广泛。
但是一些常见金属的合金材料在大量的使用过程也日益凸显了其不足，我们在满足了金属和合金材料制品的高导电率性能的同时，该金属和合金材料制品的防腐蚀性能差，使得金属和合金材料制品的高导电率和高防腐蚀性能不可以兼容。因此本申请文件中提出了一种高导电率的复合金属材料及其制备方法。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种高导电率的复合金属材料及其制备方法。
本发明提出的一种高导电率的复合金属材料，包括基体和石墨烯层，基体由以下金属材料按照重量百分比组成：银为2.8wt%-3.4wt%，铝为1wt%-2.6wt%，钴为2wt%-2.8wt%，镍为2.8wt%-3.4wt%，钙为3wt%-3.6wt%，锡为1wt%-2.4wt%，铜为4wt%-8wt%，余量为铁。
优选地，基体由以下金属材料按照重量百分比组成：银为3.1wt%，铝为1.8wt%，钴为2.4wt%，镍为3wt%，钙为3.3wt%，锡为1.7wt%，铜为6wt%，余量为铁。
2、本发明还提出了一种高导电率的复合金属材料的制备方法，包括以下步骤：
S1：将基体中的各种金属原料投入真空高温熔炼炉中，真空高温熔炼炉的温度设置为1200-1500℃以及压强设置为100-500Pa，此时真空高温熔炼炉中的升温速率为50-80℃/min，即可得到片状基体；
S2：将S1所述的片状基体降温至500-600℃，片状基体在500-600℃的温度下进行保温，保温时间为3-8h，保温后的片状基体进行退火处理，退火速率为80-100℃/min，直到片状基体冷却至室温；
S3：将S2所述的片状基体置于真空炉腔内，真空炉腔的压强设置为0-2Pa以及温度设置为400-800℃，同时通入混合保护气体，然后进行升温至800-1200℃，同时通入碳源，使得真空炉腔内部发生碳源反应，碳源的反应时间为10-20min，碳源反应结束后，真空炉腔内的基体自然冷却至室温，制备得到石墨烯层的厚度为5-50nm；
S4：将S3所述的镀有石墨烯层的片状基体在去离子水中浸泡3-6h，然后进行过滤，然后在镀有石墨烯层的片状基体上涂设活化剂，放入反应炉中2-5h，且反应炉中的温度设置为300-700℃，再用去离子水进行洗涤镀有石墨烯层的片状基体，最终干燥以后即可得到高导电率的复合金属材料。
优选地，所述S1中，真空高温熔炼炉的温度设置为1350摄氏度，且真空高温熔炼炉中的升温速率为75℃/min。
优选地，所述S2中，真空高温熔炼炉的退火速率为90℃/min。
优选地，所述S3中，混合保护气体为氩气和氦气的混合气体。
本发明的有益效果：
1、通过基体的组成成份中含有铁、钴、镍等金属材料，使得基体上容易生成一层金属膜，该金属膜有利于催化石墨烯层的生长，且可以避免石墨烯层和基体之间出现结晶现象；
2、通过在基体上渡有石墨烯层，可以避免外界氧气和基体的金属材料进行接触，使得复合金属材料具有较好的防腐蚀性能，且石墨烯层本身就具有较高的比表面积和导电率，使得复合金属材料的导电率高；
3、通过S5的活化处理，基体上的石墨烯层的活化性强，进一步提高了复合金属材料的导电率；
本发明中基体的金属组成材料包含铁、钴、镍等金属材料，便于石墨烯层的生长，使得复合金属材料具有较强的防腐蚀能力和较高的导电率，且石墨烯层通过活化处理，进一步的提高了复合金属材料的导电率。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。
实施例一
本实施例中一种高导电率的复合金属材料及其制备方法，复合金属材料包括基体和石墨烯层，基体由以下金属材料按照重量百分比组成：银为2.8wt%，铝为1wt%，钴为2wt%，镍为2.8wt%，钙为3wt%，锡为1wt%，铜为4wt%，余量为铁；
其制备方法包括以下步骤：
S1：将基体中的各种金属原料投入真空高温熔炼炉中，真空高温熔炼炉的温度设置为1200以及压强设置为100Pa，此时真空高温熔炼炉中的升温速率为50℃/min，即可得到片状基体；
S2：将S1所述的片状基体降温至500℃，片状基体在600℃的温度下进行保温，保温时间为3h，保温后的片状基体进行退火处理，退火速率为80℃/min，直到片状基体冷却至室温；
S3：将S2所述的片状基体置于真空炉腔内，真空炉腔的压强设置为0Pa以及温度设置为400℃，同时通入混合保护气体，然后进行升温至800℃，同时通入碳源，使得真空炉腔内部发生碳源反应，碳源的反应时间为10min，碳源反应结束后，真空炉腔内的基体自然冷却至室温，制备得到石墨烯层的厚度为10nm；
S4：将S3所述的镀有石墨烯层的片状基体在去离子水中浸泡3h，然后进行过滤，然后在镀有石墨烯层的片状基体上涂设活化剂，放入反应炉中2-5h，且反应炉中的温度设置为300℃，再用去离子水进行洗涤镀有石墨烯层的片状基体，最终干燥以后即可得到高导电率的复合金属材料。
实施例二
本实施例中一种高导电率的复合金属材料及其制备方法，复合金属材料包括基体和石墨烯层，基体由以下金属材料按照重量百分比组成：银为3wt%，铝为2wt%，钴为2.4wt%，镍为3wt%，钙为3.4wt%，锡为1.5wt%，铜为6wt%，余量为铁；
其制备方法包括以下步骤：
S1：将基体中的各种金属原料投入真空高温熔炼炉中，真空高温熔炼炉的温度设置为1400℃以及压强设置为250Pa，此时真空高温熔炼炉中的升温速率为65℃/min，即可得到片状基体；
S2：将S1所述的片状基体降温至550℃，片状基体在550℃的温度下进行保温，保温时间为5h，保温后的片状基体进行退火处理，退火速率为90℃/min，直到片状基体冷却至室温；
S3：将S2所述的片状基体置于真空炉腔内，真空炉腔的压强设置为1Pa以及温度设置为600℃，同时通入混合保护气体，然后进行升温至1000℃，同时通入碳源，使得真空炉腔内部发生碳源反应，碳源的反应时间为15min，碳源反应结束后，真空炉腔内的基体自然冷却至室温，制备得到石墨烯层的厚度为25nm；
S4：将S3所述的镀有石墨烯层的片状基体在去离子水中浸泡5h，然后进行过滤，然后在镀有石墨烯层的片状基体上涂设活化剂，放入反应炉中4h，且反应炉中的温度设置为500℃，再用去离子水进行洗涤镀有石墨烯层的片状基体，最终干燥以后即可得到高导电率的复合金属材料。
实施例三
本实施例中一种高导电率的复合金属材料及其制备方法，复合金属材料包括基体和石墨烯层，基体由以下金属材料按照重量百分比组成：银为3.4wt%，铝为2.6wt%，钴为2.8wt%，镍为3.4wt%，钙为3.6wt%，锡为2.4wt%，铜为8wt%，余量为铁；
其制备方法包括以下步骤：
S1：将基体中的各种金属原料投入真空高温熔炼炉中，真空高温熔炼炉的温度设置为1500℃以及压强设置为500Pa，此时真空高温熔炼炉中的升温速率为80℃/min，即可得到片状基体；
S2：将S1所述的片状基体降温至600℃，片状基体在600℃的温度下进行保温，保温时间为8h，保温后的片状基体进行退火处理，退火速率为100℃/min，直到片状基体冷却至室温；
S3：将S2所述的片状基体置于真空炉腔内，真空炉腔的压强设置为2Pa以及温度设置为800℃，同时通入混合保护气体，然后进行升温至1200℃，同时通入碳源，使得真空炉腔内部发生碳源反应，碳源的反应时间为20min，碳源反应结束后，真空炉腔内的基体自然冷却至室温，制备得到石墨烯层的厚度为50nm；
S4：将S3所述的镀有石墨烯层的片状基体在去离子水中浸泡6h，然后进行过滤，然后在镀有石墨烯层的片状基体上涂设活化剂，放入反应炉中5h，且反应炉中的温度设置为700℃，再用去离子水进行洗涤镀有石墨烯层的片状基体，最终干燥以后即可得到高导电率的复合金属材料。
对比常规的合金的导电率与实施例一至三的复合金属材料的导电率，实施例一至三的复合金属材料的导电率比常规的合金的导电率提高百分比如下表：
