CN106582764A - 一种增大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法 - Google Patents
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- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 59
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 28
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 12
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 abstract description 12
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
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- B01J35/60—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their surface properties or porosity
- B01J35/61—Surface area
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- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
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Abstract
一种增大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对玻璃基片进行喷淋(2)清洗玻璃基片,后用高压N2吹干;(3)采用磁控溅射技术在所述玻璃基片表面微结构上沉积氮掺杂二氧化钛薄膜,从而得到具有更大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜。本发明采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对玻璃基片表面进行喷淋处理,获得微结构的玻璃基片,然后在玻璃基片上以磁控溅射技术沉积氮掺杂二氧化钛薄膜,从而得到具有更大比表面积的薄膜,提高了薄膜光催化的效率。
Description
技术领域
本发明属于光催化技术领域,具体涉及一种具有更大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法。
背景技术
在众多半导体催化材料中,二氧化钛具有催化活性高、氧化能力強及光稳定性高等特性,成为最常用的一种半导体催化材料。随着世界范围内环境问题的日益严重,利用二氧化钛光催化作用进行环境净化已经引起了广泛的重视。
然而,二氧化钛的禁带宽度较大(锐钛矿结构Eg=3.2eV),只有在波长小于387nm的紫外光下才能发生光催化反应,但紫外光只占太阳光能量的很少一部分(约5%),而在太阳光中占大多数的可见光(约45%)却无法利用。近年来,掺杂改性是使二氧化钛具有可见光催化活性的重要手段之一,掺杂分为金属掺杂和非金属掺杂,金属离子掺杂虽然可实现可见光催化活性,但由于金属离子成为复合中心,使紫外光波段的催化活性降低。2001年R.Asahi等报道了氮掺杂的二氧化钛具有可见光响应,并发现氮替代少量的晶格氧可以使二氧化钛的带隙变窄,在不降低紫外光下活性的同时使二氧化钛具有可见光活性。目前,对二氧化钛进行非金属(如碳、氮、硫、硼等)掺杂研究成为当前的研究热点,已有的研究结果表明, 氮掺杂是目前最有效的掺杂手段,因为氮的2p轨道和氧的2p轨道发生强烈的关联作用,进而使薄膜的禁带宽度降低。
目前对于二氧化钛的掺杂改性成为一大研究热点,氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法主要有溅射法、脉冲激光沉积法、溶胶-凝胶法等。然而目前大多数的制备方法存在比表面积小、催化效果差等缺点。
吕男等[200810050888.4]采用单层掩模法,在硅片表面制备了具有较大比表面积的微结构并具有抗反射性。黄峰等[201210345513.7]采用磁控溅射方法在基体上沉积制备了一层海绵状多孔结构的二氧化钛薄膜来提高二氧化钛薄膜的比表面积。此外[201010206483.2, 201310422345.1]也通过其他的方法在制备较大比表面积的二氧化钛薄膜。
但上述制备方法存在工艺复杂,制备成本高等不足。
发明内容
本发明的目的在于弥补现有技术的不足,提供一种用于光催化领域的薄膜的制备方法,该方法制备的薄膜性能优异,大大提高了光催化效率。
为了达成上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种增大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法,包括如下步骤: (1)采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对玻璃基片进行喷淋
(2)清洗玻璃基片,后用高压N2吹干;
(3)采用磁控溅射技术在所述玻璃基片表面微结构上沉积氮掺杂二氧化钛薄膜,从而得到光催化作用的薄膜。
本发明技术方案中,所述步骤(1)氢氟酸为质量浓度≥40%的氢氟酸水溶液;
所述步骤(1)TMAH为质量浓度≥25%的四甲基氢氧化铵水溶液;
所述步骤(1)复合溶液中氢氟酸和TMAH的体积比为1:(30~60);
所述步骤(1)使用复合溶液喷淋时间为20~40s;
所述步骤(2)清洗玻璃基片,包括先用丙酮超声20min,再用酒精超声20min,最后用去离子水超声20min;
所述步骤(3)中磁控溅射氮掺杂二氧化钛薄膜中,本底真空≤8×10-4Pa;工作压强4~6×10-1Pa;射频溅射功率150~200W;靶材为TiO2靶;溅射工艺气体Ar流量20~30sccm;反应气体N2流量3~5sccm;膜层厚度300~500nm。
本发明开发了一种新的用于光催化领域的薄膜制备方法,先采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对玻璃基片表面进行喷淋处理,获得微结构的玻璃基片,然后在玻璃基片上以磁控溅射技术沉积氮掺杂二氧化钛薄膜,从而得到具有比表面积大,光催化性能佳的薄膜,提高了光催化的效率。
本发明以微结构为基底,通过磁控溅射法在其表面制备一层氮掺杂二氧化钛薄膜。这种方法,有利于克服二氧化钛薄膜比表面积小,光催化性能差的缺点。得到的氮掺杂二氧化钛薄膜与基底连接性能好,光催化效果好,可利用的波长范围广。同时,微结构具有抗反射性能,在使用时可以提高薄膜对光能的利用率,提高光催化性能。
具体实施方式
本发明可以有许多不同形式实现,并且不应解释为受在此提出之实施例的限制。相反,提出这些实施例是为了达成充分及完整公开,并且使本技术领域的技术人员完全了解本发明的范围。
实施例一
(1) 使用氢氟酸和TMAH体积比为1:35的复合溶液对玻璃表面喷淋35s;
(2)玻璃基片表面的清洗:把玻璃基片放入超声波清洗机内,先用丙酮超声20min,再用酒精超声20min,最后用去离子水超声20min,用高压N2吹干;
(3)取出玻璃基片,放入磁控溅射设备中沉积氮掺杂二氧化钛薄膜,制备工艺参数如下:
靶材:TiO2靶(纯度:99.99%)
本底真空≤8×10-4 Pa;
工作压强:5×10-1 Pa;
射频溅射功率:150W;
溅射工艺气体Ar流量:30sccm;
反应气体N2流量:4sccm;
沉积厚度:400nm。
实施例二
(1) 使用氢氟酸和TMAH体积比为1:50的复合溶液对玻璃基片表面喷淋25s;
(2)玻璃基片表面的清洗:把玻璃基片放入超声波清洗机内,先用丙酮超声20min,再用酒精超声20min,最后用去离子水超声20min,用高压N2吹干;
(3)取出玻璃基片,放入磁控溅射设备中沉积氮掺杂二氧化钛薄膜,制备工艺参数如下:
靶材:TiO2靶(纯度:99.99%)
本底真空≤8×10-4 Pa;
工作压强:5×10-1 Pa;
溅射功率:175W;
溅射工艺气体Ar流量: 25sccm;
反应气体N2流量:5sccm;
沉积厚度:450nm。
本发明与现有技术相比具有如下优势,
(1)由于对玻璃基底表面进行了软性溶液刻蚀,使玻璃基底表面产生了凹凸不平的微结构,这样就增大了玻璃基底与膜层之间的附着力,使膜层不易脱落,延长薄膜的使用寿命;
(2)由于基底表面具有凹凸不平的微结构,在其上制备的薄膜表面也具有凹凸不平的微结构,大大增加了薄膜表面的比表面积,提高了其光催化的效果;
(3)玻璃基底和薄膜表面具有凹凸不平的微结构,使薄膜具有较好的抗反射性能,增大了其对太阳光的利用;
(4)由于氮的掺入使薄膜的禁带宽度降低,使其在可见光下实现了光催化作用,拓宽了薄膜光催化的波长范围。
Claims (5)
1.一种增大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)采用氢氟酸和四甲基氢氧化铵TMAH混合后的复合溶液对玻璃基片进行喷淋,使玻璃基片喷淋的表面具有凹凸不平的微结构;
(2)清洗玻璃基片,后用高压N2吹干;
(3)采用磁控溅射技术在所述玻璃基片表面微结构上沉积氮掺杂二氧化钛薄膜,从而得到具有更大比表面积的薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,氢氟酸为质量浓度≥40%的氢氟酸水溶液,TMAH为质量浓度≥25%的四甲基氢氧化铵水溶液;复合溶液中氢氟酸和TMAH的体积比为1:(30~60)。
3.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,使用复合溶液喷淋时间为20~40s。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,清洗玻璃基片,包括先用丙酮超声20min,再用酒精超声20min,最后用去离子水超声20min。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,磁控溅射镀氮掺杂二氧化钛薄膜,本底真空≤8×10-4Pa;工作压强4~6×10-1Pa;射频溅射功率150~200W;靶材为TiO2靶;溅射工艺气体Ar流量20~30sccm;反应气体N2流量3~5sccm;膜层厚度300~500nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611188587.9A CN106582764A (zh) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | 一种增大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法 |
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Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170426 |
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