CN106415360A - 显示装置中的静电放电减轻 - Google Patents
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Abstract
本发明提供用于减轻显示装置中的静电放电ESD的设备及方法。在一方面中，显示装置(100)包含囊封衬底(102)，其具有在所述囊封衬底(102)的一或多个表面(112，114，116)上的抗静电涂层(120)。所述显示装置(100)可包含其上具有显示元件(106)的透明衬底(104)，以使得所述囊封衬底(102)覆盖所述显示元件(106)。所述囊封衬底(102)的一或多个表面(112，114，116)上的所述抗静电涂层(120)可耗散可在所述显示装置(100)的制造或操作期间累积的电荷。所述抗静电涂层(120)可为导电的且透明的，其中所述涂层(120)的实例包含透明导电氧化物TCO、薄金属膜、薄碳膜及导电纳米结构的网状物。
Description
优先权请求
本申请案请求2014年5月29日提交申请的美国专利申请案第14/290,771号的优先权，所述美国专利申请案以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及显示装置，且更确切地说涉及显示装置中的静电放电减轻。
背景技术
机电系统(EMS)包含具有电及机械元件、致动器、换能器、传感器、光学组件(例如，镜面及光学薄膜)及电子装置的装置。EMS装置或元件可以多种尺度来制造，包含(但不限于)微尺度及纳米尺度。举例来说，微机电系统(MEMS)装置可包含具有范围为约一微米至数百微米或更大的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含具有小于一微米的大小(包含(例如)小于数百纳米的大小)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻及/或蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的部分或添加层以形成电及机电装置的其它微机械加工过程来产生机电元件。
一种类型的EMS装置被称为干涉调制器(IMOD)。术语IMOD或干涉光调制器指代使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中，IMOD显示元件可包含一对导电板，其中的一者或两者可整体或部分为透明及/或反射性的，且能够在施加适当电信号后即进行相对运动。举例来说，一个板可包含沉积于衬底上方、沉积于衬底上或由衬底支撑的固定层，且另一板可包含与所述固定层隔开一气隙的反射膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射于IMOD显示元件上的光的光学干涉。基于IMOD的显示装置具有广泛范围的应用，且预期用于改善现有产品及产生新产品，尤其是具有显示能力的那些产品。
发明内容
本发明的系统、方法及装置各具有若干新颖方面，其中无单一者仅仅负责本文中所揭示的所要属性。
本发明中所描述的主题的新颖方面可在一种显示装置中实施，所述显示装置包含囊封衬底、所述囊封衬底上的导电抗静电涂层、通过密封件密封至所述囊封衬底的透明衬底，及密封于透明衬底与囊封衬底之间的一或多个显示元件。所述一或多个显示元件可经配置以产生可经由透明衬底观察的图像。囊封衬底可具有第一侧及第二侧，其中第一侧面对所述显示元件。在一些实施方案中，导电抗静电涂层经安置于密封件与囊封衬底之间。在一些实施方案中，密封件为环氧树脂密封件。
在一些实施方案中，导电抗静电涂层包含透明导电氧化物、导电纳米结构的网状物、金属薄膜及碳基薄膜中的至少一者。在一些实施方案中，导电抗静电涂层是半透明的或透明的。
在一些实施方案中，显示元件与囊封衬底通过气体或真空间隙间隔开。在一些实施方案中，显示元件为机电系统(EMS)显示元件。举例来说，显示元件可为干涉调制器(IMOD)显示元件。
在一些实施方案中，囊封衬底的第一侧可包含用以容纳显示元件的凹入部分及密封至透明衬底的外围部分。导电抗静电涂层可位于囊封衬底的第一侧的外围部分及凹入部分中的一或多者上。在一些实施方案中，导电抗反射涂层跨越囊封衬底的第一侧的外围部分及凹入部分为连续的。在一些实施方案中，导电抗静电涂层包含导电构形特征。
本发明中所描述的主题的另一新颖方面可在一种显示装置中实施，所述显示装置包含：囊封衬底；透明衬底，其通过密封件密封至所述囊封衬底；一或多个显示元件，其密封于透明衬底与囊封衬底之间且经配置以产生可经由透明衬底观察的图像；及所述囊封衬底上的导电抗静电涂层，所述导电抗静电涂层面对所述显示元件且包含多个导电构形特征。在一些实施方案中，导电构形特征可具有至少5nm的高度。在一些实施方案中，导电构形特征可具有至少20nm的高度。在一些实施方案中，导电抗静电涂层包含透明导电氧化物及导电纳米结构的网状物中的至少一者。
本发明中所描述的主题的另一创新方面可在一种制造显示装置的方法中实施。所述方法可包含通过导电抗静电涂层涂覆囊封衬底的一或多个表面，及在囊封衬底上形成密封剂材料，包含在导电抗静电涂层上形成密封剂材料。
在一些实施方案中，囊封衬底的第一侧包含凹入部分及环绕所述凹入部分的外围部分。涂覆囊封衬底的一或多个表面可包含保形地涂覆囊封衬底的第一侧。在一些实施方案中，所述方法可包含将囊封衬底密封至其上安置有一或多个显示元件的透明衬底，以使得所述一或多个显示元件由囊封衬底囊封。
本发明中所描述的主题的另一新颖方面可在一种显示装置中实施，所述显示装置包含：透明衬底，其上具有显示元件；囊封衬底，其密封至透明衬底，由此封装显示元件；及用于耗散静电放电的装置。在一些实施方案中，用于耗散静电放电的装置包含用于减小显示装置中的静摩擦的装置。
本发明中所描述的主题的一或多个实施的细节在随附图式及以下描述中阐明。虽然本发明中所提供的实例主要是基于EMS及MEMS的显示器来描述，但本文中所提供的概念可适用于其它类型的显示器，例如液晶显示器、有机发光二极管(“OLED”)显示器及场发射显示器。其它特征、方面及优势自描述、图式及权利要求书将变得显而易见。应注意，下列诸图的相对尺寸可能未按比例绘制。
附图说明
图1为描绘干涉调制器(IMOD)显示装置的一系列显示元件或显示元件阵列中的两个邻近IMOD显示元件的等角视图说明。
图2为说明并入有包含IMOD显示元件的三元件乘三元件阵列的基于IMOD的显示器的电子装置的系统框图。
图3A及3B为包含EMS元件阵列及背板的机电系统(EMS)封装的一部分的示意性分解部分透视图。
图4展示说明包含导电抗静电涂层的显示装置的横截面示意图的实例。
图5A至5G展示说明囊封衬底上的导电抗静电涂层的布置的横截面示意图的实例。
图6展示说明用于具有导电抗静电涂层的囊封衬底的制造过程的流程图的实例。
图7展示说明用于具有包含导电抗静电涂层的囊封衬底的显示装置的制造过程的流程图的实例。
图8A及8B展示说明制造具有包含导电抗静电涂层的囊封衬底的显示装置的某些阶段的示意图的实例。
图9A及9B展示说明显示装置对机械震动的回应的示意图的实例。
图9C及9D展示说明包含构形特征的导电抗静电薄膜的示意图的实例。
图10A及10B为说明包含多个IMOD显示元件的显示装置的系统框图。
各图式中相同参考数字及编号均指示相同元件。
具体实施方式
以下描述是有关出于描述本发明的新颖方面的目的的某些实施方案。然而，所属领域的一般技术人员将易于认识到，可以众多不同方式来应用本文的教示。所描述的实施可在可经配置以显示图像的任何装置、装置或系统中实施，无论图像是运动的(例如，视频)还是静止的(例如，静态图像)，且无论图像是文本的、图形的还是图片的。更确切地说，预期所描述的实施方案可包含于例如(但不限于)以下各者的多种电子装置中或与所述电子装置相关联：移动电话、具备多媒体因特网功能的蜂窝电话、移动电视接收器、无线装置、智能电话、装置、个人数据助理(PDA)、无线电子邮件接收器、手持式或便携式计算机、上网本、笔记型计算机、智能本、平板计算机、打印机、复印机、扫描器、传真装置、全球定位系统(GPS)接收器/导航器、相机、数字媒体播放器(例如，MP3播放器)、摄录影机、游戏控制台、腕表、钟表、计算器、电视监视器、平板显示器、电子阅读装置(例如，电子阅读器)、计算机监视器、汽车显示器(包含里程表显示器及速度计显示器等)、座舱控制件及/或显示器、相机景观显示器(例如，车辆中的后视相机的显示器)、电子照片、电子广告牌或标识、投影仪、建筑结构、微波炉、冰箱、立体声系统、匣式录音机或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音机、便携式存储器芯片、洗衣机、干燥器、洗衣机/干燥器、停车计时器、封装(例如，包含微机电系统(MEMS)应用的机电系统(EMS)应用以及非EMS应用中的封装)、美学结构(例如，关于一件珠宝或服装的图像的显示)及多种EMS装置。本文的教示也可用于非显示应用中，例如(但不限于)：电子开关装置、射频滤波器、传感器、加速计、回转仪、运动感测装置、磁力计、用于消费型电子装置的惯性组件、消费型电子产品的零件、变抗器、液晶装置、电泳装置、驱动方案、制造过程，及电子测试设备。因此，所述教示并不希望限于仅在诸图中描绘的实施，而实情为，具有如所属领域的一般技术人员将易于显而易见的广泛适用性。
本文所描述的实施方案涉及包含抗静电涂层的显示装置。抗静电涂层可减轻归因于静电放电(ESD)的损害。显示装置可包含其上具有显示元件的透明衬底及覆盖显示元件的囊封衬底。囊封衬底的一或多个表面上的抗静电涂层可阻止或耗散可在显示装置的制造或操作期间累积的电荷。抗静电涂层可为导电的及透明的，其中所述涂层的实例包含透明导电氧化物(TCO)、薄金属膜、薄碳膜及导电性纳米结构的网状物。
在一些实施方案中，导电抗静电涂层可涂覆于其上安置有环氧树脂及其它密封材料的囊封衬底的外围区域上。导电抗静电涂层可经安置于囊封衬底与密封材料之间。在一些实施方案中，囊封衬底上的导电抗静电涂层面对经安置于显示器玻璃或其它透明衬底上的显示元件。在一些实施方案中，囊封衬底上的导电抗静电涂层可包含减小静摩擦的构形特征。
可实施本发明中所描述的主题的特定实施方案以实现以下潜在优势中的一或多者。显示装置的囊封衬底上的抗静电涂层可改善良率及使用期限，减少归因于显示装置的制造或操作期间的ESD事件的故障。囊封衬底上的抗静电涂层可在例如刻划及断裂的过程及其它后段生产线(BEOL)过程期间减轻对显示器玻璃或其它透明衬底上的薄膜晶体管(TFT)及其它电组件的损害。囊封衬底上的抗静电涂层可减轻归因于可在显示装置的操作期间发生的显示装置的显示元件与囊封衬底之间的ESD的损害。包含构形特征的抗静电涂层可减少显示元件与囊封衬底之间的接触，从而减轻归因于此类接触的损害。
所描述的实施方案可应用至的合适的EMS或MEMS装置或设备的实例为反射式显示装置。反射式显示装置可并入有干涉调制器(IMOD)显示元件，所述显示元件可经实施以使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射入射于其上的光。IMOD显示元件可包含部分光学吸收器、可相对于吸收器移动的反射器及定义于吸收器与反射器之间的光学谐振腔。在一些实施方案中，反射器可移动至两个或两个以上不同位置，此情况可改变光学谐振腔的大小且由此影响IMOD的反射率。IMOD显示元件的反射光谱可产生相当宽广的光谱带，所述光谱带可跨越可见波长移位以产生不同色彩。可通过改变光学谐振腔的厚度来调整光谱带的位置。改变光学谐振腔的一种方式为通过改变反射器相对于吸收器的位置。
图1为描绘干涉调制器(IMOD)显示装置的一系列显示元件或显示元件阵列中的两个邻近IMOD显示元件的等角视图说明。IMOD显示装置包含一或多个干涉EMS(例如，MEMS)显示元件。在这些装置中，干涉MEMS显示组件可经配置处于明亮或黑暗状态。在明亮(“松弛”、“打开”或“接通”等)状态下，显示元件反射大部分的入射可见光。相反地，在黑暗(“致动”、“关闭”或“断开”)状态下，显示元件反射极少的入射可见光。MEMS显示元件可经配置以主要在光的特定波长处进行反射，从而允许除黑色及白色的外的色彩显示。在一些实施方案中，通过使用多个显示元件，可实现不同强度的色彩基色及灰度。
IMOD显示装置可包含可以行及列布置的IMOD显示元件的阵列。所述阵列中的每一显示元件可包含至少一对反射及半反射层，例如，可移动反射层(即，可移动层，也被称作机械层)及固定部分反射层(即，静止层)，所述层经定位为彼此相距可变及可控距离以形成气隙(也被称作光学间隙、空腔或光学谐振腔)。可移动反射层可在至少两个位置之间移动。举例来说，在第一位置(即，松弛位置)中，可移动反射层可定位为与固定部分反射层相距一距离。在第二位置(即，致动位置)中，可移动反射层可较接近于部分反射层而定位。自两个层反射的入射光可取决于可移动反射层的位置及入射光的波长而相长及/或相消地干涉，从而针对每一显示元件产生整体反射或非反射状态。在一些实施方案中，显示元件可在未致动时处于反射状态，从而反射可见光谱内的光，且可在经致动时处于黑暗状态，从而吸收及/或相消地干涉可见范围内的光。然而，在一些其它实施方案中，IMOD显示元件可在未致动时处于黑暗状态，且在经致动时处于反射状态。在一些实施方案中，所施加的电压的引入可驱动显示元件以改变状态。在一些其它实施方案中，所施加的电荷可驱动显示元件以改变状态。
图1中的阵列的所描绘部分包含呈IMOD显示元件12的形式的两个邻近的干涉MEMS显示元件。在右侧(如所说明)的显示元件12中，说明可移动反射层14处于接近、邻近或碰触光学堆叠16的致动位置中。跨越右侧的显示元件12施加的电压Vbias足以移动可移动反射层14且也将其维持于致动位置中。在左侧(如所说明)的显示元件12中，说明可移动反射层14处于距包含部分反射层的光学堆叠16一距离(其可基于设计参数预定)的松弛位置中。跨越左侧的显示元件12所施加的电压V0不足以引起可移动反射层14至致动位置(例如，右侧的显示元件12的彼致动位置)的致动。
在图1中，大体上通过指示入射于IMOD显示元件12上的光13及自左侧的显示元件12反射的光15的箭头说明IMOD显示元件12的反射性质。入射于显示元件12上的光13的大部分可朝向光学堆叠16经透射穿过透明衬底20。入射于光学堆叠16上的光的一部分可经透射穿过光学堆叠16的部分反射层，且一部分将经由透明衬底20反射回来。光13的经透射穿过光学堆叠16的部分可自可移动反射层14朝向(且穿过)透明衬底20被反射回来。自光学堆叠16的部分反射层反射的光与自可移动反射层14反射的光之间的干涉(相长及/或相消)将部分地判定在装置的观察侧或衬底侧自显示元件12反射的光15的波长的强度。在一些实施方案中，透明衬底20可为玻璃衬底(有时被称作玻璃板或面板)。玻璃衬底可为或包含(例如)硼硅酸盐玻璃、碱石灰玻璃、石英、派热斯(Pyrex)或其它合适的玻璃材料。在一些实施方案中，所述玻璃衬底可具有0.3毫米、0.5毫米或0.7毫米的厚度，但在一些实施方案中，所述玻璃衬底可较厚(例如，数十毫米)或较薄(例如，小于0.3毫米)。在一些实施方案中，可使用非玻璃衬底，例如，聚碳酸酯、丙烯酸、聚对苯二甲酸伸乙酯(PET)或聚醚醚酮(PEEK)衬底。在此实施方案中，非玻璃衬底将很可能具有小于0.7毫米的厚度，但视设计考虑而定，所述衬底可较厚。在一些实施方案中，可使用非透明衬底，例如，基于金属箔或不锈钢的衬底。举例来说，包含固定反射层及部分透射且部分反射的可移动层的基于反向IMOD的显示器可经配置以作为图1的显示元件12而自衬底的相反侧观察且可由非透明衬底支撑。
光学堆叠16可包含单一层或若干层。所述层可包含电极层、部分反射且部分透射层及透明介电层中的一或多者。在一些实施方案中，光学堆叠16是导电的、部分透明的且部分反射的，且可(例如)通过将上述层中的一或多者沉积至透明衬底20上而制造。可由例如各种金属(例如，氧化铟锡(ITO))的多种材料形成电极层。所述部分反射层可由例如各种金属(例如，铬及/或钼)、半导体及电介质的部分反射的多种材料形成。部分反射层可由一或多个材料层形成，且所述层中的每一者可由单一材料或材料的组合形成。在一些实施方案中，光学堆叠16的某些部分可包含充当部分光学吸收器及电导体两者的单一半透明厚度的金属或半导体，而不同的较导电的层或部分(例如，光学堆叠16或显示元件的其它结构的层或部分)可用以在IMOD显示元件之间用总线传送(bus)信号。光学堆叠16也可包含覆盖一或多个导电层或一导电/部分吸收层的一或多个绝缘或介电层。
在一些实施方案中，光学堆叠16的所述层中的至少一些层可经图案化为平行条带，且可形成显示装置中的行电极，如下文进一步描述。所属领域的一般技术人员将理解，术语“经图案化”在本文中用以指代掩蔽以及蚀刻过程。在一些实施方案中，可将高度导电且反射的材料(例如，铝(Al))用于可移动反射层14，且这些条带可形成显示装置中的列电极。可移动反射层14可形成为一或多个所沉积金属层的一系列平行条带(与光学堆叠16的行电极正交)，以形成沉积于支撑件(例如，所说明的柱18及位于柱18之间的介入牺牲材料)的顶部上的列。当蚀刻掉牺牲材料时，所定义的间隙19或光学腔可形成于可移动反射层14与光学堆叠16之间。在一些实施方案中，柱18之间的间隔可为大约1μm至1000μm，而间隙19可大约小于10,000埃
在一些实施方案中，可将每一IMOD显示元件(无论是处于致动还是松弛状态)视为由固定反射层及移动反射层形成的电容器。如由图1中左侧的显示元件12所说明，当未施加电压时，可移动反射层14保持处于机械松弛状态，其中间隙19处于可移动反射层14与光学堆叠16之间。然而，当将电位差(即，电压)施加至所选行及列中的至少一者时，在对应显示元件处的行电极与列电极的相交处形成的电容器变得带电，且静电力将所述电极牵拉在一起。如果所施加电压超过阈值，则可移动反射层14可变形且靠近或抵靠光学堆叠16移动。光学堆叠16内的介电层(图中未展示)可防止短路且控制层14与层16之间的分离距离，如由图1中右侧的经致动显示元件12所说明。无论所施加电位差的极性如何，列均可为相同的。虽然阵列中的一系列显示元件可在一些例子中被称为“行”或“列”，但所属领域的一般技术人员将易于理解，将一方向称为“行”且将另一方向称为“列”是任意的。再声明，在一些定向上，可将行视为列，且将列视为行。在一些实施方案中，可将行称为“共同”线且可将列称作“分段”线，或反之亦然。此外，显示元件可均匀地以正交的行及列(“阵列”)布置，或以非线性配置布置，例如，具有相对于彼此的某些位置偏移(“马赛克”)。术语“阵列”及“马赛克”可指代任何配置。因此，虽然将显示器称为包含“阵列”或“马赛克”，但元件自身不需要彼此正交地布置，或按均匀分布安置，而在任何例子中可包含具有不对称形状及不均匀分布的元件的布置。
图2为说明并入有包含IMOD显示元件的三个元件乘三个元件阵列的基于IMOD的显示器的电子装置的系统框图。所述电子装置包含可经配置以执行一或多个软件模块的处理器21。除执行操作系统外，处理器21也可经配置以执行一或多个软件应用程序，包含网页浏览程序、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。
处理器21可经配置以与阵列驱动器22通信。阵列驱动器22可包含将信号提供至(例如)显示阵列或面板30的行驱动器电路24及行驱动器电路26。图1中所说明的IMOD显示装置的横截面由图2中的线1-1展示。尽管图2为了清晰起见而说明IMOD显示元件的3×3阵列，但显示阵列30可含有极大数目的IMOD显示元件，且可在行中具有与行中不同数目个IMOD显示元件，且反之亦然。
图3A及3B为包含EMS元件阵列36及背板92的EMS封装91的一部分的示意性分解部分透视图。图3A经展示为切除背板92的两个拐角以更好地说明背板92的某些部分，而图3B经展示为未切除拐角的情况。EMS阵列36可包含衬底20、支撑柱18及可移动层14。在一些实施方案中，EMS阵列36可包含IMOD显示元件阵列，其具有在透明衬底上的一或多个光学堆叠部分16，且可移动层14可实施为可移动反射层。
背板92可基本上为平面，或可具有至少一个波状表面(例如，背板92可形成有凹陷及/或突起)。背板92可由任何合适材料(无论是透明还是不透明、导电还是绝缘的材料)制成。用于背板92的合适材料包含(但不限于)玻璃、塑料、陶瓷、聚合物、层压板、金属、金属箔、科伐合金(Kovar)及电镀式科伐合金。
如图3A及3B中所展示，背板92可包含可部分或完全嵌入于背板92中的一或多个背板组件94a及94b。如图3A中可见，背板组件94a嵌入于背板92中。如图3A及3B中可见，背板组件94b安置于背板92的表面中所形成的凹陷93内。在一些实施方案中，背板组件94a及/或94b可自背板92的表面突出。尽管背板组件94b安置于背板92的面向衬底20的侧上，但在其它实施方案中，背板组件可安置于背板92的相对侧上。
背板组件94a及/或94b可包含一或多个有源或无源电组件，例如晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、开关及/或例如经封装的标准或离散集成电路(IC)的IC。可用于各种实施方案的背板组件的其它实例包含天线、电池及传感器(例如电传感器、触控传感器、光学传感器或化学传感器)或薄膜沉积的装置。
在一些实施方案中，背板组件94a及/或94b可与EMS阵列36的部分电通信。例如迹线、凸块、柱或通孔的导电结构可形成于背板92或衬底20中的一或两者上，且可彼此接触或接触其它导电组件以在EMS阵列36与背板组件94a及/或94b之间形成电连接。举例来说，图3B包含背板92上的一或多个导电通孔96，其可与自EMS阵列36内的可移动层14向上延伸的电接点98对准。在一些实施方案中，背板92也可包含使背板组件94a及/或94b与EMS阵列36的其它组件电隔离的一或多个绝缘层。在背板92由透气材料形成的一些实施方案中，背板92的内部表面可涂覆有蒸气屏障(图中未展示)。
背板组件94a及94b可包含用于吸收可进入EMS封装91的任何湿气的一或多种干燥剂。在一些实施方案中，干燥剂(或其它湿气吸收材料(例如，除气剂))可(例如)作为使用粘合剂而安装至背板92(或形成于其中的凹陷中)的薄片与任何其它背板组件分开地提供。替代地，可将干燥剂集成到背板92中。在一些其它实施方案中，可例如通过喷涂、丝网印刷或任何其它合适方法将干燥剂直接或间接地涂覆于其它背板组件上方。
在一些实施方案中，EMS阵列36及/或背板92可包含机械支座97以维持背板组件与显示元件之间的距离，且由此防止那些组件之间的机械干涉。在图3A及3B中所说明的实施方案中，机械支座97形成为自背板92突出的与EMS阵列36的支撑柱18对准的柱。替代地或另外，可沿着EMS封装91的边缘提供例如轨道或柱的机械支座。
尽管图3A及3B中未说明，但可提供部分或完全围绕EMS阵列36的密封件。密封件可与背板92及衬底20一起形成围封EMS阵列36的保护腔。密封件可为半气密密封件，例如常规的基于环氧树脂的粘合剂。在一些其它实施方案中，密封件可为气密密封件，例如薄膜金属焊接件或玻璃料。在一些其它实施方案中，密封件可包含聚异丁烯(PIB)、聚氨基甲酸酯、液态旋涂式玻璃、焊料、聚合物、塑料或其它材料。在一些实施方案中，加强型密封剂可用于形成机械支座。
在替代实施方案中，密封环可包含背板92或衬底20中的一或两者的延伸部。举例来说，密封环可包含背板92的机械延伸部(图中未展示)。在一些实施方案中，密封环可包含单独部件，例如O形环或其它环形部件。
在一些实施方案中，EMS阵列36及背板92在附接或耦合在一起之前单独地形成。举例来说，可如上文所论述地将衬底20的边缘附接并密封至背板92的边缘。替代地，可形成EMS阵列36及背板92且将其接合在一起作为EMS封装91。在一些其它实施方案中，可以任何其它合适方式制造EMS封装91，例如通过在EMS阵列36上通过沉积而形成背板92的组件。
显示装置中的静电放电(ESD)可导致装置失效。举例来说，在显示装置的制造或操作期间的ESD可导致IMOD或其它显示元件失效。本发明的一方面是一种显示装置，所述显示装置包含密封至透明衬底的囊封衬底、密封于显示装置与囊封衬底之间的一或多个显示元件及囊封衬底的至少一部分上的导电抗静电涂层。根据各种实施方案，抗静电涂层可进行以下操作中的一或两者：阻止静电荷累积及耗散可在显示装置的制造或操作期间累积的静电荷。
在一些实施方案中，显示装置包含显示元件与囊封衬底之间的间隙或空腔。此间隙可填充有空气或其它气体组合，或为真空空腔。IMOD显示器(例如)可包含IMOD像素与背部玻璃之间的气隙。在一些实施方案中，显示元件可接触囊封衬底，或显示元件与囊封衬底之间的区域可填充有固体或液体材料。举例来说，有机发光二极管(OLED)或液晶显示器(LCD)显示装置的防护玻璃罩可接触电极或光学堆叠的其它层。尽管以下所给出的实例着重于具有气隙的显示装置，但本文所揭示的囊封衬底可在其它显示装置中(例如在OLED及LCD显示装置中)实施。此外，本文所揭示的囊封衬底可在非显示装置中实施。举例来说，包含本文所揭示的导电抗静电涂层的囊封衬底可在非显示EMS装置中实施。
对于显示装置，本文所揭示的导电抗静电涂层大体上位于囊封衬底上，所述囊封衬底与经由其观察显示器的显示器玻璃或其它透明衬底相对。显示装置可具有有源矩阵或无源矩阵显示器。在一些实施方案中，囊封衬底可通过减轻对此类显示装置的薄膜晶体管(TFT)的ESD损害而对于有源矩阵显示器是有用的。
图4展示说明包含导电抗静电涂层的显示装置的横截面图的实例。显示装置100包含囊封衬底102及透明衬底104。囊封衬底102也可根据各种实施方案表征为囊封玻璃、背部玻璃、凹陷玻璃或背板。透明衬底104可根据各种实施方案表征为显示器玻璃或过程玻璃。显示元件106安置于透明衬底104上。在一些实施方案中，显示元件106可经制造于透明衬底104上。此外，在一些实施方案中，显示元件106经配置以产生可经由透明衬底104观察的图像。在一些实施方案中，显示元件可为EMS显示元件，例如图1中所描绘的IMOD显示元件12。在一些实施方案中，显示元件可为有机发光二极管(OLED)显示元件及类似者。此外，在一些实施方案中，TFT可电连接至显示元件以用于显示器的有源矩阵控制。
透明衬底104可为(例如)如上文关于图1所描述的透明衬底20，实例包含玻璃衬底及非玻璃聚合衬底。囊封衬底102可为(例如)如上文关于图3A及3B所描述的背板92。根据各种实施方案，囊封衬底102可为透明的或不透明的，且可为导电的或绝缘的。用于囊封衬底102的合适的材料包含(但不限于)：玻璃、塑料、陶瓷、聚合物及层压板。在一些实施方案中，囊封衬底102具有一或多个波状表面；例如，图4中所展示的囊封衬底102包含容纳显示元件106的凹陷108，所述凹陷面向显示装置的有效显示区域122。在一些其它实施方案中，囊封衬底102可基本上为平面的。
通过接触有效显示区域122外部的透明衬底104的密封件110将囊封衬底102密封至透明衬底104。所述密封件可为任何适当的密封件，包含环氧树脂密封件、金属密封件或玻璃料。在一些实施方案中，密封件可包含PIB、聚氨基甲酸酯、液体旋涂式玻璃、焊料、聚合物、塑料或其它材料。
囊封衬底102具有前侧112、背侧114及侧壁116。前侧112(包含凹陷108及环绕凹陷108的外围区域118)面向透明衬底104的一侧，在所述侧上安置显示元件106且涂覆有导电抗静电涂层120。在一些实施方案中，导电抗静电涂层120为透明的，以便于将囊封衬底102与透明衬底104对准。导电抗静电涂层120可为适当的导电材料，包含透明导电氧化物、金属薄膜、导电性碳纳米管网状物及类似者。下文描述导电抗静电涂层的其它实例。在图4的实例中，导电抗静电涂层保形地涂覆前侧112，以使得其跨越前侧112(包含跨越外围区域118、凹陷108的分级侧壁124及凹陷108的平面部分)为连续的。如下文进一步论述，在一些实施方案中，包含跨越凹陷的分级及曲线壁的涂层的保形涂层可有助于电荷耗散。
图5A至5G展示说明囊封衬底上的导电抗静电涂层的布置的横截面示意图的实例。在图5A中，囊封衬底102的前侧112包含凹陷108及外围区域118。导电抗静电涂层120在外围区域118上且未在凹陷108中。图5B中展示类似布置，其中囊封衬底102为平面的。囊封衬底102不包含凹陷，但具有经配置以覆盖显示装置的透明衬底上的显示元件的区域128。如图5A及5B的实例中的布置可用于减轻归因于刻划及断裂过程期间的ESD的损害，同时使导电材料不进入包含囊封衬底102的显示装置的有效显示区域。下文关于图8A及8B对此进行进一步论述。
图5C展示囊封衬底102的实例，其中导电抗静电涂层120位于凹陷108的平面表面上且位于囊封衬底102的外围区域118上，但不位于凹陷108的分级侧壁124上。凹陷108的平面表面上的导电抗静电涂层120可面向显示装置的显示元件，且可为与外围区域118上的导电抗静电涂层120相同或不同的材料。图5D展示其中导电抗静电涂层120位于囊封衬底102的凹陷108内且不位于囊封衬底102的外围区域118上的实例。包含面向显示元件的导电抗静电涂层的实施可用于减轻归因于显示元件由于震动、冲击或用户交互而接触囊封玻璃情况下的ESD的损害。下文关于图9A及9B对此进行进一步论述。
在一些实施方案中，装置显示装置的囊封衬底的背侧及侧壁中的一或两者涂覆有导电抗静电涂层。图5E展示其中囊封衬底102的前侧112、背侧114及侧壁116涂覆有导电抗静电涂层120的实例。在图5F中，仅囊封衬底102的侧壁116涂覆有导电抗静电涂层120。图5G展示其中囊封衬底102的背侧114涂覆有导电抗静电涂层120的实例。包含侧壁上的导电抗静电涂层的实施可减轻归因于搬运中的ESD的损害。在一些实施方案中，侧壁涂层可提供远离囊封衬底的前侧的导电路径，以便于电荷的耗散。
根据各种实施方案，导电抗静电涂层可或可不接地。在一些实施方案中，导电抗静电涂层可电连接至显示装置的其它导电组件。举例来说，导电抗静电涂层可与延伸穿过囊封衬底、囊封衬底的表面上的金属布线或透明衬底的表面上的金属布线的导电通孔(例如图3B中的导电通孔96)电连通。在一些实施方案中，导电抗静电涂层可连接至接地平面。在一些实施方案中，导电抗静电涂层可经由将囊封衬底密封至透明衬底的金属密封件而电连接至装置、电路或透明衬底上的其它电有源组件。
虽然图4及图5A至5G提供囊封衬底上的导电抗静电涂层的各种布置的实例，但其它布置是可能的。举例来说，导电抗静电涂层可位于背侧及侧壁上，但不位于囊封衬底的前侧上。
导电抗静电涂层可由充分导电以耗散累积的电荷的任何适当的导电材料形成。可在薄片电阻方面来表征抗静电涂层。所述材料的薄片电阻可取决于待耗散的电荷量；经配置以耗散可自相互摩擦的较大表面累积的电荷的抗静电涂层可具有极其低的薄片电阻。累积于较小表面积上方的电荷可通过较具电阻性的材料耗散。
一般来说，抗静电涂层材料具有低于106欧姆每平方(Ω/sq)的薄片电阻。在一些实施方案中，导电抗静电材料可具有约1Ω/sq与200Ω/sq之间，或约40Ω/sq与200Ω/sq之间的薄片电阻。举例来说，导电抗静电涂层可为具有约50Ω/sq的薄片电阻的ITO层。在一些实施方案中，可使用具有小于1Ω/sq的较导电材料(例如薄碳膜或金属薄膜)。此外，在一些实施方案中，可使用表征为耗散性而非导电性的抗静电涂层。耗散材料为具有106Ω/sq至109Ω/sq之间的薄片电阻的材料。
如上文所指示，根据各种实施方案，抗静电涂层可为透明的或不透明的。在一些实施方案中，透明度并非与显示装置的显示特性有关，但便于将显示器玻璃或其它透明衬底对准至囊封衬底。在一些实施方案中，透明的导电抗静电涂层可包含透明导电氧化物(TCO)。举例来说，导电抗静电涂层可包含氧化铟锡(ITO)及掺杂的锌氧化物(例如氧化锌铝(AZO))。在一些实施方案中，透明的导电抗静电涂层可包含透明导电聚合物。例如，导电抗静电涂层可包含聚苯胺、聚吡咯、例如聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)的聚噻吩或任何其它固有地导电或半导电聚合物中的至少一者。在一些实施方案中，透明的导电抗静电涂层可包含透明导电墨。在一些实施方案中，可使用导电性纳米线或纳米管的网状物。导电性纳米结构的实例包含银纳米线及碳纳米管。可使用的含有银纳米线的透明导电墨的实例为来自坎布利欧技术(Cambrios Technologies)的ClearOhmTM。
所使用的TCO或其它透明导电材料的厚度可取决于其导电性及透明度。ITO及其它透明导电材料的导电性与透明度为负相关，ITO中增加的氧化物导致更透明、较不导电的材料。对于特定厚度，TCO材料可具有视其构成组分的相对量而定的薄片电阻及透明度的范围。TCO及其它透明导电材料的实例厚度介于约与之间。可根据材料的薄片电阻来使用这些范围外的厚度。在一些实施方案中，因为透明度不用于显示，所以可采用比将用在充当显示器玻璃的透明衬底上的薄膜薄的较不透明的TCO薄膜。举例来说，可使用与典型TCO薄膜相比为较不透明及较导电的且具有及之间的厚度的TCO薄膜。在一些实施方案中，出于对准的目的，透明导电抗静电涂层可包含足够薄以为透明的金属膜。举例来说，薄金属膜可为透明的，以使得囊封衬底上的对准标记可由对准雷射或其它对准装置读取。金属的实例包含铝、钼、铜及类似者。举例来说，在一些实施方案中，可使用约至之间的铝薄膜以提供导电及透明的涂层。可使用碳基导电薄膜，例如石墨或碳膏薄膜。在较小厚度处，碳基薄膜可充分透明以用于对准。
在其中对准标记的光学侦测并非问题的实施方案中，导电抗静电薄膜可为不透明的或透明的。此外，在其中囊封衬底的前侧未经涂覆或仅经部分涂覆的实施方案中，对准标记可定位于囊封衬底的未经涂覆的区域。在这些实施方案中，导电抗静电薄膜可为不透明的或透明的。
如下文关于图9C及9D进一步所论述，在一些实施方案中，导电抗静电涂层包含提供抗静摩擦及抗静电性质的构形特征或固有粗糙度。这些特征的构形尺度可低至(例如)几纳米至数百纳米。在一些实施方案中，导电抗静电涂层可包含(例如)TCO涂层的顶部上的导电纳米线网状物。导电纳米线为防止或减小静摩擦的构形特征的一个实例。
图6展示说明具有导电抗静电涂层的囊封衬底的制造过程的流程图的实例。所述制造过程的操作中的任一者可在单粒化之前在任何适当点处以分批法的晶片或面板级执行或在单粒化后在单独封装级上执行。
过程200在框210处开始于在囊封衬底中视情况形成一或多个凹陷。根据各种实施方案，框210可以面板或晶片级执行，其中形成用于多个显示装置的囊封衬底的凹陷。形成凹陷可涉及任何适当的过程，包含(但不限于)：湿式蚀刻或喷砂，或这些技术的组合。举例来说，玻璃囊封衬底可使用基于氟化氢的溶液蚀刻。在其中使用平面囊封衬底的实施方案中，不执行框210。在一些实施方案中，形成凹陷以便于凹陷中的导电抗静电薄膜的保形涂覆。此凹陷可具有非垂直壁，例如图4的实例中的分级侧壁124。根据各种实施方案，所述壁可为倾斜的直线壁或曲线壁。在涂层并非形成于凹陷的侧壁上的实施方案中(例如在图5C的实例中)，侧壁可为垂直的或接近垂直的，以便于在囊封衬底的平面部分上进行选择性涂覆。
过程200在框220处继续进行其上将涂覆导电抗静电薄膜的表面的可选清洁。是否执行清洁可取决于通过其形成一或多个凹陷的方法；例如，喷沙表面可使粒子在涂覆前清除。
过程200在框230处继续用导电抗静电涂层来涂覆囊封衬底的一或多个表面。如上文关于图5A至5G所论述，前侧、背侧及侧壁中的一或多者可经涂覆。在涂覆一表面时，可涂覆所述表面的全部或一部分。举例来说，导电抗静电材料的环状物可经图案化于囊封衬底的前侧上。在一些实施方案中，框230可在框210前执行。举例来说，为了在外围区域上但不在囊封衬底的前侧的凹陷内形成导电抗静电涂层，可在形成凹陷之前形成涂层。
可使用包含以下中的一或多者的任何适当的涂覆技术：电子束涂覆过程、溅镀沉积过程或其它物理气相沉积(PVD)过程、真空涂覆过程、化学气相沉积(CVD)过程、原子层沉积(ALD)过程、基于溶液的涂覆过程、蒸发过程、注入过程、分散过程、刮压过程或旋涂过程。涂覆过程可取决于待涂覆的材料及涂层是否经图案化或是否是保形的。ITO或其它TCO材料的保形沉积可涉及(例如)真空沉积过程、电子束涂覆或蒸发过程。经图案化的涂层的形成可涉及丝网印刷、剥离的掩模上的沉积或光阻剂的使用。在一些实施方案中，可通过无掩模直接写入过程(例如分配或喷墨印刷)来形成涂层。薄金属膜的保形沉积可涉及(例如)PVD、ALD或CVD过程。
涂覆技术可部分地由导电抗静电涂层中的粗糙度的量判定。气相沉积技术倾向于产生(例如)具有小于1nm均方根(RMS)表面粗糙度的高度均匀的薄膜。湿式涂覆技术(例如粒子分散液的喷涂)提供具有更高粗糙度的薄膜。举例来说，10nm TCO粒子的喷涂可具有约10nm的粗糙度。因此，所需粗糙度可通过使用大小适当的导电纳米粒子来产生。如下文关于图9C及9D进一步所论述，在一些实施方案中，具有纳米级或更高粗糙度的导电抗静电涂层可用作抗静摩擦薄膜。
过程200在框240处继续在囊封衬底上形成用于一或多个显示装置的密封剂。此可涉及(例如)将环氧树脂分配于囊封衬底上的一或多个密封区域中。举例来说，环氧树脂可围绕囊封衬底上的每一凹陷分配。在一些实施方案中，可形成玻璃料、金属密封环或焊料材料。
如上文关于图4所论述，框240可包含在导电抗静电涂层上形成密封剂。举例来说，环氧树脂可经分配于覆盖囊封衬底的前侧的ITO层上。在一些实施方案中，导电抗静电涂层可提供较均匀的表面性质，从而允许环氧树脂或其它类型的密封件比在囊封衬底的裸表面上而更易黏附。
如上文所指示，制造过程的操作中的任一者可以晶片或面板级执行。在囊封衬底上的前侧或背侧上形成一涂层可在针对用于多个显示装置的囊封衬底的一个操作(或针对双面涂覆的两个操作)中执行。然而，在囊封装置的侧壁上形成一涂层大体上涉及首先将晶片或面板级囊封衬底单粒化为单独的单元，以使侧壁可接达。
图7展示说明用于具有包含导电抗静电涂层的囊封衬底的显示装置的制造过程的流程图的实例。过程300在框310处通过提供用于一或多个显示装置的囊封衬底开始，其中所述囊封衬底包含导电抗静电涂层。框310可涉及提供(例如)如上文关于图6所描述的囊封衬底。
过程300在框320处继续提供其上包含用于一或多个显示器的显示元件及接触衬垫的透明衬底。透明衬底在其上可另外包含用于显示器的位于显示元件上或另外与显示元件相关联的TFT、金属布线及其它组件。举例来说，用于每一显示装置的黑色掩模可位于透明衬底上。
过程300在框330处继续将囊封衬底与透明衬底对准。如上文所指示，在一些实施方案中，此可涉及在囊封衬底上使用对准标记，透明抗导电涂层可促进所述使用。
过程在框340处继续将囊封衬底密封至透明衬底，以使得用于一或多个显示装置的显示元件由囊封衬底囊封。框340可涉及以下操作中的一或多者：施加压力及使环氧树脂或其它密封剂材料暴露至热或UV辐射以使材料固化。过程300在框350处继续刻划及断裂囊封衬底以暴露透明衬底上的接触衬垫。可使用标准刻划及断裂过程。可执行进一步处理，例如将接合的囊封衬底及透明衬底单粒化以形成单独的显示装置。如下文进一步所论述，在一些实施方案中，导电抗静电涂层减轻可在例如框350处的处理期间发生的ESD事件。
图8A及8B展示说明制造具有包含导电抗静电涂层的囊封衬底的显示装置的某些阶段的示意图的实例。图8A展示包含囊封衬底102通过密封件110密封至透明衬底104的显示装置100的实例。显示元件106安置于透明衬底104上。透明衬底104上的金属布线及接触衬垫130提供至显示元件106的电连接。囊封衬底102包含导电抗静电涂层120。划线132指示待切割囊封衬底102的位置。图8B展示沿着图8A中的划线132断裂囊封衬底102后的显示装置100。此暴露透明衬底104上的接触衬垫130，从而使其可用于电连接。在一些实施方案中，导电抗静电涂层120减轻在刻划及断裂操作中的一或两者期间发生的ESD事件。此情况对于其中TFT可由未减轻的ESD事件损害的有源矩阵显示器可为有用的。在一些实施方案中，囊封衬底或显示装置可在图8A及8B中所说明的制造过程的各个阶段处暴露于离子射丛以便于电荷耗散。
在图8A及8B的实例中，导电抗静电涂层120不延伸至囊封衬底102的凹陷中。然而，在一些实施方案中，具有延伸至凹陷以便于电荷耗散的保形及邻近的导电抗静电涂层可为有用的。上文关于图4及5E描述所述导电抗静电涂层的实例。
在一些实施方案中，导电抗静电薄膜可减轻来自归因于显示元件接触到囊封衬底的ESD事件的损害。所述事件可(例如)作为来自下降、点接触负载等对显示装置的机械震动的结果而发生。显示元件与囊封衬底接触的可能性随显示装置大小而增加。作为实例，透明衬底104在对角线上可为5至10英寸，显示元件106与囊封衬底102之间的距离大约为数百微米。图9A及9B展示说明显示装置对机械震动的回应的示意图的实例。在图9A中，显示装置100包含囊封衬底102及透明衬底104。显示元件106安置于透明衬底104上。导电抗静电涂层120位于囊封衬底102上，包含位于面向透明衬底104上的显示元件106的凹陷108内。如果显示装置100足够大，则透明衬底104上的负载可导致透明衬底104弯曲，如图9B中所说明。点接触、下降或其它负载可导致显示元件106与囊封衬底102之间的距离减少。距离的此减小可导致静态放电。导电抗静电涂层120减轻归因于放电的损害。在图9B的实例中，导电抗静电涂层从囊封衬底102的凹陷到外围区域不为连续的。在替代实施方案中，导电抗静电涂层可为邻近及保形的，如上文所描述。此可有助于促进电荷耗散。
在一些实施方案中，导电抗静电涂层120具有抗静摩擦性质，以减少对囊封衬底102的黏著且减轻归因于接触及静摩擦的损害。构形特征可具有小于显示元件大小至少一数量级，且在一些情况下小于显示元件大小至少两个数量级的高度。举例来说，如果IMOD像素大小为数十微米，则构形特征可具有不超过1微米或100纳米的高度。
图9C及9D展示说明包含构形特征的导电抗静电薄膜的示意图的实例。在图9C中，描绘囊封衬底102上的导电抗静电涂层120的一部分的顶视图。导电抗静电涂层120经图案化，以使得其形成自囊封衬底102的表面突出的构形特征126。在图9D中，描绘导电抗静电涂层120的一部分的横截面视图。导电抗静电涂层未经图案化，但包含构形特征126。构形特征126可(例如)通过图案化经沉积薄膜、通过使用沉积技术及包含纳米级粗糙度的材料在包含构形特征的层(例如绝缘层)上沉积保形导电薄膜来形成。在图9C及9D的实例中，构形特征126为导电的。在替代实施方案中，构形特征可包含连续的导电抗静电涂层上的导电或绝缘特征。
根据各种实施方案，构形特征126可具有至少5nm、至少20nm或至少100nm的高度。如上文所论述，在一些实施方案中，构形特征126可通过使用具有纳米级RMS粗糙度的导电抗静电涂层引入。实例包含具有5纳米与20纳米之间的直径的TCO粒子及具有5纳米与100纳米之间的直径的纳米线网状物的湿式涂覆溶液。在一些实施方案中，构形特征可通过在囊封衬底上图案化导电抗静电材料而引入。举例来说，经图案化的石墨层可经丝网印刷于囊封衬底上以形成导电抗静电涂层。石墨或其它经图案化的导电材料在空间上经图案化，使得电连接性经保持以耗散静电，但显示元件与导电抗静电薄膜的潜在接触面积在发生机械震动的情况下减小。在另一实例中，绝缘材料可经图案化以形成突起，在所述突起的上方或下方涂覆连续的导电抗静电薄膜。
图10A及10B为说明包含多个IMOD显示元件的显示装置40的系统框图。显示装置40可为(例如)智能手机、蜂窝或移动电话。然而，显示装置40的相同组件或其轻微变化也说明各种类型的显示装置，例如，电视、计算机、平板计算机、电子阅读器、手持式装置及便携式媒体装置。
显示装置40包含外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入装置48及麦克风46。可由多种制造过程(包含射出模制及真空成型)中的任一者形成外壳41。另外，外壳41可由多种材料中的任一者制成，多种材料包含(但不限于)：塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷或其组合。外壳41可包含可与不同色彩或含有不同标志、图片或符号的其它可移除部分互换的可移除部分(图中未展示)。
显示器30可为如本文中所描述的多种显示器中的任一者，包含双稳态或类比显示器。显示器30也可经配置以包含：平板显示器，例如，等离子体、EL、OLED、STN LCD或TFTLCD；或非平板显示器，例如，CRT或其它管式装置。另外，显示器30可包含如本文中所描述的基于IMOD的显示器。
显示装置40的组件示意性地说明于图6A中。显示装置40包含外壳41，且可包含至少部分围封于其中的额外组件。举例来说，显示装置40包含网络接口27，所述网络接口包含可耦合至收发器47的天线43。网络接口27可为可显示于显示装置40上的图像数据的来源。因此，网络接口27为图像源模块的实例，但处理器21及输入装置48也可充当图像源模块。收发器47连接至处理器21，所述处理器连接至调节硬件52。调节硬件52可经配置以调节信号(例如，对信号进行滤波或以其它方式操纵信号)。调节硬件52可连接至扬声器45及麦克风46。处理器21也可连接至输入装置48及驱动器控制器29。驱动器控制器29可耦合至帧缓冲器28及耦合至阵列驱动器22，所述阵列驱动器又可耦合至显示阵列30。显示装置40中的一或多个元件(包含图6A中未具体描绘的元件)可经配置以充当存储器装置且经配置以与处理器21通信。在一些实施方案中，电力供应器50可将电力提供至特定显示装置40设计中的基本上所有组件。
网络接口27包含天线43及收发器47，使得显示装置40可经由网络与一或多个装置通信。网络接口27也可具有用以降低(例如)处理器21的数据处理要求的一些处理能力。天线43可发射及接收信号。在一些实施方案中，天线43根据IEEE 16.11标准(包含IEEE 16.11(a)、(b)或(g))或IEEE 802.11标准(包含IEEE 802.11a、b、g、n)及其另外实施来发射及接收RF信号。在一些其它实施方案中，天线43根据标准发射及接收RF信号。在蜂窝电话的情况下，天线43可经设计以接收码分多址(CDMA)、频分多址(FDMA)、时分多址(TDMA)、全球移动通信系统(GSM)、GSM/通用无线分组业务(GPRS)、增强型数据GSM环境(EDGE)、陆地集群无线电(TETRA)、宽带CDMA(W-CDMA)、演进数据优化(EV-DO)、1xEV-DO、EV-DO Rev A、EV-DO Rev B、高速分组接入(HSPA)、高速下行链路分组接入(HSDPA)、高速上行链路分组接入(HSUPA)、演进型高速分组接入(HSPA+)、长期演进(LTE)、AMPS或用以在无线网络(例如，利用3G、4G或5G技术的系统)内通信的其它已知信号。收发器47可预处理从天线43接收的信号，以使得所述信号可由处理器21接收及进一步操纵。收发器47也可处理从处理器21接收的信号以使得所述信号可经由天线43自显示装置40发射。
在一些实施方案中，可用接收器替换收发器47。另外，在一些实施方案中，可用可存储或产生待发送至处理器21的图像数据的图像源替换网络接口27。处理器21可控制显示装置40的总体操作。处理器21从网络接口27或图像源接收数据(例如压缩图像数据)，且将数据处理成原始图像数据或处理成可易于处理成原始图像数据的格式。处理器21可发送经处理的数据至驱动器控制器29或至帧缓冲器28以供存储。原始数据通常指代识别图像内的每一位置处的图像特性的信息。举例来说，所述图像特性可包含色彩、饱和度及灰度阶。
处理器21可包含微控制器、CPU或逻辑单元以控制显示装置40的操作。调节硬件52可包含用于将信号发射至扬声器45且用于接收来自麦克风46的信号的放大器及滤波器。调节硬件52可为显示装置40内的离散组件，或可并入处理器21或其它组件内。
驱动器控制器29可直接从处理器21还是从帧缓冲器28获取由处理器21所产生的原始图像数据，且可适当地重新格式化所述原始图像数据以用于高速发射至阵列驱动器22。在一些实施方案中，驱动器控制器29可将原始图像数据重新格式化为具有光栅状格式的数据流，以使得其具有适合于跨越显示阵列30扫描的时间次序。接着驱动器控制器29将经格式化的信息发送至阵列驱动器22。尽管例如LCD控制器的驱动器控制器29常常作为独立集成电路(IC)而与系统处理器21相关联，但可以许多方式来实施所述控制器。举例来说，控制器可作为硬件嵌入处理器21中、作为软件嵌入处理器21中，或以硬件与阵列驱动器22完全集成。
阵列驱动器22可从驱动器控制器29接收经格式化的信息，且可将视频信息重新格式化为一组平行的波形，所述组波形被每秒许多次地施加至来自显示器的x-y显示元件矩阵的数百且有时数千个(或更多)引线。
在一些实施方案中，驱动器控制器29、阵列驱动器22及显示阵列30适用于本文所描述的任何类型的显示器。举例来说，驱动器控制器29可为常规显示控制器或双稳态显示控制器(例如，IMOD显示元件控制器)。此外，阵列驱动器22可为常规驱动器或双稳态显示驱动器(例如，IMOD显示元件驱动器)。此外，显示阵列30可为常规显示阵列或双稳态显示阵列(例如，包含IMOD显示元件阵列的显示器)。在一些实施方案中，驱动器控制器29可与阵列驱动器22集成。此实施可适用于例如移动电话、便携式电子装置、手表或小面积显示器的高度集成系统。
在一些实施方案中，输入装置48可经配置以允许(例如)用户控制显示装置40的操作。输入装置48可包含小键盘(例如，QWERTY小键盘或电话小键盘)、按钮、开关、摇杆、触敏屏、与显示阵列30集成的触敏屏，或压敏或热敏膜。麦克风46可经配置为用于显示装置40的输入装置。在一些实施方案中，经由麦克风46的语音命令可用于控制显示装置40的操作。
电力供应器50可包含多种能量存储装置。举例来说，电力供应器50可为可再充电电池，例如，镍镉电池或锂离子电池。在使用可再充电电池的实施方案中，可再充电电池可使用来自(例如)壁式插座或光伏装置或阵列的电力来充电。或者，可再充电电池可为可无线充电的。电力供应器50也可为再生能源、电容器或太阳能电池(包含塑料太阳能电池或太阳能电池漆)。电力供应器50也可经配置以从壁式插座接收电力。
在一些实施方案中，控制可编程性驻留于可位于电子显示系统中的若干处的驱动器控制器29中。在一些其它实施方案中，控制可编程性驻留于阵列驱动器22中。以上所描述的优化可实施于任何数目个硬件及/或软件组件中且以各种配置来实施。
如本文中所使用，指代项目列表“中的至少一者”的短语指代那些项目的任何组合，包含单一成员。作为实例，“a、b或c中的至少一者”希望涵盖：a、b、c、a-b、a-c、b-c及a-b-c。
可将结合本文中所揭示的实施而描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块、电路及算法步骤实施为电子硬件、计算机软件或两者的组合。硬件与软件的互换性已经大体上按功能性描述，且说明于上述各种说明性组件、块、模块、电路及步骤中。将此功能性实施于硬件还是软件中取决于特定应用及强加于整个系统上的设计约束。
用以实施结合本文中所揭示的方面而描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块及电路的硬件及数据处理设备可通过通用单芯片或多芯片处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文中所描述的功能的任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器、或任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可实施为计算装置的组合，例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器、结合DSP核心的一或多个微处理器，或任何其它此类配置。在一些实施方案中，特定步骤及方法可由特定用于给定功能的电路执行。
在一或多个方面中，所描述的功能可实施于硬件、数字电子电路、计算机软件、固件(包含在此说明书中揭示的结构及其结构等效物)或其任何组合中。此说明书中所描述的主题的实施方案也可实施为编码于计算机存储媒体上的一或多个计算机程序(即，计算机程序指令的一或多个模块)以供数据处理设备执行或控制数据处理设备的操作。
本发明中所描述的实施方案的各种修改对于所属领域的技术人员来说可为易于显而易见的，且本文中所定义的一般原理可在不脱离本发明的精神或范围的情况下应用于其它实施方案。因此，权利要求书并不希望限于本文中所展示的实施方案，而应符合与本文中揭示的本发明、原理及新颖特征相一致的最广泛范围。另外，所属领域的一般技术人员将易于了解，有时用于易于描述诸图而使用术语“上”及“下”，且所述术语指示对应于在适当定向的页面上的图的定向的相对位置，且可能不反映如所实施的(例如)IMOD显示元件的适当定向。
在单独实施方案的情况下描述于此说明书中的某些特征也可在单一实施方案中以组合形式实施。相反，在单一实施方案的情况下所描述的各种特征也可单独地在多个实施方案中或以任何合适子组合而实施。此外，虽然上文可将特征描述为以某些组合起作用且甚至最初按此来请求，但来自所请求的组合的一或多个特征在一些情况下可从所述组合删除，且所请求的组合可针对子组合或子组合的变化。
类似地，尽管在图式中以特定次序来描绘操作，但所属领域的一般技术人员将易于认识到，所述操作无需以所示的特定次序或以依序次序执行，或所有所说明操作经执行以达成合乎需要的结果。另外，图式可按流程图的形式示意性地描绘一或多个实例过程。然而，未描绘的其它操作可并入于示意性说明的实例过程中。举例来说，可在说明的操作中的任何者之前、之后、同时或之间执行一或多个额外操作。在某些情况下，多任务及并行处理可为有利的。此外，不应将在上述实施方案中的各种系统组件的分离理解为需要在所有实施方案中的此分离，且应理解，所描述的程序组件及系统可大体上在单一软件产品中集成在一起或经封装至多个软件产品中。另外，其它实施方案处于以下权利要求书的范围内。在一些情况下，权利要求书中所引证的动作可以不同次序执行且仍达成所要结果。
Claims (26)
1.一种显示装置，其包括：
囊封衬底；
导电抗静电涂层，其位于所述囊封衬底的至少一部分上；
透明衬底，其通过密封件密封至所述囊封衬底；及
一或多个显示元件，其密封于所述透明衬底与所述囊封衬底之间，所述一或多个显示元件经配置以产生可经由所述透明衬底观察的图像，其中所述囊封衬底具有第一侧及第二测，所述第一侧面向所述显示元件。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述导电抗静电涂层安置于所述密封件与所述囊封衬底之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述密封件为环氧树脂密封件。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述导电抗静电涂层为半透明的或透明的。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述导电抗静电涂层包含透明导电氧化物、导电纳米结构的网状物、金属薄膜及碳基薄膜中的至少一者。
6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的显示装置，其中所述显示元件及所述囊封衬底由气体或真空间隙间隔开。
7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的显示装置，其中所述显示元件为机电系统EMS显示元件。
8.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的显示装置，其中所述显示元件为干涉调制器IMOD显示元件。
9.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的显示装置，其中所述第一侧包含容纳所述显示元件的凹入部分及密封至所述透明衬底的外围部分。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述导电抗静电涂层位于所述囊封衬底的所述第一侧的所述外围部分上。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述导电抗静电涂层位于所述囊封衬底的所述第一侧的所述凹入部分上。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述导电抗静电涂层跨越所述囊封衬底的所述第一侧的所述外围部分及所述凹入部分为连续的。
13.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的显示装置，其中所述导电抗静电涂层包含导电构形特征，所述导电构形特征具有至少5nm的高度。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其进一步包括经配置以与所述显示元件通信的处理器，所述处理器经配置以处理图像数据；及经配置以与所述处理器通信的存储器装置。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其进一步包括经配置以将至少信号发送至所述显示元件的驱动器电路；及经配置以将所述图像数据的至少一部分发送至所述驱动器电路的控制器。
16.根据权利要求14所述的设备，其进一步包括经配置以将所述图像数据发送到所述处理器的图像源模块，其中所述图像源模块包括接收器、收发器及发射器中的至少一者。
17.根据权利要求14所述的设备，其进一步包括经配置以接收输入数据且将所述输入数据传达到所述处理器的输入装置。
18.一种显示装置，其包括：
囊封衬底；
透明衬底，其通过密封件密封至所述囊封衬底；
一或多个显示元件，其密封于所述透明衬底与所述囊封衬底之间，所述一或多个显示元件经配置以产生可经由所述透明衬底观察的图像；及
导电抗静电涂层，其位于所述囊封衬底上，其中所述导电抗静电涂层面向所述显示元件且包含多个导电构形特征。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述导电构形特征具有至少5nm的高度。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述导电构形特征具有至少20nm的高度。
21.根据权利要求18至20中任一权利要求所述的显示装置，其中所述导电抗静电涂层包含透明导电氧化物及导电纳米结构的网状物中的至少一者。
22.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
用导电抗静电涂层涂覆囊封衬底的一或多个表面；及
在所述囊封衬底上形成密封剂材料，包含在所述导电抗静电涂层上形成密封剂材料。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述囊封衬底的第一侧包含凹入部分及环绕所述凹入部分的外围部分，且其中涂覆所述囊封衬底的所述一或多个表面包含保形地涂覆所述囊封衬底的所述第一侧。
24.根据权利要求22或23所述的方法，其进一步包括将所述囊封衬底密封至其上安置有一或多个显示元件的透明衬底，以使得所述一或多个显示元件由所述囊封衬底囊封。
25.一种显示装置，其包括：
透明衬底，其上具有显示元件；
囊封衬底，其密封至所述透明衬底，由此囊封所述显示元件；及
用于耗散静电放电的装置。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其中用于耗散静电放电的所述装置包含用于减小所述显示装置中的静摩擦的装置。
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