CN106299083A - 一种白紫光led及制作方法 - Google Patents
一种白紫光led及制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106299083A CN106299083A CN201610756095.9A CN201610756095A CN106299083A CN 106299083 A CN106299083 A CN 106299083A CN 201610756095 A CN201610756095 A CN 201610756095A CN 106299083 A CN106299083 A CN 106299083A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- purple led
- white
- silica gel
- chip
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 18
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000012913 prioritisation Methods 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种白紫光LED，包括支架、晶片、荧光胶体；其中，晶片固定在支架上，荧光胶体填充在晶片上；所述荧光胶体为绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶的混合物；所述晶片为蓝光芯片和紫光芯片，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10。本发明还公开了一种白紫光LED制作方法。本发明中的蓝光芯片周围排布合适的紫光芯片表现出优异的发光性能；以提高白紫光LED的实用性能。
Description
技术领域
本发明涉及LED照明领域，特别是一种白紫光LED及制作方法。
背景技术
UV-A LED率先起飞，紫外光LED是近2、3年来才开始扩大应用的技术，其中，UV-A波段约落在320~400nm，UV-B约在290~320nm，UV-C波段则是在240~290nm。
UV-A和UV-C波段的市场潜力最大，若从LED组件的制作技术来看，越短波长则越难做，相较于目前蓝光LED晶粒的竞争同业众多，UVLED的结晶制作困难，技术门槛困难10倍以上，尤其是短波段的厂商相对很少，不是透过砸钱或挖角就可以解决的。
除晶粒制造不容易，封装技术也不好做，因为UVLED对于封装材料的破坏度比蓝光LED更大，尤其是短波对材料吸收越大，也容易破坏材料，故封装端也需要发展技术配合。
先以UV-A LED产品来看，UV-A与现在LED照明较为类似，主要是为了取代现有的UV产品，包括省电、寿命长等特性是推动取代的成长动能，目前UV-A LED主要应用在工业产品，如印刷固化、取代曝光制程产品等。
此外，传统UV灯管的温度高及产生臭氧问题，故工厂必须要另外安装空调系统以抽掉臭氧，因此当UV-ALED应用至固化或曝光制造时，不只是省下灯管的电力成本，还有整体环境及冷气等费用。
不过LED光源属于单波长、直向性的特性，而传统UV灯管则是多波长，这也提高了UV-A LED切入市场的门槛。当UV-A LED要取代灯管时，由于原本的印刷油墨是依照多波长去设计调配的，故单波长必须先进行混光，而光强、照射距离、均匀性等都需要做整体考虑，照射的准确性也要很高，发光角度要很小，仅约1~6度的平行光。
因此UV-A LED与LED照明设计是截然不同的，不仅考验封装厂的能力，同时UV-ALED也必须要做成一个系统产品，依照不同客户需求进行设计。
UV-C LED则比较偏向医疗洁净产业，如前所述，UV-C LED的困难度最高，只有少数日本或美国厂商具有相关技术，且都是原本专攻洁净领域的化工大厂。
近期相关市调机构预估，UVLED市场规模(晶粒加封装)将可望从2014年9000万美元扩大至2019年的6亿美元，其中，UV-A LED受到近年来价格下滑影响，成长速度较快，2014~2016年市场需求开始明显起飞，且应用面在于工业使用等级，价格波动性较低，UV-C LED预计将从2017~2018年进入爆发成长期。现有的混光效果不太好，发光效果不太好。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足而提供一种白紫光LED及制作方法，本发明可提高混光效果。
本发明为解决上述技术问题采用以下技术方案：
根据本发明提出的一种白紫光LED，包括支架、晶片、荧光胶体；其中，晶片固定在支架上，荧光胶体填充在晶片上；所述荧光胶体为绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶的混合物，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10。
作为本发明所述的一种白紫光LED进一步优化方案，所述晶片为蓝光芯片和紫光芯片，紫光芯片排布在蓝光芯片的周围。
作为本发明所述的一种白紫光LED进一步优化方案，所述硅胶的折射率为1.53。
作为本发明所述的一种白紫光LED进一步优化方案，所述紫光芯片的发射波长为395 nm -405 nm。
作为本发明所述的一种白紫光LED进一步优化方案，所述蓝光芯片的发射波长为450 nm -460 nm。
一种白紫光LED制作方法，包括如下步骤：
步骤一、提供呈阶梯状的铜镀银支架；
步骤二、将蓝光芯片固定在铜镀银支架上；
步骤三、将紫光芯片固定在蓝光芯片的两边；
步骤四、采用真空搅拌机对绿色荧光粉、红色荧光粉、硅胶进行搅拌脱泡，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10，得到荧光胶体；
步骤五、将步骤四得到的荧光胶体填充在蓝光芯片、紫光芯片上。
作为本发明所述的一种白紫光LED制作方法进一步优化方案，所述步骤四中硅胶的折射率为1.53。
作为本发明所述的一种白紫光LED制作方法进一步优化方案，所述步骤四中搅拌的时间为5分钟。
作为本发明所述的一种白紫光LED制作方法进一步优化方案，铜镀银支架的外形为5.6mm*3.0mm，发光面为4.6mm*2.3mm，底部区域为2.5mm*1.2mm。
本发明采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：
（1）本发明中的使用的蓝光芯片加紫光芯片固定在本发明中所述指定的支架中，具有较好的混光效果；
