CN106257573A - 劣化补偿器 - Google Patents

劣化补偿器 Download PDF

Info

Publication number
CN106257573A
CN106257573A CN201610457654.6A CN201610457654A CN106257573A CN 106257573 A CN106257573 A CN 106257573A CN 201610457654 A CN201610457654 A CN 201610457654A CN 106257573 A CN106257573 A CN 106257573A
Authority
CN
China
Prior art keywords
level
crc
cyclic redundancy
stress matrix
compression stress
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610457654.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106257573B (zh
Inventor
刘炫硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN106257573A publication Critical patent/CN106257573A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106257573B publication Critical patent/CN106257573B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2003—Display of colours
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G5/00—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
    • G09G5/22—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators characterised by the display of characters or indicia using display control signals derived from coded signals representing the characters or indicia, e.g. with a character-code memory
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/043—Compensation electrodes or other additional electrodes in matrix displays related to distortions or compensation signals, e.g. for modifying TFT threshold voltage in column driver
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0857—Static memory circuit, e.g. flip-flop
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0257—Reduction of after-image effects
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G09G2320/046—Dealing with screen burn-in prevention or compensation of the effects thereof
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2340/00—Aspects of display data processing
    • G09G2340/16—Determination of a pixel data signal depending on the signal applied in the previous frame
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/12—Frame memory handling
    • G09G2360/127—Updating a frame memory using a transfer of data from a source area to a destination area

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Error Detection And Correction (AREA)
  • Detection And Correction Of Errors (AREA)
  • Discrete Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)

Abstract

公开了一种劣化补偿器。该劣化补偿器包括：压缩器，通过被包括在帧中的块的R、G和B输入信号来生成代表该块的劣化水平的块级压缩应力矩阵(“BCSM”)；更新器，通过增加BCSM来更新帧级累积压缩应力矩阵(“FACSM”)；误差校正器，当电源被停止时，对被包括在FACSM中的块级累积压缩应力矩阵(“BACSM”)的元素执行误差校正编码，将编码后的元素写为非易失性存储器设备的存储数据，当电源被启动时，对存储数据执行误差校正解码，并将解码后的存储数据写入易失性存储器的FACSM；恢复器，生成块级累积应力矩阵(“BASM”)；以及内部补偿器，生成补偿后的R、G和B输出信号。

Description

劣化补偿器
技术领域
示例性实施例大体上涉及显示设备。更具体地，发明的实施例涉及有机发光二极管显示设备的劣化补偿器。
背景技术
由于有机发光二极管(“OLED”)显示设备使用产生光的OLED来显示图像，因此与液晶显示设备(“LCD”)不同的是，OLED显示设备不需要光源(例如背光单元)。因此，OLED显示设备可以相对薄和轻。另外，与LCD相比，OLED显示设备可具有低功耗、提高的亮度、提高的响应速度等优点。因此，OLED显示设备被广泛用作被包括于电子设备中的显示设备。
在被包括于OLED显示设备中的显示面板中始终以高亮度显示相同图案的像素电路(例如显示诸如“NBC”或“CBS”的公司标志的部分)的情况下，驱动晶体管的迁移率因为被应用到其上的强且持续的电流而劣化。在像素电路劣化后，在像素电路上出现图像残留，使得观众可能在不打算显示标志的另一图像上看到标志。
当劣化水平或被应用到OLED显示设备的显示面板的应力被精确地计算时，可以除去图像残留。为了精确地计算应力，与显示面板的各部分已发射的光的亮度的总和成比例的应力累积值可被存储为应力矩阵形式。因为应力矩阵需要非常大尺寸的贮存器，所以应力矩阵被线性变换、压缩和累积。
发明内容
当在累积应力矩阵的低频分量上出现误差并且有机发光二极管(“OLED”)显示设备根据具有误差的累积应力矩阵来补偿输入信号时，被包括在帧中的预定块的亮度可能会失真。
示例性实施例提供了一种劣化补偿器，该劣化补偿器降低OLED显示设备的显示面板的应力矩阵上的误差，并且当在应力矩阵上检测到误差时防止误差的累积。
根据示例性实施例，一种劣化补偿器包括压缩器、非易失性存储器设备、更新器、误差校正器、恢复器和内部补偿器。压缩器通过被包括在帧中的块的红(R)、绿(G)和蓝(B)输入信号来生成代表该块的劣化水平的块级压缩应力矩阵(“BCSM”)。更新器包括易失性存储器。更新器通过将BCSM增加到FACSM来更新FACSM。FACSM被存储在易失性存储器中。FACSM代表帧的累积劣化水平。当电源被停止时，误差校正器用不同强度对被包括在FACSM中的块级累积压缩应力矩阵(“BACSM”)的元素执行误差校正编码，并将编码后的元素写为非易失性存储器设备的存储数据。当电源被启动时，误差校正器对存储数据执行误差校正解码，并将解码后的存储数据写为易失性存储器的FACSM。恢复器通过恢复FACSM中与该块对应的BACSM来生成块级累积应力矩阵(“BASM”)。内部补偿器通过将R、G和B输入信号与基于BASM生成的数据补偿值相加来生成与该块对应的补偿后的R、G和B输出信号。
在示例性实施例中，元素可以包括至少一个低频元素和至少一个高频元素。
在示例性实施例中，被应用于至少一个低频元素的误差校正编码的强度可以大于等于被应用于至少一个高频元素的误差校正编码的强度。
在示例性实施例中，在对至少一个低频元素的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量可以大于等于在对至少一个高频元素的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量。
在示例性实施例中，被应用于至少一个低频元素的高位的误差校正编码的强度可以大于等于被应用于至少一个低频元素的低位的误差校正编码的强度。被应用于至少一个高频元素的高位的误差校正编码的强度可以大于等于被应用于至少一个高频元素的低位的误差校正编码的强度。
在示例性实施例中，在对至少一个低频元素的高位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量可以大于等于在对至少一个低频元素的低位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量。在对至少一个高频元素的高位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量可以大于等于在对至少一个高频元素的低位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量。
在示例性实施例中，压缩器可以包括应力矩阵生成器、变换器和选择器。应力矩阵生成器可以基于R、G和B输入信号来生成与该块对应的块级应力矩阵(“BSM”)。变换器可以通过对BSM应用线性变换来生成变换后的应力矩阵(“TSM”)。选择器可以通过选择TSM的一部分来生成BCSM。
在示例性实施例中，当BSM是四乘四(即，4×4)矩阵并且线性变换是离散余弦变换(“DCT”)时，选择器可以通过选择TSM的作为TSM的低频元素的第(1,1)元素、第(1,2)元素、第(2,1)元素和第(2,2)元素来生成BCSM。
在示例性实施例中，当BSM是4×4矩阵并且线性变换是阿达玛变换时，选择器可以通过选择TSM的第(1,1)元素、第(1,3)元素、第(3,1)元素和第(3,3)元素来生成BCSM。
在示例性实施例中，线性变换可以是哈尔变换。
根据示例性实施例，一种劣化补偿器包括压缩器、非易失性存储器设备、更新器、循环冗余校验器、恢复器和内部补偿器。压缩器通过被包括在帧中的块的R、G和B输入信号来生成代表该块的劣化水平的BCSM。更新器包括易失性存储器。当使能信号被激活时，更新器通过将BCSM增加到FACSM来更新FACSM。FACSM被存储在易失性存储器中。FACSM代表帧的累积劣化水平。当电源被停止时，更新器顺序输出被包括在FACSM中的BACSM的元素的一部分作为部分数据信号。当电源被停止时，循环冗余校验器通过对部分数据信号执行循环冗余校验来生成循环冗余校验(“CRC”)奇偶校验，并将CRC奇偶校验写入非易失性存储器设备。恢复器通过恢复FACSM中与该块对应的BACSM来生成BASM。内部补偿器通过将R、G和B输入信号与基于BASM生成的数据补偿值相加来生成与该块对应的补偿后的R、G和B输出信号。当电源被启动时，更新器从非易失性存储器设备读取CRC奇偶校验和FACSM，并且更新器通过比较所读取的CRC奇偶校验与从所读取的FACSM重新生成的CRC奇偶校验来激活或停用使能信号。
在示例性实施例中，当所读取的CRC奇偶校验与重新生成的CRC奇偶校验相同时，更新器可以激活使能信号。当所读取的CRC奇偶校验与重新生成的CRC奇偶校验不同时，更新器可以停用使能信号。
在示例性实施例中，CRC奇偶校验可以包括第一CRC奇偶校验位、第二CRC奇偶校验位和第三CRC奇偶校验位。循环冗余检验器可以包括第一异或(“XOR”)门和第二异或(“XOR”)门、以及第一D触发器、第二D触发器和第三D触发器。第一XOR门的第一输入端可以接收部分数据信号，第一XOR门的第二输入端可以接收第三CRC奇偶校验位，并且第一XOR门的输出端可以输出第一信号。第一D触发器的数据输入端可以接收第一信号，第一D触发器的时钟输入端可以接收时钟信号，并且第一D触发器的数据输出端可以输出第一CRC奇偶校验位。第二XOR门的第一输入端可以接收第一信号，第二XOR门的第二输入端可以接收第一CRC奇偶校验位，并且第二XOR门的输出端可以输出第二信号。第二D触发器的数据输入端可以接收第二信号，第二D触发器的时钟输入端可以接收时钟信号，并且第二D触发器的数据输出端可以输出第二CRC奇偶校验位。第三D触发器的数据输入端可以接收第二CRC奇偶校验位，第三D触发器的时钟输入端可以接收时钟信号，并且第三D触发器的数据输出端可以输出第三CRC奇偶校验位。
根据示例性实施例，一种劣化补偿器包括压缩器、非易失性存储器设备、更新器、误差校正器、循环冗余校验器、恢复器和内部补偿器。压缩器通过被包括在帧中的块的R、G和B输入信号来生成代表该块的劣化水平的BCSM。更新器包括易失性存储器。当使能信号被激活时，更新器通过将BCSM增加到FACSM来更新FACSM。FACSM被存储在易失性存储器中。FACSM代表帧的累积劣化水平。当电源被停止时，更新器顺序输出被包括在FACSM中的BACSM的元素的一部分作为部分数据信号。当电源被停止时，误差校正器用不同强度对被包括在FACSM中的BACSM的元素执行误差校正编码，并将编码后的元素写为非易失性存储器设备的存储数据。当电源被启动时，误差校正器对存储数据执行误差校正解码，并将解码后的存储数据写为易失性存储器的FACSM。当电源被停止时，循环冗余校验器通过对部分数据信号执行循环冗余校验来生成CRC奇偶校验，并将CRC奇偶校验写入非易失性存储器设备。恢复器通过恢复FACSM中与该块对应的BACSM来生成BASM。内部补偿器通过将R、G和B输入信号与基于BASM生成的数据补偿值相加来生成与该块对应的补偿后的R、G和B输出信号。当电源被启动时，更新器从非易失性存储器设备读取CRC奇偶校验。更新器通过比较所读取的CRC奇偶校验与从误差校正器所写入的易失性存储器的FACSM重新生成的CRC奇偶校验来激活或停用使能信号。
在示例性实施例中，当所读取的CRC奇偶校验与重新生成的CRC奇偶校验相同时，更新器可以激活使能信号。当所读取的CRC奇偶校验与重新生成的CRC奇偶校验不同时，更新器可以停用使能信号。
在示例性实施例中，当电源被停止时从非易失性存储器设备重新读取的FACSM的元素与更新后的FACSM的元素之间的差超过预定范围时，误差校正器可以停止对非易失性存储器设备的写操作。
如上所述，根据示例性实施例的劣化补偿器可降低表示显示面板的劣化水平的应力矩阵上的误差，并且当在应力矩阵上检测到误差时可以通过防止误差的累积来提高显示设备的输出质量。
因此，根据示例性实施例的移动设备可以包括具有外部触摸屏区域、内部可折叠触摸屏区域、以及将外部触屏幕区域与内部可折叠触摸屏区域联接的曲面触摸屏区域的柔性触摸屏。因此，当对内部可折叠触摸屏区域执行折叠操作时(即，当内部可折叠触摸屏区域被折叠或展开时)，通过响应于内部可折叠触摸屏区域的折叠角度将与执行应用程序对应的图标移动到曲面触摸屏区域，移动设备可以向用户提供选择性地在外部触摸屏区域或内部可折叠触摸屏区域上执行应用程序的用户界面。
另外，根据示例性实施例的操作移动设备的方法，其中移动设备包括具有外部触摸屏区域、内部可折叠触摸屏区域、以及将外部触屏幕区域与内部可折叠触摸屏区域联接的曲面触摸屏区域的柔性触摸屏，当对内部可折叠触摸屏区域执行折叠操作时(即，当内部可折叠触摸屏区域被折叠或展开时)，通过响应于内部可折叠触摸屏区域的折叠角度将与执行应用程序对应的图标移动到曲面触摸屏区域，可以向用户提供选择性地在外部触摸屏区域或内部可折叠触摸屏区域上执行应用程序的用户界面。
附图说明
从下面结合附图的详细描述中，说明性的、非限制性的示例性实施例将被更清楚地理解。
图1是示出劣化补偿器的示例性实施例的框图。
图2是示出被包括在图1的劣化补偿器中的压缩器的框图。
图3是示出图2的压缩器的操作的图。
图4是示出被包括在图1的劣化补偿器中的更新器的操作的图。
图5是示出被存储在被包括于图1的劣化补偿器中的更新器的易失性存储器中的帧级累积压缩应力矩阵(“FACSM”)的图。
图6是示出被包括于图1的劣化补偿器中的误差校正器的示例性实施例的框图。
图7至图10是示出图6的误差校正器的操作的图。
图11是示出被包括于图1的劣化补偿器中的误差校正器的另一示例性实施例的框图。
图12至图15是示出图11的误差校正器的操作的图。
图16是示出劣化补偿器的另一示例性实施例的框图。
图17是示出从被包括于图16的劣化补偿器中的更新器输出的部分数据信号的图。
图18是示出被包括于图16的劣化补偿器中的循环冗余校验器的框图。
图19是示出劣化补偿器的另一示例性实施例的框图。
图20是示出包括劣化补偿器的显示设备的示例性实施例的框图。
图21是示出包括显示设备的电子设备的示例性实施例的框图。
具体实施方式
在下文中将参考其中示出了示例性实施例的附图更充分地描述各种示例性实施例。然而，发明可以以许多不同的形式体现，并且不应当被解释为限于本文所提出的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例是为了使得此发明将透彻和完整，并且将向本领域技术人员充分地传达发明的范围。在图中，为了清楚，层和区域的尺寸和相对尺寸可能被放大。相同的附图标记始终指代相同的元件。
将理解，虽然术语第一、第二、第三等可在本文中用来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语用来区分一个元件与另一个元件。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离发明的教导。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关联列出项的任意和所有组合。
