CN106373925A - 一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管及其制备方法，该二极管器件使用金属陶瓷外壳、芯片通过焊料烧结固定在外壳的烧结区、采用烧结方式用内引线焊片把芯片的电极与外壳的电极相连以及平行缝焊密封，克服了原有塑料封装器件因工作环境受限不能用于高可靠器件领域的问题，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏，该表面贴装二极管使原有的电路在不改变焊盘尺寸即电路板不作改动的情况下实现原位替代，并且可靠性得到提高，生产加工工艺较简单，便于大批量生产。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域，尤其是涉及一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管及其制备方法。
背景技术
目前，航空系统、计算机系统、交/直流电源等各个领域为提高整机可靠性，要求配套的器件具有瞬态功率大、响应时间短、漏电流低、击穿电压偏差小等特点，能有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
目前，表面贴装的具有一定电流或功率的二极管器件大多数为塑料封装。塑料封装的半导体器件，受塑封材质和生产工艺的限制其工作温度范围和可靠性都满足不了恶劣环境的使用要求，特别是在潮湿和盐气重的情况下不能长期工作，其封装的特点决定了其不能用于高可靠领域。
因此，如何提供一种抗大电流冲击可靠性高且生产加工工艺较简单，便于大批量生产的二极管器件是本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管，该二极管抗大电流冲击，可靠性高且生产加工工艺较简单，便于大批量生产。本发明的另外一个目的是提供一种上述抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管的制备方法。
为解决上述的技术问题，本发明提供的技术方案为：
一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管，包括用于封装的外壳、芯片、用于将所述芯片固定于所述外壳上的焊料以及用于将所述芯片的电极与外壳的电极连接的内引线焊片；
所述外壳包括两块导电片、金属连接柱、陶瓷基座、钼片、打线片、金属环框以及金属盖板；
所述陶瓷基座的部分上表面上开设有用于放置所述芯片的凹坑，所述凹坑的内底面上开设有第一连接孔，所述陶瓷基座的剩余上表面上开设有第二连接孔，所述陶瓷基座的四周侧面上设置有侧面金属化层；
所述钼片通过钎焊固定于所述陶瓷基座上的凹坑中且覆盖所述凹坑中的第一连接孔；
所述打线片通过钎焊固定于所述陶瓷基座的剩余上表面上且覆盖所述第二连接孔；
所述导电片通过钎焊固定于所述陶瓷基座的下底面上；
所述第一连接孔中设置有金属连接柱，且所述第一连接孔中的金属连接柱的上端与所述钼片的下表面钎焊连接，所述第一连接孔中的金属连接柱的下端与一块所述导电片的上表面钎焊连接；
所述第二连接孔中设置有金属连接柱，且所述第二连接孔中的金属连接柱的上端与所述打线片的下表面钎焊连接，所述第二连接孔中的金属连接柱的下端与另一块所述导电片的上表面钎焊连接；
所述金属环框通过钎焊固定在所述陶瓷基座的上表面上的四周边沿处；
所述金属盖板通过平行缝焊密封固定在所述金属环框的上面开口处；
所述芯片通过焊料烧结固定在所述钼片上；
所述内引线焊片的一端与所述芯片的电极连接，且所述内引线焊片的另一端与所述外壳中的打线片连接。
优选的，所述焊料为铅锡银焊料。
优选的，所述内引线焊片为无氧铜表面镀镍。
本申请还提供了一种上述的抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管的制备方法，包括以下步骤：
1)芯片烧结：
待粘片机温度稳定后，用点温计的测温头分别与烧结炉的预热区与烧结区充分接触，控制预热区及烧结区表面温度在工艺条件规定范围内；
然后从氮气柜中取出外壳，然后开始向烧结炉内供给氢气与氮气，控制氢气流量至少0.5L/min，氮气流量至少5L/min；
取一只外壳放至预热区进行预热处理，控制预热区表面温度为190℃±10℃，预热时间为10min±6min；
然后将外壳放至烧结区进行烧结处理，控制烧结区表面温度为400℃±10℃，烧结时间不大于2min；
然后夹起焊丝，使焊丝末端接触外壳的钼片，焊丝末端受热熔化成焊料滴于外壳的钼片上，然后将芯片平放在焊料上，移动芯片直至芯片的四周边沿的外侧能够看到焊料；
然后取保护片平放在芯片上，然后将带有芯片的外壳放置在氮气喷口处进行冷却，然后下压保护片2s～3s，冷却10min±2min后取下保护片；
2)内引线焊片烧结
将步骤1)得到的烧结固定芯片后的外壳装入石墨船，然后在所述芯片的电极上以及打线片上各放置铅锡银焊片，然后将所述内引线焊片的一端搭接在所述芯片上的铅锡银焊片上，将所述内引线焊片的另一端搭接在所述打线片上的铅锡银焊片上，然后盖上石墨船的盖子，然后放入烧结炉进行氮氢保护气氛烧结，使得所述内引线焊片的一端与所述芯片的电极连接，且所述内引线焊片的另一端与所述外壳中的打线片连接；
控制在烧结炉内先预热10min±2min，再恒温20min±2min，最后冷却15min±2min，恒温期间内的烧结温度为350℃～400℃，氮气流量≥20L/min、氢气流量≥2L/min；
3)平行缝焊
首先进行真空烘焙；
然后通过平行缝焊将所述金属盖板密封固定在所述金属环框的上面开口处，控制点焊功率为1400W～1600W，缝焊功率为1600W～1800W，缝焊压力为0.98N～1.176N，脉冲周期为90ms～110ms，脉冲宽度为6ms～10ms，速度为2.0mm/s～3.0mm/s；至此二极管制备完成。
优选的，所述芯片采用硅P-N-P台面工艺制造，是在N型单晶片双面深结扩硼，形成P-N-P结构，再在双面刻槽形成P-N-P台面，然后做玻璃钝化制成。
优选的，所述步骤1)中，在烧结区进行烧结的烧结时间内，控制焊料熔化时间为5s～10s，将芯片粘在焊料上的粘片时间为30s～40s，盖保护片时间为5s～10s。
优选的，所述焊丝为铅锡银焊丝，成分为Pb92.5％—Sn5％—Ag2.5％。
优选的，所述内引线焊片为无氧铜表面镀镍，纯度为99.97％。
优选的，所述步骤3)中，真空烘焙的温度为180℃，真空烘焙时间为4h，真空烘焙的真空度＜0.1个大气压。
与现有技术相比，本发明提供了一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管及其制备方法，本申请采用金属陶瓷外壳满足了半导体器件对外壳的可靠性要求，满足了半导体器件中的电路对密封和高介质耐电压的要求，且结构简单，并且所述外壳能适应多种类型的芯片的封装，特别是具有大浪涌电流需要键合多根键合丝或线排或烧结导带的芯片的封装，金属陶瓷外壳属于密封性外壳，可以解决塑料封装器件在潮湿环境下的潮气吸入问题，金属陶瓷外壳工作温度范围比塑封的要宽，有一定电流或功率要求的塑料封装器件的工作温度一般在85℃以下，而金属陶瓷外壳可以实现芯片的极限工作温度范围；
将芯片通过焊料烧结固定在外壳的烧结区上，采用低温合金焊料，在N2、H2保护气氛中进行低温快速合金烧结，解决了外壳基板材料与芯片之间的热膨胀系数匹配的问题，配合烧结过程中氮氢保护气氛的控制防止了氧化层的出现，降低了烧结温度和烧结时间对产品高温性能的影响；
采用烧结方式用内引线焊片把芯片的电极与外壳的电极相连，内引线焊片采用无氧铜片表面镀镍，内引线焊片具有耐大电流冲击、散热好、可靠性高等优势，采用内引线焊片可以使从芯片到引出端的有效截面达到很大的截面积，从而实现了耐大电流冲击吸收瞬态功率大等优势，塑料封装器件工作温度受限原因之一是引出端之间通过烧结的方式连接起来，在温度变化较大时，不同材料的热膨胀系数不同产生内部应力无法释放，很容易造成芯片损伤而导致器件失效，为此本申请采用烧结方式用内引线焊片把芯片的电极与外壳的电极相连，采用有一定弧度的内引线焊片，在温度变化时材料热膨胀系数不同产生的内部应力可以释放出去，确保了半导体器件工作的可靠性，同时烧结前对器件进行等离子清洗，去除芯片表面、引线键合区上的氧化层和杂质，保证烧结焊点之间接触可靠，从而保证产品长期可靠性；
然后采取平行缝焊的方式将外壳中的盖板与外壳中的金属环框密封连接在一起，形成一个密封的整体，使得本发明产品为空腔密封器件，相对于塑封器件的半密封而言，其质量及可靠性得到大幅提升。
综上，本发明提供了一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管及其制备方法，该二极管器件使用金属陶瓷外壳、芯片通过焊料烧结固定在外壳的烧结区、采用烧结方式用内引线焊片把芯片的电极与外壳的电极相连以及平行缝焊密封，克服了原有塑料封装器件因工作环境受限不能用于高可靠器件领域的问题，该二极管是一种高效能保护器件，当其两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10-12s量级的速度，将两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏，该表面贴装二极管使原有的电路在不改变焊盘尺寸即电路板不作改动的情况下实现原位替代，并且可靠性得到提高，生产加工工艺较简单，便于大批量生产。
附图说明
图1为现有技术中表面贴装塑封器件的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种高可靠表面贴装的二极管的外壳的分解结构示意图；
图3为图2中的外壳去掉盖板后的陶瓷基座与金属环框的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种高可靠表面贴装的二极管的剖视结构示意图；
图5为图4中的二极管的主视图；
图6为图4中的二极管的仰视图。
图中：1导电片，2金属连接柱，3陶瓷基座，4钼片，5打线片，6金属环框，7金属盖板，8第二连接孔，9侧面金属化层，10凹坑，11芯片，12焊料，13内引线焊片。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“轴向”、“径向”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”，可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征的的正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征的正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
参照图1～图6，图1为现有技术中表面贴装塑封器件的结构示意图；图2为本发明实施例提供的一种高可靠表面贴装的二极管的外壳的分解结构示意图；图3为图2中的外壳去掉盖板后的陶瓷基座与金属环框的结构示意图；图4为本发明实施例提供的一种高可靠表面贴装的二极管的剖视结构示意图；图5为图4中的二极管的主视图；图6为图4中的二极管的仰视图。
本申请提供了一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管，包括用于封装的外壳、芯片11、用于将所述芯片11固定于所述外壳上的焊料12以及用于将所述芯片11的电极与外壳的电极连接的内引线焊片13；
所述外壳包括两块导电片1、金属连接柱2、陶瓷基座3、钼片4、打线片5、金属环框6以及金属盖板7；
所述陶瓷基座3的部分上表面上开设有用于放置所述芯片的凹坑10，所述凹坑10的内底面上开设有第一连接孔，所述陶瓷基座的剩余上表面上开设有第二连接孔8，所述陶瓷基座3的四周侧面上设置有侧面金属化层9；
所述钼片4通过钎焊固定于所述陶瓷基座3上的凹坑10中且覆盖所述凹坑10中的第一连接孔；
所述打线片5通过钎焊固定于所述陶瓷基座3的剩余上表面上且覆盖所述第二连接孔8；
所述导电片1通过钎焊固定于所述陶瓷基座3的下底面上；
所述第一连接孔中设置有金属连接柱2，且所述第一连接孔中的金属连接柱2的上端与所述钼片4的下表面钎焊连接，所述第一连接孔中的金属连接柱2的下端与一块所述导电片1的上表面钎焊连接；
所述第二连接孔8中设置有金属连接柱2，且所述第二连接孔8中的金属连接柱2的上端与所述打线片5的下表面钎焊连接，所述第二连接孔8中的金属连接柱2的下端与另一块所述导电片1的上表面钎焊连接；
所述金属环框6通过钎焊固定在所述陶瓷基座3的上表面上的四周边沿处；
所述金属盖板7通过平行缝焊密封固定在所述金属环框6的上面开口处；
所述芯片11通过焊料12烧结固定在所述钼片4上；
所述内引线焊片13的一端与所述芯片11的电极连接，且所述内引线焊片13的另一端与所述外壳中的打线片5连接。
在本发明的一个实施例中，所述焊料12为铅锡银焊料。
在本发明的一个实施例中，所述内引线焊片13为无氧铜表面镀镍。
本申请还提供了一种上述的抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管的制备方法，包括以下步骤：
1)芯片烧结：
待粘片机温度稳定后，用点温计的测温头分别与烧结炉的预热区与烧结区充分接触，控制预热区及烧结区表面温度在工艺条件规定范围内；
然后从氮气柜中取出外壳，然后开始向烧结炉内供给氢气与氮气，控制氢气流量至少0.5L/min，氮气流量至少5L/min；
取一只外壳放至预热区进行预热处理，控制预热区表面温度为190℃±10℃，预热时间为10min±6min；
然后将外壳放至烧结区进行烧结处理，控制烧结区表面温度为400℃±10℃，烧结时间不大于2min；
然后夹起焊丝，使焊丝末端接触外壳的钼片4，焊丝末端受热熔化成焊料滴于外壳的钼片4上，然后将芯片11平放在焊料12上，移动芯片11直至芯片11的四周边沿的外侧能够看到焊料12；
然后取保护片平放在芯片11上，然后将带有芯片11的外壳放置在氮气喷口处进行冷却，然后下压保护片2s～3s，冷却10min±2min后取下保护片；
2)内引线焊片烧结
将步骤1)得到的烧结固定芯片11后的外壳装入石墨船，然后在所述芯片11的电极上以及打线片5上各放置铅锡银焊片，然后将所述内引线焊片的一端搭接在所述芯片上的铅锡银焊片上，将所述内引线焊片的另一端搭接在所述打线片上的铅锡银焊片上，然后盖上石墨船的盖子，然后放入烧结炉进行氮氢保护气氛烧结，使得所述内引线焊片的一端与所述芯片的电极连接，且所述内引线焊片的另一端与所述外壳中的打线片连接；
控制在烧结炉内先预热10min±2min，再恒温20min±2min，最后冷却15min±2min，恒温期间内的烧结温度为350℃～400℃，氮气流量≥20L/min、氢气流量≥2L/min；
3)平行缝焊
首先进行真空烘焙；
然后通过平行缝焊将所述金属盖板密封固定在所述金属环框的上面开口处，控制点焊功率为1400W～1600W，缝焊功率为1600W～1800W，缝焊压力为0.98N～1.176N，脉冲周期为90ms～110ms，脉冲宽度为6ms～10ms，速度为2.0mm/s～3.0mm/s；至此二极管制备完成。
在本发明的一个实施例中，所述芯片采用硅P-N-P台面工艺制造，是在N型单晶片双面深结扩硼，形成P-N-P结构，再在双面刻槽形成P-N-P台面，然后做玻璃钝化制成。
在本发明的一个实施例中，所述步骤1)中，在烧结区进行烧结的烧结时间内，控制焊料熔化时间为5s～10s，将芯片粘在焊料上的粘片时间为30s～40s，盖保护片时间为5s～10s。
在本发明的一个实施例中，所述焊丝为铅锡银焊丝，成分为Pb92.5％—Sn5％—Ag2.5％。
在本发明的一个实施例中，所述内引线焊片为无氧铜表面镀镍，纯度为99.97％。
在本发明的一个实施例中，所述步骤3)中，真空烘焙的温度为180℃，真空烘焙时间为4h，真空烘焙的真空度＜0.1个大气压。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管的制备方法进行详细说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
实施例1
一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管的制备方法，包括以下步骤：
1)芯片烧结：
待粘片机温度稳定后，用点温计的测温头分别与烧结炉的预热区与烧结区充分接触，控制预热区及烧结区表面温度在工艺条件规定范围内；
然后从氮气柜中取出外壳，然后开始向烧结炉内供给氢气与氮气，控制氢气流量为0.6L/min，氮气流量为7L/min；
取一只外壳放至预热区进行预热处理，控制预热区表面温度为195℃，预热时间为12min；
然后将外壳放至烧结区进行烧结处理，控制烧结区表面温度为395℃，烧结时间为1.5min；
然后夹起焊丝，使焊丝末端接触外壳的钼片，焊丝末端受热熔化成焊料滴于外壳的钼片上，然后将芯片平放在焊料上，移动芯片直至芯片的四周边沿的外侧能够看到焊料；
然后取保护片平放在芯片上，然后将带有芯片的外壳放置在氮气喷口处进行冷却，然后下压保护片3s，冷却10min后取下保护片；
所述芯片采用硅P-N-P台面工艺制造，是在N型单晶片双面深结扩硼，形成P-N-P结构，再在双面刻槽形成P-N-P台面，然后做玻璃钝化制成；
在烧结区进行烧结的烧结时间内，控制焊料熔化时间为6s，将芯片粘在焊料上的粘片时间为35s，盖保护片时间为7s；
所述焊丝为铅锡银焊丝，成分为Pb92.5％—Sn5％—Ag2.5％；
2)内引线焊片烧结
将步骤1)得到的烧结固定芯片后的外壳装入石墨船，然后在所述芯片的电极上以及打线片上各放置铅锡银焊片，然后将所述内引线焊片13的一端搭接在所述芯片11上的铅锡银焊片上，将所述内引线焊片13的另一端搭接在所述打线片5上的铅锡银焊片上，然后盖上石墨船的盖子，然后放入烧结炉进行氮氢保护气氛烧结，使得所述内引线焊片13的一端与所述芯片11的电极连接，且所述内引线焊片13的另一端与所述外壳中的打线片5连接；
所述内引线焊片13为无氧铜表面镀镍，纯度为99.97％。
控制在烧结炉内先预热11min，再恒温19min，最后冷却14min，恒温期间内的烧结温度为370℃，氮气流量为25L/min、氢气流量为4L/min；
3)平行缝焊
首先进行真空烘焙，真空烘焙的温度为180℃，真空烘焙时间为4h，真空烘焙的真空度为0.05个大气压；
然后通过平行缝焊将所述金属盖板7密封固定在所述金属环框6的上面开口处，控制点焊功率为1450W，缝焊功率为1700W，缝焊压力为1.05N，脉冲周期为95ms，脉冲宽度为8ms，速度为2.4mm/s；至此二极管制备完成。
本发明未详尽描述的方法和装置均为现有技术，不再赘述。
本文中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (9)
1.一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管，其特征在于，包括用于封装的外壳、芯片、用于将所述芯片固定于所述外壳上的焊料以及用于将所述芯片的电极与外壳的电极连接的内引线焊片；
所述外壳包括两块导电片、金属连接柱、陶瓷基座、钼片、打线片、金属环框以及金属盖板；
所述陶瓷基座的部分上表面上开设有用于放置所述芯片的凹坑，所述凹坑的内底面上开设有第一连接孔，所述陶瓷基座的剩余上表面上开设有第二连接孔，所述陶瓷基座的四周侧面上设置有侧面金属化层；
所述钼片通过钎焊固定于所述陶瓷基座上的凹坑中且覆盖所述凹坑中的第一连接孔；
所述打线片通过钎焊固定于所述陶瓷基座的剩余上表面上且覆盖所述第二连接孔；
所述导电片通过钎焊固定于所述陶瓷基座的下底面上；
所述第一连接孔中设置有金属连接柱，且所述第一连接孔中的金属连接柱的上端与所述钼片的下表面钎焊连接，所述第一连接孔中的金属连接柱的下端与一块所述导电片的上表面钎焊连接；
所述第二连接孔中设置有金属连接柱，且所述第二连接孔中的金属连接柱的上端与所述打线片的下表面钎焊连接，所述第二连接孔中的金属连接柱的下端与另一块所述导电片的上表面钎焊连接；
所述金属环框通过钎焊固定在所述陶瓷基座的上表面上的四周边沿处；
所述金属盖板通过平行缝焊密封固定在所述金属环框的上面开口处；
所述芯片通过焊料烧结固定在所述钼片上；
所述内引线焊片的一端与所述芯片的电极连接，且所述内引线焊片的另一端与所述外壳中的打线片连接。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述焊料为铅锡银焊料。
3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述内引线焊片为无氧铜表面镀镍。
4.一种权利要求1所述的抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)芯片烧结：
待粘片机温度稳定后，用点温计的测温头分别与烧结炉的预热区与烧结区充分接触，控制预热区及烧结区表面温度在工艺条件规定范围内；
然后从氮气柜中取出外壳，然后开始向烧结炉内供给氢气与氮气，控制氢气流量至少0.5L/min，氮气流量至少5L/min；
取一只外壳放至预热区进行预热处理，控制预热区表面温度为190℃±10℃，预热时间为10min±6min；
然后将外壳放至烧结区进行烧结处理，控制烧结区表面温度为400℃±10℃，烧结时间不大于2min；
然后夹起焊丝，使焊丝末端接触外壳的钼片，焊丝末端受热熔化成焊料滴于外壳的钼片上，然后将芯片平放在焊料上，移动芯片直至芯片的四周边沿的外侧能够看到焊料；
然后取保护片平放在芯片上，然后将带有芯片的外壳放置在氮气喷口处进行冷却，然后下压保护片2s～3s，冷却10min±2min后取下保护片；
2)内引线焊片烧结
将步骤1)得到的烧结固定芯片后的外壳装入石墨船，然后在所述芯片的电极上以及打线片上各放置铅锡银焊片，然后将所述内引线焊片的一端搭接在所述芯片上的铅锡银焊片上，将所述内引线焊片的另一端搭接在所述打线片上的铅锡银焊片上，然后盖上石墨船的盖子，然后放入烧结炉进行氮氢保护气氛烧结，使得所述内引线焊片的一端与所述芯片的电极连接，且所述内引线焊片的另一端与所述外壳中的打线片连接；
控制在烧结炉内先预热10min±2min，再恒温20min±2min，最后冷却15min±2min，恒温期间内的烧结温度为350℃～400℃，氮气流量≥20L/min、氢气流量≥2L/min；
3)平行缝焊
首先进行真空烘焙；
然后通过平行缝焊将所述金属盖板密封固定在所述金属环框的上面开口处，控制点焊功率为1400W～1600W，缝焊功率为1600W～1800W，缝焊压力为0.98N～1.176N，脉冲周期为90ms～110ms，脉冲宽度为6ms～10ms，速度为2.0mm/s～3.0mm/s；至此二极管制备完成。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述芯片采用硅P-N-P台面工艺制造，是在N型单晶片双面深结扩硼，形成P-N-P结构，再在双面刻槽形成P-N-P台面，然后做玻璃钝化制成。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，在烧结区进行烧结的烧结时间内，控制焊料熔化时间为5s～10s，将芯片粘在焊料上的粘片时间为30s～40s，盖保护片时间为5s～10s。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述焊丝为铅锡银焊丝，成分为Pb92.5％—Sn5％—Ag2.5％。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述内引线焊片为无氧铜表面镀镍，纯度为99.97％。
9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，真空烘焙的温度为180℃，真空烘焙时间为4h，真空烘焙的真空度＜0.1个大气压。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107452723A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-08 | 济南市半导体元件实验所 | 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法 |
| WO2018201837A1 (zh) * | 2017-05-04 | 2018-11-08 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种半导体封装结构 |
| CN110112105A (zh) * | 2019-06-17 | 2019-08-09 | 济南市半导体元件实验所 | 用于封装双mos管且原位替换sop8塑封器件的陶瓷外壳及其制备方法 |
| WO2020155965A1 (zh) * | 2019-02-01 | 2020-08-06 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光模块 |
| CN111883436A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-11-03 | 通富微电子股份有限公司技术研发分公司 | 一种芯片封装方法和芯片封装器件 |
| CN112122727A (zh) * | 2020-09-27 | 2020-12-25 | 淄博晨启电子有限公司 | 一种高可靠性高浪涌冲击能力半导体防护器件的成型工艺 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103056500A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-04-24 | 北京时代民芯科技有限公司 | 半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法 |
| CN103500737A (zh) * | 2013-10-24 | 2014-01-08 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | 一种基于ltcc基板的耐过载一体化lcc封装 |
| CN105428267A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-23 | 济南市半导体元件实验所 | 高可靠超小金属陶瓷表面贴器件的封装工艺 |
| CN205303443U (zh) * | 2015-12-16 | 2016-06-08 | 济南市半导体元件实验所 | 用于封装半导体器件的高可靠管壳 |
| CN206194725U (zh) * | 2016-11-30 | 2017-05-24 | 济南市半导体元件实验所 | 一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管 |
| CN206210768U (zh) * | 2016-11-30 | 2017-05-31 | 济南市半导体元件实验所 | 一种高可靠表面贴装的二极管 |
-
2016
- 2016-11-30 CN CN201611080881.8A patent/CN106373925B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103056500A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-04-24 | 北京时代民芯科技有限公司 | 半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法 |
| CN103500737A (zh) * | 2013-10-24 | 2014-01-08 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | 一种基于ltcc基板的耐过载一体化lcc封装 |
| CN105428267A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-23 | 济南市半导体元件实验所 | 高可靠超小金属陶瓷表面贴器件的封装工艺 |
| CN205303443U (zh) * | 2015-12-16 | 2016-06-08 | 济南市半导体元件实验所 | 用于封装半导体器件的高可靠管壳 |
| CN206194725U (zh) * | 2016-11-30 | 2017-05-24 | 济南市半导体元件实验所 | 一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管 |
| CN206210768U (zh) * | 2016-11-30 | 2017-05-31 | 济南市半导体元件实验所 | 一种高可靠表面贴装的二极管 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018201837A1 (zh) * | 2017-05-04 | 2018-11-08 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种半导体封装结构 |
| US10998201B2 (en) | 2017-05-04 | 2021-05-04 | Shenzhen Refond Optoelectronics Co., Ltd. | Semiconductor encapsulation structure |
| CN107452723A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-08 | 济南市半导体元件实验所 | 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法 |
| CN107452723B (zh) * | 2017-07-26 | 2023-09-15 | 济南市半导体元件实验所 | 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法 |
| WO2020155965A1 (zh) * | 2019-02-01 | 2020-08-06 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光模块 |
| CN110112105A (zh) * | 2019-06-17 | 2019-08-09 | 济南市半导体元件实验所 | 用于封装双mos管且原位替换sop8塑封器件的陶瓷外壳及其制备方法 |
| CN110112105B (zh) * | 2019-06-17 | 2023-12-29 | 济南市半导体元件实验所 | 用于封装双mos管且原位替换sop8塑封器件的陶瓷外壳及其制备方法 |
| CN111883436A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-11-03 | 通富微电子股份有限公司技术研发分公司 | 一种芯片封装方法和芯片封装器件 |
| CN111883436B (zh) * | 2020-07-14 | 2022-07-26 | 通富微电子股份有限公司技术研发分公司 | 一种芯片封装方法和芯片封装器件 |
| CN112122727A (zh) * | 2020-09-27 | 2020-12-25 | 淄博晨启电子有限公司 | 一种高可靠性高浪涌冲击能力半导体防护器件的成型工艺 |
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| Publication number | Publication date |
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