CN102751275A - 一种发光二极管显示屏，及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种发光二极管显示屏，及其制造方法。发光二极管显示屏包括：基板、基板上的像素阵列，像素阵列的每个像素包含固定于基板两个或两个以上的发光二极管LED芯片；其特征在于：每个LED芯片对应其所在像素的原色集中的一个原色；各LED芯片发出光波的本色属于同一颜色光波波段范围内，且所述本色的光波波长小于或等于所有原色中最小的波长；各原色由LED芯片发出光波的本色，或由LED芯片发出光波颜色转换得到。即采用了单一的LED芯片，避免了使用不同的LED芯片来制作LED显示屏，为提高LED显示屏的生产效率，降低生产成本提供了便利。

Description

一种发光二极管显示屏,及其制造方法

技术领域

本发明涉及光电学技术领域，特别涉及一种发光二极管显示屏，及其制造方法。

背景技术

发光二极管（Light Emitting Diode，LED）显示屏是由LED器件阵列排列组成的显示屏幕。LED显示屏具有亮度高、色彩鲜艳、视角大、体积小、寿命长、功耗低等优点，在户外显示和户内显示方面都发挥着重要作用。在某些显示环境要求下，需要用到高分LED显示屏。例如在P3或者以下，这些显示屏每平方米像素点个数都在十万数量级，整体成本还是比较高的。这也成为制约高分LED显示屏应用在户内显示的一个重要因素。

目前，LED显示屏由像素排列组合得到显示区域，每个像素由一个原色集中所有原色组合得到，原色集包含两个或两个以上的原色，原色为原色集的元素。原色集的可选方案很多，例如：以红光绿光蓝光（RGB）、红光绿光蓝光黄光（RGBY）、红光绿光蓝光白光（RGBW）等等，以下均以RGB作为原色集为例进行说明。

LED全彩显示可以通过将发出三种不同主波长光的LED芯片组合在一起作为一个像素，三种LED芯片发出的主波长如下：红光（R）615-620nm、绿光（G）530-540nm、蓝光（B）460-470nm。三种LED芯片分别由三种不同的半导体材料构成，每个LED芯片的制程工艺主要包括以下几个步骤：1、外延片的生长，2、电极的制作，3、后期划片，4、封装。

现在业界标准制作全彩LED显示屏工艺为：在3片WAFER上分别制作R、G、B三种发光LED芯片，如图1所示，图2为图1所示箭头位置的局部放大图，以R为例，G、B的实现参照于此不再赘述，然后对三种晶片（WAFER）分别进行切割裂片动作，如图2所示，切割方式为将每个LED芯片按照图2中虚线所示裂片线进行裂片。然后用真空吸嘴将R的LED芯片放置于基板上一个像素中R的LED芯片对应位置处，再用真空吸嘴将G的LED芯片放置于基板上该像素中G的LED芯片对应位置处，再用真空吸嘴将B的LED芯片放置于基板上该像素中BLED芯片对应位置处，完成一个像素的取放动作，重复进行R、G、B的LED芯片取放动作，完成基板全部像素对应LED芯片的取放。如图3所示，以3×10像素为例，总共需要切割90次，取放动作90次。

发明人在实现本发明实施例的过程中发现：每个原色对应的LED芯片都需要进行一次取放操作。对于高密度LED显示屏，每平方米动辄就有数十万个像素，就要重复几十万甚至上百万次芯片取放操作，因此这部分制程工艺制约了LED显示屏的生产效率，也导致生产成本较高。

发明内容

本发明实施例提供了一种发光二极管显示屏，及其制造方法，用于提高LED显示屏的生产效率，降低生产成本。

一种发光二极管显示屏，包括：基板、基板上的像素阵列，像素阵列的每个像素包含固定于基板两个或两个以上的发光二极管LED芯片；

其特征在于：每个LED芯片对应其所在像素的原色集中的一个原色；各LED芯片发出光波的本色属于同一颜色光波波段范围内，且所述本色的光波波长小于或等于所有原色中最小的波长；各原色由LED芯片发出光波的本色，或由LED芯片发出光波颜色转换得到。

