CN106356467A - 有机发光二极管显示器和制造其的方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器和制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法。在一方面，显示器包括具有显示区域和围绕显示区域的外围区域的下基板、面对下基板的上基板、以及设置在显示区域上的显示单元。显示器还包括设置在外围区域上并密封下基板和上基板的密封剂、以及插入在下基板与密封剂之间的第一金属层。第一金属层包括在第一方向上延伸并在与第一方向交叉的第二方向上布置的多个第一通过部。显示器还包括设置在第一金属层上并包括分别与多个第一通过部对应的多个第二通过部的第二金属层。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2015年7月13日提交至韩国知识产权局的第10-2015-0099222号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
所描述的技术大体涉及有机发光二极管显示器和制造有机发光二极管显示器的方法。
背景技术
由于有机发光二极管(OLED)显示器良好的特性，例如宽视角、高对比度和快速刷新率，使得它们作为下一代显示器受到关注。
通常，OLED显示器具有形成在基板上、包括薄膜晶体管(TFT)和OLED的像素电路的矩阵。OLED技术用于诸如移动电话的小设备和诸如TV的较大设备。
OLED显示器包括下基板、上基板和插入的显示单元。下基板和上基板通过沿显示单元的外边缘形成的密封剂粘合到彼此，并因此显示单元被密封免于环境污染。
由于近来的市场导向趋向于更大和更高清晰度的屏幕，因此正试图减少围绕显示单元形成的无效(非发光)空间。
在背景部分公开的信息在实现所描述的技术前已为发明人所知或者是在实现所描述的技术的过程中获得的技术信息。因此，它可能包括不构成本国公众已知的现有技术的信息。
发明内容
一个发明方面涉及具有可快速消散静电的结构的OLED显示器以及制造OLED显示器的方法。
另一方面是可防止对显示电路单元的损坏以及下基板和密封构件之间不良粘着的OLED显示器以及制造OLED显示器的方法。
另一方面是OLED显示器，该OLED显示器包括：下基板，包括显示区域和围绕显示区域的外围区域；上基板，面对下基板；显示单元，设置在下基板的显示区域上；密封构件，设置在下基板的外围区域上并将下基板和上基板彼此粘合；第一金属层，设置在下基板与密封构件之间，并包括在第一方向上延伸且在垂直于第一方向的第二方向上布置的多个第一通过部；第二金属层，设置在第一金属层上并包括多个第二通过部，其中多个第二通过部具有等于或大于多个第一通过部的尺寸的尺寸；以及连接部，将第一金属层和第二金属层彼此电连接。
OLED显示器还可包括在下基板与第一金属层之间设置的阻挡层，其中，形成开口部，在开口部上下基板或阻挡层的至少一部分通过多个第一通过部和多个第二通过部暴露。
OLED显示器还可包括在第一金属层与第二金属层之间设置的第一绝缘膜，其中，第一绝缘膜覆盖开口部的一部分并包括在开口部中形成的多个第一细小孔。
可通过多个第一细小孔暴露下基板或阻挡层的至少一部分。
可在多个第一细小孔中填充密封构件。
OLED显示器还可包括在第二金属层上设置的第二绝缘膜，其中，第二绝缘膜覆盖开口部的一部分并包括在开口部中形成的多个第二细小孔。
可通过多个第二细小孔暴露下基板或阻挡层的至少一部分。
可在多个第二细小孔中填充密封构件。
多个第二细小孔可形成为在位置上与多个第一细小孔对应。
第二金属层与连接部可包括相同的材料。
第一金属层可具有比第二金属层的电阻大的电阻。
多个第一通过部和多个第二通过部可形成为具有包含长侧和短侧的条带形状并在第一方向上延伸。
可以在第一方向和第二方向上交替形成多个第一通过部和多个第二通过部。
可沿第一边缘部和沿第二边缘部形成连接部，其中第一边缘部在第二方向上沿下基板的边缘延伸，第二边缘部在第二方向上从显示单元延伸。
可在多个第一通过部之间以及多个第二通过部之间形成连接部。
可在开口部之间形成连接部。
显示单元可包括包含半导体层、栅电极、源电极以及漏电极的薄膜晶体管(TFT)，其中，在与栅电极相同的层上设置第一金属层，并且在与源电极和漏电极相同的层上设置第二金属层。
另一方面是制造OLED显示器的方法，该方法包括：制备包括显示区域和围绕显示区域的外围区域的下基板；在下基板的显示区域上形成显示单元；在下基板的外围区域上形成包括在第一方向上延伸的多个第一通过部的第一金属层；在第一金属层上形成包括多个连接孔的第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成包括多个第二通过部的第二金属层，其中多个第二通过部具有等于或大于多个第一通过部的尺寸的尺寸；以及在下基板上放置上基板，在下基板的外围区域上形成密封构件，以及将下基板和上基板粘合，其中，在第一绝缘膜上形成第二金属层包括在多个连接孔中填充第二金属层的一部分，其中多个连接孔形成在第一绝缘膜上并将第一金属层和第二金属层电连接。
第一绝缘膜可覆盖包括多个第一通过部和多个第二通过部的、暴露下基板的开口部，其中，在开口部上的第一绝缘膜中形成多个第一细小孔。
方法还可包括：形成覆盖第二金属层的第二绝缘膜，其中第二绝缘膜覆盖包括多个第一通过部和多个第二通过部的、暴露下基板的开口部，其中，在开口部上的第二绝缘膜中形成多个第二细小孔。
另一方面是有机发光二极管(OLED)显示器，该OLED显示器包括：下基板，包括显示区域和围绕显示区域的外围区域；上基板，面对下基板；显示单元，设置在显示区域上；密封剂，设置在外围区域上并密封下基板和上基板；第一金属层，插入在下基板与密封剂之间，其中，第一金属层包括在第一方向上延伸并在与第一方向交叉的第二方向上布置的多个第一通过部；第二金属层，设置在第一金属层上并包括分别与多个第一通过部对应的多个第二通过部，其中，多个第二通过部中的每个具有与相应的第一通过部的尺寸相等或比相应的第一通过部的尺寸大的尺寸；以及多个连接器，配置为电连接第一金属层和第二金属层。
上述OLED显示器还包括插入在下基板与第一金属层之间的阻挡层，其中，所述外围区域上形成有包括第一通过部和第二通过部的开口部，下基板或阻挡层通过所述开口部连接至密封剂。
