CN201155720Y - 单芯量子点白光led的发光装置 - Google Patents

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单芯量子点白光LED的发光装置，属于照明技术领域。所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于包括透明罩及设置在透明罩内的反光碗，反光碗内配合设置与芯片引脚连接的单个LED发光芯片，单个LED发光芯片上涂覆设置量子点和树脂混合涂层，涂覆了量子点和树脂混合涂层的单个LED发光芯片与透明罩之间填充设置透明树脂。上述单芯量子点白光LED的发光装置，结构简单，无需分别制备三种基色的发光层；量子点的制备温度低、制作时间短，很容易从市场购买或加工得到，特别是通过调谐量子点尺寸，可以控制其发射波长，所以量子点白光LED具有好的显色性，不需要仔细地均衡各种荧光；且该装置使用寿命长、发光效率高、输出光稳定，适合作为LCD显示器件的背光源等照明要求。

Description

单芯量子点白光LED的发光装置
技术领域
本实用新型属于半导体照明技术领域，具体提供了单芯量子点白光LED的发光装置。
背景技术
目前制备白光LED的方法主要分为以下几种：红、绿、蓝(RGB)多芯片组合白光技术；单芯片加荧光粉合成白光技术；有机白光技术以及量子点单芯白光LED。其中，单芯加荧光粉白光技术和多芯片组合白光技术以及有机白光技术研究较多，量子点单芯白光技术刚刚起步。RGB多芯技术是分别利用RGB单色芯组合而成白光LED，其优点是显色率高、使用寿命长，由于不需要荧光粉进行波长转换，发光效率高；但其缺点也较多：由于分别受单个芯片的性能影响，因此会带来输出光的不稳定性造成其色稳定性较差；由于有电流配置的问题，常常需要IC芯片控制和相对复杂的外围监控和反馈系统，加上其光学方面的设计，其封装难度较大，且成本很高，是普通白光LED的数倍。单芯片加荧光粉合成白光技术，又分为蓝光芯片加黄光荧光粉和近紫外光芯片加RGB三基色荧光粉技术；单芯技术成本较低，其色稳定性较好，工艺重复性好，但蓝黄光LED缺失红光部分，因而很难发出具有高显色性白光(R≤85)，同时还会产生Halo效应。
实用新型内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型目的在于提供一种单芯量子点白光LED的发光装置的技术方案。
所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于包括透明罩及设置在透明罩内的反光碗，反光碗内配合设置与芯片引脚连接的单个LED发光芯片，单个LED发光芯片上涂覆设置量子点和树脂混合涂层，涂覆了量子点和树脂混合涂层的单个LED发光芯片与透明罩之间填充设置透明树脂。
所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于单个LED发光芯片下方与反光碗之间形成真空腔，或在空腔内填充空气或惰性气体介质。
所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于所述量子点和树脂混合涂层的量子点为核-壳结构的CdSe/ZnSe、CdSe/ZnS、CdSe/CdS、CdS/ZnS或CdS/HgS。
所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于所述量子点和树脂混合涂层的涂层层数为5～10层，涂层厚度为1～10微米。
所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于单个LED发光芯片为蓝光芯片或紫光芯片。
所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于单个LED发光芯片采用蓝光芯片，则量子点和透明树脂混合涂层中的量子点尺寸符合光致发光波段为绿光和红光的要求，即量子点具有2.2-3nm和4-6nm两种尺寸。
所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于单个LED发光芯片采用紫光芯片，则量子点和透明树脂混合涂层中的量子点的尺寸符合光致发光波段为蓝光、绿光和红光的要求，即量子点具有1.5-2nm、2.2-3nm和4-6nm三种尺寸。
上述单芯量子点白光LED的发光装置，结构简单，无需分别制备三种基色的发光层；量子点的制备温度低、制作时间短，很容易从市场购买或加工得到，特别是通过调谐量子点尺寸，可以控制其发射波长，所以量子点白光LED具有好的显色性，不需要仔细地均衡各种荧光；且该装置使用寿命长、发光效率高、输出光稳定，适合作为LCD显示器件的背光源等照明要求。
附图说明
图1为单芯量子点白光LED的发光装置的结构示意图；
图2为不同尺寸量子点受蓝光激发时的光致发光光谱图；
图3为不同尺寸量子点受紫光激发时的光致发光光谱图；
附图中：1-芯片引脚、2-反光碗、3-单个LED发光芯片、4-量子点和树脂混合涂层、5-透明树脂、6-透明罩。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明，并给出具体实施方式。
单芯量子点白光LED的发光装置，包括透明罩6及设置在透明罩6内的采用塑料材质的反光碗2，反光碗2内配合设置与LED发光芯片引脚1连接的单个LED发光芯片3，单个LED发光芯片3下方与配合设置的反光碗2间形成真空腔，或在空腔内填充空气或惰性气体介质，单个LED发光芯片3上涂覆设置量子点和树脂混合涂层4，涂覆了量子点和树脂混合涂层4的单个LED发光芯片3与透明罩6之间填充设置透明树脂5。其中单个LED发光芯片3采用InGaN芯片或其他蓝光芯片或紫光芯片，核-壳结构的量子点采用热沉积法制备，采用氧化镉和硒粉或硫粉制得核化合物，壳结构的ZnSe，ZnS，CdS，HgS等在CdSe或CdS核上生长；采用硬脂酸、TOPO和十六烷基胺的混合物作为树脂材料；量子点的尺寸控制在1.5nm～6nm范围内，量子点为红、绿二色量子点或红、绿、蓝三色量子点，量子点和树脂混合涂层4充分混合均匀后以提拉-浸渍法涂抹在单个LED发光芯片3上，涂层层数为5～10层，涂层厚度为1～10微米；并且在发光芯片与反光碗2之间的缝隙中也填充满量子点和透明树脂的混合物质，提高总的光效，透明树脂5和透明罩6的形状可根据具体需要设计成圆头、椭圆头或平头等。
实施例1：单个LED发光芯片3采用InGaN或其它蓝光芯片，在芯片上面涂覆CdSe/ZnSe量子点，量子点为2.2nm-3nm和4nm-6nm两种尺寸，实现芯片的蓝光与由其激发量子点产生的绿光和红光复合实现白光输出。
实施例2：单个LED发光芯片3采用紫光芯片，在芯片上面涂覆CdSe/ZnSe量子点，量子点分别为1.5nm-2nm、2.2nm-3.9nm和4nm-6nm三种尺寸，实现由紫光激发量子点产生的蓝光、绿光和红光复合实现白光输出。

Claims (6)

1.单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于包括透明罩(6)及设置在透明罩(6)内的反光碗(2)，反光碗(2)内配合设置与芯片引脚(1)连接的单个LED发光芯片(3)，单个LED发光芯片(3)上涂覆设置量子点和树脂混合涂层(4)，涂覆了量子点和树脂混合涂层(4)的单个LED发光芯片(3)与透明罩(6)之间填充设置透明树脂(5)。
2.如权利要求1所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于单个LED发光芯片(3)下方与反光碗(2)之间形成真空腔，或在空腔内填充空气或惰性气体介质。
3.如权利要求1所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于所述量子点和树脂混合涂层(4)的涂层层数为5～10层，涂层厚度为1～10微米。
4.如权利要求1所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于单个LED发光芯片(3)为蓝光芯片或紫光芯片。
5.如权利要求1所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于单个LED发光芯片(3)采用蓝光芯片，则量子点和透明树脂混合涂层(4)中的量子点尺寸符合光致发光波段为绿光和红光的要求，即量子点具有2.2-3nm和4-6nm两种尺寸。
6.如权利要求1所述的单芯量子点白光LED的发光装置，其特征在于单个LED发光芯片(3)采用紫光芯片，则量子点和透明树脂混合涂层(4)中的量子点的尺寸符合光致发光波段为蓝光、绿光和红光的要求，即量子点具有1.5-2nm、2.2-3nm和4-6nm三种尺寸。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102751275A (zh) * 2012-07-19 2012-10-24 广东威创视讯科技股份有限公司 一种发光二极管显示屏，及其制造方法
CN105736983A (zh) * 2016-04-13 2016-07-06 中国计量大学 一种基于电磁调控的可调色量子点led
CN112050159A (zh) * 2020-09-02 2020-12-08 中国计量大学 一种高光效高显色可防蓝光的量子点照明光源及灯具

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102751275A (zh) * 2012-07-19 2012-10-24 广东威创视讯科技股份有限公司 一种发光二极管显示屏，及其制造方法
CN102751275B (zh) * 2012-07-19 2015-02-04 广东威创视讯科技股份有限公司 一种发光二极管显示屏,及其制造方法
CN105736983A (zh) * 2016-04-13 2016-07-06 中国计量大学 一种基于电磁调控的可调色量子点led
CN105736983B (zh) * 2016-04-13 2018-10-19 中国计量大学 一种基于电磁调控的可调色量子点led
CN112050159A (zh) * 2020-09-02 2020-12-08 中国计量大学 一种高光效高显色可防蓝光的量子点照明光源及灯具

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