CN106409759A - 有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。该方法包括：A、提供包括玻璃基板和柔性基板的基板；B、在柔性基板上形成第一金属层，对第一金属层进行图案化处理，以形成源极和漏极；C、在源极上、漏极上以及柔性基板未被源极和漏极覆盖的部分上依次形成有机半导体层、有机绝缘层、第二金属层和刻蚀遮挡层；D、在刻蚀遮挡层上形成图案化光阻构件；E、对第二金属层中和刻蚀遮挡层中未被图案化光阻构件覆盖的部分进行处理，以形成栅极和遮挡构件；F、对有机半导体层中和有机绝缘层中未被栅极和遮挡构件遮挡的部分进行处理，以形成有机半导体构件和有机绝缘构件。本发明能避免采用除金以外的金属的栅极在制造过程中被氧化。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
【背景技术】
传统的有机薄膜晶体管阵列基板中的有机薄膜晶体管的栅极一般采用金作为材料，原因是金的功函数与所述有机薄膜晶体管中的有机半导体构件的能带配合度更好。
在实践中，金的价格较昂贵，为了降低成本，一般采用其它成本较低的金属来代替金。
但是，在对所述有机薄膜晶体管中的有机绝缘层和有机半导体层进行刻蚀的过程中，上述成本较低的金属会受到氧化，这会导致所述栅极与上述传统的有机薄膜晶体管阵列基板中的扫描线无法进行良好的电性连接。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，其能避免采用除金以外的金属的栅极在有机薄膜晶体管阵列基板的制造过程中被氧化。
为解决上述问题，本发明的技术方案如下：
一种有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法，所述方法包括以下步骤：A、提供一基板，所述基板包括玻璃基板和柔性基板，其中，所述柔性基板设置在所述玻璃基板上；B、在所述柔性基板上形成第一金属层，采用第一道光罩制程对所述第一金属层进行图案化处理，以形成源极和漏极；C、在所述源极上、所述漏极上以及所述柔性基板未被所述源极和所述漏极覆盖的部分上依次形成有机半导体层、有机绝缘层、第二金属层和刻蚀遮挡层；D、在所述刻蚀遮挡层上沉积光阻层，采用第二道光罩制程对所述光阻层进行图案化处理，以形成图案化光阻构件；E、通过湿刻蚀制程对所述第二金属层中和所述刻蚀遮挡层中未被所述图案化光阻构件覆盖的部分进行处理，以形成栅极和遮挡构件；F、通过干刻蚀制程对所述有机半导体层中和所述有机绝缘层中未被所述栅极和所述遮挡构件遮挡的部分进行处理，以形成有机半导体构件和有机绝缘构件。
在上述有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述方法还包括以下步骤：G、在所述遮挡构件上以及所述柔性基板中未被所述遮挡构件覆盖的部分上沉积钝化层；H、对所述钝化层实施第三道光罩制程，以在所述钝化层中形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔和所述第二通孔均贯穿所述钝化层，所述第一通孔的位置与所述栅极的位置对应，所述第二通孔的位置与所述漏极的位置对应；I、在所述钝化层上形成扫描线。
在上述有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述扫描线通过所述第一通孔与所述遮挡构件接触，进而与所述栅极连接。
在上述有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述第一通孔还贯穿所述遮挡构件，所述扫描线通过所述第一通孔直接与所述栅极连接。
在上述有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述步骤I包括：i1、在所述钝化层上形成第三金属层；i2、对所述第三金属层实施第四道光罩制程，以形成所述扫描线。
一种有机薄膜晶体管阵列基板，所述有机薄膜晶体管阵列基板包括：基板、设置在所述基板上的有机薄膜晶体管、遮挡构件；所述基板包括玻璃基板和柔性基板，所述柔性基板设置在所述玻璃基板上；所述有机薄膜晶体管包括：源极、漏极、有机半导体构件、有机绝缘构件、栅极，所述源极设置于所述柔性基板上，所述漏极设置于所述柔性基板上，所述有机半导体构件设置在所述柔性基板、所述源极、所述漏极上，所述有机绝缘构件设置在所述有机半导体构件上，所述栅极设置在所述有机绝缘构件上；所述遮挡构件设置在所述栅极上，所述遮挡构件用于在形成所述有机绝缘构件和所述有机半导体构件的过程中防止所述栅极被氧化。
在上述有机薄膜晶体管阵列基板中，所述有机薄膜晶体管阵列基板还包括钝化层和扫描线，所述钝化层设置在所述遮挡构件和所述柔性基板上，所述保护层中设置有第一通孔和第二通孔；所述扫描线设置在所述保护层上。
在上述有机薄膜晶体管阵列基板中，所述扫描线通过所述第一通孔与所述遮挡构件接触，进而与所述栅极连接；或者所述第一通孔还贯穿所述遮挡构件，所述扫描线通过所述第一通孔直接与所述栅极连接。
在上述有机薄膜晶体管阵列基板中，所述源极和所述漏极均是通过在所述柔性基板上设置第一金属层，并采用第一道光罩制程对所述第一金属层进行图案化处理形成的；所述遮挡构件和所述栅极是通过在所述柔性基板、所述源极和所述漏极上依次设置有机半导体层、有机绝缘层、第二金属层、刻蚀遮挡层和光阻层，并采用第二道光罩制程对所述光阻层进行图案化处理，以形成图案化光阻构件，然后通过湿刻蚀制程对所述刻蚀遮挡层和所述第二金属层中未被所述图案化光阻构件覆盖的部分进行处理形成的；所述有机绝缘构件和所述有机半导体构件是通过干刻蚀制程对所述有机半导体层和所述有机绝缘层中未被所述遮挡构件覆盖的部分进行处理形成的。
在上述有机薄膜晶体管阵列基板中，所述遮挡构件用于在对有机半导体层和有机绝缘层实施干刻蚀制程以形成所述有机半导体构件和所述有机绝缘构件的过程中对所述栅极进行遮挡，以防止所述栅极的表面被氧化。
相对现有技术，本发明能避免采用除金以外的金属的栅极在有机薄膜晶体管阵列基板的制造过程中被氧化。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【附图说明】
图1为本发明的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法的第一实施例的步骤901至步骤904的示意图；
图2为本发明的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法的第一实施例的步骤905和步骤906的示意图；
图3为本发明的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法的第一实施例的步骤907的示意图；
图4为本发明的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法的第一实施例的步骤908的示意图；
图5为本发明的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法的第一实施例的步骤909的示意图；
图6为本发明的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法的第一实施例的步骤910的示意图；
图9为本发明的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法的流程图；
图10为图9中在所述钝化层上形成扫描线和/或像素电极的步骤的流程图；
图7为本发明有机薄膜晶体管阵列基板的第一实施例的结构示意图；
图8为本发明有机薄膜晶体管阵列基板的第二实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
参考图7，图7为本发明有机薄膜晶体管阵列基板的第一实施例的结构示意图。
本发明的有机薄膜晶体管阵列基板的第一实施例包括基板、设置在所述基板上的有机薄膜晶体管、遮挡构件108、钝化层109、扫描线112、像素电极113和数据线。其中，所述基板包括玻璃基板101和柔性基板102。
所述柔性基板102设置在所述玻璃基板101上。所述有机薄膜晶体管设置在所述柔性基板102上，所述有机薄膜晶体管包括源极103、漏极104、有机半导体构件105、有机绝缘构件106和栅极107。
其中，所述源极103设置于所述柔性基板102上，所述漏极104设置于所述柔性基板102上，所述有机半导体构件105设置在所述柔性基板102、所述源极103和所述漏极104上，所述有机绝缘构件106设置在所述有机半导体构件105上，所述栅极107设置在所述有机绝缘构件106上。
所述遮挡构件108设置在所述栅极107上，所述遮挡构件108用于在形成所述有机绝缘构件106和所述有机半导体构件105的过程中防止所述栅极107被氧化。
所述钝化层109设置在所述遮挡构件108和所述柔性基板102上，所述钝化层109中设置有第一通孔110和第二通孔111。所述第一通孔110在所述钝化层109的位置与所述遮挡构件108的位置对应，即，所述第一通孔110的位置与所述栅极107的位置对应。所述第二通孔111的位置与所述漏极104的位置对应。
所述扫描线112设置在所述钝化层109上。所述像素电极113设置在所述钝化层109上。所述扫描线112的至少一部分设置在所述第一通孔110内，所述像素电极113的至少一部分设置在所述第二通孔111内。
所述数据线设置在所述柔性基板102上，所述源极103与所述数据线连接。
在本实施例的有机薄膜晶体管阵列基板中，所述源极103和所述漏极104均是通过在所述柔性基板102上设置第一金属层，并采用第一道光罩制程对所述第一金属层进行图案化处理来形成的。
所述遮挡构件108和所述栅极107是通过在所述柔性基板102、所述源极103和所述漏极104上依次设置有机半导体层、有机绝缘层、第二金属层、刻蚀遮挡材料层和光阻层，并采用第二道光罩制程对所述光阻层进行图案化处理，以形成图案化光阻构件，然后通过湿刻蚀制程对所述刻蚀遮挡材料层和所述第二金属层中未被所述图案化光阻构件覆盖的部分进行处理来形成的。
所述有机绝缘构件106和所述有机半导体构件105是通过干刻蚀制程对所述有机半导体层和所述有机绝缘层中未被所述遮挡构件108覆盖的部分进行处理来形成的。
在本实施例的有机薄膜晶体管阵列基板中，所述遮挡构件108用于在对有机半导体层和有机绝缘层实施干刻蚀制程以形成所述有机半导体构件105和所述有机绝缘构件106的过程中对所述栅极107进行遮挡，以防止所述栅极107的表面被氧化。
其中，所述遮挡构件108的形状和面积与所述栅极107的形状和面积对应。在所述干刻蚀制程中，所述遮挡构件108用作所述有机半导体层和所述有机绝缘层的掩模。
在本实施例的有机薄膜晶体管阵列基板中，所述遮挡构件108的材料为导电金属。
所述扫描线112通过所述第一通孔110与所述遮挡构件108接触，进而与所述栅极107连接。
所述像素电极113通过所述第二通孔111与所述漏极104连接。
所述钝化层109是通过在所述柔性基板102和所述遮挡构件108上涂布钝化层材料，然后对所述钝化层材料进行固化(对所述钝化层材料进行加热或利用紫外光对所述钝化层材料进行照射)来形成的。
所述第一通孔110和所述第二通孔111是通过对所述钝化层109实施第三道光罩制程来形成的。
所述扫描线112和/或所述像素电极113是通过在所述第一通孔110和所述第二通孔111内以及在所述钝化层109上设置第三金属层，并对所述第三金属层实施第四道光罩制程来形成的。
在本实施例的有机薄膜晶体管阵列基板中，所述栅极107的材料为银。
所述遮挡构件108的材料为铟锡氧化物。
在所述遮挡构件108的材料为铟锡氧化物的情况下，所述第一通孔110贯穿所述钝化层109，所述扫描线112通过所述遮挡构件108与所述栅极107连接。如图7所示。
参考图8，图8为本发明有机薄膜晶体管阵列基板的第二实施例的结构示意图。本发明的有机薄膜晶体管阵列基板的第二实施例与上述第一实施例相似，不同之处在于：
所述遮挡构件108的材料为铟镓锌氧化物。
在所述遮挡构件108的材料为铟镓锌氧化物的情况下，所述第一通孔110贯穿所述钝化层109和所述遮挡构件108，所述扫描线112通过所述第一通孔110直接与所述栅极107连接。如图8所示。
通过上述技术方案，本发明能避免采用除金以外的金属(成本比金低的金属)的所述栅极在有机薄膜晶体管阵列基板的制造过程中被氧化，避免所述栅极上形成氧化膜，从而确保所述栅极与所述扫描线能够有效地电性连接，以及确保所述有机薄膜晶体管阵列基板不因所述栅极与所述扫描线接触不良而影响显示质量。
参考图1至图7以及图9、图10，本发明的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法的第一实施例包括以下步骤：
步骤901、提供一基板，所述基板包括玻璃基板101和柔性基板102，其中，所述柔性基板102设置在所述玻璃基板101上。
步骤902、在所述柔性基板102上形成第一金属层。
步骤903、采用第一道光罩制程对所述第一金属层进行图案化处理，以形成源极103和漏极104。
步骤904、在所述源极103上、所述漏极104上以及所述柔性基板102中未被所述源极103和所述漏极104覆盖的部分上依次形成有机半导体层、有机绝缘层、第二金属层和刻蚀遮挡层。
步骤905、在所述刻蚀遮挡层上沉积光阻层。
步骤906、采用第二道光罩制程对所述光阻层进行图案化处理，以形成图案化光阻构件114。
步骤907、通过湿刻蚀制程对所述第二金属层中和所述刻蚀遮挡层中未被所述图案化光阻构件114覆盖的部分进行处理，以形成栅极107和遮挡构件108。
步骤908、通过干刻蚀制程对所述有机半导体层中和所述有机绝缘层中未被所述栅极107和所述遮挡构件108遮挡的部分进行处理，以形成有机半导体构件105和有机绝缘构件106。
包括所述源极103、所述漏极104、所述栅极107、所述有机绝缘构件106和所述有机半导体构件105的有机薄膜晶体管设置在所述柔性基板102上，所述遮挡构件108设置在所述栅极107上，所述遮挡构件108用于在形成所述有机绝缘构件106和所述有机半导体构件105的过程中防止所述栅极107被氧化。
在本实施例的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述遮挡构件108用于在对有机半导体层和有机绝缘层实施干刻蚀制程以形成所述有机半导体构件105和所述有机绝缘构件106的过程中对所述栅极107进行遮挡，以防止所述栅极107的表面被氧化。
其中，所述遮挡构件108的形状和面积与所述栅极107的形状和面积对应。在所述干刻蚀制程中，所述遮挡构件108用作所述有机半导体层和所述有机绝缘层的掩模。
在本实施例的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述方法还包括以下步骤：
步骤909、在有机薄膜晶体管的至少一部分上、所述遮挡构件108上以及所述柔性基板102中未被所述遮挡构件108(或所述有机薄膜晶体管)覆盖的部分上沉积钝化层109；
步骤910、对所述钝化层109实施第三道光罩制程，以在所述钝化层109中形成第一通孔110和第二通孔111，其中，所述第一通孔110和所述第二通孔111均贯穿所述钝化层109，所述第一通孔110的位置与所述栅极107的位置对应，所述第二通孔111的位置与所述漏极104的位置对应；
步骤911、在所述钝化层109上形成扫描线112和/或像素电极113。
在本实施例的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述扫描线112通过所述第一通孔110与所述遮挡构件108接触，进而与所述栅极107连接。
在本实施例的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述步骤911包括：
步骤9111、在所述钝化层109上设置第三金属层；
步骤9112、对所述第三金属层实施第四道光罩制程，以形成所述扫描线112和/或所述像素电极113。
在本实施例的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述步骤909包括：
步骤9091、在有机薄膜晶体管的至少一部分上、所述遮挡构件108上以及所述柔性基板102中未被所述有机薄膜晶体管覆盖的部分上涂布钝化层材料。
步骤9092、对所述钝化层材料进行固化，以形成所述钝化层109。
作为一种改进，所述步骤9092为：
对所述钝化层材料进行加热，以固化所述钝化层材料。和/或
利用紫外光对所述钝化层材料进行照射，以固化所述钝化层材料。
在本实施例的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述栅极107的材料为银。所述遮挡构件108的材料为铟锡氧化物。
在所述遮挡构件108的材料为铟锡氧化物的情况下，所述第一通孔110贯穿所述钝化层109，所述扫描线112通过所述遮挡构件108与所述栅极107连接。如图7所示。
本发明的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法的第二实施例与上述第一实施例相似，不同之处在于：
所述遮挡构件108的材料为铟镓锌氧化物。
所述步骤910为：
在对所述钝化层实施所述第三道光罩制程以形成所述第一通孔110和所述第二通孔111的过程中，对所述遮挡构件108实施所述第三道光罩制程，以使所述第一通孔110贯穿所述钝化层109和所述遮挡构件108。即，所述第一通孔110除了贯穿所述钝化层109外，还贯穿所述遮挡构件108。
所述扫描线112通过所述第一通孔110直接与所述栅极107接触。如图8所示。
通过上述技术方案，本发明能避免采用除金以外的金属(成本比金低的金属)的所述栅极在有机薄膜晶体管阵列基板的制造过程中被氧化，避免所述栅极上形成氧化膜，从而确保所述栅极与所述扫描线能够有效地电性连接，以及确保所述有机薄膜晶体管阵列基板不因所述栅极与所述扫描线接触不良而影响显示质量。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
A、提供一基板，所述基板包括玻璃基板和柔性基板，其中，所述柔性基板设置在所述玻璃基板上；
B、在所述柔性基板上形成第一金属层，采用第一道光罩制程对所述第一金属层进行图案化处理，以形成源极和漏极；
C、在所述源极上、所述漏极上以及所述柔性基板未被所述源极和所述漏极覆盖的部分上依次形成有机半导体层、有机绝缘层、第二金属层和刻蚀遮挡层；
D、在所述刻蚀遮挡层上沉积光阻层，采用第二道光罩制程对所述光阻层进行图案化处理，以形成图案化光阻构件；
E、通过湿刻蚀制程对所述第二金属层中和所述刻蚀遮挡层中未被所述图案化光阻构件覆盖的部分进行处理，以形成栅极和遮挡构件；
F、通过干刻蚀制程对所述有机半导体层中和所述有机绝缘层中未被所述栅极和所述遮挡构件遮挡的部分进行处理，以形成有机半导体构件和有机绝缘构件。
2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
G、在所述遮挡构件上以及所述柔性基板中未被所述遮挡构件覆盖的部分上沉积钝化层；
H、对所述钝化层实施第三道光罩制程，以在所述钝化层中形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔和所述第二通孔均贯穿所述钝化层，所述第一通孔的位置与所述栅极的位置对应，所述第二通孔的位置与所述漏极的位置对应；
I、在所述钝化层上形成扫描线。
3.根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述扫描线通过所述第一通孔与所述遮挡构件接触，进而与所述栅极连接。
4.根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一通孔还贯穿所述遮挡构件，所述扫描线通过所述第一通孔直接与所述栅极连接。
5.根据权利要求2至4中任意一项所述的有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤I包括：
i1、在所述钝化层上形成第三金属层；
i2、对所述第三金属层实施第四道光罩制程，以形成所述扫描线。
6.一种有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机薄膜晶体管阵列基板包括：基板、设置在所述基板上的有机薄膜晶体管、遮挡构件；所述基板包括玻璃基板和柔性基板，所述柔性基板设置在所述玻璃基板上；所述有机薄膜晶体管包括：源极、漏极、有机半导体构件、有机绝缘构件、栅极，所述源极设置于所述柔性基板上，所述漏极设置于所述柔性基板上，所述有机半导体构件设置在所述柔性基板、所述源极、所述漏极上，所述有机绝缘构件设置在所述有机半导体构件上，所述栅极设置在所述有机绝缘构件上；所述遮挡构件设置在所述栅极上，所述遮挡构件用于在形成所述有机绝缘构件和所述有机半导体构件的过程中防止所述栅极被氧化。
7.根据权利要求6所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机薄膜晶体管阵列基板还包括钝化层和扫描线，所述钝化层设置在所述遮挡构件和所述柔性基板上，所述保护层中设置有第一通孔和第二通孔；
所述扫描线设置在所述保护层上。
8.根据权利要求7所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述扫描线通过所述第一通孔与所述遮挡构件接触，进而与所述栅极连接；或者
所述第一通孔还贯穿所述遮挡构件，所述扫描线通过所述第一通孔直接与所述栅极连接。
9.根据权利要求6所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极均是通过在所述柔性基板上设置第一金属层，并采用第一道光罩制程对所述第一金属层进行图案化处理形成的；
所述遮挡构件和所述栅极是通过在所述柔性基板、所述源极和所述漏极上依次设置有机半导体层、有机绝缘层、第二金属层、刻蚀遮挡层和光阻层，并采用第二道光罩制程对所述光阻层进行图案化处理，以形成图案化光阻构件，然后通过湿刻蚀制程对所述刻蚀遮挡层和所述第二金属层中未被所述图案化光阻构件覆盖的部分进行处理形成的；
所述有机绝缘构件和所述有机半导体构件是通过干刻蚀制程对所述有机半导体层和所述有机绝缘层中未被所述遮挡构件覆盖的部分进行处理形成的。
10.根据权利要求9所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述遮挡构件用于在对有机半导体层和有机绝缘层实施干刻蚀制程以形成所述有机半导体构件和所述有机绝缘构件的过程中对所述栅极进行遮挡，以防止所述栅极的表面被氧化。
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