CN107068815A - 一种量子点粉填充腔透镜及其制备方法 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 5
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 4
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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Abstract
本发明提供了一种量子点粉填充腔透镜，用于为LED配光，其特征在于，包括透镜主体，所述透镜主体的出射面为两个半圆形或者半椭圆形形成的双球蝴蝶状，表面有一凹槽；透镜主体底部设有锥形扩散孔，在透镜主体的中间设有半圆形的填充腔，用于容纳量子点粉，所述透镜主体底部设有与所述填充腔连通的连接口，用于将量子点粉密封于透镜内部，所述连接口通过封装胶密封；所述量子点粉为全无机钙钛矿材料制成；本发明还提供了量子点粉填充腔透镜的制备方法。通过本发明制备的透镜具有高色域、发光角度大等优点；可以隔绝热源，减少热量对量子点粉的影响，提高成品灯珠的热稳定性。
Description
技术领域
本发明属于LED背光技术领域，特别是一种量子点粉填充腔透镜。
背景技术
量子点(Quantum Dot，QD)又可以称为准零维纳米材料，由少量原子组成，三个维度的尺寸均在100纳米以下，具有很明显的量子限域效应。通常量子点是由半导体材料(II－VI族或III－V族元素)组成的纳米颗粒。由于量子限域效应，通过控制量子点的尺寸就能制备出具有不同发射光谱的量子点。近两年，一种新的量子点体系，全无机钙钛矿材料，因为具有很高的荧光量子产率(高达90％)、荧光波长可调且覆盖整个可见光波段、线宽窄等优点，有望可以应用到新一代的量子点显示和照明技术中。
目前商业的量子点材料主要以CdSe为主，但是由于量子点材料很容易受温度的影响而导致失效，因此商业上主要将其做成量子点管和量子点膜这两种形式。其中，量子点管是通过空心玻璃管将量子点材料封装起来，虽然价格便宜，技术成熟，但是很难达到目前市场上对于超薄、窄边的要求，不适合直下式背光；而量子点膜则是通过PET将量子点材料封装起来，可以制做成超薄、窄边显示机器，适用于直下式和侧边式，但是成本高昂。
传统的量子点材料为第Ⅱ主族与第Ⅵ主族中的元素形成的第一化合物、第Ⅲ主族与第Ⅴ主族中的元素形成的第二化合物中的任意一种，第一化合物或第二化合物中的多种包覆形成的核壳结构化合物或者掺杂纳米晶。
传统方法是将量子点材料做成量子点膜和量子点管，但该方法存在的缺陷很明显。详细如下：
①传统量子点材料以CdSe为主的量子点材料荧光量子产率只能达到50％-90％；
②以CdSe为主的量子点材料，含有Cd重金属元素，不符合无毒绿色环保的要求；
③量子点膜良品率低，且需要大量的量子点粉，所以成本很高。
④量子点管不能达到目前市场上对于超薄、窄边的要求，且不易运输，极易损坏。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种量子点粉填充腔透镜，用于为LED配光，其包括透镜主体，所述透镜主体的出射面为两个半圆形或者半椭圆形形成的双球蝴蝶状，表面有一凹槽；
透镜主体底部设有锥形扩散孔，在透镜主体的中间设有半圆形的填充腔，用于容纳量子点粉，所述透镜主体底部设有与所述填充腔连通的连接口，用于将量子点粉密封于透镜内部，所述连接口通过封装胶密封；
所述量子点粉为全无机钙钛矿材料制成。
较佳地，所述透镜主体除去填充腔之外的材质为硅胶透镜、PMMA透镜、PC透镜或玻璃透镜。
较佳地，所述填充腔至少覆盖光学透镜的发光范围。
较佳地，所述透镜为折射式光学透镜。
较佳地，所述全无机钙钛矿材料为第Ⅰ主族、第Ⅳ主族与第Ⅶ主族中的元素形成的三元化合物，以及由其他元素包覆形成的核壳结构或者掺杂有其他元素形成的纳米化合物。
较佳地，所述填充腔内为1种、2种或以上的量子点粉。
较佳地，所述填充腔内还混有至少一种荧光粉，所述荧光粉包括YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON。
本发明还提供了量子点粉填充腔透镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在无水无氧的环境中，将透镜原料和模具一起加热升温至原料的软化点附近，利用模具对原料施压成型，得到透镜毛坯；
S2：在透镜毛坯上经过镀镍处理后再用超精密加工机进行曲面加工，经过冷却脱模得到带有填充腔的光学透镜；
S3：将量子点粉通过连接口注入到透镜的填充腔中，得到量子点粉填充腔光学透镜。
本发明具有以下技术效果：
本发明采用全无机钙钛矿材料为第Ⅰ主族、第Ⅳ主族与第Ⅶ主族中的元素形成的三元化合物，以及由其他元素包覆形成的核壳结构或者掺杂有其他元素形成的纳米化合物，其化学式为ABX3(A为Na、K、Rb、Cs；B为Si、Ge、Sn、Pb，X为Cl、Br、I)。以CsPbX3(X为Cl、Br、I)为主的的量子点材料荧光量子产率可以达到90％以上，且线宽窄(半波宽大约为10-20nm左右)，色域高达100％-150％；
以CsPbX3(X为Cl、Br、I)为主的的量子点材料，不含Cd重金属元素；
将以CsPbX3(X为Cl、Br、I)为主的的量子点材料密封于光学透镜的填充腔中，用于直下式LED背光，达到高色域、发光角度大等优点；可以隔绝热源，减少热量对量子点粉的影响，提高成品灯珠的热稳定性。
附图说明
图1为发明提供的量子点粉填充腔透镜结构示意图；
图2为本发明提供的量子点粉填充腔透镜制备方法流程图。
具体实施方式
如图1所示，本发明实施例提供了一种量子点粉填充腔透镜，用于为LED配光，其包括透镜主体1，所述透镜主体1的出射面2为两个半圆形或者半椭圆形形成的双球蝴蝶状，表面有一凹槽；
透镜主体1底部设有锥形扩散孔3，在透镜主体1的中间设有半圆形的填充腔4，用于容纳量子点粉，所述透镜主体1底部设有与所述填充腔4连通的连接口，用于将量子点粉密封于透镜内部，所述连接口通过封装胶密封；
所述量子点粉为全无机钙钛矿材料制成。
本实施例中所述透镜主体1除去填充腔4之外的材质为硅胶透镜、PMMA透镜、PC透镜或玻璃透镜。
其中所述填充腔至少覆盖光学透镜的发光范围。
本实施例提供的所述透镜为折射式光学透镜。
本实施例采用的所述全无机钙钛矿材料为第Ⅰ主族、第Ⅳ主族与第Ⅶ主族中的元素形成的三元化合物，以及由其他元素包覆形成的核壳结构或者掺杂有其他元素形成的纳米化合物。
所述填充腔4内为1种、2种或以上的量子点粉。
所述填充腔4内还混有至少一种荧光粉，所述荧光粉包括YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON。
如图2所示，本发明实施例还提供了量子点粉填充腔透镜的制备方法，其包括以下步骤：
S1：在无水无氧的环境中，将透镜原料和模具一起加热升温至原料的软化点附近，利用模具对原料施压成型，得到透镜毛坯；
S2：在透镜毛坯上经过镀镍处理后再用超精密加工机进行曲面加工，经过冷却脱模得到带有填充腔的光学透镜；
S3：将量子点粉通过连接口注入到透镜的填充腔中，得到量子点粉填充腔光学透镜。
本发明采用全无机钙钛矿材料为第Ⅰ主族、第Ⅳ主族与第Ⅶ主族中的元素形成的三元化合物，以及由其他元素包覆形成的核壳结构或者掺杂有其他元素形成的纳米化合物，其化学式为ABX3(A为Na、K、Rb、Cs；B为Si、Ge、Sn、Pb，X为Cl、Br、I)。以CsPbX3(X为Cl、Br、I)为主的的量子点材料荧光量子产率可以达到90％以上，且线宽窄(半波宽大约为10-20nm左右)，色域高达100％-150％；
以CsPbX3(X为Cl、Br、I)为主的的量子点材料，不含Cd重金属元素；
将以CsPbX3(X为Cl、Br、I)为主的的量子点材料密封于光学透镜的填充腔中，用于直下式LED背光，达到高色域、发光角度大等优点；可以隔绝热源，减少热量对量子点粉的影响，提高成品灯珠的热稳定性。
以上实施例仅用于举例说明本发明的内容，除上述实施方式外，本发明还有其它实施方式，凡采用等同替换或等效变形方式形成的技术方案均落在本发明的保护范围内。
Claims (9)
1.一种量子点粉填充腔透镜，用于为LED配光，其特征在于，包括透镜主体，所述透镜主体的出射面为两个半圆形或者半椭圆形形成的双球蝴蝶状，表面有一凹槽；
透镜主体底部设有锥形扩散孔，在透镜主体的中间设有半圆形的填充腔，用于容纳量子点粉，所述透镜主体底部设有与所述填充腔连通的连接口，用于将量子点粉密封于透镜内部，所述连接口通过封装胶密封；
所述量子点粉为全无机钙钛矿材料制成。
2.如权利要求1所述的量子点粉填充腔透镜，其特征在于，所述透镜主体除去填充腔之外的材质为硅胶透镜、PMMA透镜、PC透镜或玻璃透镜。
3.如权利要求1所述的量子点粉填充腔透镜，其特征在于，所述填充腔至少覆盖光学透镜的发光范围。
4.如权利要求1所述的量子点粉填充腔透镜，其特征在于，所述透镜为折射式光学透镜。
5.如权利要求1所述的量子点粉填充腔透镜，其特征在于，所述全无机钙钛矿材料为第Ⅰ主族、第Ⅳ主族与第Ⅶ主族中的元素形成的三元化合物，以及由其他元素包覆形成的核壳结构或者掺杂有其他元素形成的纳米化合物。
6.如权利要求1所述的量子点粉填充腔透镜，其特征在于，所述量子点粉的化学式为ABX3，其中A为Na、K、Rb、Cs；B为Si、Ge、Sn、Pb，X为Cl、Br、I。
7.如权利要求6所述的量子点粉填充腔透镜，其特征在于，所述填充腔内为1种、2种或以上的量子点粉。
8.如权利要求7所述的量子点粉填充腔透镜，其特征在于，所述填充腔内还混有至少一种荧光粉，所述荧光粉包括YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON。
9.如权利要求1-8任一项所述的量子点粉填充腔透镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在无水无氧的环境中，将透镜原料和模具一起加热升温至原料的软化点附近，利用模具对原料施压成型，得到透镜毛坯；
S2：在透镜毛坯上经过镀镍处理后再用超精密加工机进行曲面加工，经过冷却脱模得到带有填充腔的光学透镜；
S3：将量子点粉通过连接口注入到透镜的填充腔中，得到量子点粉填充腔光学透镜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710233701.3A CN107068815A (zh) | 2017-04-11 | 2017-04-11 | 一种量子点粉填充腔透镜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710233701.3A CN107068815A (zh) | 2017-04-11 | 2017-04-11 | 一种量子点粉填充腔透镜及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107068815A true CN107068815A (zh) | 2017-08-18 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| CN (1) | CN107068815A (zh) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170818 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |