CN106498503A - 块状硅原料的碱式清洗车间结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种块状硅原料的碱式清洗车间结构，包括车间，所述车间内位于各侧墙壁位置处分别设有打磨工位、冲洗工位、碱液泡洗工位、超声清洗工位和烘干工位。从上述结构可知，本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，便于实施硅原料的碱式清洗工艺，从而降低企业的生产成本、提高硅原料的清洗效率，并且降低了废水的处理难度和处理成本。

Description

块状硅原料的碱式清洗车间结构

技术领域

本发明涉及块状硅原料的清洗领域，具体涉及一种块状硅原料的碱式清洗车间结构。

背景技术

光电领域中，硅是非常重要和常用的半导体原料，是太阳能电池最理想的原材料。硅片的制备制备流程一般是先将原料进行清洗，然后将清洗后的原料进行铸锭，再将铸锭后的硅锭进行切方，然后再将切方后的硅锭进行切片。整个过程中，原料的洗料非常关键。硅原料最好是用原生料，但是原生料的价格太贵，所以生产中还会在原生料的基础上加入回收料一起进行铸锭，大大降低了企业的生产成本。回收料为硅铸锭过程中位于硅锭表面的部分，由于这部分硅中夹杂有杂质，所以在切方的过程中却被切下来而弃用。但是这些含有杂质的硅料中仍然有部分硅，将杂质处理之后，仍然可以作为原料继续进行生产，以免原料浪费，降低了生产成本。

目前，因为企业生产过程中的回收料只占整个硅锭的小部分，所以如果企业仅仅只靠自家的回收料的话，企业就需要外购大量的原生料，所以成本仍然很高，因此企业在外购原生料的同时还会外购回收料。由于回收料表面具有砂浆、镀膜、重金属残留物以及胶的残留物，所以一般对于回收料的清洗处理需要通过冲洗、酸洗、碱洗和超声波洗等步骤。其中冲洗可以去除回收料表面的砂浆等易去除的杂质，酸洗可以去除重金属残留物，碱洗则不仅可以去除回收料的胶的残留物和回收料的杂质、还可以将原料表面残留的酸进行中和，超声洗则可以将原料表面缝隙处的杂质、以及原料表面残留的碱液去除。

但是由于经过了酸洗，其清洗的步骤相对较多，清洗周期相对较长；另外，酸洗步骤所需要的酸的成本加上酸液处理的成本远高于购买不含重金属或仅含极少量重金属的回收料费用与购买普通回收料费用的差额；而且，由于现在全社会的环境保护以使加强，所以对于废水的处理要求更高，而酸性废水中有多种金属离子，其处理复杂程度和难度都远高于碱性废水。所以现在急需要一种清洗车间来实施无需酸洗的硅原料清洗工艺。

