CN106298457A - 一种SiGe/Si外延片生长方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体材料技术领域,特别涉及一种SiGe/Si外延片生长方法,包括以下步骤:提供并清洗单晶Si衬底;在单晶Si衬底的外延生长面设置一碳纳米管层;在碳纳米管层的表面形成掺碳缓冲层,所述掺碳缓冲层中碳含量小于1%;在所述掺碳缓冲层的表面形成晶种缓冲层;在所述晶种缓冲层表面形成SiGe外延层。本发明通过引入碳纳米管层以及掺碳缓冲层共同作用,减少了外延生长过程中的位错,减少了外延片缺陷,提高了锗硅外延片质量。
Description
技术领域:
本发明涉及半导体材料技术领域,特别涉及一种SiGe/Si外延片生长方法。
背景技术
近年来,硅基Ⅳ—Ⅳ族两相合金的光电性质和荧光特性受到了科学界的广泛关注,硅基材料,如硅基锗硅材料,一方面具有比硅高的多的载流子迁移率,另一方面他们的器件制备工艺可以同传统的硅器件工艺兼容,因而得到研究领域和产业界的高度重视,其中,锗硅异质结成为研究的热点之一,锗材料由于比较高空穴载流子迁移率而备受关注,锗硅材料在研究中都呈现出了远远高于现有硅材料的空穴迁移率,非常适合于应用于未来CMOS工艺中制备PMOS器件。
但是由于锗材料的晶格常数与硅不同,存在4.2%晶格失配,直接在硅衬底上外延锗会产生大量的位错穿通到表面形成缺陷,极大的恶化制备出的MOS器件的性能,无法应用于半导体MOS器件的制造。因此,需要提供一种在单晶硅衬底上外延获得高质量的锗硅材料的方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种SiGe/Si外延片生长方法,减小锗硅材料生长过程中产生的位错,提高硅锗材料质量。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种SiGe/Si外延片生长方法,包括以下步骤:提供并清洗单晶Si衬底;在单晶Si衬底的外延生长面设置一碳纳米管层;在碳纳米管层的表面形成掺碳缓冲层,所述掺碳缓冲层中碳含量小于1%;在所述掺碳缓冲层的表面形成晶种缓冲层;在所述晶种缓冲层表面形成SiGe外延层。
优选地,清洗单晶Si衬底后立即在单晶Si衬底外延生长面设置碳纳米管层。
优选地,外延生长前对设置有碳纳米管层的单晶Si衬底进行热处理,热处理在氢气氛围下进行。
优选地,外延生长前对设置有碳纳米管层的单晶Si衬底进行热处理,热处理时通入0.1sccm~0.5sccmGeH4,温度范围650℃~750℃。
优选地,所述碳纳米管层为包括多个碳纳米管的连续的整体结构,碳纳米管层中多个碳纳米管沿着平行于外延片生长方向延伸。
优选地,所述掺碳缓冲层中碳含量0.5%~0.9%。
优选地,外延生长在超高真空化学气相沉积系统下进行,SiGe外延层低温生长,生长温度范围450℃~550℃。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:碳纳米管层起到选择性生长的作用,抑制位错生长;Si-Ge键比Si-Si键要长,而Si-C键比Si-Si键就短一些,由此,在硅衬底上生长SiGe薄膜时,膜内会存在一定的压应变;相反,在硅衬底上生长SiC时,则会有拉应变,掺碳缓冲层在硅锗中掺入碳,利用拉伸和压缩的相反效果会缓解晶格失配形成的应变;通过引入碳纳米管层以及掺碳缓冲层共同作用,减少了外延生长过程中的位错,减少了外延片缺陷,提高了锗硅外延片质量。此外,SiGe外延层可在较低温下生长,在保证缺陷较少的前提下,可以非常有效改善外延层的粗糙度,提高表面质量。
具体实施方式
接下来结合实施例详细介绍本发明所述的一种SiGe/Si外延片生长方法,实施例在真空度可达1×10-7Pa的超高真空化学气相沉积系统下进行,只用于解释本发明,不会对本发明构成任何的限定。
实施例1
一种SiGe/Si外延片生长方法,包括以下步骤:
提供并清洗单晶Si衬底:提供Si(100)晶面单晶Si衬底,常规方法清洗;
在单晶Si衬底的外延生长面设置一碳纳米管层:清洗单晶Si衬底后立即在单晶Si衬底外延生长面铺设碳纳米管层,可以及时将清洁的Si衬底保护起来,在一定程度上减少清洗后单晶Si表面氧化,有助于提高衬底清洁度,进而提高外延片质量。碳纳米管层包括多个碳纳米管的连续的整体结构,碳纳米管层中多个碳纳米管沿着平行于外延片生长方向延伸。
在碳纳米管层的表面形成掺碳缓冲层,所述掺碳缓冲层中碳含量小于1%:将铺设有碳纳米管层的单晶Si衬底装入外延生长系统,750℃在氢气氛围下热处理,进一步去除单晶Si表面杂质。600℃下以SiH4、GeH4和SiH3CH3为原料生长碳含量0.8%的掺碳缓冲层SiGeC层,在第Ⅳ主族中,原子半径由碳、硅、锗逐渐增大,Si-Ge键比Si-Si键要长,而Si-C键比Si-Si键就短一些,由此,在硅衬底上生长SiGe薄膜时,膜内会存在一定的压应变;相反,在硅衬底上生长SiC时,则会有拉应变,如果能在锗硅外延层中加入适量碳,利用拉伸和压缩的相反效果会达到应变的缓解。
在所述掺碳缓冲层的表面形成晶种缓冲层:400℃下以SiH4、GeH4为原料生长SiGe晶种缓冲层。
在所述晶种缓冲层表面形成SiGe外延层:480℃下以SiH4、GeH4为原料生长SiGe外延层。
本实施例其位错密度低于103cm-2,表面粗糙度在1nm以下。
实施例2
一种SiGe/Si外延片生长方法,包括以下步骤:
提供并清洗单晶Si衬底:提供Si(100)晶面单晶Si衬底,常规方法清洗;
在单晶Si衬底的外延生长面设置一碳纳米管层:清洗单晶Si衬底后立即在单晶Si衬底外延生长面铺设碳纳米管层。碳纳米管层包括多个碳纳米管的连续的整体结构,碳纳米管层中多个碳纳米管沿着平行于外延片生长方向延伸。
在碳纳米管层的表面形成掺碳缓冲层,所述掺碳缓冲层中碳含量小于1%:将铺设有碳纳米管层的单晶Si衬底装入外延生长系统,650℃在氢气氛围下热处理,热处理时通入0.1sccmGeH4,进一步去除单晶Si表面杂质。600℃下以SiH4、GeH4和SiH3CH3为原料生长碳含量0.5%的掺碳缓冲层SiGeC层。
在所述掺碳缓冲层的表面形成晶种缓冲层:400℃下以SiH4、GeH4为原料生长SiGe晶种缓冲层。
在所述晶种缓冲层表面形成SiGe外延层:520℃下以SiH4、GeH4为原料生长SiGe外延层。
本实施例其位错密度低于103cm-2,表面粗糙度在1nm以下。
Claims (7)
1.一种SiGe/Si外延片生长方法,其特征在于,包括以下步骤:提供并清洗单晶Si衬底;在单晶Si衬底的外延生长面设置一碳纳米管层;在碳纳米管层的表面形成掺碳缓冲层,所述掺碳缓冲层中碳含量小于1%;在所述掺碳缓冲层的表面形成晶种缓冲层;在所述晶种缓冲层表面形成SiGe外延层。
2.根据权利要求1所述的一种SiGe/Si外延片生长方法,其特征在于:清洗单晶Si衬底后立即在单晶Si衬底外延生长面设置碳纳米管层。
3.根据权利要求1所述的一种SiGe/Si外延片生长方法,其特征在于:外延生长前对设置有碳纳米管层的单晶Si衬底进行热处理,热处理在氢气氛围下进行。
4.根据权利要求1所述的一种SiGe/Si外延片生长方法,其特征在于:外延生长前对设置有碳纳米管层的单晶Si衬底进行热处理,热处理时通入0.1sccm~0.5sccmGeH4,温度范围650℃~750℃。
5.根据权利要求1所述的一种SiGe/Si外延片生长方法,其特征在于:所述碳纳米管层为包括多个碳纳米管的连续的整体结构,碳纳米管层中多个碳纳米管沿着平行于外延片生长方向延伸。
6.根据权利要求1所述的一种SiGe/Si外延片生长方法,其特征在于:所述掺碳缓冲层中碳含量0.5%~0.9%。
7.根据权利要求1所述的一种SiGe/Si外延片生长方法,其特征在于:外延生长在超高真空化学气相沉积系统下进行,SiGe外延层低温生长,生长温度范围450℃~550℃。
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