CN106521500B - 一种sus无连接蚀刻生产工艺 - Google Patents

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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract

本发明公开一种SUS无连接蚀刻生产工艺，包括以下具体步骤：前处理、涂布、烘烤、曝光、显影、烘烤、蚀刻、覆膜、蚀刻、去膜、烘烤、覆膜、去膜和烘烤。通过上述方式，本发明提供一种SUS无连接蚀刻生产工艺，针对现有SUS微连接蚀刻的折断毛刺问题，本发明改进工艺使无连接蚀刻取代传统微连接蚀刻工艺，能有效地避免传统微连接产生的折断毛刺，较好地优化产品质量，提高良品率，降低生产成本。

Description

一种SUS无连接蚀刻生产工艺
技术领域
本发明涉及SUS蚀刻生产加工与制造领域，尤其涉及一种SUS无连接蚀刻生产工艺。
背景技术
现有 SUS微连接生产工艺制造生产的SUS产品PCS与PCS之间存在连接，传统微连接折断后会形成大量毛刺，产品品质得不到保障，极大降低良品率，导致生产成本增加。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种SUS无连接蚀刻生产工艺，针对现有SUS微连接蚀刻的折断毛刺问题，本发明改进工艺使无连接蚀刻取代传统微连接蚀刻工艺，能有效地避免传统微连接产生的折断毛刺，较好地优化产品质量，提高良品率，降低生产成本。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种SUS无连接蚀刻生产工艺，包括以下具体步骤：
a、前处理，使用3%硫酸快速清洗SUS；
b、涂布，在SUS表面涂布油墨感光剂；
c、烘烤，对SUS表面的油墨感光剂烘烤定型；
d、曝光，根据生产需要，对定型的油墨感光剂进行曝光处理；
e、显影，使用显影液对曝光后的SUS进行冲洗；
f、烘烤，将显影后的SUS烘烤定影；
g、蚀刻，对定影后的SUS蚀刻处理；
h、覆膜，将覆膜材料贴合在蚀刻成型的SUS表面；
i、蚀刻，二次蚀刻，去除毛边和连接；
j、去膜，使用去膜液去除覆膜；
k、烘烤，烘干SUS表面液体。
在本发明一个较佳实施例中，所述覆膜步骤中所覆膜的材料为PET膜。
本发明的有益效果是：本发明提供的一种SUS无连接蚀刻生产工艺，针对现有SUS微连接蚀刻的折断毛刺问题，本发明改进工艺使无连接蚀刻取代传统微连接蚀刻工艺，能有效地避免传统微连接产生的折断毛刺，较好地优化产品质量，提高良品率，降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1 是本发明一种SUS无连接蚀刻生产工艺的一较佳实施例的流程图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明实施例包括：
一种SUS无连接蚀刻生产工艺，包括以下具体步骤：
a、前处理，使用3%硫酸快速清洗SUS；
b、涂布，在SUS表面涂布油墨感光剂；
c、烘烤，对SUS表面的油墨感光剂烘烤定型；
d、曝光，根据生产需要，对定型的油墨感光剂进行曝光处理；
e、显影，使用显影液对曝光后的SUS进行冲洗；
f、烘烤，将显影后的SUS烘烤定影；
g、蚀刻，对定影后的SUS蚀刻处理；
h、覆膜，将覆膜材料贴合在蚀刻成型的SUS表面；
i、蚀刻，二次蚀刻，去除毛边和连接；
j、去膜，使用去膜液去除覆膜；
k、烘烤，烘干SUS表面液体。
其中，所述制作底片步骤中，所述覆膜步骤中所覆膜的材料为PET膜。通过上述方式，较好地保护SUS产品。
综上所述，本发明提供了一种SUS无连接蚀刻生产工艺，针对现有SUS微连接蚀刻的折断毛刺问题，本发明改进工艺使无连接蚀刻取代传统微连接蚀刻工艺，能有效地避免传统微连接产生的折断毛刺，较好地优化产品质量，提高良品率，降低生产成本。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (2)

1.一种SUS无连接蚀刻生产工艺，其特征在于，包括以下具体步骤：
a、前处理，使用3%硫酸快速清洗SUS；
b、涂布，在SUS表面涂布油墨感光剂；
c、烘烤，对SUS表面的油墨感光剂烘烤定型；
d、曝光，根据生产需要，对定型的油墨感光剂进行曝光处理；
e、显影，使用显影液对曝光后的SUS进行冲洗；
f、烘烤，将显影后的SUS烘烤定影；
g、蚀刻，对定影后的SUS蚀刻处理；
h、覆膜，将覆膜材料贴合在蚀刻成型的SUS表面；
i、蚀刻，二次蚀刻，去除毛边和连接；
j、去膜，使用去膜液去除覆膜；
k、烘烤，烘干SUS表面液体。
2.根据权利要求1所述的SUS无连接蚀刻生产工艺，其特征在于，所述覆膜步骤中所覆膜的材料为PET膜。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5897379A (en) * 1997-12-19 1999-04-27 Sharp Microelectronics Technology, Inc. Low temperature system and method for CVD copper removal
KR100890171B1 (ko) * 2008-02-18 2009-03-24 (주) 피앤테크 서스 미러 판을 이용한 노 브릿지 메탈에칭 가공 방법
CN101377619A (zh) * 2008-09-17 2009-03-04 彩虹集团电子股份有限公司 一种游星轮片蚀刻法生产工艺
CN103060809B (zh) * 2013-01-09 2015-05-06 苏州运宏电子有限公司 不锈钢无微连接点蚀刻成形方法
CN105568284A (zh) * 2014-10-16 2016-05-11 黄浩祥 无连接点的金属薄板蚀刻方法及利用该方法制成的金属单元组

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