发明内容

本发明的目的在于：克服现有技术的不足，提供一种块状硅原料的碱式清洗车间结构，便于实施硅原料的碱式清洗工艺，从而降低企业的生产成本、提高硅原料的清洗效率，并且降低了废水的处理难度和处理成本；通过车间设有进料门和出料门，打磨工位位于设有进料门的墙壁，烘干工位位于设有出料门的墙壁，从而便于硅原料进入车间之后直接进入打磨工位进行打磨，同时便于烘干工位烘干后的硅原料直接周转至铸锭车间进行铸锭；进料门面向硅原料仓库，出料门面向硅锭铸锭车间，进一步地便于硅原料进入车间之后直接进入打磨工位进行打磨，同时便于烘干工位烘干后的硅原料直接周转至铸锭车间进行铸锭；打磨桌面上设有防尘罩，并且通过负压吸尘管与外界连通，避免打磨时候产生的粉尘污染车间的生产环境，影响操作工的身体健康；通过“V”形管和喷淋装置，对负压吸尘管内的粉尘进行过滤，避免粉尘对外界大气环境造成污染；喷淋装置为半圆弧形，并且喷淋装置的喷淋液体为碱液泡洗工位排出的废液，从而使得喷淋装置在对粉尘处理的时候，使喷淋液体与粉尘反应，从而便于废液的后续处理；“V”形管的进口高度和出口高度均低于吸尘口的高度，防止喷淋装置的喷淋液从吸尘口溅出甚至喷出，保证打磨工作的正常进行；挡尘罩的顶面与打磨桌面之间设有多个分隔离板，分隔离板将打磨桌面与挡尘罩之间的区域分隔成多个打磨区域，从而便于打磨工位的集成，节省了车间的空间；打磨桌面的顶面位于每一个打磨区域内分别设有集灰沟槽，便于操作工将打磨桌面上的积灰打扫干净；碱液池的外表面包覆有一层隔热层，碱液池外表面与隔热层之间设有加热层，碱液池的池底设有排液管，碱液池的底部设有滚轮，实现了碱液池的加热功能，保证了碱液池对硅原料的清洗效果，同时便于碱液池的周转；排液管外侧壁的下部通过螺纹与调节管连接，所述排液管的下口向内设有翻边、形成缩口，所述调节管内壁的上部设有挡板，所述挡板与调节管连接处的边沿设有排液通孔，所述缩口向挡板的投影与所有排液通孔均相离，实现了排液管的打开、闭合的同时还可以使得排液管在排液的时候伸入碱液排出管，防止碱液池的碱液逸出而对车间造成污染，甚至对操作工的健康产生影响，并且在不排液的时候不影响碱液池的周转；调节管外侧壁的下部设有凸环，当调节管通过螺纹旋转至凸环与碱液排出管的进液口接触时，调节管与排液管之间的螺纹仍有余量可以使调节管继续向下转动，对调节管起到纤维的同时，还能将调节管与碱液排出管连接处的缝隙封死，杜绝了碱液的逸出而对车间造成污染，甚至对操作工的健康产生影响；凸环边沿的设有多个转动操作杆，便于操作工转动调节管，降低了操作工的劳动强度；碱液池内的池底表面为坡面，所述坡面沿着从边沿向排液管的方向向下倾斜，便于碱液池中的碱液从排液管中排出，提高了排液效率；碱液池的池底上放置有托盘，所述托盘的表面为镂空表面，所述盛放硅原料的笼体放置在托盘上，避免装满硅原料的笼体底部与碱液池的底部紧密接触，导致笼体内底部的硅料碱液清洗效果较差，也避免笼体内底部的硅原料将排液管堵住而不利于碱液的排出。

用本发明进行硅原料的清洗时，实现了在硅原料清洗过程中，无需酸的参与，降低了生产成本、提高硅原料的清洗效率，并且降低了废水的处理难度和处理成本；对于外购的硅原料通过重掺笔进行检测，以保证硅原料中重金属的含量不超标，由于铸锭前的硅原料的重金属含量不会超标，所以用这些硅原料生产出来的硅片，其重金属含量也不会超标，保证了硅片的质量；硅原料中含有的杂质，绝大部分通过打磨的方式进行处理，其处理的效率远高于以往通过酸洗的化学作用消除杂质的效率，少量的杂质和胶的残留物仅需通过碱液浸泡进行去除；碱液浸泡仍无法去除的杂质，再次经过打磨进行去除，从而保证硅原料的清洗质量，并尽量缩短清洗时间；由于砂轮片为耗材，所以打磨的时候，硅原料起初打磨时用的砂轮片为正常打磨过后产生磨损而换下的旧砂轮片，由于刚开始打磨的时候，打磨处为杂质表面，与硅料有一定距离，所以即使砂轮片完全磨损之后导致砂轮的金属托盘与杂质接触不会对硅料产生影响，从而进一步降低了企业的生产成本；通过超声设备清洗之后的硅料，最后经过烘干之后，不仅使得硅原料得到了干燥，并且也对即将铸锭的硅料起到了预热作用，从而降低了硅料铸锭时候的能耗；通过超声设备的清洗，使得硅原料中的一些缝隙中残留的杂质都能被清洗出来，保证了硅原料的清洗效果；通过保证碱液的温度和pH值在一定范围内，保证了碱液的最佳清洗效果。