上述OLED显示器还包括插入在第一金属层与第二金属层之间的第一绝缘膜，其中，第一绝缘膜至少部分覆盖开口部，并具有在开口部中形成的多个第一细小孔。
在上述OLED显示器中，下基板或阻挡层的至少一部分通过第一细小孔连接至密封剂。
在上述OLED显示器中，在第一细小孔中形成密封剂。
上述OLED显示器还包括在第二金属层上设置的第二绝缘膜，其中，第二绝缘膜至少部分覆盖开口部，并具有在开口部中形成的多个第二细小孔。
在上述OLED显示器中，下基板或阻挡层的至少一部分通过第二细小孔连接至密封剂。
在上述OLED显示器中，在第二细小孔中形成密封剂。
在上述OLED显示器中，第二细小孔在OLED显示器的深度维度上与第一细小孔重叠。
在上述OLED显示器中，第二金属层和连接器由相同的材料形成。
在上述OLED显示器中，第一金属层具有比第二金属层的电阻大的电阻。
在上述OLED显示器中，第一通过部和第二通过部具有包含第一侧和比第一侧短的第二侧的条带形状，其中，第一通过部和第二通过部在第一方向上延伸。
在上述OLED显示器中，在第一方向和第二方向上交替形成第一通过部和第二通过部。
在上述OLED显示器中，下基板具有第一边缘和与第一边缘相对的第二边缘，其中，第一金属层和第二金属层中的每个具有在第二方向上沿下基板的第一边缘延伸的第一边缘部，其中，第一金属层和第二金属层中的每个具有在第二方向上沿下基板的第二边缘延伸的第二边缘部，以及其中，沿第一金属层和第二金属层的第一边缘部和第二边缘部形成连接器。
在上述OLED显示器中，在第一通过部之间以及第二通过部之间形成连接器。
在上述OLED显示器中，开口部包括多个开口部，其中，在开口部之间形成连接器。
在上述OLED显示器中，显示单元包括多个薄膜晶体管(TFT)，多个薄膜晶体管(TFT)中的每个包括半导体层、栅电极、源电极以及漏电极，其中，第一金属层设置在与栅电极相同的层上，以及其中，第二金属层设置在与源电极和漏电极相同的层上。
另一方面是一种制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法，该方法包括：制备包括显示区域和围绕显示区域的外围区域的下基板；在显示区域上形成显示单元；在外围区域上形成包括在第一方向上延伸的多个第一通过部的第一金属层；在第一金属层上形成包括多个连接孔的第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成包括多个第二通过部的第二金属层，多个第二通过部中的每个具有与相应的第一通过部的尺寸相等或比相应的第一通过部的尺寸大的尺寸；在下基板上放置上基板；在外围区域上形成密封剂；以及密封下基板和上基板，其中，形成第二金属层包括通过第二金属层的一部分填充连接孔，以将第一金属层和第二金属层电连接。
第一绝缘膜被形成为至少部分覆盖包括第一通过部和第二通过部的开口部，并具有在所述开口部中形成的多个第一细小孔。
上述方法还包括：形成覆盖第二金属层的第二绝缘膜，其中，第二绝缘膜被形成为至少部分覆盖包括第一通过部和第二通过部的开口部，并具有在所述开口部中形成的多个第二细小孔。
另一方面是有机发光二极管(OLED)显示器，该OLED显示器包括：下基板，包括显示区域和围绕显示区域的外围区域；阻挡层，设置在外围区域中；第一金属层，设置在阻挡层上；第一绝缘膜，设置在第一金属上；第二金属层，设置在第一绝缘膜上；第二绝缘膜，设置在第二金属层上；密封剂，设置在第二绝缘膜上，其中，阻挡层、第一金属层、第一绝缘膜、第二金属层以及第二绝缘膜中的每个具有多个孔，下基板通过所述多个孔接触密封剂；以及上基板，设置在密封剂上，其中，下基板和上基板通过密封剂密封在一起。
在上述OLED显示器中，孔中的每个具有根据到下基板的距离增大的宽度。
可以通过使用系统、方法、计算机程序或系统、方法和计算机程序的任意组合实现一般的和特定的方面。
附图说明
图1是示出根据示例性实施方式的OLED显示器的平面图。
图2是沿图1的OLED显示器的线II-II截取的剖视图。
图3是示出图1的像素单元的结构的剖视图。
图4是示出图2的区域IV的放大的平面图。
图5是沿图4的线V-V截取的剖视图。
图6是沿图4的线VI-VI截取的剖视图。
图7是沿图4的线VII-VII截取的剖视图。
图8是沿图4的线VIII-VIII截取的剖视图。
图9是示出根据另一示例性实施方式的图2的区域IV的平面图。
图10是示出根据另一示例性实施方式的图2的区域IV的平面图。
具体实施方式
所描述的技术可包括各种实施方式和修改，并且其示例性实施方式将在附图中示出并将在本文中详细描述。通过结合附图对各实施方式的以下描述，所描述的技术以及其所附的方法的效果和特征将变得显而易见。然而，发明构思不限于以下所描述的实施方式，并且可以以各种方式实施。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可用于描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。如本文中所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，本文中使用的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指定所叙述的特征或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征或部件的存在或增加。
为了便于说明，元件的尺寸可以被夸大。换句话说，由于附图中元件的尺寸和厚度是出于便于说明的目的而随意示出的，因此以下示例性实施方式不限于此。当可以不同地实现某实施方式时，具体处理顺序可与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的过程可大体上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
现在，将详细参考示例性实施方式，示例性实施方式的示例在附图中示出。在附图中，相同的元件由相同的参考数字表示，并且将不给出其重复说明。
如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意和所有组合。诸如“……中的至少一个”的表述当放在一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰该列中的单独的元件。在本公开中，术语“大体上”包括完全地、几乎完全地、或者在一些应用中和根据本领域技术人员达到的任意有效程度的意思。此外，“形成、设置或布置于……上方”也可意味着“形成、设置或布置于……上”。术语“连接”包括电连接。
图1是示出根据示例性实施方式的OLED显示器10的平面图。图2是沿图1的OLED显示器的线II-II截取的剖视图。
参照图1和图2，根据示例性实施方式的OLED显示器10包括下基板100、设置在下基板100上的显示单元200、密封构件(或密封剂)400以及通过使用密封构件400粘合至下基板100的上基板500。
下基板100可由多种材料中的任意材料形成，诸如玻璃材料、金属材料或塑料材料(例如，聚对苯二甲酸二乙醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺)。下基板100可包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA，其中在显示区域DA上设置了包括多个像素的显示单元200。
与下基板100类似，上基板500可由多种材料中的任意材料形成，诸如玻璃材料、金属材料或塑料材料(例如，PET、PEN或聚酰亚胺)。下基板100和上基板500可由相同的材料或不同的材料形成。
可在下基板100和上基板500之间设置密封构件400。密封构件400可设置在下基板100的外围区域PA上，并且通过将上基板500粘合至下基板100，密封构件400可密封上基板500和下基板100。例如，密封构件400包括但不限于玻璃料或环氧树脂。
显示单元200可设置在下基板100的显示区域DA上并可包括像素。例如，显示单元200是液晶显示器(LCD)或包括多个薄膜晶体管(TFT)和连接至TFT的像素电极的OLED显示单元。本示例性实施方式将在显示单元200是OLED显示单元的假设下进行说明。现在，将参照图3详细说明显示单元200的结构。
图3是示出图1的像素单元PX的结构的剖视图。
参照图3，显示单元200包括TFT、电容器(未示出)以及电连接至TFT的OLED 240。TFT可包括由非晶硅、多晶硅或有机半导体材料形成的半导体层202。TFT还包括栅电极204、源电极206s以及漏电极206d。
为了平坦化下基板100的表面或阻止杂质透入TFT的半导体层202，可在下基板100上设置由二氧化硅或氮化硅形成的阻挡层201，并且可在阻挡层201上设置半导体层202。
在半导体层202上方设置栅电极204。源电极206s和漏电极206d根据施加到栅电极204的信号而彼此电连接。通过考虑与相邻层的粘着、堆叠层的表面光滑度以及加工性能，栅电极204可具有由从以下材料中选择的至少一种材料形成的单层结构或多层结构，例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)以及铜(Cu)。
在这种情况下，为了确保半导体层202与栅电极204之间的绝缘，在半导体层202与栅电极204之间可设置由二氧化硅和/或氮化硅形成的栅绝缘膜203。
绝缘膜可形成在栅电极204上方以具有由二氧化硅或氮化硅形成的单层结构或多层结构。当绝缘膜具有多层结构时，绝缘膜可包括第一绝缘膜205和第二绝缘膜207。
尽管未在图3中示出，但是当绝缘膜具有多层结构时，根据包括TFT的背板层的结构，还可在栅电极204上方设置与栅电极204部分重叠的导电层(未示出)。
导电层可形成在第一绝缘膜205与第二绝缘膜207之间。在这种情况下，第一绝缘膜205可用作将栅电极204与导电层彼此绝缘的绝缘膜。导电层的、与栅电极204重叠的部分可用作电容器。也就是说，设置在导电层之下的栅电极204可以为电容器的下电极，并且设置在栅电极204上方的导电层可用作电容器的上电极。在这种情况下，第一绝缘膜205可用作介质膜。
当没有形成导电层时，第二金属层320(见图4)可以仅设置在第一绝缘膜205与第二绝缘膜207之间。
源电极206s和漏电极206d设置在第一绝缘膜205和第二绝缘膜207上。源电极206s和漏电极206d通过在第一绝缘膜205和第二绝缘膜207以及栅绝缘膜203中形成的接触孔而电连接至半导体层202。通过考虑电导率等，源电极206s和漏电极206d中的每个可形成为具有由从以下材料中选择的至少一种材料形成的单层结构或多层结构，例如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu。
可在下基板100上设置第三绝缘膜208。在这种情况下，第三绝缘膜208可以是平坦化膜。当OLED 240设置在TFT上方时，第三绝缘膜208可基本平坦化TFT的顶表面并可保护TFT和各种设备。第三绝缘膜208可由例如丙烯酸有机材料或苯并环丁烯(BCB)形成。在这种情况下，如图3所示，阻挡层201、栅绝缘膜203以及第一绝缘膜205和第二绝缘膜207可形成在下基板100的整个表面上方。
第四绝缘膜209可设置在TFT上方。在这种情况下，第四绝缘膜209可以是像素限定膜。第四绝缘膜209可设置在第三绝缘膜208上，并且可具有开口，其中通过该开口暴露像素电极210的中心部。第四绝缘膜209限定了像素区域。
第四绝缘膜209可以是例如有机绝缘膜。有机绝缘膜可由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸类聚合物、聚苯乙烯(PS)、具有苯酚基的聚合物衍生物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或它们的组合形成。
OLED 240可设置在第三绝缘膜208上。OLED 240可包括像素电极210、包括发射层EML的中间层220以及对电极230。
像素电极210可以为(半)透明电极或反射电极。当像素电极210为(半)透明电极时，像素电极210可以由例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或锌铝氧化物(AZO)形成。当像素电极210为反射电极时，像素电极210可包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物形成的反射膜以及由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO形成的层。然而，所描述的技术不限于此，并且像素电极210可由多种材料中的任意材料形成，并可具有诸如单层结构或多层结构的各种结构中的任意结构。
在由第四绝缘膜209限定的像素区域中可设置中间层220。中间层220可包括响应于电信号发光的发射层EML，并且还可包括在发射层EML与像素电极210之间设置的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)以及在发射层EML与对电极230之间设置的电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)以具有单层结构或多层结构。然而，中间层220不限于此，并且可具有其他多种结构中的任意结构。
对电极230可设置在下基板100的整个表面上方，其中对电极230覆盖包括发射层EML的中间层220并面对像素电极210。对电极230可以为(半)透明电极或反射电极。
当对电极230是(半)透明电极时，对电极230可包括由具有低功函数的金属诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的混合物形成的层以及包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的(半)透明导电层。当对电极230是反射电极时，对电极230可包括由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的混合物形成的层。然而，对电极230的配置和材料不限于此，并且可以进行各种修改。
图4是示出图2的区域IV的放大的平面图。
为了便于说明，在图4中没有示出密封构件400。然而，密封构件400可以设置在图4的结构上方。密封构件400可形成在密封区域SA上。
参照图4，第一金属层310设置在下基板100的外围区域PA上，并且设置在下基板100与密封构件400之间。第一金属层310可包括多个第一通过部310a。如图4所示，第一通过部310a可在第一方向(例如，X轴方向)上延伸。也就是说，第一通过部310a可形成为具有含长侧和短侧的条带形状，并在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此平行。
在第一金属层310上还可设置第二金属层320，并且第二金属层320可设置在第一金属层310与密封构件400之间。第二金属层320可包括多个第二通过部320a。与第一通过部310a类似，第二通过部320a可在第一方向(例如，X轴方向)上延伸。相应地，第二通过部320a也可形成为具有含长侧和短侧的条带形状，并在第二方向(Y轴方向)上彼此平行。第二通过部320a可形成为在位置上与第一通过部310a对应，并且具有大体上等于或大于第一通过部310a的尺寸的尺寸。同样地，第二金属层320可形成在第一金属层310上方。
可以形成开口部OA，其中在开口部OA上，通过第一金属层310的第一通过部310a和第二金属层320的第二通过部320a暴露下基板100或阻挡层201的至少一部分。尽管在图5中开口部OA暴露下基板100的至少一部分，但是示例性实施方式不限于此。也就是说，如上所述，开口部OA可暴露在下基板100上形成的阻挡层201。
在第一金属层310与第二金属层320之间可设置第一绝缘膜205，并且在第二金属层320与密封构件400之间可设置第二绝缘膜207。如以上参照图3所描述的，第一绝缘膜205与第二绝缘膜207可从显示区域DA延伸至外围区域PA。
在图4中，在第二金属层320上设置第二绝缘膜207。第二绝缘膜207可形成为覆盖开口部OA的一部分。在开口部OA上形成的第二绝缘膜207中可形成多个细小孔330，并且可通过多个细小孔330暴露下基板100的一部分。
第一金属层310与第二金属层320可通过使用连接部(或连接器)315彼此电连接。连接部315可包括与第二金属层320的材料相同的材料。可沿第一边缘部310e_1和320e_1以及沿第二边缘部310e_2和320e_2形成多个连接部315，其中第一边缘部310e_1和320e_1在第二方向(例如，Y轴方向)上沿下基板100的边缘延伸，并且与第一边缘部310e_1和320e_1不同，第二边缘部310e_2和320e_2在第二方向(例如，Y轴方向)上从显示单元200延伸。下面将参照图6至图8详细解释连接部315。
图5是沿图4的线V-V截取的剖视图。
参照图4和图5，在下基板100上形成阻挡层201并且在阻挡层201上可形成栅绝缘膜203。阻挡层201和栅绝缘膜203可从显示区域DA延伸至外围区域PA以形成在下基板100的整个表面上方。
在栅绝缘膜203上可设置第一金属层310。第一金属层310可包括用于形成开口部OA的第一通过部310a。当在第一金属层310中形成第一通过部310a时，可去除在第一金属层310下方设置的、阻挡层201和栅绝缘膜203的一部分。在此过程中，第一金属层310的第一通过部310a可形成开口部OA，其中通过开口部OA暴露下基板100的一部分。在开口部OA中可以形成由第一绝缘膜205和第二绝缘膜207形成的多个细小孔。在这种情况下，细小孔330可包括在第一绝缘膜205中形成的多个第一细小孔330a和在第二绝缘膜207中形成的多个第二细小孔330b。
第一绝缘膜205可设置在第一金属层310上以形成在下基板100的整个表面上方。第一绝缘膜205还可形成在开口部OA上以覆盖开口部OA的至少一部分。在开口部OA上形成的第一绝缘膜205可包括第一细小孔330a。在本示例性实施方式中，可以通过第一细小孔330a暴露下基板100的一部分。根据另一示例性实施方式，可以暴露阻挡层201的一部分。
其次，可以在第一绝缘膜205上设置第二金属层320。第二金属层320可包括第二通过部320a。在第二金属层320中形成的第二通过部320a可形成为在位置上与在第一金属层310中形成的第一通过部310a对应，并具有大体上等于或大于第一通过部310a的尺寸的尺寸。相应地，可形成开口部OA，其中在开口部OA上，通过第二通过部320a暴露下基板100的一部分。
此外，第二绝缘膜207可设置在第二金属层320上以形成在下基板100的整个表面上方。第二绝缘膜207还可形成在开口部OA上以覆盖开口部OA的至少一部分。第二绝缘膜207的、形成在开口部OA上的一部分可包括第二细小孔330b。第二细小孔330b可形成为在位置上与第一细小孔330a对应。相应地，通过第二细小孔330b可以暴露下基板100的一部分，且根据另一示例性实施方式，可以暴露阻挡层201的一部分。
在第一细小孔330a和第二细小孔330b中可填充密封构件400。由于第一细小孔330a和第二细小孔330b，因此可以增大密封构件400与下基板100之间的接触面积。例如，当第一通过部310a和第二通过部320a连续延伸时，可以最大化可形成细小孔300的区域，可以最大化密封构件400与下基板100之间的接触面积，并且可极大地增大密封构件400与下基板100之间的附着力。
图6是沿图4的线VI-VI截取的剖视图。
图6是通过切割密封区域SA的一部分而获得的剖视图，以示出沿第二边缘部310e_2和320e_2形成的多个连接部315的切割表面，其中在第二边缘部310e_2和320e_2上没有形成第一通过部310a和第二通过部320a。
参照图6，可以如上所述的在下基板100上顺序地形成阻挡层201、栅绝缘膜203、在栅绝缘膜203上形成的第一金属层310、第一绝缘膜205、第二金属层320、以及第二绝缘膜207。
可在设置在第一金属层310和第二金属层320之间的第一绝缘膜205中形成连接孔205a，并且可在连接孔205a中形成由与第二金属层320的材料相同的材料形成的连接部315。
连接部315是如上所述的将第一金属层310电连接至第二金属层320的元件。通常，可在与栅电极204相同的层上设置第一金属层310，并可在与源电极206s和漏电极206d相同的层上设置第二金属层320。也就是说，当在阻挡层201和栅绝缘膜203上形成栅电极204时，可以形成第一金属层310，并且当在阻挡层201和栅绝缘膜203上形成源电极206s和漏电极206d时，可以形成第二金属层320。此外，第一金属层310可由与栅电极204的材料相同的材料形成，并且第二金属层320可由与源电极206s和漏电极206d的材料相同的材料形成。
相应地，当在第一绝缘膜205中形成的连接孔205a中填充与第二金属层320的导电材料相同的导电材料，以在第二绝缘膜207上形成源电极206s和漏电极206d，也就是说，以在第一绝缘膜205上形成第二金属层320时，可以形成连接部315。
通常，当静电从外面引入到OLED显示器中并在外围区域PA上设置的第一金属层310上积聚时，可在下基板100与密封构件400之间发生不良的附着或者可损坏连接至第二边缘部310e_2和320e_2的电路单元。此外，因为第一金属层310由与栅电极204的材料相同的材料形成，其中该材料具有大于第二金属层320的电阻的电阻，第二金属层320具有与源电极206s或漏电极206d的物理性能相同的物理性能，所以积聚的静电可能不会有效地消散并且静电荷可在第一金属层310上积聚。
第二金属层320可由具有比第一金属层310的电阻小的电阻的材料形成。例如，第一金属层310包括具有第二金属层320的电阻大约10倍的电阻的材料。相应地，当提供了将第一金属层310电连接至第二金属层320的连接部315时，在第一金属层310上积聚的静电荷可通过第二金属层320有效地消散，并且可以防止从外面引入的静电荷被引入到电路中。
图7是沿图4的线VII-VII截取的剖视图。
在图7中，沿第一边缘部310e_1和320e_1以及第二边缘部310e_2和320e_2形成连接部315。
参照图4和图7，在下基板100上形成阻挡层201并在阻挡层201上形成栅绝缘膜203。阻挡层201和栅绝缘膜203可从显示区域DA延伸至外围区域PA以形成在下基板100的整个表面上方。
第一通过部310a和第二通过部320a可在第一方向(例如，X轴方向)上延伸并可在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此间隔开。同样地，在第一通过部310a和第二通过部320a彼此间隔开的区域上可连续布置第一金属层310和第二金属层320。
图8是沿图4的线VIII-VIII截取的剖视图。
图8是在第一通过部310a和第二通过部320a设置所沿的第一方向(例如，X轴方向)上截取的剖视图。可在开口部OA上形成第一绝缘膜205和第二绝缘膜207，其中第一通过部310a和第二通过部320a形成在开口部OA上。可在设置于开口部OA上的第一绝缘膜205和第二绝缘膜207中分别形成第一细小孔330a和第二细小孔330b。通过第一细小孔330a、第二细小孔330b、第一通过部310a以及第二通过部320a可暴露下基板100的一部分。
第一金属层310可包括沿下基板100的边缘延伸的第一边缘部310e_1和从显示单元200延伸的第二边缘部310e_2。与第一金属层310类似，在第一金属层310上形成的第二金属层320可包括沿下基板100的边缘延伸的第一边缘部320e_1和从显示单元200延伸的第二边缘部320e_2。
第一金属层310和第二金属层320的第一边缘部310e_1和320e_1以及第二边缘部310e_2和320e_2可在第二方向(例如，Y轴方向)上连续延伸，其中第二方向垂直于第一通过部310a和第二通过部320a形成所沿的第一方向(例如，X轴方向)(或与第一方向交叉)。
相应地，如图8所示，可在第一边缘部310e_1和320e_1以及第二边缘部310e_2和320e_2上设置第一金属层310和第二金属层320。与第一边缘部310e_1和320e_1以及第二边缘部310e_2和320e_2重叠的第一金属层310和第二金属层320可以形成盖并可阻止静电引入到显示单元200中。此外，与第一边缘部310e_1和320e_1以及第二边缘部310e_2和320e_2重叠的第一金属层310和第二金属层320可形成具有预定高度的突起并可阻止密封构件400流到密封区域SA之外。
图9是示出根据另一示例性实施方式的图2的区域IV的平面图。
参照图9，多个连接部(或连接器)1315沿第一边缘部1310e_1和1320e_1以及第二边缘部1310e_2和1320e_2如图4所示地形成，并且还形成在第一通过部1310a之间以及第二通过部1320a之间。
图10是根据另一示例性实施方式的图2的区域IV的平面图。
参照图10，多个连接部(或连接器)2315可沿第一边缘部2310e_1和2320e_1以及第二边缘部2310e_2和2320e_2如图4所示地形成，并且可如图9所示地形成在第一通过部2310a之间以及第二通过部2320a之间，以及可形成在开口部OA之间。
即使在这种情况下，第一通过部2310a和第二通过部2320a可形成为接近开口部OA，并且第一金属层2310和第二金属层2320可形成在开口部OA之间。也就是说，可在第一边缘部2310e_1和2320e_1以及第二边缘部2310e_2和2320e_2延伸所沿的第二方向(例如，Y轴方向)上以及在大体上垂直于第二方向(或与第二方向交叉)的第一方向(例如，X轴方向)上均形成连接部2315。
图4、图9和图10示例性地示出了连接部315、1315和2315可形成在OLED显示器的外围区域PA上多种位置中的任意位置。也就是说，只要连接部315、1315和2315可将第一金属层310、1310和2310电连接至第二金属层320、1320和2320，则连接部315、1315和2315可以形成在任何位置，其中第二金属层320、1320和2320具有小于第一金属层310、1310和2310的电阻的电阻。
在这种配置中，由于从外面引入的静电荷可以不积聚在第一金属层310、1310和2310上，并可分别传输至第二金属层320、1320和2320，因此可以避免局部静电荷集中、可以避免下基板100和密封构件400之间不良的粘着，并且可防止静电荷被引入到显示单元200中。
根据所公开的实施方式中的至少一个实施方式，通过快速消散从外面引入的静电，OLED显示器和制造OLED显示器的方法可防止显示单元的损坏并防止下基板和密封构件之间不良的粘着。
将理解的是，所描述的技术的精神和范围不由这些效果限制。
虽然已参照附图描述了发明技术，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不背离如由所附权利要求限定的精神和范围情况下，可在此做出形式和细节上的各种改变。
Claims (20)
1.一种有机发光二极管显示器，包括：
下基板，包括显示区域和围绕所述显示区域的外围区域；
上基板，面对所述下基板；
显示单元，设置在所述显示区域上；
密封剂，设置在所述外围区域上并密封所述下基板和所述上基板；
第一金属层，插入在所述下基板与所述密封剂之间，其中，所述第一金属层包括在第一方向上延伸并在与所述第一方向交叉的第二方向上布置的多个第一通过部；
第二金属层，设置在所述第一金属层上并包括分别与所述多个第一通过部对应的多个第二通过部，其中，所述多个第二通过部中的每个具有与相应的第一通过部的尺寸相等或比相应的第一通过部的尺寸大的尺寸；以及
多个连接器，配置为电连接所述第一金属层和所述第二金属层。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包括插入在所述下基板与所述第一金属层之间的阻挡层，
其中，所述外围区域上形成有包括所述第一通过部和所述第二通过部的开口部，所述下基板或所述阻挡层通过所述开口部连接至所述密封剂。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，还包括插入在所述第一金属层与所述第二金属层之间的第一绝缘膜，其中，所述第一绝缘膜至少部分覆盖所述开口部，并具有在所述开口部中形成的多个第一细小孔。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述下基板或所述阻挡层的至少一部分通过所述第一细小孔连接至所述密封剂。
5.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，在所述第一细小孔中形成所述密封剂。
6.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，还包括在所述第二金属层上设置的第二绝缘膜，其中，所述第二绝缘膜至少部分覆盖所述开口部，并具有在所述开口部中形成的多个第二细小孔。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述下基板或所述阻挡层的至少一部分通过所述第二细小孔连接至所述密封剂。
8.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，在所述第二细小孔中形成所述密封剂。
9.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二细小孔在所述有机发光二极管显示器的深度维度上与所述第一细小孔重叠。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二金属层和所述连接器由相同的材料形成。
11.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一金属层具有比所述第二金属层的电阻大的电阻。
12.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一通过部和所述第二通过部具有包含第一侧和比所述第一侧短的第二侧的条带形状，以及其中，所述第一通过部和所述第二通过部在所述第一方向上延伸。
13.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，在所述第一方向和所述第二方向上交替形成所述第一通过部和所述第二通过部。
14.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述下基板具有第一边缘和与所述第一边缘相对的第二边缘，其中，所述第一金属层和所述第二金属层中的每个具有在所述第二方向上沿所述下基板的所述第一边缘延伸的第一边缘部，其中，所述第一金属层和所述第二金属层中的每个具有在所述第二方向上沿所述下基板的所述第二边缘延伸的第二边缘部，以及其中，沿所述第一金属层和所述第二金属层的所述第一边缘部和所述第二边缘部形成所述连接器。
15.如权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中，在所述第一通过部之间以及所述第二通过部之间形成所述连接器。
16.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述开口部包括多个开口部，以及其中，在所述开口部之间形成所述连接器。
17.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述显示单元包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管中的每个包括半导体层、栅电极、源电极以及漏电极，其中，所述第一金属层设置在与所述栅电极相同的层上，以及其中，所述第二金属层设置在与所述源电极和所述漏电极相同的层上。
18.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：
制备包括显示区域和围绕所述显示区域的外围区域的下基板；
在所述显示区域上形成显示单元；
在所述外围区域上形成包括在第一方向上延伸的多个第一通过部的第一金属层；
在所述第一金属层上形成包括多个连接孔的第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜上形成包括多个第二通过部的第二金属层，其中所述多个第二通过部中的每个具有与相应的第一通过部的尺寸相等或比相应的第一通过部的尺寸大的尺寸；
在所述下基板上放置上基板；
在所述外围区域上形成密封剂；以及
密封所述下基板和所述上基板，
其中，形成所述第二金属层包括通过所述第二金属层的一部分填充所述连接孔，以将所述第一金属层和所述第二金属层电连接。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述第一绝缘膜至少部分覆盖包括所述第一通过部和所述第二通过部的开口部，并具有在所述开口部中形成的多个第一细小孔。
20.如权利要求18所述的方法，还包括：形成覆盖所述第二金属层的第二绝缘膜，
其中，所述第二绝缘膜被形成为至少部分覆盖包括所述第一通过部和所述第二通过部的开口部，并具有在所述开口部中形成的多个第二细小孔。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106876606A (zh) * | 2017-03-16 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN107046104A (zh) * | 2017-01-10 | 2017-08-15 | 广东欧珀移动通信有限公司 | Oled封装结构及其制备方法 |
| CN108630710A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-10-09 | 三星显示有限公司 | 显示板和包括其的显示设备 |
| CN110070798A (zh) * | 2018-01-23 | 2019-07-30 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
| CN112863375A (zh) * | 2019-11-28 | 2021-05-28 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| CN113474687A (zh) * | 2019-02-28 | 2021-10-01 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示装置和电子设备 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111370439A (zh) * | 2018-12-07 | 2020-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111430572A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-07-17 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN111969025B (zh) * | 2020-08-28 | 2023-08-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104253241A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| US20150060789A1 (en) * | 2013-09-03 | 2015-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and organic light emitting display device comprising the same |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101476849B1 (ko) | 2008-07-18 | 2014-12-30 | 엘지전자 주식회사 | 박리 및 안착 통합 장치와, 이를 이용한 액정표시장치의제조방법 |
| KR20140013482A (ko) | 2012-07-24 | 2014-02-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 일체형 표시장치 |
| KR102135882B1 (ko) | 2013-07-22 | 2020-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| KR102126276B1 (ko) | 2013-08-30 | 2020-06-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20150033195A (ko) * | 2013-09-23 | 2015-04-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102067963B1 (ko) | 2013-09-30 | 2020-02-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102126381B1 (ko) * | 2013-10-14 | 2020-06-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR20150043136A (ko) * | 2013-10-14 | 2015-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102117109B1 (ko) * | 2013-10-22 | 2020-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102240894B1 (ko) * | 2014-02-26 | 2021-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102239840B1 (ko) * | 2014-04-28 | 2021-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102405124B1 (ko) * | 2014-12-09 | 2022-06-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR102390451B1 (ko) * | 2015-05-19 | 2022-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR102451728B1 (ko) * | 2015-05-19 | 2022-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
-
2015
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-
2016
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-
2018
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- 2022-05-24 KR KR1020220063590A patent/KR20220077901A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104253241A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| US20150060789A1 (en) * | 2013-09-03 | 2015-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and organic light emitting display device comprising the same |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107046104A (zh) * | 2017-01-10 | 2017-08-15 | 广东欧珀移动通信有限公司 | Oled封装结构及其制备方法 |
| CN106876606A (zh) * | 2017-03-16 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN108630710A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-10-09 | 三星显示有限公司 | 显示板和包括其的显示设备 |
| US11665821B2 (en) | 2017-03-17 | 2023-05-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and display device including the same |
| CN108630710B (zh) * | 2017-03-17 | 2023-09-01 | 三星显示有限公司 | 显示板和包括其的显示设备 |
| CN110070798A (zh) * | 2018-01-23 | 2019-07-30 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
| US11552152B2 (en) | 2018-01-23 | 2023-01-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including a power supply voltage wiring having openings |
| CN113474687A (zh) * | 2019-02-28 | 2021-10-01 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示装置和电子设备 |
| CN112863375A (zh) * | 2019-11-28 | 2021-05-28 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| US11765929B2 (en) | 2019-11-28 | 2023-09-19 | Lg Display Co., Ltd. | Display device including sealant filled flexible film holes |
Also Published As
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