CN106711127A - 放电板以及放电系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种放电板以及放电系统，涉及微电子技术领域，包括：电路板、MOS管以及防静电装置，MOS管与所述电路板互相连接，MOS管设置于所述电路板上，电路板通过所述MOS管控制电流，防静电装置设置于所述MOS管的外部，通过防静电装置在MOS管的外部，保护MOS管不受外界静电的干扰，使MOS管免受静电破坏，从而解决了现有技术中存在的MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿的技术问题。

Description

放电板以及放电系统

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，尤其是涉及一种放电板以及放电系统。

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(metaloxidesemiconductor，简称MOS管)的源极和耗尽层是可以对调的，他们都是在P型背栅中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比。另一种晶体管，叫做场效应晶体管(Field Effect Transistor，简称FET)，它把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的输出电流的变化和输入电压变化之比，市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。

但是，一般在MOS管的使用过程中都非常注意防静电破坏。MOS管的栅极源极间最大额定电压约为±20V，如果驱动电压超出这个范围,就很有可能永久损坏MOS管，主要是因为MOS管输入阻抗大的特点，电荷不能及时的流走，积聚在栅极，就会造成MOS管栅极和源极之间的电压大于这个±20V的范围，这时MOS管就可能损坏。这就是一定不能用手去摸MOS管引脚的原因，手上的静电高达千伏，MOS管一下子就会被击穿了。因此，MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种放电板以及放电系统，以解决现有技术中存在的MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种放电板，包括：电路板、MOS管以及防静电装置；

所述MOS管与所述电路板互相连接；

所述MOS管设置于所述电路板上；

所述电路板通过所述MOS管控制电流；

所述防静电装置设置于所述MOS管的外部。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述MOS管的数量为11个；

所述防静电装置设置于每个所述MOS管的外部。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述防静电装置包括绝缘层、抗静电膜、磁场屏蔽罩中至少一种。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述防静电装置上还设置有接地装置；

所述接地装置与地面连接。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，每个所述MOS管与所述电路板之间活动连接。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，还包括检测装置；

每个所述检测装置与每个所述MOS管连接，检测所述MOS管的故障情况。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，还包括故障显示装置；

所述故障显示装置与所述检测装置连接，显示每个所述MOS管的故障信息。

第二方面，本发明实施例还提供一种放电系统，包括：负载以及如第一方面的放电板；

所述放电板与所述负载连接；

所述放电板为所述负载提供放电电流。

结合第二方面，本发明实施例提供了第二方面的第一种可能的实施方式，其中，所述MOS管通过脉冲信号控制通断；

每个所述MOS管通过加载2A直流控制所述负载的放电电流值驱动所述负载。

结合第二方面，本发明实施例提供了第二方面的第二种可能的实施方式，其中，所述负载为电极与加工件。

本发明实施例提供的技术方案带来了以下有益效果：本发明实施例提供的放电板包括：MOS管、电路板与防静电装置，该MOS管设置于该电路板上，且MOS管与电路板互相连接，其中，电路板通过MOS管控制电流，而防静电装置设置于MOS管的外部，通过防静电装置在MOS管的外部，保护MOS管不受外界静电的干扰，使MOS管免受静电破坏，从而解决了现有技术中存在的MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿的技术问题。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的放电板的侧视结构示意图；

图2为本发明实施例提供的放电板的部分结构示意图；

图3为本发明实施例提供的放电板的另一部分结构示意图；

图4为本发明实施例提供的放电系统的结构示意图。

图标：1-放电板；11-电路板；12-MOS管；13-防静电装置；14-接地装置；15-检测装置；16-故障显示装置；2-放电系统；21-负载。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

目前MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿，基于此，本发明实施例提供的一种放电板以及放电系统，可以解决现有技术中存在的MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿的技术问题。

为便于对本实施例进行理解，首先对本发明实施例所公开的一种放电板以及放电系统进行详细介绍。

实施例一：

本发明实施例提供的一种放电板1，如图1所示，包括：电路板11、MOS管12以及防静电装置13，MOS管12与电路板11互相连接，MOS管12设置于电路板11上，电路板11通过MOS管12控制电流，防静电装置13设置于MOS管12的外部。

其中，MOS管12能够控制电压，且控制方式比较方便。而且MOS管12的体积小，重量轻，寿命长。再者，MOS管12输入电阻高，噪声低，热稳定性好，抗干扰能力强，功能消耗低。并且，MOS管12与普通三极管的驱动方式不同，MOS管12是电压控制，需要的驱动电流非常微小，而三极管是电流控制，需要大电流驱动。

作为本实施例的优选实施方式，MOS管12的数量为11个，防静电装置13设置于每个MOS管12的外部。因此，每个MOS管12上都能够具有防静电功能。

进一步的是，防静电装置13包括绝缘层、抗静电膜、磁场屏蔽罩中至少一种。防静电装置13可以为绝缘层，实现每个MOS管12表面都设置一层绝缘层。

作为本实施例的另一种实施方式，防静电装置13还可以为抗静电膜，该抗静电膜能够防止MOS管12表面的静电积累，以此来防止MOS管12的损坏。

需要说明的是，防静电装置13还可以为磁场屏蔽罩，也就是在MOS管12的外部设置一个磁场屏蔽罩，也可以实现对MOS管12表面静电积累的减少。

如图2所示，防静电装置13上还设置有接地装置14，接地装置14与地面连接，接地装置14可以将静电释放，以此加强对MOS管12的保护作用。

此外，每个MOS管12与电路板11之间活动连接，具体的说，MOS管12与电路板11之间是可拆分的，MOS管12在电路板11上可以被插拔，实现MOS管12的更换。因此MOS管12是可插拔的装置，用以在电路板11上选择不同品种的MOS管12。

因此，当11个MOS管12中的某个MOS管12被静电击穿或出现其他故障时，在电路板11上可以随意更换MOS管12，仅需要更换出现故障的那个MOS管12。因此，不需要在某一个或某几个MOS管12出现损坏的情况下，更换整个板子，造成部件的浪费。

如图3所示，放电板1还包括检测装置15，每个检测装置15与每个MOS管12连接，检测MOS管12的故障情况。

需要说明的是，MOS管12为压控元件，只要加到MOS管12的压控元件所需的电压就能使它导通，MOS管12的导通和三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小，MOS管12具有开关作用，去掉这个控制电压就截止。

本发明实施例中的MOS管12属于场效应晶体管中的绝缘栅型，因此，MOS管12有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOS管主要是判断电位。

如图3所示，放电板1还包括故障显示装置16，故障显示装置16与检测装置15连接，显示每个MOS管12的故障信息。从而形成每个MOS管12的内部自动检测功能，可以在检测装置15检测到MOS管12无故障时，故障显示装置16显示绿灯，在检测装置15检测到MOS管12出现故障时，故障显示装置16显示红灯，也可以发出预警报音。

作为本实施例的优选实施方式，检测装置15中还可以设置有处理器，实现对MOS管12检测到的信息的处理，从而使故障显示装置16执行正确的故障显示。

现有的MOS管在使用时，不允许用手碰触MOS管的引脚,为了防止MOS管被静电破坏,人们在使用MOS管时，不得不严格按照规章制度操作,带上防静电手套等。特别是在北方干燥的气候，人的手只要碰触到MOS管，就易产生静电，因此MOS管极易损坏。因此，静电问题是MOS管的薄弱之处。

本实施例中，增加绝缘层、抗静电膜、磁场屏蔽罩等形式的防静电装置13，以及接地装置14等，保护了MOS管12不受外界静电的干扰，使MOS管12免受静电破坏。本实施例增加的检测装置15、故障显示装置16，实现了及时检测的功能，也使MOS管12的使用更加便捷，减小静电击穿带来的影响。

实施例二：

本发明实施例提供的一种放电系统2，如图4所示，包括：负载21以及上述实施例一提供的放电板1，放电板1与负载21连接，放电板1为负载21提供放电电流。

作为一个优选方案，MOS管12通过脉冲信号控制通断，每个MOS管12通过加载2A直流控制负载21的放电电流值驱动负载21。

作为本实施例的另一种实施方式，负载21也可以为电极与加工件。

另外，放电系统2可以应用于电火花机床控制系统，放电系统2能够作为该电火花机床控制系统中的某个功能电路板。其中，放电系统2可以为该电火花机床控制系统提供放电板的功能。

具体的，放电系统2中设置有11个通道的MOS管12，MOS管12通过脉冲信号控制通断，每一个通道加载2A直流，当MOS管12导通时，驱动负载21，即控制电极与加工件的放电电流大小。

本发明实施例中的电火花机(Electrical Discharge Machining，简称EDM)是一种机械加工设备，主要用于电火花机加工。广泛应用在各种金属模具、机械设备的制造中。电火花机是利用浸在工作液中的两极间脉冲放电时产生的电蚀作用蚀除导电材料的特种加工方法，又称放电加工或电蚀加工。

对于现有技术而言，一般在MOS管的使用过程中都非常注意防静电破坏。原因在于，MOS管的栅极源极间最大额定电压约为±20V，如果驱动电压超出这个范围，就很有可能永久损坏MOS管，主要是因为MOS管输入阻抗大的特点，电荷不能及时的流走，积聚在栅极，就会造成MOS管栅极和源极之间的电压大于这个±20V的范围，这时MOS管就可能损坏。这就是一定不能用手去摸MOS管引脚的原因，手上的静电高达千伏，MOS管一下子就会被击穿了。因此，MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿。

通过提供放电系统2，防静电装置13在MOS管12的外部，保护MOS管12不受外界静电的干扰，使MOS管12免受静电破坏，从而解决了现有技术中存在的MOS管12对静电比较敏感，极其容易被静电击穿的技术问题。

本发明实施例提供的放电系统，与上述实施例提供的放电板具有相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置等，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

处理器可以是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路的指令完成。上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，简称CPU)、等、网络处理器(Network Processor，简称NP)；还可以是数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现成可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。处理器中还可以包括存储器，处理器读取存储器中的信息，结合其硬件来实现。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的信息。

另外，在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种放电板，其特征在于，包括：电路板、MOS管以及防静电装置；

所述MOS管与所述电路板互相连接；

所述MOS管设置于所述电路板上；

所述电路板通过所述MOS管控制电流；

所述防静电装置设置于所述MOS管的外部。

2.根据权利要求1所述的放电板，其特征在于，所述MOS管的数量为11个；

所述防静电装置设置于每个所述MOS管的外部。

3.根据权利要求1或2所述的放电板，其特征在于，所述防静电装置包括绝缘层、抗静电膜、磁场屏蔽罩中至少一种。

4.根据权利要求1或2所述的放电板，其特征在于，所述防静电装置上还设置有接地装置；

所述接地装置与地面连接。

5.根据权利要求1或2所述的放电板，其特征在于，每个所述MOS管与所述电路板之间活动连接。

6.根据权利要求1或2所述的放电板，其特征在于，还包括检测装置；

每个所述检测装置与每个所述MOS管连接，检测所述MOS管的故障情况。

7.根据权利要求6所述的放电板，其特征在于，还包括故障显示装置；

所述故障显示装置与所述检测装置连接，显示每个所述MOS管的故障信息。

8.一种放电系统，其特征在于，包括：负载以及权利要求1-7任一项所述的放电板；

所述放电板与所述负载连接；

所述放电板为所述负载提供放电电流。

9.根据权利要求8所述的放电系统，其特征在于，所述MOS管通过脉冲信号控制通断；

每个所述MOS管通过加载2A直流控制所述负载的放电电流值驱动所述负载。

10.根据权利要求8所述的放电系统，其特征在于，所述负载为电极与加工件。