本发明所采取的技术方案是：

块状硅原料的碱式清洗车间结构，包括车间，所述车间内位于各侧墙壁位置处分别设有打磨工位、冲洗工位、碱液泡洗工位、超声清洗工位和烘干工位。

本发明进一步改进方案是，所述车间设有进料门和出料门，所述打磨工位位于设有进料门的墙壁，所述烘干工位位于设有出料门的墙壁。

本发明更进一步改进方案是，所述进料门面向硅原料仓库，所述出料门面向硅锭铸锭车间。

本发明更进一步改进方案是，所述超声清洗工位与烘干工位位于同一侧的墙壁。

本发明更进一步改进方案是，所述冲洗工位和碱液泡洗工位分别位于另外两侧的墙壁。

本发明更进一步改进方案是，所述打磨工位包括打磨桌面，所述打磨桌面的上方罩设有挡尘罩，所述挡尘罩的前侧设有打磨操作口，所述挡尘罩的两侧和后侧通过立板与打磨桌面固定，所述挡尘罩位于后侧的立板上设有吸尘口，所述吸尘口通过负压吸尘管与外界连通。

本发明更进一步改进方案是，所述负压吸尘管上连通有“V”形管，所述“V”形管内的上侧部沿着粉尘移动方向设有多个喷淋装置，所述“V”形管的底部通过排废液管与废液池连通。

本发明更进一步改进方案是，所述“V”形管的进口高度和出口高度均低于吸尘口的高度。

本发明更进一步改进方案是，所述喷淋装置的喷淋范围在“V”形管内。

本发明更进一步改进方案是，所述喷淋装置通过进液分配器与进液装置连通。

本发明更进一步改进方案是，所述进液装置内的液体为碱液泡洗工位排出的废液。

本发明更进一步改进方案是，所述喷淋装置为半圆弧形结构。

本发明更进一步改进方案是，所述挡尘罩的顶面与打磨桌面之间设有多个分隔离板，所述分隔离板将打磨桌面与挡尘罩之间的区域分隔成多个打磨区域。

本发明更进一步改进方案是，所述打磨桌面的顶面位于每一个打磨区域内分别设有集灰沟槽。

本发明更进一步改进方案是，所述集灰沟槽沿着打磨桌面的前后方向延伸。

本发明更进一步改进方案是，所述挡尘罩后侧的立板上位于每一个打磨区域内均设有吸尘口。

本发明更进一步改进方案是，所述碱液泡洗工位包括碱液池，所述碱液池的外表面包覆有一层隔热层，所述碱液池外表面与隔热层之间设有加热层，所述碱液池的池底设有排液管，所述碱液池的底部设有滚轮。

本发明更进一步改进方案是，所述加热层为电热管，当需要使用电热管的时候，将碱液池放置在碱液泡洗工位位置处，并且将电热管的电源与车间位于碱液泡洗工位一侧墙壁上的插座接通电源即可。

本发明更进一步改进方案是，所述排液管外侧壁的下部通过螺纹与调节管连接，所述排液管的下口向内设有翻边、形成缩口，所述调节管内壁的上部设有挡板，所述挡板与调节管连接处的边沿设有排液通孔，所述缩口向挡板的投影与所有排液通孔均相离。

本发明更进一步改进方案是，当调节管通过螺纹旋转至最高位置处时，此时调节管的下口高于地面，并且高于碱液排出管的进液口；所述碱液排出管固定设于碱液泡洗工位的地面上，碱液排出管的进液口朝上。

本发明更进一步改进方案是，将调节管与碱液排出管对正，当调节管通过螺纹旋转至与排液管连接状态的最低处时，调节管伸入碱液排出管内。

本发明更进一步改进方案是，所述排液通孔以挡板的圆心为中心呈中心对称分布，所述缩口的半径小于排液通孔与挡板中心之间的最小距离。

本发明更进一步改进方案是，所述调节管外侧壁的下部设有凸环。

本发明更进一步改进方案是，将调节管与碱液排出管对正，当调节管通过螺纹旋转至凸环与碱液排出管的进液口接触时，调节管与排液管之间的螺纹仍有余量可以使调节管继续向下转动。

本发明更进一步改进方案是，所述凸环边沿的设有多个转动操作杆。

本发明更进一步改进方案是，所述碱液池内的池底表面为坡面，所述坡面沿着从边沿向排液管的方向向下倾斜。

本发明更进一步改进方案是，所述碱液池的池底上放置有托盘，所述托盘的表面为镂空表面。

本发明更进一步改进方案是，所述盛放硅原料的笼体放置在托盘上。

利用上述车间结构，进行硅原料的碱式清洗方法，包括以下步骤：

1）将块状的硅原料中含有杂质的部分在打磨工位的打磨区域进行打磨；将打磨后的硅原料放入冲洗工位的清水池内冲洗，并在冲洗后对硅原料的表面进行观察；

2）根据观察：将含有少量杂质甚至不含有杂质的硅原料放入碱液泡洗工位的碱液池内进行浸泡，对硅原料表面残留的杂质和胶液残留物进行泡洗；将让含有大量杂质的硅原料重复步骤1）的操作；

3）将步骤2）中的放入碱液池内的硅原料浸泡15~25分钟，并对经过碱液泡洗工位的碱液池浸泡的硅原料取出并进行观察；

4）根据观察：将表面光亮、没有残留污垢且不含有杂质的硅原料依次放入冲洗工位的清水池中冲洗和超声清洗工位的超声清洗设备中清洗；将含有微量杂质的硅原料再次在打磨工位的打磨区域进行打磨；将仍含有少量杂质的硅原料重复步骤3）的操作；

5）将杂质完全打磨掉的硅原料放入冲洗工位的清水池内冲洗，并在冲洗后对硅原料的表面进行观察；

6）根据观察：将表面光亮、没有残留污垢且不含杂质的硅原料在超声清洗工位进行超声清洗设备中清洗；将表面仍有残留污垢的硅原料放入碱液泡洗工位的碱液池内进行碱洗，对硅原料表面残留的胶液残留物进行泡洗；

7）将步骤6）中的放入碱液池内的硅原料浸泡2~5分钟，并对经过碱液池浸泡的硅原料取出并进行观察；

8）根据观察：将表面光亮、没有残留污垢且不含有杂质的硅原料依次放入冲洗工位的清水池中冲洗和超声清洗工位的超声清洗设备中清洗；将表面仍有残留污垢的硅原料重复步骤7）的操作。

本发明进一步改进方案是，所述碱液池中的碱液为氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液中氢氧化钠的质量百分比在1%~3%的范围内。

本发明更进一步改进方案是，所述碱液池内碱液的温度在55~100摄氏度的范围内。

本发明更进一步改进方案是，当室温环境大于或等于25摄氏度的时候，碱液池内碱液的温度在55~65摄氏度的范围内；当室温环境在20~25摄氏度范围内的时候，碱液池内碱液的温度在65~80摄氏度的范围内；当室温环境低于20设施度的时候，碱液池内碱液的温度在80~100摄氏度范围内。

本发明更进一步改进方案是，所述碱液在浸泡过程中每2~5分钟检测一次碱液的pH值。

本发明更进一步改进方案是，当硅原料在碱液中浸泡的过程中，当碱液的pH值小于等于12的时候，需要将该碱液池的碱液进行更换。

本发明更进一步改进方案是，所述的块状的硅原料为回收料或纯料。

本发明更进一步改进方案是，所述的块状的硅原料使用重掺笔进行测试的时候，在距离大于等于0.1米的范围听不见重掺笔的报警声。

本发明更进一步改进方案是，所述硅原料经过超声清洗工位的超声清洗设备的清洗之后，将硅原料通过烘干工位进行烘干。

本发明更进一步改进方案是，所述硅原料的烘干温度在100~120摄氏度的范围内。

本发明的有益效果在于：

第一、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，便于实施硅原料的碱式清洗工艺，从而降低企业的生产成本、提高硅原料的清洗效率，并且降低了废水的处理难度和处理成本。

第二、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，通过车间设有进料门和出料门，打磨工位位于设有进料门的墙壁，烘干工位位于设有出料门的墙壁，从而便于硅原料进入车间之后直接进入打磨工位进行打磨，同时便于烘干工位烘干后的硅原料直接周转至铸锭车间进行铸锭。

第三、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，进料门面向硅原料仓库，出料门面向硅锭铸锭车间，进一步地便于硅原料进入车间之后直接进入打磨工位进行打磨，同时便于烘干工位烘干后的硅原料直接周转至铸锭车间进行铸锭。

第四、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，打磨桌面上设有防尘罩，并且通过负压吸尘管与外界连通，避免打磨时候产生的粉尘污染车间的生产环境，影响操作工的身体健康。

第五、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，通过“V”形管和喷淋装置，对负压吸尘管内的粉尘进行过滤，避免粉尘对外界大气环境造成污染。

第六、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，喷淋装置为半圆弧形，并且喷淋装置的喷淋液体为碱液泡洗工位排出的废液，从而使得喷淋装置在对粉尘处理的时候，使喷淋液体与粉尘反应，从而便于废液的后续处理。

第七、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，“V”形管的进口高度和出口高度均低于吸尘口的高度，防止喷淋装置的喷淋液从吸尘口溅出甚至喷出，保证打磨工作的正常进行。

第八、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，挡尘罩的顶面与打磨桌面之间设有多个分隔离板，分隔离板将打磨桌面与挡尘罩之间的区域分隔成多个打磨区域，从而便于打磨工位的集成，节省了车间的空间。

第九、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，打磨桌面的顶面位于每一个打磨区域内分别设有集灰沟槽，便于操作工将打磨桌面上的积灰打扫干净。

第十、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，碱液池的外表面包覆有一层隔热层，碱液池外表面与隔热层之间设有加热层，碱液池的池底设有排液管，碱液池的底部设有滚轮，实现了碱液池的加热功能，保证了碱液池对硅原料的清洗效果，同时便于碱液池的周转。

第十一、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，排液管外侧壁的下部通过螺纹与调节管连接，所述排液管的下口向内设有翻边、形成缩口，所述调节管内壁的上部设有挡板，所述挡板与调节管连接处的边沿设有排液通孔，所述缩口向挡板的投影与所有排液通孔均相离，实现了排液管的打开、闭合的同时还可以使得排液管在排液的时候伸入碱液排出管，防止碱液池的碱液逸出而对车间造成污染，甚至对操作工的健康产生影响，并且在不排液的时候不影响碱液池的周转。

第十二、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，调节管外侧壁的下部设有凸环，当调节管通过螺纹旋转至凸环与碱液排出管的进液口接触时，调节管与排液管之间的螺纹仍有余量可以使调节管继续向下转动，对调节管起到纤维的同时，还能将调节管与碱液排出管连接处的缝隙封死，杜绝了碱液的逸出而对车间造成污染，甚至对操作工的健康产生影响。

第十三、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，凸环边沿的设有多个转动操作杆，便于操作工转动调节管，降低了操作工的劳动强度。

第十四、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，碱液池内的池底表面为坡面，所述坡面沿着从边沿向排液管的方向向下倾斜，便于碱液池中的碱液从排液管中排出，提高了排液效率。

第十五、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，碱液池的池底上放置有托盘，所述托盘的表面为镂空表面，所述盛放硅原料的笼体放置在托盘上，避免装满硅原料的笼体底部与碱液池的底部紧密接触，导致笼体内底部的硅料碱液清洗效果较差，也避免笼体内底部的硅原料将排液管堵住而不利于碱液的排出。

第十六、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，用本发明进行硅原料的清洗时，实现了在硅原料清洗过程中，无需酸的参与，降低了生产成本、提高硅原料的清洗效率，并且降低了废水的处理难度和处理成本。

第十七、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，对于外购的硅原料通过重掺笔进行检测，以保证硅原料中重金属的含量不超标，由于铸锭前的硅原料的重金属含量不会超标，所以用这些硅原料生产出来的硅片，其重金属含量也不会超标，保证了硅片的质量。

第十八、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，硅原料中含有的杂质，绝大部分通过打磨的方式进行处理，其处理的效率远高于以往通过酸洗的化学作用消除杂质的效率，少量的杂质和胶的残留物仅需通过碱液浸泡进行去除。

