CN106714456B - 一种金属铜基板上高精密数控v-cut揭盖的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种金属铜基板上高精密数控V‑CUT揭盖的方法，包括：按照设定规则进行拼版，然后控制V‑CUT机沿拼版后形成的V‑CUT中心线进行控深切割，切割后手动进行揭盖。本发明将单元板揭盖边沿线设计在同一条直线上，因此可以有效提高生产时的效率；而且本发明通过双面V‑CUT切割深度至金属铜基板的耐高温保护膜，避免了对金属铜基的损伤；另外本发明在生产同一产品时，只需要做一次FA首件确认即可，且在生产前，不需要进行刨床处理，可直接进行生产，有效降低了生产成本。

Description

一种金属铜基板上高精密数控V-CUT揭盖的方法
技术领域
本发明属于印制线路板制造领域，具体涉及的是一种金属铜基板上高精密数控V-CUT揭盖的方法。
背景技术
PCB是电子元器件的支撑体和电子元器件电气连接的提供者。随着电子技术的快速发展，对PCB的制造提出了更高的要求，而作为电子产品最基础部分的PCB应用非常广泛。PCB根据电路层数可分为单面板、双面板和多层板。常见的多层板一般为4层板或6层板，复杂的多层板可达几十层。一整块大的PCB线路板又叫多单元板，在V-CUT机上面使用线路板V-cut刀进行V槽，可使多单元板V-CUT成单元板，以方便电子产品后续的工作。
V-CUT 是指V形切割，即一刀下去不把板子切透，在板子背面同样的位置再切一刀也不切透，要切割的地方从截面来看是上下两个V形的，只有中间连着，所以要是双面V-CUT效果就是只要轻轻一掰，PCB板就会断开，一般用来做拼板或加工艺边用的，在贴完芯片后出厂时掰断。
目前对于金属铜基板进行高精密V-CUT揭盖主要以设备台面为参考面，向上计算，其直接控制的是产品的余厚。这种对金属铜基板V-CUT揭盖的方式存在以下缺陷：
一、为保证金属铜基板的装配及良好的导电性，在设计时会将印制电路板的部分铜基露出在外，并对该部分金属铜基进行表面处理保护。故印制电路板企业在设计时，需对该部分铜基进行选择性PP填胶压合（贴耐高温保护膜），压合后制程的外形成型时，需撕去耐高温保护膜及保护膜上的PP、铜皮，以往会设计成控深盲锣（捞）流程，沿着保护膜层锣开并手动撕去保护膜，因此其流程控深锣生产效率低、速度慢、生产成本高、品质良率低；
二、设备台面、电木板、纸板的凹凸不平，会导致主轴存在高低差，所以在生产同一产品每次更换锣针（锣刀）时，都需重新做FA首件确认，且需要在生产前对纸板进行刨床处理。
三、在生产时，此盲锣（捞）方式，每次只能单面生产，如遇有需双面揭盖的产品时，需人为调整至另外一面，才能继续生产。
四、由于台面的差异，导致主轴控深的高度差异，在生产时会有金属铜基损伤风险。
发明内容
为此，本发明的目的在于提供一种生产效率高、速度快、成本低、不会损伤铜基的高精密数控V-CUT揭盖方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
一种金属铜基板上高精密数控V-CUT揭盖的方法，包括：
按照设定规则进行拼版，然后控制V-CUT机沿拼版后形成的V-CUT中心线进行控深切割，切割后手动进行揭盖。
优选地，按照设定规则进行拼版具体包括：
将位于同一侧的所有单元板的揭盖边沿线与V-CUT中心线设计在同一条直线上。
优选地，将若干个位于同一侧的所有第一单元板的揭盖边沿线与第一V-CUT中心线设计在同一条直线上；
将若干个位于另一对立侧的所有第二单元板的揭盖边沿线与第二V-CUT中心线设计在同一条直线上；
其中第一V-CUT中心线与第二V-CUT中心线平行，且二者之间形成有一定间距。
优选地，控制V-CUT机沿拼版后形成的V-CUT中心线进行控深切割包括：
使用全自动高精密数控V-CUT机，采用30度的钻石V-CUT刀沿第一V-CUT中心线从金属铜基板双面进行切割，且切割深度至金属铜基板的耐高温保护膜；
使用全自动高精密数控V-CUT机，采用30度的钻石V-CUT刀沿第二V-CUT中心线从金属铜基板双面进行切割，且切割深度至金属铜基板的耐高温保护膜。
优选地，所述V-CUT刀切割深度控制为单边切割至0.2mm。
优选地，切割后手动进行揭盖包括：
将第一V-CUT中心线与第二V-CUT中心线之间的耐高温保护膜及PP半固化片、铜皮撕掉，完成揭盖。
本发明与现有技术相比，有益效果在于：本发明将单元板揭盖边沿线设计在同一条直线上，因此可以有效提高生产时的效率；而且本发明通过双面V-CUT切割深度至金属铜基板的耐高温保护膜，避免了对金属铜基的损伤；另外本发明在生产同一产品时，只需要做一次FA首件确认即可，且在生产前，不需要进行刨床处理，可直接进行生产，有效降低了生产成本。
附图说明
图1为本发明铜基板双面V-CUT的剖面结构示意图；
图2为本发明铜基板正面V-CUT的俯视图。
图中标识说明：金属铜基10、耐高温保护膜20、PP膜30、铜箔层40、第一V-CUT中心线50、第二V-CUT中心线60、第一单元板70、第二单元板80、V-CUT刀90。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
针对传统金属铜基板进行高精密V-CUT揭盖时，存在生产效率低、成本高，以及存在金属铜基损伤风险的问题，本实施例提供了一种金属铜基板上高精密数控V-CUT揭盖的方法，该方法具有生产效率高、速度快、成本低、以及不会损伤铜基等优点。
请参阅图1所示，图1为本发明铜基板双面V-CUT的剖面结构示意图。本发明铜基板包括金属铜基10，设置于金属铜基10正方两面的耐高温保护膜20，设置于耐高温保护膜20外侧面的PP膜30，以及位于两PP膜30外侧的铜箔层40。
对于铜基板而言，由若干单元板构成，本实施例中以两排四块单元板为例进行说明。
其中包括位于一侧的一排的两块第一单元板70和位于另一侧的一排两块第二单元板80，两块第一单元板70的揭盖边沿线位于同一直线上，形成了第一V-CUT中心线50；而两块第二单元板80的揭盖边沿线位于同一直线上，形成了第二V-CUT中心线60，且第一V-CUT中心线50与第二V-CUT中心线60相互平行，且二者之间形成有一定的间隙（见图2）。
利用V-CUT刀90沿着图2中的第一V-CUT中心线50进行双面切割，且切割深度将耐高温保护膜20切穿而不损伤金属铜基10；同样地，在完成上述切割之后，利用V-CUT刀90沿着图2中的第二V-CUT中心线60进行双面切割，且切割深度将耐高温保护膜20切穿而不损伤金属铜基10。
本发明具体工作原理为：按照设定规则进行拼版，然后控制V-CUT机沿拼版后形成的V-CUT中心线进行控深切割，切割后手动进行揭盖。
首先将位于同一侧的所有单元板的揭盖边沿线与V-CUT中心线设计在同一条直线上。
然后将若干个位于同一侧的所有第一单元板的揭盖边沿线与第一V-CUT中心线设计在同一条直线上；将若干个位于另一对立侧的所有第二单元板的揭盖边沿线与第二V-CUT中心线设计在同一条直线上；其中第一V-CUT中心线与第二V-CUT中心线平行，且二者之间形成有一定间距。
之后则使用全自动高精密数控V-CUT机，采用30度的钻石V-CUT刀沿第一V-CUT中心线从金属铜基板双面进行切割，且切割深度至金属铜基板的耐高温保护膜；使用全自动高精密数控V-CUT机，采用30度的钻石V-CUT刀沿第二V-CUT中心线从金属铜基板双面进行切割，且切割深度至金属铜基板的耐高温保护膜。在只有一层铜箔层和PP的情况下，V-CUT刀切割深度控制为单边切割至0.2mm即可不伤金属铜基。
最后将第一V-CUT中心线与第二V-CUT中心线之间的耐高温保护膜及PP半固化片、铜皮撕掉，完成揭盖。
本实施例为保证金属铜基板的装配及良好的导电性，在设计时会将印制电路板的部分铜基露出在外，并对该部分金属铜基进行表面处理保护。故印制电路板企业在设计时，需对该部分铜基进行压合（贴耐高温保护膜），压合后制程的外形成型时，需撕去耐高温保护膜及保护膜上的PP、铜皮。本实施例利用拼版，控制V-CUT机沿拼版后形成的V-CUT中心线进行控深切割，从而完成揭盖，大大提高了生产效率，降低了生产成本，保证了生产的品质。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种金属铜基板上高精密数控V-CUT揭盖的方法，其特征在于，包括：
按照如下规则拼版：进行将若干个位于同一侧的所有第一单元板的揭盖边沿线与第一V-CUT中心线设计在同一条直线上；将若干个位于另一对立侧的所有第二单元板的揭盖边沿线与第二V-CUT中心线设计在同一条直线上,其中第一V-CUT中心线与第二V-CUT中心线平行，且二者之间形成有一定间距进行；
然后使用全自动高精密数控V-CUT机，采用30度的钻石V-CUT刀沿第一V-CUT中心线从金属铜基板双面进行切割，且切割深度至金属铜基板的耐高温保护膜；使用全自动高精密数控V-CUT机，采用30度的钻石V-CUT刀沿第二V-CUT中心线从金属铜基板双面进行切割，且切割深度至金属铜基板的耐高温保护膜，切割后手动进行揭盖。
2.如权利要求1所述的金属铜基板上高精密数控V-CUT揭盖的方法，其特征在于，所述V-CUT刀切割深度控制为单边切割至0.2mm。
3.如权利要求1所述的金属铜基板上高精密数控V-CUT揭盖的方法，其特征在于，切割后手动进行揭盖包括：将第一V-CUT中心线与第二V-CUT中心线之间的耐高温保护膜及PP半固化片、铜皮撕掉，完成揭盖。
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