CN106300011A - 一种含侧边吸收区的超辐射发光管 - Google Patents
一种含侧边吸收区的超辐射发光管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106300011A CN106300011A CN201610930980.4A CN201610930980A CN106300011A CN 106300011 A CN106300011 A CN 106300011A CN 201610930980 A CN201610930980 A CN 201610930980A CN 106300011 A CN106300011 A CN 106300011A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- uptake zone
- light emitting
- ridge
- emitting tube
- radiation light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 51
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 108090000723 Insulin-Like Growth Factor I Proteins 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 102000013275 Somatomedins Human genes 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管，包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区，在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区，侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本发明利用侧边吸收区所具有的光吸收特性，减小了脊波导侧边近波长或亚波长量级的凹凸结构对光产生的散射或者衍射，有效抑制了可能形成的反馈回路，减小了激射对器件的光谱特性产生的不良影响，实现了超辐射发光管平滑的较宽的光谱输出。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体器件，具体涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管。
背景技术
超辐射为放大的自发发射ASE(Amplified Spontaneous Emission)，超辐射发光管(SLD)即是一种放大自发发射的半导体器件。超辐射发光管发射的光在波导中传播时获得光增益，但不存在光反馈(理想情况下)或者光反馈很弱，因而不会形成激射振荡，可将其视为一种具有单程光增益的半导体光放大器，它辐射出的光为弱相干光，其光学特性介于半导体激光器与发光二极管之间。与一般发光二极管相比，超辐射发光管的输出功率更高，并且光斑尺寸小，光的发散角较小，易于与单模光纤耦合；与激光器相比，在具有相当的输出光功率的同时，超辐射发光管具有宽的光谱和更短的相干长度，可以显著地降低光纤圈中瑞利(Rayleigh)背向散射的瞬时波动和非线性克尔效应所引起的噪声；而且超辐射发光管的温度特性比较好，这些独特的优异性弥补了半导体激光器与一般发光二极管的不足，也使超辐射发光管成为光纤陀螺，光纤水听器，光时域反射仪(OTDR)、局域网(LAN)，波分复用光纤通讯以及光处理技术等许多应用领域的理想光源。正因为如此，自从l971年Kurbatov等人首次制得半导体超辐射发光管以来，超辐射发光管得到了迅速发展。人们围绕着提高输出功率和耦合效率、增加光谱宽度、降低相干长度、提高调制频率、降低光谱调制深度等问题，对超辐射发光管开展了广泛的研究工作。
超辐射发光管要求有很高的输出功率，而又不产生激射振荡。提高输出功率最简单的办法就是增大注入电流，但是过高的注入电流可能会导致激射振荡。激射振荡的产生将对器件的宽光谱特性产生显著的不良影响，而宽光谱是超辐射发光管的最重要的特征之一，因此实现超辐射发光的关键是抑制F-P腔振荡，尽可能地减少光反馈。在这一关键特性方面，人们做了很多努力，目前主要有以下几种办法:(1)在超辐射发光管腔引入非泵浦吸收区。含非泵浦吸收区结构的超辐射发光管是最早和较常用的主要结构之一。它通常是在器件后端面制作一个非泵浦吸收区，根据吸收区的形状不同，又可分为平面波导吸收区、直波导吸收区、弯曲吸收波导结构、锥形吸收波导结构。(2)蒸镀增透膜的方法。为了减小器件的输出端面的反射，可以采用出光端面蒸镀增透膜，而在另外的一面蒸镀高反膜以达到增加超辐射光的出射功率，减小反馈激射。(3)倾斜电极条形结构或者弯曲波导结构可以减少端面反馈。目前在技术上常常综合利用上述几种方法。成熟的产品对端面镀膜以及制备工艺的精度的要求很高。尽管如此，光刻制备工艺仍然存在一定的精度问题，导致在制作脊波导时，侧边会形成近波长或亚波长量级的凹凸结构。由于这些结构会对光产生散射或者衍射，因而有很少部分光可以形成反馈回路，而这些反馈回路会形成激射，从而对器件的光谱特性产生不良影响。
发明内容
为了克服上述技术问题，本发明提供了一种含侧边吸收区的超辐射发光管，利用侧边吸收区所具有的光吸收特性，有效抑制可能形成的反馈回路，实现超辐射发光管平滑的较宽的光谱输出。