第十九、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，碱液浸泡仍无法去除的杂质，再次经过打磨进行去除，从而保证硅原料的清洗质量，并尽量缩短清洗时间。

第二十、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，由于砂轮片为耗材，所以打磨的时候，硅原料起初打磨时用的砂轮片为正常打磨过后产生磨损而换下的旧砂轮片，由于刚开始打磨的时候，打磨处为杂质表面，与硅料有一定距离，所以即使砂轮片完全磨损之后导致砂轮的金属托盘与杂质接触不会对硅料产生影响，从而进一步降低了企业的生产成本。

第二十一、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，通过超声设备清洗之后的硅料，最后经过烘干之后，不仅使得硅原料得到了干燥，并且也对即将铸锭的硅料起到了预热作用，从而降低了硅料铸锭时候的能耗。

第二十二、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，通过超声设备的清洗，使得硅原料中的一些缝隙中残留的杂质都能被清洗出来，保证了硅原料的清洗效果。

第二十三、本发明的块状硅原料的碱式清洗车间结构，通过保证碱液的温度和pH值在一定范围内，保证了碱液的最佳清洗效果。

附图说明：

图1为本发明的俯视示意图。

图2为本发明中打磨工位的侧视剖视放大示意图。

图3为本发明中打磨工位的前视放大示意图。

图4为本发明中碱液池的主视剖视放大示意图。

图5为本发明中碱液池底部排液管的主视剖视放大示意图。

图6为本发明的流程示意图。

具体实施方式：

结合图1~图5所示，本发明包括包括车间1，所述车间1内位于各侧墙壁位置处分别设有打磨工位2、冲洗工位3、碱液泡洗工位4、超声清洗工位5和烘干工位6。

所述车间设有进料门7和出料门8，所述打磨工位2位于设有进料门7的墙壁，所述烘干工位6位于设有出料门8的墙壁。

所述进料门7面向硅原料仓库，所述出料门8面向硅锭铸锭车间。

所述超声清洗工位5与烘干工位6位于同一侧的墙壁。

所述冲洗工位3和碱液泡洗工位4分别位于另外两侧的墙壁。

所述打磨工位2包括打磨桌面9，所述打磨桌面9的上方罩设有挡尘罩16，所述挡尘罩16的前侧设有打磨操作口，所述挡尘罩16的两侧和后侧通过立板17与打磨桌面9固定，所述挡尘罩16位于后侧的立板17上设有吸尘口15，所述吸尘口15通过负压吸尘管10与外界连通。

所述负压吸尘管10上连通有“V”形管12，所述“V”形管12内的上侧部沿着粉尘移动方向设有多个喷淋装置11，所述“V”形管12的底部通过排废液管13与废液池连通。

所述“V”形管12的进口高度和出口高度均低于吸尘口15的高度。

所述喷淋装置11的喷淋范围在“V”形管12内。

所述喷淋装置11通过进液分配器14与进液装置连通。

所述进液装置内的液体为碱液泡洗工位4排出的废液。

所述喷淋装置11为半圆弧形结构。

所述挡尘罩16的顶面与打磨桌面9之间设有多个分隔离板18，所述分隔离板18将打磨桌面9与挡尘罩16之间的区域分隔成多个打磨区域。

所述打磨桌面9的顶面位于每一个打磨区域内分别设有集灰沟槽19。

所述集灰沟槽19沿着打磨桌面9的前后方向延伸。

所述挡尘罩16后侧的立板17上位于每一个打磨区域内均设有吸尘口15。

所述碱液泡洗工位4包括碱液池22，所述碱液池22的外表面包覆有一层隔热层24，所述碱液池22外表面与隔热层24之间设有加热层23，所述碱液池22的池底26设有排液管27，所述碱液池22的底部设有滚轮25。

所述加热层23为电热管，当需要使用电热管的时候，将碱液池22放置在碱液泡洗工位4位置处，并且将电热管的电源与车间1位于碱液泡洗工位4一侧墙壁上的插座接通电源即可。

所述排液管27外侧壁的下部通过螺纹31与调节管29连接，所述排液管27的下口向内设有翻边32、形成缩口33，所述调节管29内壁的上部设有挡板34，所述挡板34与调节管29连接处的边沿设有排液通孔35，所述缩口33向挡板34的投影与所有排液通孔35均相离。

当调节管29通过螺纹31旋转至最高位置处时，此时调节管29的下口高于地面，并且高于碱液排出管的进液口；所述碱液排出管固定设于碱液泡洗工位4的地面上，碱液排出管的进液口朝上。

将调节管29与碱液排出管对正，当调节管29通过螺纹31旋转至与排液管27连接状态的最低处时，调节管29伸入碱液排出管内。

所述排液通孔35以挡板34的圆心为中心呈中心对称分布，所述缩口33的半径小于排液通孔35与挡板34中心之间的最小距离。

所述调节管29外侧壁的下部设有凸环30。

将调节管29与碱液排出管对正，当调节管29通过螺纹31旋转至凸环30与碱液排出管的进液口接触时，调节管29与排液管27之间的螺纹仍有余量可以使调节管29继续向下转动。

所述凸环30边沿的设有多个转动操作杆36。

所述碱液池22内的池底26表面为坡面，所述坡面沿着从边沿向排液管27的方向向下倾斜。

所述碱液池22的池底26上放置有托盘28，所述托盘28的表面为镂空表面。

所述盛放硅原料的笼体放置在托盘28上。

如图6所示，本发明包括以下步骤：

1）将块状的硅原料中含有杂质的部分在打磨工位2的打磨区域进行打磨；将打磨后的硅原料放入冲洗工位3的清水池内冲洗，并在冲洗后对硅原料的表面进行观察；

2）根据观察：将含有少量杂质甚至不含有杂质的硅原料放入碱液泡洗工位4的碱液池22内进行浸泡，对硅原料表面残留的杂质和胶液残留物进行泡洗；将让含有大量杂质的硅原料重复步骤1）的操作；

3）将步骤2）中的放入碱液池22内的硅原料浸泡15~25分钟，并对经过碱液泡洗工位4的碱液池22浸泡的硅原料取出并进行观察（本实施例中，硅原料浸泡时间为20分钟）；

4）根据观察：将表面光亮、没有残留污垢且不含有杂质的硅原料依次放入冲洗工位3的清水池中冲洗和超声清洗工位5的超声清洗设备中清洗；将含有微量杂质的硅原料再次在打磨工位2的打磨区域进行打磨；将仍含有少量杂质的硅原料重复步骤3）的操作；

5）将杂质完全打磨掉的硅原料放入冲洗工位3的清水池内冲洗，并在冲洗后对硅原料的表面进行观察；

6）根据观察：将表面光亮、没有残留污垢且不含杂质的硅原料在超声清洗工位5进行超声清洗设备中清洗；将表面仍有残留污垢的硅原料放入碱液泡洗工位4的碱液池22内进行碱洗，对硅原料表面残留的胶液残留物进行泡洗；

7）将步骤6）中的放入碱液池22内的硅原料浸泡2~5分钟（本实施案例中，硅原料浸泡5分钟），并对经过碱液池22浸泡的硅原料取出并进行观察；

8）将表面光亮、没有残留污垢且不含有杂质的硅原料依次放入冲洗工位3的清水池中冲洗和超声清洗工位5的超声清洗设备中清洗；将表面仍有残留污垢的硅原料重复步骤7）的操作。

所述碱液池22中的碱液为氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液中氢氧化钠的质量百分比在1%~3%的范围内（本实施案例中，氢氧化钠的质量百分比为1%）。

所述碱液池22内碱液的温度在55~100摄氏度的范围内。

当室温环境大于或等于25摄氏度的时候，碱液池22内碱液的温度在55~65摄氏度的范围内（本实施案例中，碱液池22内碱液的温度为60摄氏度）；当室温环境在20~25摄氏度范围内的时候，碱液池22内碱液的温度在65~80摄氏度的范围内（本实施案例中，碱液池22内碱液的温度为70摄氏度）；当室温环境低于20设施度的时候，碱液池22内碱液的温度在80~100摄氏度范围内（本实施案例中，碱液池22内碱液的温度为90摄氏度）。