实施例 一 二 三
防腐蚀性能提高百分比 10% 18% 25%
导电率提高百分比 20% 35% 40%
由上述表格可知，本发明提出的复合金属材料比合金的导电率和防腐蚀性能均具有明显提高。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种高导电率的复合金属材料，其特征在于，包括基体和石墨烯层，基体由以下金属材料按照重量百分比组成：银为2.8wt%-3.4wt%，铝为1wt%-2.6wt%，钴为2wt%-2.8wt%，镍为2.8wt%-3.4wt%，钙为3wt%-3.6wt%，锡为1wt%-2.4wt%，铜为4wt%-8wt%，余量为铁。
2.根据权利要求1所述的一种高导电率的复合金属材料，其特征在于：基体由以下金属材料按照重量百分比组成：银为3.1wt%，铝为1.8wt%，钴为2.4wt%，镍为3wt%，钙为3.3wt%，锡为1.7wt%，铜为6wt%，余量为铁。
3.一种高导电率的复合金属材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将基体中的各种金属原料投入真空高温熔炼炉中，真空高温熔炼炉的温度设置为1200-1500℃以及压强设置为100-500Pa，此时真空高温熔炼炉中的升温速率为50-80℃/min，即可得到片状基体；
S2：将S1所述的片状基体降温至500-600℃，片状基体在500-600℃的温度下进行保温，保温时间为3-8h，保温后的片状基体进行退火处理，退火速率为80-100℃/min，直到片状基体冷却至室温；
S3：将S2所述的片状基体置于真空炉腔内，真空炉腔的压强设置为0-2Pa以及温度设置为400-800℃，同时通入混合保护气体，然后进行升温至800-1200℃，同时通入碳源，使得真空炉腔内部发生碳源反应，碳源的反应时间为10-20min，碳源反应结束后，真空炉腔内的基体自然冷却至室温，制备得到石墨烯层的厚度为5-50nm；
S4：将S3所述的镀有石墨烯层的片状基体在去离子水中浸泡3-6h，然后进行过滤，然后在镀有石墨烯层的片状基体上涂设活化剂，放入反应炉中2-5h，且反应炉中的温度设置为300-700℃，再用去离子水进行洗涤镀有石墨烯层的片状基体，最终干燥以后即可得到高导电率的复合金属材料。
4.根据权利要求3所述的一种高导电率的复合金属材料的制备方法，其特征在于，所述S1中，真空高温熔炼炉的温度设置为1350摄氏度，且真空高温熔炼炉中的升温速率为75℃/min。
5.根据权利要求3所述的一种高导电率的复合金属材料的制备方法，其特征在于，所述S2中，真空高温熔炼炉的退火速率为90℃/min。
6.根据权利要求3所述的一种高导电率的复合金属材料的制备方法，其特征在于，所述S3中，混合保护气体为氩气和氦气的混合气体。
CN201611079692.9A 2016-11-30 2016-11-30 一种高导电率的复合金属材料及其制备方法 Active CN106756572B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611079692.9A CN106756572B (zh) 2016-11-30 2016-11-30 一种高导电率的复合金属材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611079692.9A CN106756572B (zh) 2016-11-30 2016-11-30 一种高导电率的复合金属材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106756572A true CN106756572A (zh) 2017-05-31
CN106756572B CN106756572B (zh) 2019-05-17