优选地，所述LED芯片为蓝光芯片或者紫外UV芯片。

优选地，原色由LED芯片发出光波颜色转换得到包括：LED芯片表面覆有与原色对应量子点的纳米材料的聚合物。

优选地，在每个LED芯片周围设置有高度不小于LED芯片高度的障壁，所述障壁为反光材料的障壁或者光吸收材料的障壁。

优选地，在LED显示屏表面设置有蜂窝状开孔的均光罩，均光罩外表面设置有散射膜；均光罩的开孔与像素位置对应，开孔内涂有反射涂层。

一种发光二极管显示屏的制造方法，包括：

在晶片上制作发光波长属于同一颜色光波波段范围内的LED芯片；所述发光波长为LED芯片发出光波的本色波长；所述本色的光波波长小于或等于像素的原色集中所有原色中最小的波长；

对LED芯片进行光波颜色转换，使晶片上的LED芯片形成像素阵列，且每个LED芯片对应其所在像素的原色集中的一个原色；所述像素阵列的每个像素包含两个或两个以上的LED芯片；

对晶片上的LED芯片以芯片组的方式进行裂片，所述芯片组大于或等于两个LED芯片；

将芯片组或单个LED芯片放置于基板上各像素的预定位置。

优选地，所述对LED芯片进行光波颜色转换包括：在LED芯片表面涂覆与原色对应量子点的纳米材料的聚合物。

优选地，所述对晶片上的LED芯片以芯片组的方式进行裂片，所述芯片组大于或等于两个LED芯片，进一步地，所述方法，还包括：

在每个LED芯片周围设置高度不小于LED芯片高度的障壁，所述障壁为反光材料的障壁或者光吸收材料的障壁。

进一步地，所述方法，还包括：

对已将放置于基板的LED芯片进行封装得到LED显示屏模组，并将LED显示屏模组进行拼接得到LED显示屏。

优选地，若以2的倍数个像素为一个芯片组对晶片上的LED芯片进行裂片，所述方法还包括：

在LED显示屏表面设置蜂窝状开孔的均光罩，并在开孔内涂反射涂层；所述均光罩外表面设置散射膜且均光罩的开孔与像素位置对应。

从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：LED显示屏采用的LED芯片发出光波的波长相同，即采用了单一的LED芯片，避免了使用不同的LED芯片来制作LED显示屏，为提高LED显示屏的生产效率，降低生产成本提供了便利。LED显示屏的制造方法中，采用对晶片上的LED芯片以芯片组的方式进行裂片，得到的是LED芯片的芯片组，可以减少LED芯片的取放操作，因而可以提高LED显示屏的生产效率，降低生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术LED WAFER结构示意图；

图2为图1的局部放大示意图；

图3为现有技术RGB在基板放置结果示意图

图4为本发明实施例LED显示屏结构示意图；

图5为本发明实施例LED显示屏结构示意图；

图6为本发明实施例LED显示屏结构示意图；

图7为本发明实施例LED显示屏的制造方法流程示意图；

图8为本发明实施例可选裂片方案示意图；

图9为本发明实施例图8裂片方案对应的放置结果示意图；

图10为本发明实施例可选裂片方案示意图；

图11为本发明实施例图10裂片方案对应的放置结果示意图；

图12为本发明实施例可选裂片方案示意图；

图13为本发明实施例图12裂片方案对应放置结果示意图；

图14为本发明实施例加均光装置的LED显示屏结构示意图；

图15为本发明实施例加均光装置的LED显示屏正视图的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明实施例所给出的示意图均以RGB作为原色集为例进行说明。由于原色集的可选方案很多，例如：以红光绿光蓝光（RGB）、红光绿光蓝光黄光（RGBY）、红光绿光蓝光白光（RGBW）等等，以下均以RGB作为原色集为例进行说明，因此以RGB为例的说明不应理解为对本发明实施例的唯一限定。另外，LED显示屏的像素多少是依据LED显示屏的具体需要进行设定的，本发明实施例对此不予限定，示意图中所示的阵列中像素的多少也不应理解为对本发明实施例的限定。

本发明实施例提供了一种发光二极管显示屏，如图1所示，包括：基板、基板上的像素阵列，像素阵列的每个像素包含固定于基板两个或两个以上的发光二极管LED芯片；

每个LED芯片对应其所在像素的原色集中的一个原色；各LED芯片发出光波的本色属于同一颜色光波波段范围内，且上述本色的光波波长小于或等于所有原色中最小的波长；各原色由LED芯片发出光波的本色，或由LED芯片发出光波颜色转换得到。

LED显示屏采用的LED芯片发出光波的波长相同，即采用了单一的LED芯片，避免了使用不同的LED芯片来制作LED显示屏，为提高LED显示屏的生产效率，降低生产成本提供了便利。

优选地，上述LED芯片为蓝光芯片或者紫外（ultraviolet，UV）芯片。需要说明的是，只要满足LED芯片发出光波的波长小于或等于所有原色中最小的波长就可以，LED芯片的选材不影响本发明实施例的实现，本发明实施例对此不予限定。

优选地，原色由LED芯片发出光波颜色转换得到包括：LED芯片表面覆有与原色对应量子点的纳米材料的聚合物。更具体地，如图4、图5所示，以RGB为原色集的实现可以是：在LED芯片表面涂覆不同的量子点纳米材料的聚合物，本例中以LED芯片原本发出的紫外光为例，紫外光可以激发量子点纳米材料实现颜色转换。通过控制量子点的尺寸可以获得指定波长。以量子点纳米材料硒化锌/硒化镉（ZnSe/CdSe）为例，当量子点受紫外光激发时，量子点尺寸为2.2nm-3nm范围时，发光峰值在绿光范围，量子点尺寸为3nm-4nm时，发光峰值波长在橙色范围内，量子点尺寸为4nm-6nm时，发光峰值波长在红光范围内。那么可以在制作好的紫外LED WAFER上相邻三行LED芯片表面分别涂覆能产生红、绿、蓝三种颜色的量子点纳米材料。其中图6则仅显示为使用了TG两色量子点纳米材料的聚合物。

本实施例给出了对LED芯片发出光波进行颜色转换的一个举例，需要说明的是在LED芯片表面覆有与原色对应量子点的纳米材料的聚合物并不是对LED芯片发出光波进行颜色转换的可实现方式的穷举，还可以是在LED芯片表面设置滤光薄膜等方式实现，以上举例作为一个优选实现方案不应理解为对本发明实施例的唯一限定。

优选地，如图5所示，在每个LED芯片周围设置有高度不小于LED芯片高度的障壁，上述障壁为反光材料的障壁或者光吸收材料的障壁。光吸收材料可以选用黑色光吸收材料。本实施例可以将各个LED芯片至于壁障之内，这样可以保证每个LED芯片发出的光线不会射到相邻LED芯片所对应位置，从而避免像素间的侵润，进一步提升显示效果。后续实施例对此进行进一步说明。

优选地，如图14和图15所示（由于后续制造方法说明需要将图13~15结合说明，为方便制造方法的说明，此处结构说明中图示没有连续），在LED显示屏表面设置有蜂窝状开孔的均光罩，均光罩外表面设置有散射膜；均光罩的开孔与像素位置对应，开孔内涂有反射涂层。本实施例中，每个像素内的R、G、B三个LED芯片发出的光线经过相应开孔内壁的反射到散射膜处，经过散射膜的散射，每个像素的发光面积被放大为小孔的开孔面积，因此可以提高像素填充率，进而提高显示品质并提高视觉效果。

本发明实施例还提供了一种发光二极管显示屏的制造方法，如图7所示，包括：

701：在晶片上制作发光波长属于同一颜色光波波段范围内的LED芯片；上述发光波长为LED芯片发出光波的本色波长；上述本色的光波波长小于或等于像素的原色集中所有原色中最小的波长；

702：对LED芯片进行光波颜色转换，使晶片上的LED芯片形成像素阵列，且每个LED芯片对应其所在像素的原色集中的一个原色；上述像素阵列的每个像素包含两个或两个以上的LED芯片；

优选地，如图8、图10、图12所示上述对LED芯片进行光波颜色转换包括：在LED芯片表面涂覆与原色对应量子点的纳米材料的聚合物。涂覆与原色对应量子点的纳米材料的聚合物的方案有很多，图8和图10是其中的两种，其中图8是以RGB为一个循环的，图10是以RG为一个循环的，优选的方案是以像素的为最小循环单元，这样可以在裂片的时候一次裂片得到一个像素或者像素的整数倍（一般来说是2的整数倍个像素）。以RGB为原色集的实现可以是：在LED芯片表面涂覆不同的量子点纳米材料的聚合物，本例中以LED芯片原本发出的紫外光为例，紫外光可以激发量子点纳米材料实现颜色转换。通过控制量子点的尺寸可以获得指定波长。以量子点纳米材料硒化锌/硒化镉（ZnSe/CdSe）为例，当量子点受紫外光激发时，量子点尺寸为2.2nm-3nm范围时，发光峰值在绿光范围，量子点尺寸为3nm-4nm时，发光峰值波长在橙色范围内，量子点尺寸为4nm-6nm时，发光峰值波长在红光范围内。那么可以在制作好的紫外LED WAFER上相邻三行LED芯片表面分别涂覆能产生红、绿、蓝三种颜色的量子点纳米材料。其中图6则仅显示为使用了RG两色量子点纳米材料的聚合物。本实施例给出了对LED芯片发出光波进行颜色转换的一个举例，需要说明的是在LED芯片表面覆有与原色对应量子点的纳米材料的聚合物并不是对LED芯片发出光波进行颜色转换的可实现方式的穷举，还可以是在LED芯片表面设置滤光薄膜等方式实现，以上举例作为一个优选实现方案不应理解为对本发明实施例的唯一限定。

703：对晶片上的LED芯片以芯片组的方式进行裂片，上述芯片组大于或等于两个LED芯片；

更具体地，如图8、图10、图12所示的虚线部分，即为裂片的分割线，芯片组可以是如图8所示的一个像素（RGB）为一个芯片组，也可以是以任意两个原色为一个芯片组，如图10所示的以RG为一个芯片组，也可以以2的整数倍为一个芯片组，是如图12所示的以4个像素为一个芯片组，理论上只要芯片组大于或等于两个LED芯片就可以减少裂片所产生的LED芯片数，进而减少LED芯片的取放操作，因而可以提高LED显示屏的生产效率，降低生产成本。

优选地，上述对晶片上的LED芯片以芯片组的方式进行裂片，上述芯片组大于或等于两个LED芯片，包括：以1个像素（如图8所示）或者2的倍数个像素（如图12所示）为一个芯片组对晶片上的LED芯片进行裂片。

进一步地，如图5所示，上述方法，还包括：在每个LED芯片周围设置高度不小于LED芯片高度的障壁，上述障壁为反光材料的障壁或者光吸收材料的障壁。本实施例可以将各个LED芯片至于壁障之内，这样可以保证每个LED芯片发出的光线不会射到相邻LED芯片所对应位置，从而避免像素间的侵润，进一步提升显示效果。

704：将芯片组或单个LED芯片放置于基板上各像素的预定位置。重复执行本步骤可以完成整个LED显示屏的全部像素的取放操作。

其中图8所示裂片方案对应图9的放置结果，并对应图4或图5所示的LED显示屏截面图。图10所示的裂片方案对应图11的放置结果，以及图6所示的LED显示屏截面图。图12的裂片方案则对应图13的放置结果，以及图14所示的LED显示屏截面图，以及图15所示LED显示屏正视图。后续实施例将就此三种可选方案分别进行操作说明和效果说明。其中图9、11、13中的虚线框对应一个LED芯片组或者单个LED芯片，表示需要进行一次裂片和一次取放操作，也示意了在基板上LED芯片或者LED芯片组的预定放置位置。

以上LED显示屏的制造方法中，采用对晶片上的LED芯片以芯片组的方式进行裂片，得到的是LED芯片的芯片组，可以减少LED芯片的取放操作，因而可以提高LED显示屏的生产效率，降低生产成本。

进一步地，上述方法，还包括：对已将放置于基板的LED芯片进行封装得到LED显示屏模组，并将LED显示屏模组进行拼接得到LED显示屏。需要说明的是，在完成图7所示的各步骤以后，并不需要执行本实施例步骤就已经可以解决本发明实施例需要解决的技术问题，本实施例步骤是作为完成整个LED显示屏的步骤，并不是提高LED显示屏生产效率的必要步骤，显示屏的装配可以由第三方完成，本实施例步骤不应理解为对本发明实施例的限定。

优选地，若以2的倍数个像素为一个芯片组对晶片上的LED芯片进行裂片，上述方法还包括：在LED显示屏表面设置蜂窝状开孔的均光罩，并在开孔内涂反射涂层；上述均光罩外表面设置散射膜且均光罩的开孔与像素位置对应。具体结构如图14和图15所示。

可选方案一、如图8所示裂片方案，图9的放置结果，以及图4、图5所示的LED显示屏截面图。

按照本发明实施例的提出的方法，整个工艺过程可以为：按照标准LED芯片制作工艺，在蓝宝石WAFER上生长紫外LED芯片，在LED芯片表面涂覆不同的量子点纳米材料的聚合物，LED芯片发出的紫外光激发量子点纳米材料实现颜色转换，如图4或图5所示。通过控制量子点的尺寸可以获得指定波长。以量子点纳米材料ZnSe/CdSe为例，当该量子点受蓝光激发时，量子点尺寸为2.2nm-3nm范围时，发光峰值在绿光范围，量子点尺寸为3nm-4nm时，发光峰值波长在橙色范围内，量子点尺寸为4nm-6nm时，发光峰值波长在红光范围内。在制作好的紫外LED WAFER上相邻三行LED芯片表面分别涂覆能产生红、绿、蓝三种颜色的量子点纳米材料，进行重复周期性涂覆，完成整片WAFERLED芯片的颜色转换过程。

将经过颜色转换的WAFER进行切割，如图8所示，裂片方式为将每列LED芯片中的相邻三个R、G、B的LED芯片组成一个LED芯片组，将每个LED芯片组进行裂片，即按照图8中虚线所示裂片线进行裂片，然后用真空吸嘴将裂片下来的每个LED芯片组移植到基板上一个像素对应位置处，完成一个像素的取放，重复该动作，完成基板全部像素对应LED芯片组的取放。像素放置后的结果如图9所示，以3×10像素为例，总共需要裂片30次，取放动作30次。与背景技术方案相比对比，可以发现，本实施例采用方案可以节约工序2/3，从而达到提高LED显示屏的生产效率，降低成本之目的。

进一步地，如图6所示，在蓝宝石基板上生长紫外LED芯片，由于LED芯片发出的光线是发散的，经过涂敷量子点纳米材料之后，可能会造成像素侵润。为了解决这个问题，在生长紫外LED芯片过程中，利用半导体工艺在每个LED芯片周围生长壁障，壁障可以选用反光材料或者黑色的光吸收材料，壁障高度不小于紫外LED芯片高度。可以将量子点纳米材料涂覆在各个紫外LED芯片的壁障之内，这样可以保证每个紫外LED芯片发出的光线不会射到相邻紫外LED芯片所对应的量子点纳米材料处，从而避免像素间的侵润，如图6所示。在切割裂片时，每个LED芯片组包含相对应LED芯片以及每个LED芯片周围的壁障，切割时将LED芯片和壁障作为整体LED芯片组进行切割。

可选方案二、图10所示的裂片方案，图11的放置结果，以及图6所示的LED显示屏截面图。

本方案可以参考可选方案一，在蓝宝石基板上生长蓝光LED芯片，在制作好的蓝光LED WAFER后，在相邻二行LED芯片表面分别涂覆能产生红、绿两种颜色的量子点纳米材料，进行重复周期性涂敷，完成整片WAFER的LED芯片的颜色转换过程，如图10所示。

将经过颜色转换的WAFER进行切割，切割方式为将每列LED芯片中的相邻两个R、G的LED芯片组成一个LED芯片组，将每个LED芯片组进行切割裂片，如图10所示，即按照图中虚线所示裂片线进行裂片，用真空吸嘴将切割下来的每个LED芯片组移植到基板上一个像素R、G的LED芯片对应位置处。再从另外一片蓝光LED的WAFER上将每个蓝光LED芯片进行切割裂片，再用真空吸嘴将每个蓝光LED芯片移植到基板上该像素BLED芯片对应位置处，至此完成一个像素的取放，重复该动作可以完成基板全部像素对应LED芯片组的取放。如图11所示，以3×10像素为例，总共需要切割60次，取放动作60次。与背景技术方案相比对比，可以发现，本实施例采用方案可以节约工序1/3，从而达到提高LED显示屏的生产效率，降低成本之目的。

可选方案三、图12的裂片方案，图13的放置结果，图14所示的LED显示屏截面图，以及图15所示LED显示屏正视图。

本方案可以参考可选方案一，在蓝宝石基板上生长紫外LED芯片，在制作好的紫外LED WAFER上相邻三行LED芯片表面分别涂覆能产生红、绿、蓝三种颜色的量子点纳米材料，进行重复周期性涂覆，完成整片WAFERLED芯片的颜色转换过程。

将经过颜色转换的WAFER进行切割，如图12所示，切割方式为将相邻两列LED芯片中的相邻12个R、G、B的LED芯片组成一个LED芯片组（即4个像素组成的LED芯片组），将每个LED芯片组进行切割裂片，即按照图12中虚线所示裂片线进行裂片，然后用真空吸嘴将切割下来的每个LED芯片组移植到基板上一个像素对应位置处，每次完成4个像素的取放，重复该动作，完成基板全部像素对应LED芯片组的取放。如图13所示，以4×10像素为例，总共需要切割10次，取放动作10次，而按照传统工艺需要切割120次，取放动作120次，与背景技术方案相比对比，可以发现，本实施例采用方案可以节约工序11/12，从而达到提高LED显示屏的生产效率，降低成本之目的。

可以理解的是单个LED芯片组包含的LED芯片个数越多，裂片次数以及取放次数则越小，但是由此可能会降低像素排列的周期重复性，影响显示效果，可以依据实际需要进行选择，本发明实施例给出了改善显示效果的解决方案，如下：如图14以及图15所示，在显示屏表面设置匀光装置，匀光装置包括均光罩和均光罩之上设置的散射膜。匀光装置为蜂窝状开孔结构，每个开孔对应一个像素，每个开孔内壁设有反射涂层，每个像素内的R、G、B三个LED芯片发出的光线经过相应开孔内壁的反射打到散射膜处，经过散射膜的散射，每个像素的发光面积被放大为小孔的开孔面积，使得像素排布更加规则，周期重复性更好，并且提高了像素填充率，改善了显示效果。

需要说明的是，以上仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明实施例揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种发光二极管显示屏，包括：基板、基板上的像素阵列，像素阵列的每个像素包含固定于基板两个或两个以上的发光二极管LED芯片；

其特征在于：每个LED芯片对应其所在像素的原色集中的一个原色；各LED芯片发出光波的本色属于同一颜色光波波段范围内，且所述本色的光波波长小于或等于所有原色中最小的波长；各原色由LED芯片发出光波的本色，或由LED芯片发出光波颜色转换得到。

2.根据权利要求1所述显示屏，其特征在于，原色由LED芯片发出光波颜色转换得到包括：LED芯片表面覆有与原色对应量子点的纳米材料的聚合物。

3.根据权利要求1或2任意一项所述显示屏，其特征在于，

在每个LED芯片周围设置有高度不小于LED芯片高度的障壁，所述障壁为反光材料的障壁或者光吸收材料的障壁。

4.根据权利要求1或2任意一项所述显示屏，其特征在于，

在LED显示屏表面设置有蜂窝状开孔的均光罩，均光罩外表面设置有散射膜；均光罩的开孔与像素位置对应，开孔内涂有反射涂层。

5.一种发光二极管显示屏的制造方法，其特征在于，包括：

在晶片上制作发光波长属于同一颜色光波波段范围内的LED芯片；所述发光波长为LED芯片发出光波的本色波长；所述本色的光波波长小于或等于像素的原色集中所有原色中最小的波长；

对LED芯片进行光波颜色转换，使晶片上的LED芯片形成像素阵列，且每个LED芯片对应其所在像素的原色集中的一个原色；所述像素阵列的每个像素包含两个或两个以上的LED芯片；

对晶片上的LED芯片以芯片组的方式进行裂片，所述芯片组大于或等于两个LED芯片；

将芯片组或单个LED芯片放置于基板上各像素的预定位置。

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述对LED芯片进行光波颜色转换包括：在LED芯片表面涂覆与原色对应量子点的纳米材料的聚合物。

7.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述对晶片上的LED芯片以芯片组的方式进行裂片，所述芯片组大于或等于两个LED芯片，包括：

以1个像素或者2的倍数个像素为一个芯片组对晶片上的LED芯片进行裂片。

8.根据权利要求5所述方法，其特征在于，还包括：

在每个LED芯片周围设置高度不小于LED芯片高度的障壁，所述障壁为反光材料的障壁或者光吸收材料的障壁。

9.根据权利要求5至8任意一项所述方法，其特征在于，还包括：

对已将放置于基板的LED芯片进行封装得到LED显示屏模组，并将LED显示屏模组进行拼接得到LED显示屏。

10.根据权利要求9所述方法，其特征在于，若以2的倍数个像素为一个芯片组对晶片上的LED芯片进行裂片，所述方法还包括：

在LED显示屏表面设置蜂窝状开孔的均光罩，并在开孔内涂反射涂层；所述均光罩外表面设置散射膜且均光罩的开孔与像素位置对应。

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