CN106495106A - 一种高纯度碲化镉的制备方法 - Google Patents
一种高纯度碲化镉的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106495106A CN106495106A CN201610964299.1A CN201610964299A CN106495106A CN 106495106 A CN106495106 A CN 106495106A CN 201610964299 A CN201610964299 A CN 201610964299A CN 106495106 A CN106495106 A CN 106495106A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cadmium
- telluride
- mixed
- powder
- passed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高纯度碲化镉的制备方法,其特征在于,顺次包括以下步骤:1)首先碲粉和镉粉按1:1.5~1.56的比重进行混合;2)将混合后的原料进行研磨、搅拌使碲粉和镉粉混合均匀;3)将均匀混合后的原料装入石墨舟中,然后将石墨舟置于合成炉中进行合成;4)将生成的碲化镉材料再次进行研磨,混合;5)经研磨后的碲化镉材料置于加热炉中进行退火处理,温度控制在600~750℃之间,退火时间为1~2小时。本发明提高了合成产品的纯度及原料的利用率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域,具体而言,涉及一种高纯度碲化镉的制备方法。
背景技术
碲化镉是由镉与碲合成的一种半导体化合物,为棕黑色晶体粉末,不溶于水和酸,能被硝酸分解,其密度为6.20,熔点为1041℃,禁带宽度为1.46eV,是理想的光电转换材料。
目前,碲化镉的合成方法有多种多样,较早的碲化镉的合成方法是将热棒插入磅和镉的混合粉末中,加热到500℃,而生成。该方法采用热棒加热的方式,温度不够均匀,反应不够充分。公开号为CN1380246A的中国发明专利公开了一种磅化镉粉末的制备方法,该方法采用镉粉和碲粉在真空条件的坩埚内合成,合成的温度是在镉的熔点下进行反应的,合成后经过研磨退火处理,其不足之处是合成率难以保证。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高纯度碲化镉的制备方法,以解决现有技术的不足。
为实现本发明目的,采用的技术方案为:
一种高纯度碲化镉的制备方法,其特征在于顺次包括以下步骤:
1)首先碲粉和镉粉按1:1.5~1.56的比重进行混合;
2)将混合后的原料进行研磨、搅拌使碲粉和镉粉混合均匀;
3)将均匀混合后的原料装入石墨舟中,然后将石墨舟置于合成炉中进行合成;所述合成是先通入氮气赶走合成炉内的空气,然后缓慢加热合成炉至180~190℃,保温5~6小时;快速升温至500~550℃,而后停止通入氮气,开始通入氢气;快速升温至1100~1200℃,保温2~3小时;温度降至30℃后停止通入氢气,出炉;
4)将生成的碲化镉材料再次进行研磨,混合;
5)经研磨后的碲化镉材料置于加热炉中进行退火处理,温度控制在600~750℃之间,退火时间为1~2小时。
进一步地,所述加热炉的内壁涂覆石墨层。
本发明的有益效果是:
本发明先将碲粉末和镉粉末进行均匀混合处理,使两种原料充分混合均匀,有利于后续反应的进行,同时还能够克服镉粉末易被氧化的缺陷,使两种原料能够在较低的温度下进行初步合成,同时提高了合成产品的纯度及原料的利用率。
具体实施方式
下面通过具体的实施例子对本发明做进一步的详细描述。
实施例1:
一种高纯度碲化镉的制备方法,其特征在于顺次包括以下步骤:
1)首先碲粉和镉粉按1:1.5~1.56的比重进行混合;
2)将混合后的原料进行研磨、搅拌使碲粉和镉粉混合均匀;
3)将均匀混合后的原料装入石墨舟中,然后将石墨舟置于合成炉中进行合成;所述合成是先通入氮气赶走合成炉内的空气,然后缓慢加热合成炉至180~190℃,保温5~6小时;快速升温至500~550℃,而后停止通入氮气,开始通入氢气;快速升温至1100~1200℃,保温2~3小时;温度降至30℃后停止通入氢气,出炉;
4)将生成的碲化镉材料再次进行研磨,混合;
5)经研磨后的碲化镉材料置于加热炉中进行退火处理,温度控制在600~750℃之间,退火时间为1~2小时。
进一步地,所述加热炉的内壁涂覆石墨层。
本发明先将碲粉末和镉粉末进行均匀混合处理,使两种原料充分混合均匀,有利于后续反应的进行,同时还能够克服镉粉末易被氧化的缺陷,使两种原料能够在较低的温度下进行初步合成,同时提高了合成产品的纯度及原料的利用率。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种高纯度碲化镉的制备方法,其特征在于:顺次包括以下步骤:
1)首先碲粉和镉粉按1:1.5~1.56的比重进行混合;
2)将混合后的原料进行研磨、搅拌使碲粉和镉粉混合均匀;
3)将均匀混合后的原料装入石墨舟中,然后将石墨舟置于合成炉中进行合成;所述合成是先通入氮气赶走合成炉内的空气,然后缓慢加热合成炉至180~190℃,保温5~6小时;快速升温至500~550℃,而后停止通入氮气,开始通入氢气;快速升温至1100~1200℃,保温2~3小时;温度降至30℃后停止通入氢气,出炉;
4)将生成的碲化镉材料再次进行研磨,混合;
5)经研磨后的碲化镉材料置于加热炉中进行退火处理,温度控制在600~750℃之间,退火时间为1~2小时。
2.根据权利要求1所述的一种高纯度碲化镉的制备方法,其特征在于,所述加热炉的内壁涂覆石墨层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610964299.1A CN106495106A (zh) | 2016-10-28 | 2016-10-28 | 一种高纯度碲化镉的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610964299.1A CN106495106A (zh) | 2016-10-28 | 2016-10-28 | 一种高纯度碲化镉的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106495106A true CN106495106A (zh) | 2017-03-15 |
Family
ID=58322642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610964299.1A Pending CN106495106A (zh) | 2016-10-28 | 2016-10-28 | 一种高纯度碲化镉的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106495106A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110127633A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-08-16 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种碲化镉靶材及其制备方法 |
-
2016
- 2016-10-28 CN CN201610964299.1A patent/CN106495106A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110127633A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-08-16 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种碲化镉靶材及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101659406B (zh) | 由磷铁制备磷酸铁的方法 | |
CN101289713B (zh) | 一种钒氮合金的生产方法 | |
CN102603000B (zh) | 一种以偏钒酸铵为原料制备高纯五氧化二钒的工艺 | |
CN101638733B (zh) | 一种钒氮合金生产方法 | |
CN108557788B (zh) | 一种低能耗的黑磷单晶制备方法 | |
CN100435390C (zh) | 溶胶凝胶法合成锂离子电池正极材料氟磷酸钒锂 | |
CN102399978B (zh) | 一种铁矿MgO球团矿的制造方法 | |
CN101381083B (zh) | 真空碳热还原制备高纯球形二氧化硅的方法 | |
CN104627972B (zh) | 一种磷化锂粉体的制备方法 | |
CN102897763A (zh) | 一种低温快速合成α-SiC微粉的方法 | |
CN102794455B (zh) | 一种内外配炭相结合、微波加热制备一次还原铁粉的方法 | |
CN102452653B (zh) | 一种硅化镁的生产方法及其生产设备 | |
CN106495106A (zh) | 一种高纯度碲化镉的制备方法 | |
CN101418387B (zh) | 硅钙合金混合冶炼法 | |
CN104692387A (zh) | 一种以含硅生物质为原料低温制备纳米碳化硅的方法及所制备得到的纳米碳化硅 | |
CN103818886B (zh) | 一种碲化镉的制备方法 | |
CN106495107A (zh) | 一种碲化镉的制备方法 | |
CN102874818A (zh) | 一种制备硅化镁粉体的方法 | |
CN103962568B (zh) | 一种微波加热制备还原铬粉的方法 | |
CN102556985B (zh) | 一种氮化钒的生产工艺 | |
CN102060544B (zh) | 一种以硅粉作添加剂实现非晶氮化硅粉末的快速晶化方法 | |
CN106498266B (zh) | 一种钒氮合金的制备方法 | |
CN102275919B (zh) | 一种超细碳化铌粉末的制备方法 | |
CN115449898A (zh) | 黑磷晶体的制备方法 | |
CN108408709A (zh) | 一种无污染低成本磷酸锰铁锂晶体材料的制备工艺 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170315 |