Family

ID=58901128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611079692.9A Active CN106756572B (zh) 2016-11-30 2016-11-30 一种高导电率的复合金属材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106756572B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109371278A (zh) * 2018-12-20 2019-02-22 宿迁学院 一种高磁性耐高温复合金属材料及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104464955A (zh) * 2014-11-28 2015-03-25 中国科学院金属研究所 规模化制备大面积、高性能石墨烯复合透明导电膜的方法
CN105441804A (zh) * 2015-11-13 2016-03-30 太仓旺美模具有限公司 一种抗冲击的复合金属材料

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104464955A (zh) * 2014-11-28 2015-03-25 中国科学院金属研究所 规模化制备大面积、高性能石墨烯复合透明导电膜的方法
CN105441804A (zh) * 2015-11-13 2016-03-30 太仓旺美模具有限公司 一种抗冲击的复合金属材料

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109371278A (zh) * 2018-12-20 2019-02-22 宿迁学院 一种高磁性耐高温复合金属材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106756572B (zh) 2019-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103352137B (zh) 用于电力开关弹簧触头的高强高导铜合金及其制备方法
CN103014507A (zh) 一种粉末冶金法兰及制备方法
CN103100720A (zh) 一种高纯低气铬粉的制备方法
CN107442740A (zh) 一种蓄电池板栅铸造用脱模剂及其制备方法
CN103952653A (zh) 热冲压成形钢用抗高温氧化镀层材料以及热浸渡工艺
CN105097130A (zh) 一种含有石墨烯的高强度、高导电率铜或铜合金导线的制备方法
CN102814501B (zh) 一种超低氧铬粉的制备方法
CN108754144B (zh) 低铁含量高品质海绵钛的生产方法
CN106756572A (zh) 一种高导电率的复合金属材料及其制备方法
CN102660698B (zh) 含钛储氢合金的真空感应熔炼方法
CN106521202A (zh) 一种钼铪合金板材的制备方法
CN103938002B (zh) 一种铜铬锆合金铸棒降低偏析的真空熔炼工艺
CN103060745B (zh) 对金属表面进行镀钛、渗钛从而形成合金的表面处理工艺
CN108774698A (zh) 一种铁铬铝合金板及其制备方法
CN107512902A (zh) 一种多纤维强化的镁铝碳耐火材料及其制备工艺
CN107034375A (zh) 一种利用氢化钛粉制备高致密度钛制品的方法
CN110421004A (zh) 一种氧化铝弥散强化铜大块板带材料的制备方法
CN107022702A (zh) 用于热冲压成形的铝基镀层材料及其冶炼方法
CN104294070A (zh) 一种低温烧结制备含Mg铝合金的方法
CN104357694A (zh) 一种高硬度钨合金材料的制造方法
CN113172211A (zh) 一种石墨烯铜基增强导热膜的制备方法
CN103045924A (zh) 一种电子束熔炼制备钨电极材料的方法
UA92714C2 (ru) Способ получения изделий из титановых сплавов
CN105506327A (zh) 一种高强度导电铜合金及其制备方法
CN111099583B (zh) 石墨烯与纳米银的高效复合合成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20190107

Address after: 102500 No. 1, 1 District, Gu Ba Road, Chengguan Street, Fangshan District, Beijing -S649

Applicant after: Beijing fast wise Technology Co., Ltd.

Address before: Room 201, 226 and 227 of Kechuang Center Software Park, Wuhu Economic and Technological Development Zone, Anhui Province

Applicant before: ANHUI RUIYAN NEW MATERIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE CO., LTD.

TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20190419

Address after: 066000 Jinghe Road No. 6, Qinhuangdao Economic and Technological Development Zone, Hebei Province

Applicant after: Qinhuangdao star Polytron Technologies Inc

Address before: 102500 No. 1, 1 District, Gu Ba Road, Chengguan Street, Fangshan District, Beijing -S649

Applicant before: Beijing fast wise Technology Co., Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant