CN105609310B - 一种SnO2基光阳极的表面修饰方法 - Google Patents
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- 238000002715 modification method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 7
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 5
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N chromium trioxide Inorganic materials O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 3
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N chromium(6+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+6] GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KBIWNQVZKHSHTI-UHFFFAOYSA-N 4-n,4-n-dimethylbenzene-1,4-diamine;oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O.CN(C)C1=CC=C(N)C=C1 KBIWNQVZKHSHTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P ammonium dichromate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims 1
- 229940117975 chromium trioxide Drugs 0.000 claims 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910003074 TiCl4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- VDQVEACBQKUUSU-UHFFFAOYSA-M disodium;sulfanide Chemical compound [Na+].[Na+].[SH-] VDQVEACBQKUUSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000003546 flue gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 3
- 206010011224 Cough Diseases 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 2
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000029058 respiratory gaseous exchange Effects 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- 206010062717 Increased upper airway secretion Diseases 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 206010037423 Pulmonary oedema Diseases 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000006673 asthma Diseases 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- 206010006451 bronchitis Diseases 0.000 description 1
- 229940075397 calomel Drugs 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- RCJVRSBWZCNNQT-UHFFFAOYSA-N dichloridooxygen Chemical compound ClOCl RCJVRSBWZCNNQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical compound Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007794 irritation Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 210000004877 mucosa Anatomy 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 208000026435 phlegm Diseases 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 1
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 208000005333 pulmonary edema Diseases 0.000 description 1
- 210000002345 respiratory system Anatomy 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
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Abstract
本发明公开了一种SnO2基光阳极的表面修饰方法,属于光电化学领域。其实施步骤为:1)将可溶性含高价铬的铬酸或盐溶解于水中,配制出含高价铬的铬酸或铬酸盐溶液a;2)配置一定浓度的非氧化性酸的水溶液b;3)将表面亲水化处理的SnO2介孔薄膜浸泡在溶液a中,一定时间后取出浸泡在去离子水中或用去离子水冲洗,然后浸泡在溶液b中一段时间,取出浸泡在去离子水中或用去离子水冲洗,并在一定温度下烘干;4)重复步骤3)若干次,干燥并煅烧,得到经CrO x 表面修饰的SnO2基光阳极。经本发明所公开方法制备的SnO2基光阳极效果改善明显,且本发明所述的方法操作简单易于实施。
Description
技术领域
本发明涉及一种SnO2基光阳极的表面修饰方法,其应用领域主要在敏化太阳能电池、光解水、光燃料电池等光电化学相关领域。
背景技术
当下环境污染问题严重,新能源的开发利用迫在眉睫。近些年来太阳能作为一种清洁能源备受人们关注。敏化太阳能电池、光解水、光燃料电池等光电化学器件是未来太阳能潜在利用的重要方式之一。SnO2作为一种廉价无毒、原料丰富、化学性质稳定及载流子迁移率高的宽禁带半导体,使其成为具有巨大潜力的光电化学器件的基体材料。但是纳米SnO2结构表面态密度大,从而导致光生载流子寿命低、易复合,进而导致了器件光能的转换效率低。
针对上述问题,通常采用TiCl4水溶液水解对其进行表面钝化处理,以有效抑制纳米SnO2结构的表面态。其典型的处理过程为:首先,用注射器吸取1ml TiCl4,将其缓慢注入到约200 g冰水混合物中,并在冰水浴中搅拌数小时,直至得到澄清透明的溶液。然后将SnO2多孔薄膜浸入该溶液中,70℃保温30 min后取出干燥烧结。然而TiCl4为高毒液体,在空气中或遇水产生有毒的腐蚀性(氯化氢)烟气,该烟气具强腐蚀性、强刺激性。在使用过程中不易防护,易对实验或生产人员身体造成伤害——吸入该烟气,会引起上呼吸道粘膜强烈刺激症状(轻度中毒有喘息性支气管炎症状;严重者出现呼吸困难,呼吸脉搏加快,体温升高,咳嗽,咯痰等,可发展成肺水肿)。除了释放出腐蚀性的氯化氢之外,TiCl4极易水解,即使在冰水混合物中溶解TiCl4也经常会因为TiCl4的快速水解而得不到澄清的溶液。除此之外,TiCl4遇水或在潮湿空气中还会生成钛氧化物及氯氧化物,粘住使用的注射器,这也增加了配置TiCl4溶液的困难。并且其水溶液因为TiCl4的快速水解而无法长时间储存,只能现配现用。
原子层沉积(ALD)技术也能很好的在纳米SnO2结构表面制备有效的钝化层,但是原子层沉积(ALD)设备价格昂贵,制备所需成本高。
本发明旨在通过在SnO2表面沉积一层薄的CrO x 钝化SnO2表面降低其表面态密度,从而提高了SnO2基材料的光电化学器件的性能。其方法特点使用过程中不会产生有毒气体,操作安全。此外,前驱体溶液配制简单,且可长时间保存,多次使用,原料廉价,使用成本低。而且,该处理方法操作简便,易于实施。
发明内容
本发明采用液相法在SnO2表面沉积一层薄的CrO x 钝化SnO2表面,降低其表面态密度,获得一种经CrO x 钝化的低表面态密度的SnO2基光阳极,从而提高了以SnO2为基体材料的光电化学器件的性能。
本发明一种SnO2基光阳极的表面修饰方法,包括:
a) 将可溶性含高价铬的铬酸或盐溶解于水中,配制出含高价铬的铬酸或铬酸盐溶液a;b) 配置一定浓度的非氧化性酸的水溶液b;c) 将亲水化处理的SnO2多孔薄膜浸泡在溶液a中,一定时间后取出浸泡在去离子水中或用去离子水冲洗,然后浸泡在溶液b中一段时间,取出浸泡在去离子水中或用去离子水冲洗;重复步骤3)若干次,煅烧得到经CrO x 表面修饰SnO2光阳极.
附图说明:
图1 实施例1 中制备的SnO2光阳极平面形貌图
图2实施例1的制备的光阳极J-V测试曲线图
图3实施例2的制备的光阳极J-V测试曲线图
图 4实施例3的制备的光阳极J-V测试曲线图
具体实施方式:
以下实施旨在说明本发明而不是对本发明的进一步限定。
实施例1:
(1) 将SnO2多孔薄膜浸入到体积比为1:1的浓氨水(质量分数为25%)与过氧化氢水溶液(质量分数为30%)的混合溶液中,5 min后取出并用去离子水冲洗,得到表面亲水化处理的SnO2多孔薄膜。
(2) CrO x 修饰层的制备
a) 将1g CrO3溶解在100 ml二次去离子水中,得到溶液a;b) 配置0.2 mol/L的乙酸的水溶液b;c)将亲水化处理的SnO2多孔薄膜浸泡在溶液a中,一定时间后取出浸泡在去离子水中或用去离子水冲洗,然后浸泡在溶液b中一段时间,取出浸泡在去离子水中或用去离子水冲洗;重复步骤c)三次,550 ℃煅烧得到经CrO x 表面修饰SnO2光阳极。
(3)采用连续离子吸附反应法在上述光阳极上沉积CdS量子点(反应前驱体溶液为0.05mol/L的Cd(NO3)2水溶液与Na2S·9H2O水溶液;反应循环次数为15次)。并与多硫电解质与CuxS对电极组装成简易的量子点敏化太阳能电池,并在标准模拟太阳光先进行J-V测试。
实施例2:
(1) 将SnO2多孔薄膜浸入到体积比为1:1的浓氨水(质量分数为25%)与过氧化氢水溶液(质量分数为30%)的混合溶液中,5 min后取出并用去离子水冲洗,得到表面亲水化处理的SnO2多孔薄膜。
(2) CrO x 修饰层的制备
a) 将2g Na2Cr2O7溶解在100 ml二次去离子水中,得到溶液a;b) 配置0.1 mol/L的HCl水溶液b;c) 将亲水化处理的SnO2多孔薄膜浸泡在溶液a中,一定时间后取出浸泡在去离子水中或用去离子水冲洗,然后浸泡在溶液b中一段时间,取出浸泡在去离子水中或用去离子水冲洗;重复步骤c) 两次,500℃煅烧30 min得到经CrO x 表面修饰SnO2光阳极。
(3)采用连续离子吸附反应法在上述光阳极上沉积CdS量子点(反应前驱体溶液为0.05mol/L的Cd(NO3)2水溶液与Na2S·9H2O水溶液;反应循环次数为15次),并与多硫电解质与CuxS对电极组装成简易的量子点敏化太阳能电池,并在标准模拟太阳光先进行J-V测试。
实施例3:
(1) 将SnO2多孔薄膜浸入到体积比为1:1的浓氨水(质量分数为25%)与过氧化氢水溶液(质量分数为30%)的混合溶液中,5 min后取出并用去离子水冲洗,得到表面亲水化处理的SnO2多孔薄膜。
(2) CrO x 修饰层的制备
a) 将4 g K2Cr2O7溶解在100 ml二次去离子水中,得到溶液a;b) 配置0.2 mol/L的HCl水溶液b;c) 将亲水化处理的SnO2多孔薄膜浸泡在溶液a中,2 min后取出浸泡在去离子水中或用去离子水冲洗,然后浸泡在溶液b中一段时间,取出浸泡在去离子水中或用去离子水冲洗;重复步骤c)4次,500℃煅烧30 min得到经CrO x 表面修饰SnO2光阳极。
(3)采用连续离子吸附反应法在上述光阳极上沉积CdS量子点(反应前驱体溶液为0.05mol/L的Cd(NO3)2水溶液与Na2S·9H2O水溶液;反应循环次数为15次)。并与多硫电解质与CuxS对电极组装成简易的量子点敏化太阳能电池,并在标准模拟太阳光先进行J-V测试。
Claims (8)
1.一种SnO2基光阳极的表面修饰方法,其特征是:
1)将可溶性含6价铬的铬酸或铬酸盐溶解于水中,配制出含6价铬的铬酸或铬酸盐溶液a;
2)配置非氧化性酸的水溶液b;
3)将表面亲水化处理的SnO2介孔薄膜浸泡在溶液a中,之后取出浸泡在去离子水中或用去离子水冲洗,然后浸泡在溶液b中,之后再取出浸泡在去离子水中或用去离子水冲洗,然后烘干;
4)重复步骤3),然后干燥并煅烧,得到经CrOx表面包覆的SnO2基光阳极。
2.根据权利要求1所述的一种SnO2基光阳极的表面修饰方法,其特征在于,所述可溶性含6价铬的铬酸或铬酸盐选自三氧化铬(CrO3)、重铬酸钾(K2Cr2O7)及重铬酸铵((NH4)2Cr2O7)中的一种或其中几种的组合。
3.根据权利要求1所述的一种SnO2基光阳极的表面修饰方法,其特征在于,所述非氧化性酸选自盐酸(HCl)、稀硫酸(H2SO4)、甲酸(HCOOH)、乙酸(CH3COOH)及草酸(乙二酸,H2C2O4)中的一种或其中几种的组合。
4.根据权利要求1所述的一种SnO2基光阳极的表面修饰方法,其特征在于,所述溶液a浓度范围为1g/L-饱和溶液。
5.根据权利要求1所述的一种SnO2基光阳极的表面修饰方法,其特征在于,所述溶液b浓度范围为0.1mol/L-1mol/L。
6.根据权利要求1所述的一种SnO2基光阳极的表面修饰方法,其特征在于,所述步骤3进行一次记为1个循环,所述步骤4中循环次数为1-5次。
7.根据权利要求1所述的一种SnO2基光阳极的表面修饰方法,其特征在于,所述步骤3中在溶液a、b中的浸泡时间分别为1-5min。
8.根据权利要求1所述的一种SnO2基光阳极的表面修饰方法,其特征在于,步骤4中所述煅烧温度范围为500-550℃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610039591.2A CN105609310B (zh) | 2016-01-21 | 2016-01-21 | 一种SnO2基光阳极的表面修饰方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610039591.2A CN105609310B (zh) | 2016-01-21 | 2016-01-21 | 一种SnO2基光阳极的表面修饰方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105609310A CN105609310A (zh) | 2016-05-25 |
CN105609310B true CN105609310B (zh) | 2018-01-05 |
Family
ID=55989158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610039591.2A Expired - Fee Related CN105609310B (zh) | 2016-01-21 | 2016-01-21 | 一种SnO2基光阳极的表面修饰方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105609310B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111116232A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-05-08 | 苏州麦茂思传感技术有限公司 | 一种甲醛气体传感器敏感材料的合成方法 |
CN112289935A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 无锡极电光能科技有限公司 | 半导体金属氧化物薄膜及其后处理方法和应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1440998A (zh) * | 2003-03-27 | 2003-09-10 | 上海交通大学 | 碳/三氧化二铬纳米复合粉末及其制备方法 |
CN101022136A (zh) * | 2007-03-16 | 2007-08-22 | 南开大学 | 碱土金属盐修饰纳米晶半导体光阳极和制备方法及其应用 |
-
2016
- 2016-01-21 CN CN201610039591.2A patent/CN105609310B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1440998A (zh) * | 2003-03-27 | 2003-09-10 | 上海交通大学 | 碳/三氧化二铬纳米复合粉末及其制备方法 |
CN101022136A (zh) * | 2007-03-16 | 2007-08-22 | 南开大学 | 碱土金属盐修饰纳米晶半导体光阳极和制备方法及其应用 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Growth of CrO2 Coated Single Crystalline (SnO2) Tin Oxide Nanowires;S.Budak 等;《Institude of Electrical & Electronics Engineers》;20090331;第225-229页 * |
Magnetic tunnel junctions based on CrO2/SnO2 epitaxial bilayers;G. X. Miao等;《Applied Physics Letters》;20060714;第89卷;022511第1-3页 * |
表面修饰的Ti02太阳能电池界面特性研究;李艳 等;《无机化学学报》;20140430;第30卷(第4期);第763-769页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105609310A (zh) | 2016-05-25 |
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