本发明提出的技术方案如下：
一种含侧边吸收区的超辐射发光管，包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区，在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区，侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。
进一步地，所述侧边吸收区为一段或多段。
进一步地，当所述侧边吸收区为多段时，所述多段侧边吸收区位于脊的同侧。
进一步地，当所述侧边吸收区为多段时，所述多段侧边吸收区位于脊的不同侧。
进一步地，所述脊的同一侧的侧边吸收区为一段或多段。
进一步地，所述多段侧边吸收区相对于脊对称分布。
进一步地，所述多段侧边吸收区相对于脊呈互补式对称分布或镜像对称分布。
进一步地，所述超辐射发光管还包括沿脊波导增益区长度方向的端面制备的脊波导电隔离区和脊波导吸收区，其中，脊波导电隔离区使脊波导吸收区和脊波导增益区形成电隔离。
进一步地，脊波导增益区的出光端面镀有高透膜，出光端面与脊波导增益区的夹角大于80度，小于等于90度；在与出光端面相对的脊波导吸收区的端面镀高反射率的光学介质膜。
进一步地，脊波导增益区在邻近出光端面的位置制备弯曲波导结构。
本发明的有益效果：本发明利用侧边吸收区所具有的光吸收特性，减小了脊波导侧边近波长或亚波长量级的凹凸结构对光产生的散射或者衍射，有效抑制了可能形成的反馈回路，减小了激射对器件的光谱特性产生的不良影响，实现了超辐射发光管平滑的较宽的光谱输出。另外，本发明由于有效抑制了端面反馈形成的激射振荡，因此，对出光端面所镀增透膜的要求可以适当降低，也可适当降低对制备工艺精度的要求。
附图说明
图1是本发明提出的一种含侧边吸收区的超辐射发光管的结构示意图；
图2a是本发明提出的单侧任意位置含吸收区的脊波导示意图；
图2b是本发明提出的单侧任意位置含多段吸收区的脊波导示意图；
图2c是本发明提出的两侧边任意位置含吸收区的脊波导示意图；
图2d是本发明提出的两侧边任意位置含对称分布吸收区的脊波导示意图；
图2e是本发明提出的两侧边任意位置含多段互补式对称分布吸收区的脊波导示意图；
图2f是本发明提出的两侧边任意位置含多段一般对称分布吸收区的脊波导示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。但本领域技术人员知晓，本发明并不局限于附图和以下实施例。
本发明提出的一种含侧边吸收区的超辐射发光管，如图1所示，依次由下电极、衬底、下分离限制层、下波导层、有源区、上波导层、上分离限制层、盖层、Si02电流隔离层、上电极构成。其中，有源区采用应变多量子阱结构的材料通过光刻、腐蚀、生长介质绝缘层、开电极窗口、溅射等工艺形成，有源区的发光波长范围是1.1um-1.7um，具体参数按设计不同而不同。
该超辐射发光管的一种制备方法具体可以采用铟镓砷磷/铟磷InGaAsP/InP或者铝镓铟砷/铟磷AlGaInAs/InP材料作为衬底，然后在n型铟磷InP衬底上制备上下分离限制层、位于上下分离限制层中的上下波导层以及位于上下波导层中的多量子阱有源区，其中阱的厚度为5-10nm，垒层的厚度为5-10nm之间，应变在1.2％以内，有源区阱垒的总厚度为100-500nm；在上分离限制层之上依次为盖层、Si02电流隔离层、上电极。
另外，该超辐射发光管还可在上下分离限制层远离有源区的一侧分别设置上包层(未图示)和下包层(未图示)。
该超辐射发光管的光限制层中心区域构成波导结构，在图1所示的结构中，下波导层、有源区、上波导层构成光限制层中心区域，该波导结构采用脊波导结构，脊的侧边的任意位置形成侧边吸收区，通过用电泵浦所述吸收区以吸收光。所述的脊波导可以是直波导或者倾斜波导，也可以是弯曲波导结构。
下面结合附图对吸收区的具体设置位置进行描述。
实施例1
如图2a所示，该超辐射发光管包括脊波导增益区1001、侧边吸收区1003、侧边电隔离区1002、脊波导电隔离区1005和脊波导吸收区1004。其中，脊波导增益区1001为倾斜长条形；脊波导增益区1001的一端面为出光端面1006，出光端面1006镀有高透膜，出光端面1006和脊波导增益区1001的夹角大于80度，小于等于90度。在脊波导增益区1001相对出光端面1006的另一侧制备脊波导电隔离区1005和脊波导吸收区1004，其中，脊波导电隔离区1005使脊波导吸收区1004和脊波导增益区1001形成电隔离，脊波导吸收区1004远离脊波导电隔离区1005的端面1007镀有高反膜。在脊的一侧边上制备侧边电隔离区1002和侧边吸收区1003，侧边电隔离区1002和侧边吸收区1003的长度小于或者等于脊波导增益区1001的长度W，侧边电隔离区1002长度大于等于侧边吸收区1003长度，图2a至图2f均以侧边电隔离区1002和侧边吸收区1003的长度小于脊波导增益区1001的长度，且侧边电隔离区1002和侧边吸收区1003长度相等为例进行说明，但并不局限于这种情形。侧边电隔离区1002使脊波导增益区1001与侧边吸收区1003形成电隔离。脊波导增益区1001和侧边吸收区1003、脊波导吸收区1004上制备有表面电极，增益区和吸收区电极相互电隔离不交连。
在出光端面1006镀低反射率的高增透多层光学介质膜，与出光端面1006相对的另一端的端面1007镀高反射率的光学介质膜，实现对端面反馈激射振荡的有效抑制。