将理解，当元件被称为被“连接”或“联接”到另一元件时，它可以被直接连接或联接到另一元件，或者可以存在中间元件。相比之下，当元件被称为被“直接连接”或“直接联接”到另一元件时，不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其它词语应该以类似的方式进行解释(例如“在…之间”对“直接在…之间”、“相邻”对“直接相邻”等)。
本文使用的术语仅用于描述特定的示例性实施例，而并不旨在限制发明。如本文所用，单数形式的“一个”和“该(或所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。将进一步理解，当在说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在和增加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
将理解，当元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者在它与另一元件之间可以存在中间元件。相比之下，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在中间元件。
将理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语仅用来区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分。因此，下面讨论的“第一元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离本文的教导。
此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一个元件的关系。将理解，除了图中描绘的方位之外，相对术语旨在包含设备的不同方位。例如，如果一幅图中设备被翻转，则被描述为在其它元件“下”侧的元件将然后被定向为在其它元件“上”侧。因此，取决于图的特定方位，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”两种方位。与此类似，如果一幅图中设备被翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下面”的元件将然后被定向为在其它元件“上面”。因此，示例性术语“下方”或“下面”可以包括上和下两种方位。
在本文中使用的“大约”或“近似”包括所列出的值，并且考虑到测量中的问题和与特定量的测量相关联的误差(即测量系统的限制)，意味着在由本领域普通技术人员确定的该特定值的可接受范围的偏差内。例如，“大约”可以意味着在所列出的值的一个或多个标准偏差内，或在±30％、20％、10％、5％内。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有此公开所属技术领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。将进一步理解，例如那些在常用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化和过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
本文中参考作为理想化实施例的示意性图示的剖视图图示来描述示例性实施例。这样，例如作为制造技术和/或公差的结果，将预期与图示的形状的变化。因此，本文所描述的实施例不应该被解释为限于本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造引起的形状的偏差。例如，被示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以是圆形的。因此，在图中示出的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有此发明所属技术领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。将进一步理解，例如那些在常用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化和过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
图1是示出根据示例性实施例的劣化补偿器的框图。
参考图1，劣化补偿器100包括压缩器110、非易失性存储器设备NVM 150、更新器130、误差校正器ECB 140、恢复器160和内部补偿器170。
压缩器110通过被包括在帧中的第一块的R、G和B输入信号DIN来生成代表第一块的劣化水平的块级压缩应力矩阵BCSM。
更新器130包括易失性存储器VM 131。更新器130通过将BCSM增加到帧级累积压缩应力矩阵(“FACSM”)来更新FACSM。FACSM被存储在易失性存储器131中。FACSM代表帧的累积劣化水平。
当电源被停止时，误差校正器140通过数据信号DS接收被包括在FACSM中的块级累积压缩应力矩阵BACSM的元素，用不同的强度对该元素执行误差校正编码，并且将编码后的元素写为非易失性存储器设备150的存储数据SDS。当电源被启动时，误差校正器140对存储数据SDS执行误差校正解码，并通过数据信号DS将解码后的存储数据写为易失性存储器131的FACSM。
恢复器160通过恢复FACSM中与第一块对应的BACSM来生成块级累积应力矩阵BASM。内部补偿器170通过将R、G和B输入信号DIN与基于BASM生成的数据补偿值相加来生成与第一块对应的补偿后的R、G和B输出信号DOUT。
图2是示出被包括在图1的劣化补偿器中的压缩器的框图。
参考图2，压缩器110可包括应力矩阵生成器111、变换器112和选择器113。
应力矩阵生成器111可以基于R、G和B输入信号DIN生成与第一块对应的块级应力矩阵BSM。在示例性实施例中，例如，BSM可以是二乘二(也就是2×2)矩阵、四乘四(也就是4×4)矩阵、十六乘十六(也就是16×16)矩阵，或用户确定的任意大小的矩阵。生成BSM的过程是本领域普通技术人员公知的，由此详细的描述可以被省略。
变换器112可以通过对BSM应用线性变换来生成变换后的应力矩阵TSM。在示例性实施例中，例如，线性变换可以是DCT(离散余弦变换)、阿达玛变换或哈尔变换。在另一示例性实施例中，线性变换可以是本领域普通技术人员公知的普通线性变换中的一种，由此详细的描述可以被省略。
选择器113可以通过选择TSM的一部分来生成BCSM。
图3是示出图2的压缩器的操作的图。
图3示出例如BSM是4×4矩阵和BCSM是2×2矩阵的情况。
应力矩阵生成器111可以根据被包括在块中的16个像素中每一个的R、G和B输入信号DIN来生成代表块(4×4矩阵)的劣化水平(应力)的BSM。BSM的第(1,1)元素S(1,1)代表被包括在块中的第(1,1)像素的应力。BSM的第(1,2)元素S(1,2)代表被包括在块中的第(1,2)像素的应力。BSM的其余元素可以基于该描述来理解。
变换器112通过将BSM和线性变换T相乘来生成TSM。在示例性实施例中，当线性变换T是DCT时，TSM的第(1,1)元素C(1,1)、第(1,2)元素C(1,2)、第(2,1)元素C(2,1)和第(2,2)元素C(2,2)可以是TSM的低频元素DC1，并且TSM的第(1,3)元素C(1,3)、第(1,4)元素C(1,4)、第(2,3)元素C(2,3)、第(2,4)元素C(2,4)、第(3,1)元素C(3,1)、第(3,2)元素C(3,2)、第(3,3)元素C(3,3)、第(3,4)元素C(3,4)、第(4,1)元素C(4,1)、第(4,2)元素C(4,2)、第(4,3)元素C(4,3)和第(4,4)元素C(4,4)可以是TSM的高频元素AC1。
在示例性实施例中，线性变换T是DCT，并且选择器113可以通过选择TSM的低频元素DC1来生成BCSM。详细地说，BCSM的第(1,1)元素CT(1,1)可以是TSM的第(1,1)元素C(1,1)，BCSM的第(1,2)元素CT(1,2)可以是TSM的第(1,2)元素C(1,2)，BCSM的第(2,1)元素CT(2,1)可以是TSM的第(2,1)元素C(2,1)，并且BCSM的第(2,2)元素CT(2,2)可以是TSM的第(2,2)元素C(2,2)。
在示例性实施例中，线性变换T是阿达玛变换，并且选择器113可通过选择TSM的预定元素来生成BCSM。详细地说，BCSM的第(1,1)元素CT(1,1)可以是TSM的第(1,1)元素C(1,1)，BCSM的第(1,2)元素CT(1,2)可以是TSM的第(1,3)元素C(1,3)，BCSM的第(2,1)元素CT(2,1)可以是TSM的第(3,1)元素C(3,1)，并且BCSM的第(2,2)元素CT(2,2)可以是TSM的第(3,3)元素C(3,3)。
在示例性实施例中，线性变换T例如可以是哈尔变换。
BCSM的第(1,1)元素CT(1,1)可以是BCSM的低频元素DC2，并且BCSM的第(1,2)元素CT(1,2)、第(2,1)元素CT(2,1)和第(2,2)元素CT(2,2)可以是BCSM的高频元素AC2。
恢复器160可通过将图3的压缩过程的逆过程应用到BACSM来生成BASM。
图4是示出被包括于图1的劣化补偿器中的更新器的操作的图。
参考图4，更新器130通过将与第一块对应的BCSM增加到FACSM中与第一块对应的第一BACSM来更新FACSM。第一BACSM是累积了与被包括在第一帧至第N帧(N是自然数)中的第一块对应的BCSM的矩阵。
图5是示出被存储在被包括于图1的劣化补偿器中的更新器的易失性存储器中的FACSM的图。
参考图5，帧可以包括第一至第八块210、220、230、240、250、260、270和280。FACSM包括第一至第八BACSM 211、221、231、241、251、261、271和281。第一BACSM 211与第一块210对应，并包括低频元素211A、以及高频元素211B、211C和211D。第二BACSM 221与第二块220对应，并包括低频元素221A、以及高频元素221B、221C和221D。第三至第八BACSM 231、241、251、261、271和281可基于该描述来理解。
图6是示出被包括于图1的劣化补偿器中的误差校正器的示例性实施例的框图。图7至图10是示出图6的误差校正器的操作的图。
参考图6，误差校正器140A可以包括第一至第四误差校正单元141A、142A、143A和144A。在示例性实施例中，误差校正器140A可以包括除了第一至第四误差校正单元141A、142A、143A和144A之外的附加误差校正单元。在另一示例性实施例中，误差校正器140A可以包括比第一至第四误差校正单元141A、142A、143A和144A少的误差校正单元。
参考图6至图10，第一误差校正单元141A可接收低频元素211A、221A、231A、241A、251A、261A、271A和281A作为第一部分数据信号PDS1A，并用第一强度对低频元素211A、221A、231A、241A、251A、261A、271A和281A执行误差校正编码，且将编码后的低频元素写为非易失性存储器设备150的第一存储数据SDS1A。第二误差校正单元142A可以接收第一高频元素211B、221B、231B、241B、251B、261B、271B和281B作为第二部分数据信号PDS2A，并用第二强度对第一高频元素211B、221B、231B、241B、251B、261B、271B和281B执行误差校正编码，且将编码后的第一高频元素写为非易失性存储器设备150的第二存储数据SDS2A。第三误差校正单元143A可以接收第二高频元素211C、221C、231C、241C、251C、261C、271C和281C作为第三部分数据信号PDS3A，并用第三强度对第二高频元素211C、221C、231C、241C、251C、261C、271C和281C执行误差校正编码，且将编码后的第二高频元素写为非易失性存储器设备150的第三存储数据SDS3A。第四误差校正单元144A可以接收第三高频元素211D、221D、231D、241D、251D、261D、271D和281D作为第四部分数据信号PDS4A，并用第四强度对第三高频元素211D、221D、231D、241D、251D、261D、271D和281D执行误差校正编码，且将编码后的第三高频元素写为非易失性存储器设备150的第四存储数据SDS4A。
因为低频元素211A、221A、231A、241A、251A、261A、271A和281A的重要性比第一高频元素211B、221B、231B、241B、251B、261B、271B和281B的重要性以及第二高频元素211C、221C、231C、241C、251C、261C、271C和281C的重要性高，所以第一强度可以大于等于第二强度，并且第一强度可以大于等于第三强度。换句话说，由第一误差校正单元141A生成的奇偶校验位的数量大于等于由第二误差校正单元142A和第三误差校正单元143A生成的奇偶校验位的数量。
因为第一高频元素211B、221B、231B、241B、251B、261B、271B和281B的重要性以及第二高频元素211C、221C、231C、241C、251C、261C、271C和281C的重要性比第三高频元素211D、221D、231D、241D、251D、261D、271D和281D的重要性高，所以第二强度可以大于等于第四强度，并且第三强度可以大于等于第四强度。换句话说，由第二误差校正单元142A和第三误差校正单元143A生成的奇偶校验位的数量大于等于由第四误差校正单元144A生成的奇偶校验位的数量。
参考图6和图7，第一误差校正单元141A通过对被接收作为第一部分数据信号PDS1A的低频元素211A、221A、231A、241A、251A、261A、271A和281A执行误差校正编码，来生成包括四个奇偶校验位的第一存储数据SDS1A。参考图6和图8，第二误差校正单元142A通过对被接收作为第二部分数据信号PDS2A的第一高频元素211B、221B、231B、241B、251B、261B、271B和281B执行误差校正编码，来生成包括两个奇偶校验位的第二存储数据SDS2A。参考图6和图9，第三误差校正单元143A通过对被接收作为第三部分数据信号PDS3A的第二高频元素211C、221C、231C、241C、251C、261C、271C和281C执行误差校正编码，来生成包括两个奇偶校验位的第三存储数据SDS3A。参考图6和图10，第四误差校正单元144A通过对被接收作为第四部分数据信号PDS4A的第三高频元素211D、221D、231D、241D、251D、261D、271D和281D执行误差校正编码，来生成包括一个奇偶校验位的第四存储数据SDS4A。
图11是示出被包括于图1的劣化补偿器中的误差校正器的另一示例性实施例的框图。
参考图11，误差校正器140B可以包括第一至第五误差校正单元141B、142B、143B、144B和145B。在示例性实施例中，误差校正器140B可以包括除了第一至第五误差校正单元141B、142B、143B、144B和145B之外的附加误差校正单元。在另一示例性实施例中，误差校正器140B可以包括比第一至第五误差校正单元141B、142B、143B、144B和145B少的误差校正单元。
第一误差校正单元141B可以用五个奇偶校验位对第一部分数据信号PDS1B执行误差校正编码，并将编码后的数据写为非易失性存储器设备150的第一存储数据SDS1B。第二误差校正单元142B可以用四个奇偶校验位对第二部分数据信号PDS2B执行误差校正编码，并将编码后的数据写为非易失性存储器设备150的第二存储数据SDS2B。第三误差校正单元143B可以用三个奇偶校验位对第三部分数据信号PDS3B执行误差校正编码，并将编码后的数据写为非易失性存储器设备150的第三存储数据SDS3B。第四误差校正单元144B可以用两个奇偶校验位对第四部分数据信号PDS4B执行误差校正编码，并将编码后的数据写为非易失性存储器设备150的第四存储数据SDS4B。第五误差校正单元145B可以用一个奇偶校验位对第五部分数据信号PDS5B执行误差校正编码，并将编码后的数据写为非易失性存储器设备150的第五存储数据SDS5B。
图12至图15是示出图11的误差校正器的操作的图。例如，图12至图15示出了FACSM的元素的尺寸分别为10位的情况。
参考图12至图15，第一误差校正单元141B通过对来自被接收作为第一部分数据信号PDS1B的低频元素211A、221A、231A、241A、251A、261A、271A和281A的最显著位(“MSB”)的高3位执行误差校正编码，来生成包括五个奇偶校验位的第一存储数据SDS1B。第二误差校正单元142B通过对来自被接收作为第二部分数据信号PDS2B的第一高频元素211B、221B、231B、241B、251B、261B、271B和281B的最显著位(“MSB”)的高3位执行误差校正编码，来生成包括四个奇偶校验位的第二存储数据SDS2B。第三误差校正单元143B通过对被接收作为第三部分数据信号PDS3B的(1)低频元素211A、221A、231A、241A、251A、261A、271A和281A的中间3位，(2)第一高频元素211B、221B、231B、241B、251B、261B、271B和281B的中间3位，(3)第二高频元素211C、221C、231C、241C、251C、261C、271C和281C的中间3位，以及(4)第三高频元素211D、221D、231D、241D、251D、261D、271D和281D的高3位执行误差校正编码，来生成包括三个奇偶校验位的第三存储数据SDS3B。第四误差校正单元144B通过对被接收作为第四部分数据信号PDS4B的(1)低频元素211A、221A、231A、241A、251A、261A、271A和281A的最不显著位(“LSB”)的低4位，(2)第一高频元素211B、221B、231B、241B、251B、261B、271B和281B的低4位，(3)第二高频元素211C、221C、231C、241C、251C、261C、271C和281C的低4位，以及(4)第三高频元素211D、221D、231D、241D、251D、261D、271D和281D的中间3位执行误差校正编码，来生成包括两个奇偶校验位的第四存储数据SDS4B。第五误差校正单元145B通过对被接收作为第五部分数据信号PDS5B的第三高频元素211D、221D、231D、241D、251D、261D、271D和281D的低4位执行误差校正编码，来生成包括1个奇偶校验位的第五存储数据SDS5B。
图16是示出根据另一示例性实施例的劣化补偿器的框图。
参考图16，劣化补偿器300包括压缩器310、非易失性存储器设备350、更新器330、循环冗余校验器340、恢复器360和内部补偿器370。
压缩器310通过被包括在帧中的第一块的R、G和B输入信号DIN来生成代表第一块的劣化水平的块级压缩应力矩阵BCSM。压缩器310可具有与图2的压缩器110相同或相似的结构。压缩器310可基于对图2和图3的参考来理解。
更新器330包括易失性存储器331。更新器330通过在使能信号被激活时将BCSM增加到FACSM来更新FACSM。FACSM被存储在易失性存储器331中。FACSM代表帧的累积劣化水平。更新器330更新FACSM的过程可以基于对图4的参考来理解。FACSM可以基于对图5的参考来理解。
当电源被停止时，更新器330顺序输出被包括在FACSM中的块级累积压缩应力矩阵BACSM的一部分元素作为部分数据信号PDS。部分数据信号PDS将参考图17来描述。
当电源被停止时，循环冗余校验器SRC 340通过对部分数据信号PDS执行循环冗余校验来生成循环冗余校验(“CRC”)奇偶校验CP，并将CRC奇偶校验CP写入非易失性存储器设备350。
当电源被启动时，更新器330从非易失性存储器设备350读取CRC奇偶校验CP和FACSM，并且更新器330通过比较所读取的CRC奇偶校验和从所读取的FACSM重新生成的CRC奇偶校验来激活或停用使能信号。
恢复器360通过恢复FACSM中与第一块对应的BACSM来生成块级累积应力矩阵BASM。内部补偿器370通过将R、G和B输入信号DIN与基于BASM生成的数据补偿值相加来生成与第一块对应的R、G和B输出信号DOUT。
在示例性实施例中，当读取的CRC奇偶校验与重新生成的CRC奇偶校验相同时，更新器330可以激活使能信号，使得FACSM可以被更新。当读取的CRC奇偶校验与重新生成的CRC奇偶校验不同时，更新器330可停用使能信号，使得FACSM不能被更新。
图17是示出从被包括在图16的劣化补偿器中的更新器输出的部分数据信号的图。
参考图17，部分数据信号PDS可以是低频元素211A、221A、231A、241A、251A、261A、271A和281A的高位。
图18是示出被包括在图16的劣化补偿器中的循环冗余校验器的框图。
图18示出了CRC奇偶校验CP可以包括第一至第三CRC奇偶校验位CP1、CP2和CP3的情况。在示例性实施例中，CRC奇偶校验CP可以包括除了第一至第三CRC奇偶校验位CP1、CP2和CP3之外的附加奇偶校验位。在另一示例性实施例中，CRC奇偶校验CP可以包括比第一至第三CRC奇偶校验位CP1、CP2和CP3少的奇偶校验位。
循环冗余校验器340可以包括第一异或(“XOR”)门344和第二异或(“XOR”)门345、以及第一至第三D触发器341、342和343。
第一XOR门344的第一输入端可接收部分数据信号PDS，第一XOR门344的第二输入端可接收第三CRC奇偶校验位CP3，并且第一XOR门344的输出端可输出第一信号SIG1。第一D触发器341的数据输入端可以接收第一信号SIG1，第一D触发器341的时钟输入端可以接收时钟信号CLK，并且第一D触发器341的数据输出端可以输出第一CRC奇偶校验位CP1。第二XOR门345的第一输入端可以接收第一信号SIG1，第二XOR门345的第二输入端可以接收第一CRC奇偶校验位CP1，并且第二XOR门345的输出端可以输出第二信号SIG2。第二D触发器342的数据输入端可以接收第二信号SIG2，第二D触发器342的时钟输入端可以接收时钟信号CLK，并且第二D触发器342的数据输出端可以输出第二CRC奇偶校验位CP2。第三D触发器343的数据输入端可以接收第二CRC奇偶校验位CP2，第三D触发器343的时钟输入端可接收时钟信号CLK，并且第三D触发器343的数据输出端可以输出第三CRC奇偶校验位CP3。
图19是示出根据另一示例性实施例的劣化补偿器的框图。
参考图19，劣化补偿器400包括压缩器410、非易失性存储器设备450、更新器430、误差校正器441、循环冗余校验器442、恢复器460和内部补偿器470。
压缩器410通过被包括在帧中的第一块的R、G和B输入信号DIN来生成代表第一块的劣化水平的块级压缩应力矩阵BCSM。压缩器410可具有与图2的压缩器110相同或相似的结构。压缩器410可基于对图2和图3的参考来理解。
更新器430包括易失性存储器431。更新器430通过在使能信号被激活时将BCSM增加到FACSM来更新FACSM。FACSM被存储在易失性存储器431中。FACSM代表帧的累积劣化水平。更新器430更新FACSM的过程可以基于对图4的参考来理解。FACSM可以基于对图5的参考来理解。
当电源被停止时，更新器430顺序输出被包括在FACSM中的块级累积压缩应力矩阵BACSM的一部分元素作为部分数据信号PDS。部分数据信号PDS可以基于对图17的参考来理解。
当电源被停止时，误差校正器441通过数据信号DS接收被包括在FACSM中的块级累积压缩应力矩阵BACSM的元素，用不同的强度对元素执行误差校正编码，并将编码后的元素写为非易失性存储器设备450的存储数据SDS。当电源被启动时，误差校正器441对存储数据SDS执行误差校正解码，并将解码后的存储数据写为易失性存储器431的FACSM。
当电源被停止时，循环冗余校验器442通过对部分数据信号PDS执行循环冗余校验来生成CRC奇偶校验CP，并将CRC奇偶校验CP写入非易失性存储器设备450。
在电源被启动时，更新器430从非易失性存储器设备450读取CRC奇偶校验CP。更新器430通过比较所读取的CRC奇偶校验与从误差校正器441所写入的易失性存储器431的FACSM重新生成的CRC奇偶校验，来激活或停用使能信号。
在示例性实施例中，当读取的CRC奇偶校验与重新生成的CRC奇偶校验相同时，更新器430可以激活使能信号，使得FACSM可以被更新。当读取的CRC奇偶校验与重新生成的CRC奇偶校验不同时，更新器430可停用使能信号，使得FACSM不能被更新。
恢复器460通过恢复FACSM中与第一块对应的BACSM来生成块级累积应力矩阵BASM。内部补偿器470通过将R、G和B输入信号DIN与基于BASM生成的数据补偿值相加来生成与第一块对应的补偿后的R、G和B输出信号DOUT。
在示例性实施例中，当电源被停止时从非易失性存储器设备450重新读取的FACSM的元素与更新后的FACSM的元素之间的差超过预定范围时，误差校正器441可以停止对非易失性存储器设备450的写操作。假设重新读取的FACSM包括时，因为低频元素只增加，这意味着出现误差。因此，误差校正器441可以停止对非易失性存储器设备450的与更新后的FACSM对应的写操作。
备450的与更新后的FACSM对应的写操作。
备450的与更新后的FACSM对应的写操作。
图20是示出根据示例性实施例的包括劣化补偿器的显示设备的框图。
参考图20，显示设备500包括劣化补偿器COMP 550、时序控制器TIMING CNTRL540、显示面板DISPLAY PANEL 520、数据驱动器DATA DRIVER 510和扫描驱动器SCANDRIVER 530。
劣化补偿器550通过根据R、G和B输入信号DIN累积应力来生成数据补偿值，并输出通过将R、G和B输入信号DIN与数据补偿值相加所生成的补偿后的R、G和B输出信号DOUT。劣化补偿器550可以具有与图1、图16和图19的劣化补偿器100、300和400相同或相似的结构。劣化补偿器550可以基于对图1至图19的参考来理解。
时序控制器540基于补偿后的R、G和B输出信号DOUT来生成数据驱动器控制信号DCS和扫描驱动器控制信号SCS。显示面板520包括多个像素521。数据驱动器510基于数据驱动器控制信号DCS生成多个数据信号，并通过多条数据信号线D1、D2至DN将数据信号提供到多个像素521。扫描驱动器530基于扫描驱动器控制信号SCS生成多个扫描信号。扫描驱动器530通过多条扫描信号线S1、S2至SM将扫描信号提供到多个像素521。
图21是示出根据示例性实施例的包括显示设备的电子设备的框图。
参考图21，电子设备600可以包括处理器610、存储器设备620、贮存设备630、输入/输出(“I/O”)设备640、电源650和显示设备660。这里，电子设备600可以进一步包括用于与视频卡、声卡、存储器卡、通用串行总线(USB)设备、其它电子设备等通信的多个端口。尽管电子设备600被实现为智能电话，但电子设备600的种类不限于此。
处理器610可以执行各种计算功能。在示例性实施例中，例如，处理器610可以是微处理器、中央处理单元(“CPU”)等。在示例性实施例中，处理器610可以经由地址总线、控制总线、数据总线等被联接到其它组件。在示例性实施例中，处理器610可以被联接到诸如外围部件互连(“PCI”)总线的扩展总线。
存储器设备620可以存储用于电子设备600的操作的数据。在示例性实施例中，存储器设备620可包括至少一个非易失性存储器设备，诸如可擦除可编程只读存储器(“EPROM”)设备、电可擦除可编程只读存储器(“EEPROM”)设备、快闪存储器设备、相变随机存取存储器(“PRAM”)设备、电阻随机存取存储器(“RRAM”)设备、纳米浮栅存储器(“NFGM”)设备、聚合物随机存取存储器(“PoRAM”)设备、磁随机存取存储器(“MRAM”)设备、铁电随机存取存储器(“FRAM”)设备等，和/或可包括至少一种易失性存储器设备，诸如动态随机存取存储器(“DRAM”)设备、静态随机存取存储器(“SRAM”)设备、移动DRAM设备等。
贮存设备630可以是固态驱动器(“SSD”)设备、硬盘驱动器(“HDD”)设备、CD-ROM设备等。在示例性实施例中，I/O设备640可以是诸如键盘、小键盘、触摸板、触摸屏、鼠标等的输入设备，以及诸如打印机、扬声器等的输出设备。电源650可提供用于电子设备600的操作的电力。显示设备660可以经由总线或其它通信链路与其它组件通信。
显示设备660可以是图20的显示设备500。显示设备660可以基于对图1至图20的参考来理解。
示例性实施例可以被应用于具有显示设备660的任何电子设备600。在示例性实施例中，实施例可以被应用于诸如数字或3D电视、计算机监视器、家用电器、膝上型计算机、数字照相机、蜂窝电话、智能电话、个人数字助理(“PDA”)、便携式多媒体播放器(“PMP”)、MP3播放器、便携式游戏机、导航系统、视频电话等的电子设备600。
本发明可以被应用于OLED显示设备和包括OLED显示设备的电子设备。在示例性实施例中，本发明可被应用于监视器、电视、计算机、膝上型计算机、数字照相机、移动电话、智能电话、智能板、PDA、PMP、MP3播放器、导航系统和摄像机。
以上是对示例性实施例的说明，而不应被解释为其限制。尽管已经描述了一些示例性实施例，本领域技术人员将容易理解，可以对示例性实施例进行许多修改，而实质上不脱离发明的新颖教导和优点。因此，所有这些修改都旨在被包括在权利要求所限定的发明的范围内。因此，应理解，前述是对各种示例性实施例的说明，而不应被解释为限于所公开的特定示例性实施例，并且对所公开的示例性实施例的修改以及其它示例性实施例都旨在被包括在所附权利要求的范围内。

Claims (16)

1.一种劣化补偿器，包括：
压缩器，通过被包括在帧中的块的R、G和B输入信号来生成代表所述块的劣化水平的块级压缩应力矩阵；
非易失性存储器设备；
更新器，包括易失性存储器并通过将所述块级压缩应力矩阵增加到帧级累积压缩应力矩阵来更新所述帧级累积压缩应力矩阵，所述帧级累积压缩应力矩阵被存储在所述易失性存储器中，所述帧级累积压缩应力矩阵代表所述帧的累积劣化水平；
误差校正器，当电源被停止时，用不同强度对被包括在所述帧级累积压缩应力矩阵中的块级累积压缩应力矩阵的元素执行误差校正编码，且将编码后的元素写为所述非易失性存储器设备的存储数据，并且当所述电源被启动时，对所述存储数据执行误差校正解码，且将解码后的存储数据写为所述易失性存储器的所述帧级累积压缩应力矩阵；
恢复器，通过恢复所述帧级累积压缩应力矩阵中与所述块对应的所述块级累积压缩应力矩阵来生成块级累积应力矩阵；以及
内部补偿器，通过将所述R、G和B输入信号与基于所述块级累积应力矩阵生成的数据补偿值相加来生成与所述块对应的补偿后的R、G和B输出信号。
2.根据权利要求1所述的劣化补偿器，其中所述元素包括至少一个低频元素和至少一个高频元素。
3.根据权利要求2所述的劣化补偿器，其中被应用于所述至少一个低频元素的误差校正编码的强度大于等于被应用于所述至少一个高频元素的误差校正编码的强度。
4.根据利要求2所述的劣化补偿器，其中在对所述至少一个低频元素的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量大于等于在对所述至少一个高频元素的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量。
5.根据权利要求2所述的劣化补偿器，其中被应用于所述至少一个低频元素的高位的误差校正编码的强度大于等于被应用于所述至少一个低频元素的低位的误差校正编码的强度，
其中被应用于所述至少一个高频元素的高位的误差校正编码的强度大于等于被应用于所述至少一个高频元素的低位的误差校正编码的强度。
6.根据权利要求2所述的劣化补偿器，其中在对所述至少一个低频元素的高位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量大于等于在对所述至少一个低频元素的低位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量，
其中在对所述至少一个高频元素的高位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量大于等于在对所述至少一个高频元素的低位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量。
7.根据权利要求1所述的劣化补偿器，其中所述压缩器包括：
应力矩阵生成器，基于所述R、G和B输入信号生成与所述块对应的块级应力矩阵；
变换器，通过对所述块级应力矩阵应用线性变换来生成变换后的应力矩阵；以及
选择器，通过选择所述变换后的应力矩阵的一部分来生成所述块级压缩应力矩阵。
8.根据权利要求7所述的劣化补偿器，其中，当所述块级应力矩阵是4乘4矩阵并且所述线性变换是离散余弦变换时，所述选择器通过选择所述变换后的应力矩阵的作为所述变换后的应力矩阵的低频元素的第(1,1)元素、第(1,2)元素、第(2,1)元素和第(2,2)元素来生成所述块级压缩应力矩阵。
9.根据权利要求7所述的劣化补偿器，其中，当所述块级应力矩阵是4乘4矩阵并且所述线性变换是阿达玛变换时，所述选择器通过选择所述变换后的应力矩阵的第(1,1)元素、第(1,3)元素、第(3,1)元素和第(3,3)元素来生成所述块级压缩应力矩阵。
10.根据权利要求7所述的劣化补偿器，其中所述线性变换是哈尔变换。
11.一种劣化补偿器，包括：
压缩器，通过被包括在帧中的块的R、G和B输入信号来生成代表所述块的劣化水平的块级压缩应力矩阵；
非易失性存储器设备；
更新器，包括易失性存储器，当使能信号被激活时通过将所述块级压缩应力矩阵增加到帧级累积压缩应力矩阵来更新所述帧级累积压缩应力矩阵，所述帧级累积压缩应力矩阵被存储在所述易失性存储器中，所述帧级累积压缩应力矩阵代表所述帧的累积劣化水平，当电源被停止时，所述更新器顺序输出被包括在所述帧级累积压缩应力矩阵中的块级累积压缩应力矩阵的元素的一部分作为部分数据信号；
循环冗余校验器，当所述电源被停止时，通过对所述部分数据信号执行循环冗余校验来生成循环冗余校验奇偶校验，并将所述循环冗余校验奇偶校验写入所述非易失性存储器设备；
恢复器，通过恢复所述帧级累积压缩应力矩阵中与所述块对应的所述块级累积压缩应力矩阵来生成块级累积应力矩阵；以及
内部补偿器，通过将所述R、G和B输入信号与基于所述块级累积应力矩阵生成的数据补偿值相加来生成与所述块对应的补偿后的R、G和B输出信号，
其中当所述电源被启动时所述更新器从所述非易失性存储器设备读取所述循环冗余校验奇偶校验和所述帧级累积压缩应力矩阵，并且所述更新器通过比较所读取的循环冗余校验奇偶校验与从所读取的帧级累积压缩应力矩阵重新生成的循环冗余校验奇偶校验来激活或停用所述使能信号。
12.根据权利要求11所述的劣化补偿器，其中当所读取的循环冗余校验奇偶校验与所述重新生成的循环冗余校验奇偶校验相同时，所述更新器激活所述使能信号，
其中当所读取的循环冗余校验奇偶校验与所述重新生成的循环冗余校验奇偶校验不同时，所述更新器停用所述使能信号。
13.根据权利要求11所述的劣化补偿器，其中所述循环冗余校验奇偶校验包括第一循环冗余校验奇偶校验位、第二循环冗余校验奇偶校验位和第三循环冗余校验奇偶校验位，
其中所述循环冗余检验器包括第一异或门和第二异或门、以及第一D触发器、第二D触发器和第三D触发器，
其中所述第一异或门的第一输入端接收所述部分数据信号，所述第一异或门的第二输入端接收所述第三循环冗余校验奇偶校验位，并且所述第一异或门的输出端输出第一信号，
其中所述第一D触发器的数据输入端接收所述第一信号，所述第一D触发器的时钟输入端接收时钟信号，并且所述第一D触发器的数据输出端输出所述第一循环冗余校验奇偶校验位，
其中所述第二异或门的第一输入端接收所述第一信号，所述第二异或门的第二输入端接收所述第一循环冗余校验奇偶校验位，并且所述第二异或门的输出端输出第二信号，
其中所述第二D触发器的数据输入端接收所述第二信号，所述第二D触发器的时钟输入端接收所述时钟信号，并且所述第二D触发器的数据输出端输出所述第二循环冗余校验奇偶校验位，
其中所述第三D触发器的数据输入端接收所述第二循环冗余校验奇偶校验位，所述第三D触发器的时钟输入端接收所述时钟信号，并且所述第三D触发器的数据输出端输出所述第三循环冗余校验奇偶校验位。
14.一种劣化补偿器，包括：
压缩器，通过被包括在帧中的块的R、G和B输入信号来生成代表所述块的劣化水平的块级压缩应力矩阵；
非易失性存储器设备；
更新器，包括易失性存储器，当使能信号被激活时，所述更新器通过将所述块级压缩应力矩阵增加到帧级累积压缩应力矩阵来更新所述帧级累积压缩应力矩阵，所述帧级累积压缩应力矩阵被存储在所述易失性存储器中，所述帧级累积压缩应力矩阵代表所述帧的累积劣化水平，当电源被停止时，所述更新器顺序输出被包括在所述帧级累积压缩应力矩阵中的块级累积压缩应力矩阵的元素的一部分作为部分数据信号；
误差校正器，当所述电源被停止时，用不同强度对被包括在所述帧级累积压缩应力矩阵中的所述块级累积压缩应力矩阵的元素执行误差校正编码，并将编码后的元素写为所述非易失性存储器设备的存储数据，当所述电源被启动时，所述误差校正器对所述存储数据执行误差校正解码，并将解码后的存储数据写为所述易失性存储器的所述帧级累积压缩应力矩阵；
循环冗余校验器，当所述电源被停止时，通过对所述部分数据信号执行循环冗余校验来生成循环冗余校验奇偶校验，并将所述循环冗余校验奇偶校验写入所述非易失性存储器设备；
恢复器，通过恢复所述帧级累积压缩应力矩阵中与所述块对应的所述块级累积压缩应力矩阵来生成块级累积应力矩阵；以及
内部补偿器，通过将所述R、G和B输入信号与基于所述块级累积应力矩阵生成的数据补偿值相加来生成与所述块对应的补偿后的R、G和B输出信号，
其中当所述电源被启动时所述更新器从所述非易失性存储器设备读取所述循环冗余校验奇偶校验，并且所述更新器通过比较所读取的循环冗余校验奇偶校验与从所述误差校正器所写入的所述易失性存储器的所述帧级累积压缩应力矩阵重新生成的循环冗余校验奇偶校验，来激活或停用所述使能信号。
15.根据权利要求14所述的劣化补偿器，其中当所读取的循环冗余校验奇偶校验与所述重新生成的循环冗余校验奇偶校验相同时，所述更新器激活所述使能信号，
其中当所读取的循环冗余校验奇偶校验与所述重新生成的循环冗余校验奇偶校验不同时，所述更新器停用所述使能信号。
16.根据权利要求14所述的劣化补偿器，其中当所述电源被停止时从所述非易失性存储器设备重新读取的帧级累积压缩应力矩阵的元素与更新后的帧级累积压缩应力矩阵的元素之间的差超过预定范围时，所述误差校正器停止对所述非易失性存储器设备的写操作。
CN201610457654.6A 2015-06-22 2016-06-22 劣化补偿器 Active CN106257573B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150088541A KR102287907B1 (ko) 2015-06-22 2015-06-22 유기 발광 다이오드 표시 장치의 열화 보상기
KR10-2015-0088541 2015-06-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106257573A true CN106257573A (zh) 2016-12-28
CN106257573B CN106257573B (zh) 2020-12-04

Family

ID=57588319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610457654.6A Active CN106257573B (zh) 2015-06-22 2016-06-22 劣化补偿器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9905162B2 (zh)
KR (1) KR102287907B1 (zh)
CN (1) CN106257573B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108877666A (zh) * 2018-07-25 2018-11-23 昆山国显光电有限公司 显示面板和补偿数据传输方法
CN109841191A (zh) * 2017-11-27 2019-06-04 三星显示有限公司 显示设备
CN110277056A (zh) * 2018-03-15 2019-09-24 三星显示有限公司 显示器、显示器驱动方法以及补偿显示器上应力的系统
CN110277055A (zh) * 2018-03-15 2019-09-24 三星显示有限公司 用于操作显示器的方法、执行应力补偿的系统和显示器
KR20190113494A (ko) * 2018-03-26 2019-10-08 삼성디스플레이 주식회사 변환 기반 스트레스 프로파일 압축
CN111009218A (zh) * 2018-10-04 2020-04-14 三星显示有限公司 显示装置以及使用该显示装置驱动显示面板的方法
CN111128073A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 三星显示有限公司 显示器、用于执行该显示器中的应力补偿的系统和方法
CN111986619A (zh) * 2019-05-23 2020-11-24 三星显示有限公司 显示设备中的应力补偿的方法和系统
CN113035132A (zh) * 2019-12-24 2021-06-25 乐金显示有限公司 显示装置及其补偿方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102593264B1 (ko) 2018-08-14 2023-10-26 삼성전자주식회사 디스플레이 드라이버 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
US11245931B2 (en) 2019-09-11 2022-02-08 Samsung Display Co., Ltd. System and method for RGBG conversion
KR102652820B1 (ko) * 2019-12-27 2024-04-01 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 표시 장치의 보상 방법
KR20220011835A (ko) * 2020-07-21 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 잔상 보상을 수행하는 표시 장치, 및 표시 장치의 잔상 보상 방법
EP4343741A1 (en) * 2022-09-22 2024-03-27 LX Semicon Co., Ltd. Display device and method for inspecting image data thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7307607B2 (en) * 2002-05-15 2007-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Passive matrix light emitting device
CN102663976A (zh) * 2010-11-15 2012-09-12 伊格尼斯创新公司 用于发光器件显示器中的不均匀性的补偿的系统和方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3672586B2 (ja) * 1994-03-24 2005-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 補正システムおよびその動作方法
US6807231B1 (en) * 1997-09-12 2004-10-19 8×8, Inc. Multi-hypothesis motion-compensated video image predictor
US6782132B1 (en) * 1998-08-12 2004-08-24 Pixonics, Inc. Video coding and reconstruction apparatus and methods
JP2000253277A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 輝度むら補正回路
SG120888A1 (en) * 2001-09-28 2006-04-26 Semiconductor Energy Lab A light emitting device and electronic apparatus using the same
JP2007529821A (ja) * 2004-03-15 2007-10-25 トムソン ライセンシング 効率的なビデオのリサンプリング方法
US20140111567A1 (en) * 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
KR100634531B1 (ko) * 2004-12-29 2006-10-16 삼성전자주식회사 액정 표시장치의 동적 캐패시턴스 보상장치 및 방법
KR101348753B1 (ko) 2005-06-10 2014-01-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
JP2007271940A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Toshiba Corp 映像表示装置及び映像表示方法
JP4303743B2 (ja) * 2006-10-04 2009-07-29 シャープ株式会社 画像表示装置及び方法、画像処理装置及び方法
KR101062202B1 (ko) * 2007-02-06 2011-09-05 삼성전자주식회사 화상처리장치, 화상처리방법 및 그 기록매체
JP5213554B2 (ja) * 2008-07-10 2013-06-19 キヤノン株式会社 表示装置及びその駆動方法
US9881532B2 (en) * 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
MX2012010863A (es) * 2010-04-01 2012-10-15 Sony Corp Dispositivo y metodo de procesamiento de imagenes.
KR101148581B1 (ko) * 2010-11-03 2012-05-29 삼성전기주식회사 손떨림 보정 기능이 구비된 영상촬상 장치
KR101871195B1 (ko) 2011-02-17 2018-06-28 삼성디스플레이 주식회사 열화 보상부, 이를 포함하는 발광 장치 및 발광 장치의 열화 보상 방법
KR101470688B1 (ko) * 2011-12-08 2014-12-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 열화보상방법
KR102049281B1 (ko) * 2012-10-23 2019-11-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 및 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템, 그리고 불휘발성 메모리에 데이터를 프로그램하는 프로그램 방법
KR101975215B1 (ko) 2012-12-17 2019-08-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법
KR102017510B1 (ko) 2012-12-17 2019-09-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법
US9589496B2 (en) * 2013-08-27 2017-03-07 Samsung Display Co., Ltd. Temporal dithering technique used in accumulative data compression
KR102112325B1 (ko) 2014-01-08 2020-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR102119882B1 (ko) * 2014-02-26 2020-06-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR102313733B1 (ko) * 2014-11-13 2021-10-19 삼성디스플레이 주식회사 픽셀들의 열화를 보상하는 전계발광 디스플레이 장치 및 그 구동 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7307607B2 (en) * 2002-05-15 2007-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Passive matrix light emitting device
CN102663976A (zh) * 2010-11-15 2012-09-12 伊格尼斯创新公司 用于发光器件显示器中的不均匀性的补偿的系统和方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109841191A (zh) * 2017-11-27 2019-06-04 三星显示有限公司 显示设备
CN110277056B (zh) * 2018-03-15 2021-11-26 三星显示有限公司 显示器、显示器驱动方法以及补偿显示器上应力的系统
CN110277056A (zh) * 2018-03-15 2019-09-24 三星显示有限公司 显示器、显示器驱动方法以及补偿显示器上应力的系统
CN110277055A (zh) * 2018-03-15 2019-09-24 三星显示有限公司 用于操作显示器的方法、执行应力补偿的系统和显示器
TWI799523B (zh) * 2018-03-15 2023-04-21 南韓商三星顯示器有限公司 顯示器、其操作方法及於其中用於執行應力補償的系統
KR20190113494A (ko) * 2018-03-26 2019-10-08 삼성디스플레이 주식회사 변환 기반 스트레스 프로파일 압축
CN110364112A (zh) * 2018-03-26 2019-10-22 三星显示有限公司 用于操作显示器的方法、执行应力补偿的系统和显示器
KR102582120B1 (ko) * 2018-03-26 2023-09-22 삼성디스플레이 주식회사 변환 기반 스트레스 프로파일 압축
CN108877666A (zh) * 2018-07-25 2018-11-23 昆山国显光电有限公司 显示面板和补偿数据传输方法
CN111009218A (zh) * 2018-10-04 2020-04-14 三星显示有限公司 显示装置以及使用该显示装置驱动显示面板的方法
CN111009218B (zh) * 2018-10-04 2024-04-12 三星显示有限公司 显示装置以及使用该显示装置驱动显示面板的方法
CN111128073A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 三星显示有限公司 显示器、用于执行该显示器中的应力补偿的系统和方法
CN111986619A (zh) * 2019-05-23 2020-11-24 三星显示有限公司 显示设备中的应力补偿的方法和系统
CN113035132A (zh) * 2019-12-24 2021-06-25 乐金显示有限公司 显示装置及其补偿方法
CN113035132B (zh) * 2019-12-24 2024-02-02 乐金显示有限公司 显示装置及其补偿方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106257573B (zh) 2020-12-04
KR20170000038A (ko) 2017-01-02
KR102287907B1 (ko) 2021-08-10
US9905162B2 (en) 2018-02-27
US20160372033A1 (en) 2016-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106257573A (zh) 劣化补偿器
CN101999116B (zh) 通过交叉页面扇区、多页面编码以及每一页面编码将数据存储在多级单元闪速存储器装置中的方法和设备
US8451658B2 (en) Method for page- and block based scrambling in non-volatile memory
KR100961288B1 (ko) 데이터 비트 저장 방법, 메모리 장치 및 데이터 저장시스템
US9495518B2 (en) Method of reliably reading data stored in multi-level cell (MLC) non-volatile memory
CN110232891A (zh) 有机发光二极管显示设备的显示面板
CN101587692B (zh) 液晶显示器及其驱动方法
CN103038813B (zh) 液晶显示装置及其驱动方法
TWI400714B (zh) 非揮發多級記憶體單元
CN102208210B (zh) 闪存设备及其数据存储方法
CN101645244A (zh) 液晶显示器件及其驱动方法
CN103839594A (zh) 固态储存装置及其联合编解码方法
CN105528981A (zh) 显示装置和电源控制装置
CN106205468B (zh) 透明显示面板和透明有机发光二极管显示装置
US11398528B2 (en) Display panel of an organic light emitting diode display device having a pentile pixel structure
CN102197437B (zh) 存储器装置中的数据传送及编程
Fang et al. Lifetime enhancement techniques for PCM-based image buffer in multimedia applications
CN105405462A (zh) NAND Flash存储系统高磨损区域数据预加重方法
JP5204186B2 (ja) メモリシステム
US8667364B2 (en) Automatic data recovery circuit and data error detection circuit
US9852018B2 (en) Method of detecting an error of a multi-time programmable operation, and organic light emitting display device employing the same
CN102298972B (zh) 快闪记忆体的资料读取方法
CN110109621A (zh) 一种提升固态硬盘阵列系统性能和寿命的方法
CN105513635B (zh) 编程方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
CN107193485A (zh) 储存装置、其控制单元、及可用于储存装置的数据储存方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant