CN106602900A - 一种高低边自举驱动控制方法及装置 - Google Patents

一种高低边自举驱动控制方法及装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种高低边自举驱动控制方法及装置，包括：检测高边管及低边管所在电路的电路特性；当电路特性满足预定条件时，根据预设策略控制高边管及低边管输出特定的驱动波形；预设策略包括：配置高边管工作于闭环状态，配置低边管工作于开环状态，在一个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，高边管与低边管的开关周期相同且同步。本发明公开的高低边自举驱动控制方法及装置，能够解决某些应用场所高边管及低边管驱动无法正常应用自举驱动，并避免增加成本及电路复杂度。

Description

一种高低边自举驱动控制方法及装置
技术领域
本发明涉及电力电子领域，尤其涉及一种高低边自举驱动控制方法及装置。
背景技术
随着工业发展，绿色节能呼声日渐升高。电力电子应用于工业设备的基础性组件，比如电源、变频器产品，对主设备的能耗至关重要；其转换效率，直接影响了主设备的能耗等级。在设备更新迭代急剧加速、空间要求日益提高的今天，电力电子产品需要顺应时代的要求，朝着高效率、高功率密度、数字化发展；尤其近年来，随着新型半导体开关器件的出现，电力电子将进入下一个全新时代。
在电力电子技术中，高低边驱动为常用的应用场景，驱动方式常采用光耦驱动、变压器驱动以及自举驱动。光耦驱动一般应用在隔离场所，须增加额外辅助电路，隔离供电电源，电路相对复杂，成本高，难以集成，占用空间大，不利于模块化设计。变压器驱动通常应用在高频驱动隔离场所，变压器驱动常常需要较复杂的辅助电路，成本高，体积大，一般应用在大功率场所，也不适用于模块化设计。自举驱动一般采用专用集成电路(IC，IntegratedCircuit)集成，外围元器件少，易于集成、模块化设计，电路相对简单，成本低，在电力电子领域有着广泛的应用，自举驱动一般采用互补工作模式，以维持高边自举电容电压。
高低边开关管驱动在开关电源领域应用十分广泛，比如桥式电路、图腾柱功率因素校正(PFC，Power Factor Correction)电路、BUCK同步整流电路、BOOST同步整流电路，针对上述拓扑结构，高低边开关管驱动方式一般采用自举驱动，即当低边管导通时，通过低边管对自举电容充电，以维持自举电容的电压，这要求高边管和低边管工作在互补模式，但是在某些拓扑结构中，高边管及低边管不宜工作在互补模式，另外，由于成本和空间的限制，亦不能采用光耦驱动或变压器驱动。
图1为现有技术中图腾柱无桥PFC电路的示意图。如图1所示，在连续导通模式(CCM，Continuous Conduction Mode)的图腾柱PFC电路中，针对高边管Q1、低边管Q2驱动，如采用互补模式的自举驱动，在轻载时电路将工作在断续导通模式(DCM，Discontinuous Conduction Mode)，电感电流续流到零后，电感电流反灌；低频臂普通整流桥管(整流二极管D1或D2)因承受反压，存在反向恢复电流；普通慢速整流桥工作在高频开关状态，产生很大的反相损耗和干扰。
接下来以正向输入为例说明图腾柱无桥PFC电路的工作过程，驱动波形与电感电流(IL)波形如图2所示，主要分为以下三个阶段：
第一阶段S001：主管(低边管Q2)开通，辅管(高边管Q1)关断，电感储能，电流流向如图3所示，线性增加；
第二阶段S002：主管(低边管Q2)关断，辅管(高边管Q1)开通，电感释放能量，电流流向如图4所示，线性减少；
第三阶段S003：电感电流下降零以后，整流二级管承受反压，因其存在反向恢复，电感电流反向如图5所示。
另外，图腾柱无桥PFC电路若采用单管导通自举驱动方式，在输入电压反向时，在轻载下，由于电感电流较小，每个开关周期无法对高边管自举电容充足够电，将无法维持自举电容电压，导致驱动异常；尤其打嗝时，直接导致自举电容电量泄放，虽然控制器发出了驱动信号，但驱动芯片无法正常驱动。
由上述可知，在图腾柱PFC电路中，高边管及低边管的自举驱动采用互补模式存在较大干扰以及反向损耗、发热严重的问题；采用单管导通自举驱动方式，则当存在反向输入时，高边管自举电容无法维持电压正常驱动。为此，业界多采用光耦隔离驱动或增加电感电流过零检测电路来解决上述问题，然而，该做法增加了成本以及电路的复杂度。
图6为直流至直流(DC-DC，Direct Current to Direct Current)两级拓扑高边管及低边管驱动的示意图。如图6所示，在DC-DC两级拓扑应用中，前级同步BUCK电路，在输入电压低时，高边管Q1须工作在直通状态，非互补模式，即低边管Q2工作在常闭状态，高边管Q1工作在常开状态。但是，由于低边管Q2常闭时无法对高边的自举电容充电，会导致高边管Q1无法驱动。现有针对上述问题也只能采用光耦或变压器单独驱动，但是，这无疑将增加成本以及电路的复杂度。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种高低边自举驱动控制方法及装置，能够解决某些应用场所高边管及低边管驱动无法正常应用自举驱动的问题，并且避免增加成本以及电路的复杂度。
为了达到上述技术目的，本发明提供一种高低边自举驱动控制方法，包括：检测高边管及低边管所在电路的电路特性；当所述电路特性满足预定条件时，根据预设策略控制高边管及低边管输出特定的驱动波形；其中，所述预设策略包括：配置高边管工作于闭环状态，高边管的脉冲宽度调制(PWM，Pulse Width Modulation)驱动波形占空比由电路环路确定，配置低边管工作于开环状态，在一个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，高边管与低边管的开关周期相同且同步。
进一步地，所述预设策略还包括：每间隔N个开关周期之后，在第N+1个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在第N+1个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，N为大于或等于0的整数。
进一步地，所述预设策略还包括：在一个开关周期内，低边管的开通时长小于或等于该开关周期时长的10％。
进一步地，当在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管时，所述预设策略还包括：在该开关周期内，高边管的最大开通时长、高边管的开通死区时长、低边管的开通时长以及低边管的开通死区时长之和等于该开关周期时长。
进一步地，所述预定条件包括：
高边管及低边管所在电路的输入电压低于阈值；或，
高边管及低边管所在电路的输入极性为负。
本发明还提供一种高低边自举驱动控制装置，其特征在于，包括：检测模块，用于检测高边管及低边管所在电路的电路特性；控制模块，用于当所述电路特性满足预定条件时，根据预设策略控制高边管及低边管输出特定的驱动波形；其中，所述预设策略包括：配置高边管工作于闭环状态，高边管的PWM驱动波形占空比由电路环路确定，配置低边管工作于开环状态，在一个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，高边管与低边管的开关周期相同且同步。
进一步地，所述预设策略还包括：每间隔N个开关周期之后，在第N+1个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在第N+1个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，N为大于或等于0的整数。
进一步地，所述预设策略还包括：在一个开关周期内，低边管的开通时长小于或等于该开关周期时长的10％。
进一步地，当在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管时，所述预设策略还包括：在该开关周期内，高边管的最大开通时长、高边管的开通死区时长、低边管的开通时长以及低边管的开通死区时长之和等于该开关周期时长。
进一步地，所述预定条件包括：
高边管及低边管所在电路的输入电压低于阈值；或，
高边管及低边管所在电路的输入极性为负。
在本发明中，检测高边管及低边管所在电路的电路特性；当所述电路特性满足预定条件时，根据预设策略控制高边管及低边管输出特定的驱动波形；其中，所述预设策略包括：配置高边管工作于闭环状态，高边管的PWM驱动波形占空比由电路环路确定，配置低边管工作于开环状态，在一个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，高边管与低边管的开关周期相同且同步。本发明提供了简单、实用的高低边自举驱动控制方法，充分应用了自举驱动电路的简单性以及数据控制的灵活性。通过本发明，解决了某些应用场所高边管及低边管驱动无法正常应用自举驱动的问题。具体地，解决了某些应用场所采用互补模式自举驱动存在的干扰及反向损耗问题，又解决了采用单管导通自举驱动方式无法对自举电容充电的问题。而且，避免了增加成本以及电路的复杂度。
附图说明
图1为现有技术中图腾柱无桥PFC电路的示意图；
图2为互补模式驱动及电感电流波形图；
图3为第一阶段S001的电流流向示意图；
图4为第二阶段S002的电流流向示意图；
图5为第三阶段S003的电流流向示意图；
图6为DC-DC两级拓扑高边管及低边管驱动的示意图；
图7为本发明实施例提供的高低边自举驱动控制方法的流程图；
图8为本发明实施例一提供的高低边自举驱动控制方法的流程图；
图9为本发明实施例一的高低边驱动逻辑时序图一；
图10为本发明实施例一的高低边驱动逻辑时序图二；
图11为本发明实施例二的高低边驱动逻辑时序图一；
图12为本发明实施例二的高低边驱动逻辑时序图二。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，应当理解，以下所说明的实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
图7为本发明实施例提供的高低边自举驱动控制方法的流程图。如图7所示，本实施例提供的高低边自举驱动控制方法包括以下步骤：
步骤701：检测高边管及低边管所在电路的电路特性。
具体而言，检测高边管及低边管所在电路的输入电压或输入极性。
步骤702：当电路特性满足预定条件时，根据预设策略控制高边管及低边管输出特定的驱动波形。
其中，所述预定条件包括：
高边管及低边管所在电路的输入电压低于阈值；或，
高边管及低边管所在电路的输入极性为负。
其中，所述预设策略包括：配置高边管工作于闭环状态，高边管的PWM驱动波形占空比由电路环路确定，配置低边管工作于开环状态，在一个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，高边管与低边管的开关周期相同且同步。
其中，第一预定时长与第二预定时长可相等或不等，两者的具体取值可根据需要进行设置。本发明对此并不限定。
进一步地，所述预设策略还包括：每间隔N个开关周期之后，在第N+1个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在第N+1个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，N为大于或等于0的整数。
具体而言，当N为0时，即在每个开关周期内，在比开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管。当N为非0整数时，以N＝2为例，在第一个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管；在间隔2个开关周期之后，在第三个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管。之后，每间隔2个开关周期，均与第一开关周期及第三开关周期内的设置相同。
进一步地，所述预设策略还包括：在一个开关周期内，低边管的开通时长小于或等于该开关周期时长的10％。
进一步地，当在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管时，所述预设策略还包括：在该开关周期内，高边管的最大开通时长、高边管的开通死区时长、低边管的开通时长以及低边管的开通死区时长之和等于该开关周期时长。
需要说明的是，本发明实施例提供的高低边自举驱动控制方法可以应用于所有电路拓扑高低边自举驱动，且高边管及低边管的类型例如包括金属-氧化物-半导体(MOS，Metal-Oxide-Semiconductor)场效应晶体管、氮化镓(GaN)、绝缘栅双极型晶体管(IBGT，Insulated Gate Bipolar Transistor)等开关管。然而，本发明对此并不限定。
接下来通过具体实施例对本发明进行说明。
实施例一
图8为本发明实施例一提供的高低边自举驱动控制方法的流程图。本实施例应用于如图1所示的图腾柱无桥PFC主拓扑结构中，本实施例提供的高低边自举驱动控制方法包括以下步骤：
步骤801：检测电路的输入电压类型及输入极性。
步骤802：根据输入电压类型及输入极性，配置PWM驱动。
具体而言，当输入交流时，配置主管(如高边管)工作于开关模式，辅管(如低边管)处于关闭模式，以避免互补自举驱动产生的干扰和损耗；当输入正向直流时，配置低边管处于开关模式，高边管始终处于关闭模式，以避免互补自举驱动产生的干扰和损耗；当输入反向直流时，配置高边管工作于主开关模式，低边管工作于辅开关模式，处于辅开关模式的低边管的开通时间固定且短，以解决单管自举驱动造成的高边管驱动异常，并避免互补自举驱动产生的干扰和损耗。
举例而言，在如图1所示的图腾柱无桥PFC主拓扑结构中，当输入极性为负时，即VL<VN，高边管Q1工作于闭环状态，低边管的驱动波形(PWML)与高边管的驱动波形(PWMH)如图9或图10所示。
如图9所示，高边管及低边管设置相同开关周期，并同步；开关周期通过计数器(Counter)递减计时；高边管配置为滤波器闭环驱动输出模式，即输出PWM波形占空比(Duty)由PFC环路决定，低边管工作在开环状态，其开通时刻由Counter#3决定，关断时刻由Counter#4决定。高边管在每个开关周期开始时输出，占空比由环路控制；低边管的开通时刻晚于高边管的关断时刻，于此，低边管在每个开关周期靠近末尾的开通时刻Counter#3开通，在关断时刻Counter4#关断，开通时长t1＝Counter#4–Counter#3，于此，关断时刻例如为开关周期的结束时刻，即第二预定时长为0。其中，tl一般较小，为纳秒(ns)级别即可。低边管的开通时长例如小于或等于该开关周期的10％。此时，完成对高边管自举电容的充电。另外，为了防止高边管及低边管互通，须限制高边管的最大占空比，保证高边管最大开通时长th_max、高边管开通死区时长tdh、低边管开通时长tl以及低边管开通死区时长tdl的和值等于一个开关周期时长，即th_max+tdh+t1+tdl＝一个开关周期时长Period。
如图10所示，低边管以及高边管设置相同开关周期，并同步；开关周期通过计数器(Counter)递减计时；高边管配置为滤波器闭环驱动输出模式，开通时刻由Counter#1决定，输出PWM波形占空比由PFC环路决定；低边管工作在开环状态，其开通时刻由Counter#3决定，关断时刻由Counter#4决定。于此，低边管在每个开关周期开始处的开通时刻Counter#3开通，在关断时刻Counter#4关断，开通时长t1＝Counter#4–Counter#3。其中，tl一般较小，为ns级别即可。低边管的开通时长例如小于或等于该开关周期的10％。此时，完成对高边管自举电容的充电。高边管也在每个开关周期的固定时刻Counter#1开通。另外，为了防止高边管以及低边管互通，须对Counter#1、Counter#3以及Counter#4的取值进行限制，以保证Counter#1>Counter#4>Counter#3。其中，开通死区时长tdl不确定，其最小值tdl_min＝Counter#3-当前开关周期的起始时刻，开通死区时长tdh＝Counter#1–Counter#4。
实施例二
本实施例应用于如图6所示的两级DC-DC拓扑结构的前级同步整流Buck电路。于本实施例中，当检测输入电压高于或等于一阈值时，产生互补的高边管及低边管驱动波形；当输入电压低于一阈值时，高边管的驱动波形(PWMH)及低边管的驱动波形(PWML)如图11或图12所示。
如图11所示，高边管及低边管设置相同开关周期，并同步；开关周期通过计数器(Counter)递减计时；高边管连续产生N个周期的全占空比波形后，在第N+1个开关周期，低边管在该开关周期的起始处先开通固定较小的占空时间，对高边管自举电容充电，以补充高边管驱动时损失的电量，在低边管的关断时刻之后，在剩余时间开通高边管的占空比。其中，N为大于或等于0的整数。其中，低边管的开通时长例如小于或等于该开关周期的10％。
如图12所示，高边管及低边管设置相同开关周期，并同步；开关周期通过计数器(Counter)递减计数确定；高边管连续产生N个周期的全占空比波形后，在第N+1个开关周期，先开通一定较大占空比的高边驱动，在高边管的关断时刻后，在当前周期内再以较小固定占空时间开通低边管，完成对高边管自举电容的充电。其中，N为大于或等于0的整数。其中，低边管的开通时长例如小于或等于该开关周期的10％。
于本实施例中，为了防止高边管与低边管直通，都须设置死区时间。
此外，本发明实施例还提供一种高低边自举驱动控制装置，包括：检测模块，用于检测高边管及低边管所在电路的电路特性；控制模块，用于当所述电路特性满足预定条件时，根据预设策略控制高边管及低边管输出特定的驱动波形；其中，所述预设策略包括：配置高边管工作于闭环状态，高边管的PWM驱动波形占空比由电路环路确定，配置低边管工作于开环状态，在一个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，高边管与低边管的开关周期相同且同步。
进一步地，所述预设策略还包括：每间隔N个开关周期之后，在第N+1个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在第N+1个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，N为大于或等于0的整数。
进一步地，所述预设策略还包括：在一个开关周期内，低边管的开通时长小于或等于该开关周期时长的10％。
进一步地，当在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管时，所述预设策略还包括：在该开关周期内，高边管的最大开通时长、高边管的开通死区时长、低边管的开通时长以及低边管的开通死区时长之和等于该开关周期时长。
进一步地，所述检测模块，具体用于检测高边管及低边管所在电路的输入电压或输入极性。
进一步地，所述预定条件包括：
高边管及低边管所在电路的输入电压低于阈值；或，
高边管及低边管所在电路的输入极性为负。
于实际应用中，上述模块的功能通过处理器执行存储在存储器中的程序/指令实现。然而，本发明对此并不限定。上述模块的功能还可以通过固件/逻辑电路/集成电路实现。
此外，关于所述装置的具体处理流程同上述方法所述，故于此不再赘述。
综上所述，本发明的硬件采用普通专业驱动集成电路(IC，IntegratedCircuit)芯片，驱动波形时序由控制装置(如微处理器)实现，既解决了某些应用场所采用互补模式自举驱动出现的干扰、反向损耗问题，又解决了采用高边单管导通自举驱动时，存在无法对自举电容充电的问题。而且，避免了增加成本及电路复杂度。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。

Claims (10)

1.一种高低边自举驱动控制方法，其特征在于，包括：
检测高边管及低边管所在电路的电路特性；
当所述电路特性满足预定条件时，根据预设策略控制高边管及低边管输出特定的驱动波形；
其中，所述预设策略包括：配置高边管工作于闭环状态，高边管的脉冲宽度调制PWM驱动波形占空比由电路环路确定，配置低边管工作于开环状态，在一个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，高边管与低边管的开关周期相同且同步。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设策略还包括：每间隔N个开关周期之后，在第N+1个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在第N+1个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，N为大于或等于0的整数。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预设策略还包括：在一个开关周期内，低边管的开通时长小于或等于该开关周期时长的10％。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，当在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管时，所述预设策略还包括：在该开关周期内，高边管的最大开通时长、高边管的开通死区时长、低边管的开通时长以及低边管的开通死区时长之和等于该开关周期时长。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定条件包括：
高边管及低边管所在电路的输入电压低于阈值；或，
高边管及低边管所在电路的输入极性为负。
6.一种高低边自举驱动控制装置，其特征在于，包括：
检测模块，用于检测高边管及低边管所在电路的电路特性；
控制模块，用于当所述电路特性满足预定条件时，根据预设策略控制高边管及低边管输出特定的驱动波形；
其中，所述预设策略包括：配置高边管工作于闭环状态，高边管的PWM驱动波形占空比由电路环路确定，配置低边管工作于开环状态，在一个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，高边管与低边管的开关周期相同且同步。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述预设策略还包括：每间隔N个开关周期之后，在第N+1个开关周期内，在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管，在高边管的开通时刻前关断低边管，或者，在第N+1个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管，其中，N为大于或等于0的整数。
8.如权利要求6或7所述的装置，其特征在于，所述预设策略还包括：在一个开关周期内，低边管的开通时长小于或等于该开关周期时长的10％。
9.如权利要求6或7所述的装置，其特征在于，当在一个开关周期内，在高边管的关断时刻后导通低边管，在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管时，所述预设策略还包括：在该开关周期内，高边管的最大开通时长、高边管的开通死区时长、低边管的开通时长以及低边管的开通死区时长之和等于该开关周期时长。
10.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述预定条件包括：
高边管及低边管所在电路的输入电压低于阈值；或，
高边管及低边管所在电路的输入极性为负。
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