为了进一步提高对反射的吸收效果，脊波导增益区1001可以在邻近出光端面1006的位置制备弯曲波导结构，也可以适当增加脊波导吸收区1004的长度或者数量。
实施例2
本实施例在实施例1技术方案的基础上，在脊波导增益区1001的所述侧边上再间隔层叠第二侧边电隔离区1008和第二侧边吸收区1009，形成单侧两段吸收区，如图2b所示，侧边电隔离区1002与第二侧边电隔离区1008的尺寸可以相同，也可以不同；侧边吸收区1003和第二侧边吸收区1009的尺寸可以相同，也可以不同；也可以层叠更多段的侧边电隔离区和侧边吸收区。这种单侧多段吸收区结构能够进一步提高对同侧长光程或衍射反馈激射的有效抑制。
实施例3
本实施例与实施例1的不同之处在于，实施例1中只在脊的一侧制备一段侧边电隔离区1002和侧边吸收区1003，而本实施例中在脊的两侧各制备一段侧边电隔离区2002和侧边吸收区2003，这样可以同时抑制两侧边形成的光散射或者衍射反馈激射，如图2c所示，在脊的两侧，制备侧边电隔离区2002和侧边吸收区2003。侧边电隔离区2002和侧边吸收区2003的长度小于或者等于增益区2001的长度W，侧边电隔离区2002长度大于等于侧边吸收区2003长度。侧边电隔离区2002使脊波导增益区2001和侧边吸收区2003实现电隔离。
实施例4
本实施例与实施例3的不同之处在于，实施例3中每侧的侧边电隔离区2002和侧边吸收区2003设置在脊两侧的任意位置，而本实施例中一侧的侧边电隔离区3002和侧边吸收区3003与另一侧的侧边电隔离区3002和侧边吸收区3003对称分布，这种设置方式可以同时抑制两侧边形成的光散射或者衍射反馈激射，如图2d所示。
实施例5
本实施例与实施例3的不同之处在于，实施例3中，在脊的两侧均制备一段侧边电隔离区2002和侧边吸收区2003，而本实施例中，在脊的两侧各制备多段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003，并且脊波导两侧的各段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003为多段互补式对称分布，可以同时抑制两侧边形成的光散射或者衍射反馈激射，也可以抑制长光程的光散射或者衍射反馈激射。以四段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003为例说明电隔离区4002和吸收区4003的分布情况，如图2e所示：沿脊波导增益区4001的长度方向，在脊同一侧的第一段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003Ⅰ与第三段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003Ⅲ之间预留与第二段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003Ⅱ尺寸匹配的空间，第二段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003Ⅱ位于脊另一侧与该空间对应的位置；同理，在脊同一侧的第二段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003Ⅱ与第四段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003Ⅳ之间预留的空间与脊另一侧的第三段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003Ⅲ尺寸相匹配。
实施例6
本实施例与实施例5的不同之处在于，实施例5中各段电隔离区4002和吸收区4003周期互补式对称分布，实施例6中各段侧边电隔离区5002和侧边吸收区5003为多段镜像对称分布，可以同时抑制两侧边形成的光散射或者衍射反馈激射，也可以抑制长光程的光散射或者衍射反馈激射，如图2f所示，在脊一侧的第一段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003Ⅰ与在脊另一侧的第二段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003Ⅱ镜像对称分布，在脊一侧的第三段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003Ⅲ与在脊另一侧的第四段侧边电隔离区4002和侧边吸收区4003Ⅳ镜像对称分布。
根据上述实施例1-6可知，该侧边吸收区可以是单侧单段，如实施例1；或者是单侧多段，如实施例2；或者是两侧单段，如实施例3和4；或者是两侧多段，实施例5和6。对于多段侧边吸收区的情况，各段侧边吸收区的尺寸可以相同，也可以不同；相应地，各段侧电隔离区的尺寸可以相同，也可以不同。
以上，对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明不限定于上述实施方式。凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种含侧边吸收区的超辐射发光管，其特征在于，包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区，在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区，侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。
2.根据权利要求1所述的超辐射发光管，其特征在于，所述侧边吸收区为一段或多段。
3.根据权利要求2所述的超辐射发光管，其特征在于，当所述侧边吸收区为多段时，所述多段侧边吸收区位于脊的同侧。
4.根据权利要求2所述的超辐射发光管，其特征在于，当所述侧边吸收区为多段时，所述多段侧边吸收区位于脊的不同侧。
5.根据权利要求4所述的超辐射发光管，其特征在于，所述脊的同一侧的侧边吸收区为一段或多段。
6.根据权利要求4或5所述的超辐射发光管，其特征在于，所述多段侧边吸收区相对于脊对称分布。
7.根据权利要求6所述的超辐射发光管，其特征在于，所述多段侧边吸收区相对于脊呈互补式对称分布或镜像对称分布。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的超辐射发光管，其特征在于，所述超辐射发光管还包括沿脊波导增益区长度方向的端面制备的脊波导电隔离区和脊波导吸收区，其中，脊波导电隔离区使脊波导吸收区和脊波导增益区形成电隔离。
9.根据权利要求8所述的超辐射发光管，其特征在于，脊波导增益区的出光端面镀有高透膜，出光端面与脊波导增益区的夹角大于80度，小于等于90度；在与出光端面相对的脊波导吸收区的端面镀高反射率的光学介质膜。
10.根据权利要求9所述的超辐射发光管，其特征在于，脊波导增益区在邻近出光端面的位置制备弯曲波导结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610930980.4A CN106300011A (zh) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 一种含侧边吸收区的超辐射发光管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610930980.4A CN106300011A (zh) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 一种含侧边吸收区的超辐射发光管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106300011A true CN106300011A (zh) | 2017-01-04 |
Family
ID=57720629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610930980.4A Pending CN106300011A (zh) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 一种含侧边吸收区的超辐射发光管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106300011A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1070312A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スーパールミネッセントダイオード |
| CN101740455A (zh) * | 2009-12-23 | 2010-06-16 | 中国科学院半导体研究所 | 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法 |
| CN103022897A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-04-03 | 武汉华工正源光子技术有限公司 | 超辐射发光二极管及其制作方法 |
| CN103053035A (zh) * | 2010-08-18 | 2013-04-17 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光装置 |
| CN104158086A (zh) * | 2014-08-27 | 2014-11-19 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种半导体发光器件 |
| CN105098006A (zh) * | 2015-09-09 | 2015-11-25 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种超辐射发光二极管芯片的制备方法及制得的发光二极管芯片 |
| CN206225779U (zh) * | 2016-10-31 | 2017-06-06 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种含侧边吸收区的超辐射发光管 |
-
2016
- 2016-10-31 CN CN201610930980.4A patent/CN106300011A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1070312A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スーパールミネッセントダイオード |
| CN101740455A (zh) * | 2009-12-23 | 2010-06-16 | 中国科学院半导体研究所 | 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法 |
| CN103053035A (zh) * | 2010-08-18 | 2013-04-17 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光装置 |
| CN103022897A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-04-03 | 武汉华工正源光子技术有限公司 | 超辐射发光二极管及其制作方法 |
| CN104158086A (zh) * | 2014-08-27 | 2014-11-19 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种半导体发光器件 |
| CN105098006A (zh) * | 2015-09-09 | 2015-11-25 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种超辐射发光二极管芯片的制备方法及制得的发光二极管芯片 |
| CN206225779U (zh) * | 2016-10-31 | 2017-06-06 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种含侧边吸收区的超辐射发光管 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8965208B2 (en) | Multi-channel optical device | |
| JP2873856B2 (ja) | 光増幅器 | |
| US7542641B1 (en) | Multi-channel optical device | |
| US10241267B2 (en) | Semiconductor optical integrated device including a reduced thickness upper cladding layer in a ridge waveguide portion, and method of manufacturing the same | |
| US20100142568A1 (en) | Wavelength tunable filter and wavelength tunable laser module | |
| JP6715589B2 (ja) | 半導体光素子、アレイ半導体光素子、及び光モジュール | |
| CN104081598A (zh) | 半导体光元件、集成型半导体光元件、以及半导体光元件模块 | |
| US20190199057A1 (en) | Narrow linewidth multi-wavelength light sources | |
| JP6510391B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2007158057A (ja) | 集積レーザ装置 | |
| JP5434324B2 (ja) | 反射型半導体光増幅器 | |
| JP4318981B2 (ja) | 導波路型受光素子 | |
| CN102044844B (zh) | 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器 | |
| JP2019008179A (ja) | 半導体光素子 | |
| CN206225779U (zh) | 一种含侧边吸收区的超辐射发光管 | |
| TWI229484B (en) | Distributed feedback laser for isolator-free operation | |
| CN103247936B (zh) | 光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法 | |
| CN106300011A (zh) | 一种含侧边吸收区的超辐射发光管 | |
| CN100555915C (zh) | 一种用于光纤到户的单片集成单纤双向收发器 | |
| JP2012002929A (ja) | 半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、光伝送装置 | |
| US11233375B2 (en) | Two-kappa DBR laser | |
| JP2000244059A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH03268379A (ja) | 半導体レーザ・チップおよびその製造方法 | |
| WO2019208269A1 (ja) | 半導体光素子 | |
| JP2019091780A (ja) | 半導体光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170104 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |