CN107093661A - 一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜及其制备方法 - Google Patents

一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107093661A
CN107093661A CN201710233316.9A CN201710233316A CN107093661A CN 107093661 A CN107093661 A CN 107093661A CN 201710233316 A CN201710233316 A CN 201710233316A CN 107093661 A CN107093661 A CN 107093661A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lens
quantum dot
optical lens
inorganic perovskite
coated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710233316.9A
Other languages
English (en)
Inventor
孙海桂
崔杰
陈龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Polytron Technologies Inc
Original Assignee
Anhui Polytron Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Polytron Technologies Inc filed Critical Anhui Polytron Technologies Inc
Priority to CN201710233316.9A priority Critical patent/CN107093661A/zh
Publication of CN107093661A publication Critical patent/CN107093661A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明提供了一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜,用于为LED配光,其特征在于,包括透镜主体,所述透镜主体的出射面为两个半圆形或者半椭圆形形成的双球蝴蝶状,表面有一凹槽,透镜主体底部设有锥形扩散孔,所述锥形扩散孔下端设有装有LED芯片的支架;所述透镜主体的上表面涂覆有量子点粉,在量子点粉的外面包覆一层与所述透镜主体相同的材料;所述量子点粉为全无机钙钛矿材料制成。本发明制备的光学透镜达到高色域、发光角度大等优点,又可以隔绝热源,减少热量对量子点粉的影响,提高成品灯珠的热稳定性。

Description

一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜及 其制备方法
技术领域
本发明涉及到LED透镜技术领域,特别是一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜。
背景技术
量子点(Quantum Dot,QD)又可以称为纳米晶,是一种把导带电子、价带空穴及激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构,通常由II-VI族或III-V族元素组成,粒径介于1~10nm之间,由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光。目前商业的量子点材料主要以CdSe为主,荧光量子产率为50%-90%,且含有Cd等有毒金属,极易对环境造成危害。因此,近两年一种新的量子点体系引起了人们的广泛关注,这种全无机钙钛矿材料,因为具有很高的荧光量子产率(高达90%)、荧光波长可调且覆盖整个可见光波段、线宽窄等优点,有望可以应用到新一代的量子点显示和照明技术中。
基于量子点材料很容易受温度的影响而失效的特性,目前应用到商业上的背光部分主要是将其做成两种形式。其一,通过量子点膜片实现,LED蓝光芯片激发量子点膜片上的量子点材料,通过光色复合形成白光。其二是通过量子点灯管实现,LED蓝光芯片激发量子点灯管上的量子点材料,进而获得白光。但是,无论采取哪种方式都存在工艺复杂、光转化效率低、成本较高以及难以实现大规模生产等问题。
已有的将量子点材料制成薄膜附着在光学透镜的表面的主要方法是:
第一步:在无氧化气氛中,将透镜原料加热升温至软化点,使用模具对透镜原料施压成型;
第二步:保持所施压力,自然冷却降温至透镜原料的软化点以下,脱模得到透镜毛坯;
第三步:使用喷涂或印刷工艺在上述透镜毛坯的表面布置一层碳量子点材料,然后再用二次模具加压并加热升温至原料的软化点,保温时间30分钟;第四步:保持所施压力,自然冷却,得到有量子点激发层的透镜。
传统方法是将红绿荧光粉或者黄色荧光粉与封装胶混合,然后点涂在蓝光芯片上,通过光色复合形成白光,再根据灯珠的型号搭配不同类型的光学透镜,根据光线在不同界面发生折反射,进而调整光的分布。
①荧光粉与封装胶混合,然后点涂在蓝光芯片上,由于无法对荧光粉的涂覆厚度和形状进行精确控制,导致出射光色彩不一致,容易偏蓝光或者偏黄光;
②荧光粉直接涂覆在芯片上,由于光散射的存在,出光效率较低;
③荧光粉直接涂覆在芯片上,由于芯片表面温度上升,荧光粉量子效率降低,加速荧光粉的老化;
④目前商用的荧光粉大都为YAG粉或硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON,色域仅能达到90%左右,远远不能满足当今社会对更高能效、更高色域的要求。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜,用于为LED配光,包括透镜主体,所述透镜主体的出射面为两个半圆形或者半椭圆形形成的双球蝴蝶状,表面有一凹槽,
透镜主体底部设有锥形扩散孔,所述锥形扩散孔下端设有装有LED芯片的支架;
所述透镜主体的上表面涂覆有量子点粉,在量子点粉的外面包覆一层与
所述透镜主体相同的材料;所述量子点粉为全无机钙钛矿材料制成。
较佳地,所述透镜主体的材质为硅胶透镜、PMMA透镜、PC透镜或玻璃透镜。
较佳地,所述透镜为折射式光学透镜。
较佳地,所述全无机钙钛矿材料为第Ⅰ主族、第Ⅳ主族与第Ⅶ主族中的元素形成的三元化合物,以及由其他元素包覆形成的核壳结构或者掺杂有其他元素形成的纳米化合物。
较佳地,所述量子点粉的化学式为ABX3,其中A为Na、K、Rb、Cs;B为Si、Ge、Sn、Pb,X为Cl、Br、I。
较佳地,所述量子点粉为1种、2种或以上的量子点粉。
较佳地,所述量子点粉内还混有至少一种荧光粉,所述荧光粉包括YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON。
较佳地,光学透镜表面涂覆的量子点粉至少一层,量子点粉上覆盖的透明材料与透镜材质相同,且至少覆盖一层。
较佳地,所述的光学透镜表面的量子点粉通过喷涂或者印刷的工艺涂覆。
本发明还提供了一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在无水无氧的环境中,将透镜原料和模具一起加热升温至原料的软化点附近,利用模具对原料施压成型,得到透镜毛坯;
S2:在透镜毛坯上经过镀镍处理后再用超精密加工机进行曲面加工;
S3:使用喷涂或印刷工艺在透镜毛坯的表面涂覆一层厚度10um-30um的CsPbX3量子点粉,然后将同材料的薄膜覆盖在透镜毛坯上,之后同二次模具一起加热升温至原料的软化点附近并保温一段时间;
S4:经过冷却脱模即可得到涂覆有量子点粉的光学透镜。
本发明具有以下有益效果:
本发明采用的全无机钙钛矿材料为第Ⅰ主族、第Ⅳ主族与第Ⅶ主族中的元素形成的三元化合物,以及由其他元素包覆形成的核壳结构或者掺杂有其他元素形成的纳米化合物,其化学式为ABX3(A为Na、K、Rb、Cs;B为Si、Ge、Sn、Pb,X为Cl、Br、I);以CsPbX3(X为Cl、Br、I)为主的的量子点材料荧光量子产率可以达到90%以上,且线宽窄(半波宽大约为10-20nm左右),色域高达100%-150%;
将量子点粉涂覆在光学透镜的表面,相比于荧光粉与胶体的混合,量子点表面积更大,有更多的光线穿过透镜来激发表面量子点,光源的发光效率更高;
将以CsPbX3(X为Cl、Br、I)为主的量子点粉涂覆在光学透镜的表面,既能用于直下式LED背光,达到高色域、发光角度大等优点,又可以隔绝热源,减少热量对量子点粉的影响,提高成品灯珠的热稳定性;
量子点由于自身的特性可以通过调控量子点的尺寸和颗粒大小从而精确控制量子点的发射光谱和色纯度,进而能够发出颜色更纯、光转化效率更高的优质白光。
附图说明
图1为本发明提供的新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜结构示意图;
图2为本发明提供的光学透镜制备方法流程示意图。
具体实施方式
如图1所示,本本发明提供了一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜,用于为LED配光,包括透镜主体1,所述透镜主体1的出射面2为两个半圆形或者半椭圆形形成的双球蝴蝶状,表面有一凹槽,
透镜主体底部设有锥形扩散孔3,所述锥形扩散孔3下端设有装有LED芯片的支架6;
所述透镜主体的上表面涂覆有量子点粉4,在量子点粉的外面包覆一层与所述透镜主体相同的材料7;所述量子点粉为全无机钙钛矿材料制成。
本实施例中所述透镜主体的材质为硅胶透镜、PMMA透镜、PC透镜或玻璃透镜。
其中所述透镜为折射式光学透镜。
所述全无机钙钛矿材料为第Ⅰ主族、第Ⅳ主族与第Ⅶ主族中的元素形成的三元化合物,以及由其他元素包覆形成的核壳结构或者掺杂有其他元素形成的纳米化合物。
所述量子点粉的化学式为ABX3,其中A为Na、K、Rb、Cs;B为Si、Ge、Sn、Pb,X为Cl、Br、I。
所述量子点粉为1种、2种或以上的量子点粉。
本实施例提供的所述量子点粉内还混有至少一种荧光粉,所述荧光粉包括YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON。
光学透镜表面涂覆的量子点粉至少一层,量子点粉上覆盖的透明材料与透镜材质相同,且至少覆盖一层。
所述的光学透镜表面的量子点粉通过喷涂或者印刷的工艺涂覆。
如图2所示,本发明实施例还提供了一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜制备方法,其包括以下步骤:
S1:在无水无氧的环境中,将透镜原料和模具一起加热升温至原料的软化点
附近,利用模具对原料施压成型,得到透镜毛坯;
S2:在透镜毛坯上经过镀镍处理后再用超精密加工机进行曲面加工;
S3:使用喷涂或印刷工艺在透镜毛坯的表面涂覆一层厚度10um-30um的CsPbX3量子点粉,然后将同材料的薄膜覆盖在透镜毛坯上,之后同二次模具一起加热升温至原料的软化点附近并保温一段时间;
S4:经过冷却脱模即可得到涂覆有量子点粉的光学透镜。
本发明采用的全无机钙钛矿材料为第Ⅰ主族、第Ⅳ主族与第Ⅶ主族中的元素形成的三元化合物,以及由其他元素包覆形成的核壳结构或者掺杂有其他元素形成的纳米化合物,其化学式为ABX3(A为Na、K、Rb、Cs;B为Si、Ge、Sn、Pb,X为Cl、Br、I);以CsPbX3(X为Cl、Br、I)为主的的量子点材料荧光量子产率可以达到90%以上,且线宽窄(半波宽大约为10-20nm左右),色域高达100%-150%;
将量子点粉涂覆在光学透镜的表面,相比于荧光粉与胶体的混合,量子点表面积更大,有更多的光线穿过透镜来激发表面量子点,光源的发光效率更高;
将以CsPbX3(X为Cl、Br、I)为主的量子点粉涂覆在光学透镜的表面,既能用于直下式LED背光,达到高色域、发光角度大等优点,又可以隔绝热源,减少热量对量子点粉的影响,提高成品灯珠的热稳定性;
量子点由于自身的特性可以通过调控量子点的尺寸和颗粒大小从而精确控制量子点的发射光谱和色纯度,进而能够发出颜色更纯、光转化效率更高的优质白光。
以上实施例仅用于举例说明本发明的内容,除上述实施方式外,本发明还有其它实施方式,凡采用等同替换或等效变形方式形成的技术方案均落在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜,用于为LED配光,其特征在于,包括透镜主体,所述透镜主体的出射面为两个半圆形或者半椭圆形形成的双球蝴蝶状,表面有一凹槽,
透镜主体底部设有锥形扩散孔,所述锥形扩散孔下端设有装有LED芯片的支架;
所述透镜主体的上表面涂覆有量子点粉,在量子点粉的外面包覆一层与所述透镜主体相同的材料;所述量子点粉为全无机钙钛矿材料制成。
2.如权利要求1所述的新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜,其特征在于,所述透镜主体的材质为硅胶透镜、PMMA透镜、PC透镜或玻璃透镜。
3.如权利要求1所述的新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜,其特征在于,所述透镜为折射式光学透镜。
4.如权利要求1所述的新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜,其特征在于,所述全无机钙钛矿材料为第Ⅰ主族、第Ⅳ主族与第Ⅶ主族中的元素形成的三元化合物,以及由其他元素包覆形成的核壳结构或者掺杂有其他元素形成的纳米化合物。
5.如权利要求1所述的新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜,其特征在于,所述量子点粉的化学式为ABX3,其中A为Na、K、Rb、Cs;B为Si、Ge、Sn、Pb,X为Cl、Br、I。
6.如权利要求5所述的新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜,其特征在于,所述量子点粉为1种、2种或以上的量子点粉。
7.如权利要求6所述的新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜,其特征在于,所述量子点粉内还混有至少一种荧光粉,所述荧光粉包括YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON。
8.如权利要求1所述的新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜,其特征在于,光学透镜表面涂覆的量子点粉至少一层,量子点粉上覆盖的透明材料与透镜材质相同,且至少覆盖一层。
9.如权利要求1所述的新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜,其特征在于,所述的光学透镜表面的量子点粉通过喷涂或者印刷的工艺涂覆。
10.如权利要求1-9任一项所述的新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在无水无氧的环境中,将透镜原料和模具一起加热升温至原料的软化点附近,利用模具对原料施压成型,得到透镜毛坯;
S2:在透镜毛坯上经过镀镍处理后再用超精密加工机进行曲面加工;
S3:使用喷涂或印刷工艺在透镜毛坯的表面涂覆一层厚度10um-30um的CsPbX3量子点粉,然后将同材料的薄膜覆盖在透镜毛坯上,之后同二次模具一起加热升温至原料的软化点附近并保温一段时间;
S4:经过冷却脱模即可得到涂覆有量子点粉的光学透镜。
CN201710233316.9A 2017-04-11 2017-04-11 一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜及其制备方法 Pending CN107093661A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710233316.9A CN107093661A (zh) 2017-04-11 2017-04-11 一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710233316.9A CN107093661A (zh) 2017-04-11 2017-04-11 一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107093661A true CN107093661A (zh) 2017-08-25

Family

ID=59636943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710233316.9A Pending CN107093661A (zh) 2017-04-11 2017-04-11 一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107093661A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108153056A (zh) * 2018-01-12 2018-06-12 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种高色域直下式背光模组及其制作方法
CN109574503A (zh) * 2018-12-20 2019-04-05 温州大学 一种Cs1-xRbxPbBr3量子点微晶玻璃
CN111240086A (zh) * 2018-11-28 2020-06-05 深圳Tcl新技术有限公司 一种背光led透镜组件
TWI752759B (zh) * 2020-02-03 2022-01-11 華宏新技股份有限公司 增益型光擴散薄膜構造
CN114315156A (zh) * 2021-11-30 2022-04-12 无锡极电光能科技有限公司 钙钛矿量子点釉料、光伏玻璃及其制备方法和光伏组件

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102983250A (zh) * 2012-12-20 2013-03-20 杭州纳晶科技有限公司 硅胶透镜及其制备方法、含有其的led发光器件
CN103542326A (zh) * 2013-09-30 2014-01-29 易美芯光(北京)科技有限公司 一种可实现高色域背光源的光学装置
CN103672732A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种量子点透镜及其制造方法
CN105423161A (zh) * 2016-01-05 2016-03-23 东莞轩朗实业有限公司 一种点光源及其透镜的制备方法
CN105537890A (zh) * 2016-01-16 2016-05-04 东莞市良友五金制品有限公司 一种led光学透镜的模具加工工艺
CN106058012A (zh) * 2016-07-27 2016-10-26 天津市中环量子科技有限公司 一种复合白光led及其制备方法
US20160312114A1 (en) * 2013-03-15 2016-10-27 General Electric Company Processes for preparing color stable red-emitting phosphors

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102983250A (zh) * 2012-12-20 2013-03-20 杭州纳晶科技有限公司 硅胶透镜及其制备方法、含有其的led发光器件
US20160312114A1 (en) * 2013-03-15 2016-10-27 General Electric Company Processes for preparing color stable red-emitting phosphors
CN103542326A (zh) * 2013-09-30 2014-01-29 易美芯光(北京)科技有限公司 一种可实现高色域背光源的光学装置
CN103672732A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种量子点透镜及其制造方法
CN105423161A (zh) * 2016-01-05 2016-03-23 东莞轩朗实业有限公司 一种点光源及其透镜的制备方法
CN105537890A (zh) * 2016-01-16 2016-05-04 东莞市良友五金制品有限公司 一种led光学透镜的模具加工工艺
CN106058012A (zh) * 2016-07-27 2016-10-26 天津市中环量子科技有限公司 一种复合白光led及其制备方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108153056A (zh) * 2018-01-12 2018-06-12 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种高色域直下式背光模组及其制作方法
CN111240086A (zh) * 2018-11-28 2020-06-05 深圳Tcl新技术有限公司 一种背光led透镜组件
CN109574503A (zh) * 2018-12-20 2019-04-05 温州大学 一种Cs1-xRbxPbBr3量子点微晶玻璃
TWI752759B (zh) * 2020-02-03 2022-01-11 華宏新技股份有限公司 增益型光擴散薄膜構造
CN114315156A (zh) * 2021-11-30 2022-04-12 无锡极电光能科技有限公司 钙钛矿量子点釉料、光伏玻璃及其制备方法和光伏组件
CN114315156B (zh) * 2021-11-30 2023-12-29 无锡极电光能科技有限公司 钙钛矿量子点釉料、光伏玻璃及其制备方法和光伏组件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107093661A (zh) 一种新型的全无机钙钛矿量子点材料薄膜涂覆的光学透镜及其制备方法
JP6010583B2 (ja) 蛍光体変換led
CN107077028A (zh) 用于颜色转换的基板、其制造方法以及包括其的显示装置
CN107093662A (zh) 一种新型的全无机钙钛矿量子点硅胶透镜及其制备方法
CN101075655B (zh) 白光面光源发光装置
KR20160085315A (ko) 양자점 형광체를 함유하는 led 캡
CN201062757Y (zh) 白光面光源发光装置
CN104253194A (zh) 一种芯片尺寸白光led的封装结构及方法
CN105158972A (zh) 导光板及导光板的制备方法
TW201142355A (en) Composite film for light emitting apparatus, light emitting apparatus and method for fabricating the same
TW200805694A (en) Light-emitting component and manufacturing method thereof
CN102891242A (zh) Led封装器件
CN103872225A (zh) 一种带微镜结构的led照明用发光薄膜及其制备方法
CN105423161A (zh) 一种点光源及其透镜的制备方法
CN109713110A (zh) 芯片级封装led及其制作方法
CN103013491B (zh) 硅胶配件及其制备方法、具有其的led灯具
CN102721003A (zh) Led荧光灯罩的制造方法及led荧光灯罩
US20100055813A1 (en) Method of Packaging Light Emitting Diode on Through-Hole Substrate
CN203026550U (zh) Led封装器件
CN202791789U (zh) Led荧光灯罩
CN107068815A (zh) 一种量子点粉填充腔透镜及其制备方法
CN104465965B (zh) 一种用于白光led晶圆级封装的荧光粉薄膜制备方法
CN108305928A (zh) 波长转换部件及发光装置
CN102095092A (zh) Led的晶圆级封装结构及其封装方法
CN201155720Y (zh) 单芯量子点白光led的发光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170825