CN2065795U - Mos集成电路防静电保护器 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于电子器件，特别是一种MOS电路的防静电保护器。MOS电路包含了CMOS、PMOS、VMOS、NMOS、TMOS等电路形式，较高的输入阻抗使得该器件接入电路前常出现静电击穿。本防静电保护器采用在集成电路的外壳上卡附或贴附导电材料使电路各脚连通。处于同一电位。保护器的结构是金属材料冲压成型或者是内沿具有导电层的注塑结构成型。可杜绝MOS电路在接入电路前出现击穿现象。

Description

本实用新型属于电子器件，特别是一种MOS集成电路防静电保护器。

MOS集成电路是金属一氧化物一半导体场效应集成电路简称，分CMOS、PMOS、NMOS等多种电路形式。特别是CMOS集成电路因其具有功耗低、工作电压范围宽。抗干扰能力强，逻辑摆幅大，输入阻抗高，输出能力强，成本低等一系列特点，广泛应用于空间电子设备，军、民电子产品及工业控制设备中。使用量之大仅次于TTL集成电路。但是，由于各种MOS集成电路具有较高输入阻抗，使该类器件在未接入电路前。由于感应电场，摩擦等产生的静电就很难得以泄放，造成内电路的击穿，直接影响了MOS集成电路的使用率。因而对于焊接工具、包装及使用环境要求较为苛刻。现有的焊接工具处理MOS电路时要进行良好接地，成本高，不方便。包装又必须使用塑料包装。但是，无论如何，还不能彻底杜绝MOS集成电路发生击穿的机会。器件使用率下降，使用工具成本较高。

本实用新型集成电路保护器目的是保护集成电路在进行焊接或包装运输时不因静电感应被击穿，提高使用率。

本保护器的特征是：保护器自上方卡附或贴附在器件以后，保护器内沿的导电体或导电材料与电路各脚连通。与器件各脚同电位，使得静电荷能得以及时泄放，避免了电路发生静电击穿。

本保护器可以是全金属材料成型、内沿具有导电层或导电材料的注塑件或其它导电材料成型及具有相互导通的导电材料与不干胶间隔贴附形式。

本保护器具有多次使用性，并采用环绕形的由上方卡附或边卡附形式及金属箔材围绕式等方法使用。

本保护器可以是在以上基础上加透明上盖的结构。

图1是防静电保护器金属材料成型结构示意图。

图2是防静电保护器注塑的内沿具有导电层的注塑结构防静电保护器结构示意图。

本技术通过卡附或贴附在MOS集成电路器件上的保护器，从根本上杜绝了MOS电路在接入电路通电前的焊接等造成的静电击穿，适用于任何环境中，进行存贮，运输，使用。对焊接工具，工作间环境无特殊要求。由于保护器卡附或贴附在MOS器件后，具体尺寸与原器件比变化不大，所以外包装仍可采用现行的条包装或直接采用纸盒包装，可大大降低包装成本。本保护器在器件测量前或接入电路通电前或插入焊接后可方便取下，并可反复使用因其具有以上方便性和良好的保护性能。广泛适用于MOS电路生产厂家，销售单位，电子工作人员使用，同时能保证器件使用率达到100％。

Claims (1)

1、一种MOS集成电路静电保护器，其特征在于所述保护器是一种金属材料冲压成型，或内沿具导电材料的注塑件及相互导通的导电材料与不干胶间隔的贴附形式，保护器内沿的导电体或导电材料与集成电路各脚连通。

Images