所述碱液在浸泡过程中每2~5分钟检测一次碱液的pH值（本实施案例中，硅原料放入碱液池22内的硅原料浸泡15~25分钟的浸泡过程中，每5分钟检测一次碱液的pH值；硅原料放入碱液池22内的硅原料浸泡2~5分钟的浸泡过程中，每2分钟检测一次碱液的pH值）。

当硅原料在碱液中浸泡的过程中，当碱液的pH值小于等于12的时候，需要将碱液池22的碱液进行更换。

所述的块状的硅原料为回收料或纯料。

所述的块状的硅原料使用重掺笔进行测试的时候，在距离大于等于0.1米的范围听不见重掺笔的报警声。

所述硅原料经过超声清洗工位5的超声清洗设备的清洗之后，将硅原料通过烘干工位6进行烘干。

所述硅原料的烘干温度在100~120摄氏度的范围内（本实施案例中，硅原料的烘干温度为110摄氏度，烘干时间为1小时）。

Claims (10)

1.块状硅原料的碱式清洗车间结构，包括车间（1），其特征在于：所述车间（1）内位于各侧墙壁位置处分别设有打磨工位（2）、冲洗工位（3）、碱液泡洗工位（4）、超声清洗工位（5）和烘干工位（6）。

2.如权利要求1所述的块状硅原料的碱式清洗车间结构，其特征在于：所述车间设有进料门（7）和出料门（8），所述打磨工位（2）位于设有进料门（7）的墙壁，所述烘干工位（6）位于设有出料门（8）的墙壁。

3.如权利要求2所述的块状硅原料的碱式清洗车间结构，其特征在于：所述进料门（7）面向硅原料仓库，所述出料门（8）面向硅锭铸锭车间。

4.如权利要求1所述的块状硅原料的碱式清洗车间结构，其特征在于：所述打磨工位（2）包括打磨桌面（9），所述打磨桌面（9）的上方罩设有挡尘罩（16），所述挡尘罩（16）的前侧设有打磨操作口，所述挡尘罩（16）的两侧和后侧通过立板（17）与打磨桌面（9）固定，所述挡尘罩（16）位于后侧的立板（17）上设有吸尘口（15），所述吸尘口（15）通过负压吸尘管（10）与外界连通。

5.如权利要求4所述的块状硅原料的碱式清洗车间结构，其特征在于：所述负压吸尘管（10）上连通有“V”形管（12），所述“V”形管（12）内的上侧部沿着粉尘移动方向设有多个喷淋装置（11），所述“V”形管（12）的底部通过排废液管（13）与废液池连通。

6.如权利要求4所述的块状硅原料的碱式清洗车间结构，其特征在于：所述挡尘罩（16）的顶面与打磨桌面（9）之间设有多个分隔离板（18），所述分隔离板（18）将打磨桌面（9）与挡尘罩（16）之间的区域分隔成多个打磨区域。

7.如权利要求6所述的块状硅原料的碱式清洗车间结构，其特征在于：所述打磨桌面（9）的顶面位于每一个打磨区域内分别设有集灰沟槽（19）。

8.如权利要求1所述的块状硅原料的碱式清洗车间结构，其特征在于：所述碱液泡洗工位（4）包括碱液池（22），所述碱液池（22）的外表面包覆有一层隔热层（24），所述碱液池（22）外表面与隔热层（24）之间设有加热层（23），所述碱液池（22）的池底（26）设有排液管（27），所述碱液池（22）的底部设有滚轮（25）。

9.如权利要求8所述的块状硅原料的碱式清洗车间结构，其特征在于：所述排液管（27）外侧壁的下部通过螺纹（31）与调节管（29）连接，所述排液管（27）的下口向内设有翻边（32）、形成缩口（33），所述调节管（29）内壁的上部设有挡板（34），所述挡板（34）与调节管（29）连接处的边沿设有排液通孔（35），所述缩口（33）向挡板（34）的投影与所有排液通孔（35）均相离。

10.如权利要求8所述的块状硅原料的碱式清洗车间结构，其特征在于：所述碱液池（22）内的池底（26）表面为坡面，所述坡面沿着从边沿向排液管（27）的方向向下倾斜。