（2）发光载体加上搭配的蓝光芯片和紫光芯片使得该技术方案拥有较好的发光效果且更有利于配光。
附图说明
图1是本发明白紫光LED的俯视图。
图2是沿图1中的线AB的剖面图。
图中的附图标记解释为：1-荧光胶体，2-晶片，3-支架。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案做进一步的详细说明：
如图1是本发明白紫光LED的俯视图；如图2所示是剖面图，一种白紫光LED，包括支架3、晶片2、荧光胶体1；其中，晶片固定在支架上，荧光胶体填充在晶片上；所述荧光胶体的材料为绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶的混合物，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10。
绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:6为最佳实施例，可达到提高光效，保证光色的均匀性的优点。
实施例 1. 称取 5g 绿色荧光粉、5g红色荧光粉、30g 硅胶，将其混合混匀，将其涂敷在晶片上，制成厚度为 0.2mm 的薄膜，在 120℃下固化 1 小时。
实施例 2. 称取 5g 绿色荧光粉、5g红色荧光粉、20g 硅胶，将其混合混匀，将其涂敷在晶片上，制成厚度为 0.1mm 的薄膜，在 120℃下固化 2 小时。
所述晶片为蓝光芯片和紫光芯片，紫光芯片排布在蓝光芯片的周围，所述硅胶的折射率为1.53，所述蓝光芯片的波长为450 nm -460 nm，所述紫光芯片的波长为395 nm -405 nm。
一种白紫光LED制作方法，包括如下步骤：
步骤一、提供外形为5.6mm*3.0mm，发光面为4.6mm*2.3mm，底部区域为2.5mm*1.2mm的阶梯式铜镀银支架；
步骤二、将蓝光芯片固定在支架上；
步骤三、将紫光芯片固定蓝光芯片两边；
步骤四、加入绿色荧光粉、红色荧光粉后使用真空搅拌机进行搅拌脱泡，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10，得到荧光胶体；
步骤五、将步骤四得到的荧光胶体填充在紫光芯片、蓝光芯片上。
制作本发明一种白紫光LED的制作方法的主要优点：
1、本发明中的使用的蓝光芯片加紫光芯片，具有较好的混光效果；
2、发光载体加上搭配的蓝光芯片和紫光芯片使得该技术方案拥有较好的发光效果且更有利于配光。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本发明的实质精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种白紫光LED，其特征在于，包括支架、晶片、荧光胶体；其中，晶片固定在支架上，荧光胶体填充在晶片上；所述荧光胶体为绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶的混合物，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10。
2.根据权利要求1所述的一种白紫光LED，其特征在于，所述晶片为蓝光芯片和紫光芯片，紫光芯片排布在蓝光芯片的周围。
3.根据权利要求1所述的一种白紫光LED，其特征在于，所述硅胶的折射率为1.53。
4.根据权利要求2所述的一种白紫光LED，其特征在于，所述紫光芯片的发射波长为395nm -405 nm。
5.根据权利要求2所述的一种白紫光LED，其特征在于，所述蓝光芯片的发射波长为450nm -460 nm。
6.一种白紫光LED制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供呈阶梯状的铜镀银支架；
步骤二、将蓝光芯片固定在铜镀银支架上；
步骤三、将紫光芯片固定在蓝光芯片的两边；
步骤四、采用真空搅拌机对绿色荧光粉、红色荧光粉、硅胶进行搅拌脱泡，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10，得到荧光胶体；
步骤五、将步骤四得到的荧光胶体填充在蓝光芯片、紫光芯片上。
7.根据权利要求6所述的一种白紫光LED制作方法，其特征在于，所述步骤四中硅胶的折射率为1.53。
8.根据权利要求6所述的一种白紫光LED制作方法，其特征在于，所述步骤四中搅拌的时间为5分钟。
9.根据权利要求6所述的一种白紫光LED制作方法，其特征在于，铜镀银支架的外形为5.6mm*3.0mm，发光面为4.6mm*2.3mm，底部区域为2.5mm*1.2mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610756095.9A CN106299083A (zh) | 2016-08-30 | 2016-08-30 | 一种白紫光led及制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610756095.9A CN106299083A (zh) | 2016-08-30 | 2016-08-30 | 一种白紫光led及制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106299083A true CN106299083A (zh) | 2017-01-04 |
Family
ID=57675374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610756095.9A Pending CN106299083A (zh) | 2016-08-30 | 2016-08-30 | 一种白紫光led及制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106299083A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107895752A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-04-10 | 江苏稳润光电科技有限公司 | 一种功率型高效led及制作方法 |
| CN109560074A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-04-02 | 南昌易美光电科技有限公司 | 一种植物生长照明装置 |
| CN111326506A (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 深圳市斯迈得半导体有限公司 | 一种紫光led光源及其工艺 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN203386804U (zh) * | 2013-09-27 | 2014-01-08 | 内蒙古科技大学 | 一种紫外及蓝光led双驱动白光照明装置 |
| CN203774375U (zh) * | 2014-03-17 | 2014-08-13 | 深圳市晶台股份有限公司 | 一种高显色指数贴片式led |
| CN104103737A (zh) * | 2013-04-03 | 2014-10-15 | 江苏稳润光电有限公司 | 一种大角度、高显指白光led及其制作方法 |
| CN205488124U (zh) * | 2016-03-29 | 2016-08-17 | 佛山市中昊光电科技有限公司 | 一种用于集鱼的cob光源 |
-
2016
- 2016-08-30 CN CN201610756095.9A patent/CN106299083A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104103737A (zh) * | 2013-04-03 | 2014-10-15 | 江苏稳润光电有限公司 | 一种大角度、高显指白光led及其制作方法 |
| CN203386804U (zh) * | 2013-09-27 | 2014-01-08 | 内蒙古科技大学 | 一种紫外及蓝光led双驱动白光照明装置 |
| CN203774375U (zh) * | 2014-03-17 | 2014-08-13 | 深圳市晶台股份有限公司 | 一种高显色指数贴片式led |
| CN205488124U (zh) * | 2016-03-29 | 2016-08-17 | 佛山市中昊光电科技有限公司 | 一种用于集鱼的cob光源 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107895752A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-04-10 | 江苏稳润光电科技有限公司 | 一种功率型高效led及制作方法 |
| CN111326506A (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 深圳市斯迈得半导体有限公司 | 一种紫光led光源及其工艺 |
| CN109560074A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-04-02 | 南昌易美光电科技有限公司 | 一种植物生长照明装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Li et al. | Facile plasma-induced fabrication of fluorescent carbon dots toward high-performance white LEDs | |
| CN104037310B (zh) | 基于碳量子点和ZnCuInS量子点的三原色匹配白光LED及其制备方法 | |
| US20060082296A1 (en) | Mixture of alkaline earth metal thiogallate green phosphor and sulfide red phosphor for phosphor-converted LED | |
| US8360617B2 (en) | Lighting system including LED with glass-coated quantum-dots | |
| CN105977245A (zh) | 一种可调色温的cob封装结构及其封装方法 | |
| CN106299083A (zh) | 一种白紫光led及制作方法 | |
| CN101847680A (zh) | 采用丝网印刷工艺的白光led荧光粉膜层及制作方法 | |
| CN104310784A (zh) | 一种量子点led发光玻璃及其制备方法 | |
| CN104529165B (zh) | 一种用于ac-led的黄色余辉微晶玻璃及其制备技术 | |
| WO2020015418A1 (zh) | 植物萌芽照射二极管及其制备方法和植物萌芽照射灯 | |
| CN103872225A (zh) | 一种带微镜结构的led照明用发光薄膜及其制备方法 | |
| CN107093661A (zh) | 一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜及其制备方法 | |
| CN109742220B (zh) | 含液态量子点的白光led及其制备方法 | |
| CN105244427B (zh) | 一种白光led荧光膜以及基于荧光膜的led | |
| CN105702833A (zh) | Led封装结构和led发光装置 | |
| CN108314332B (zh) | 一种远红光型荧光玻璃陶瓷、其制备方法和植物灯 | |
| JP6076804B2 (ja) | 蛍光体含有シートの製造方法 | |
| CN104051600B (zh) | 一种半导体制造黄光室用的led黄色光源及其制作工艺 | |
| CN109524392A (zh) | 一种近紫外激发白光的led装置 | |
| CN105552193A (zh) | Led灯丝的制备方法 | |
| CN100414701C (zh) | 发光系统、发光装置及其形成方法 | |
| CN208608225U (zh) | 低蓝光损伤led光源 | |
| CN107068815A (zh) | 一种量子点粉填充腔透镜及其制备方法 | |
| TW518773B (en) | Manufacturing method of white LED | |
| CN201434248Y (zh) | 一种具有不同白光激发方式的led日光灯 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20170104 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |