CN106253901B - 模拟数字转换装置及相关的校准方法及校准模块 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种模拟数字转换装置及相关的校准方法及校准模块，所述模拟数字转换装置包括一转换模块，用来根据多个采样信号，采样一输入电压，以产生一比较电压，及用来根据所述比较电压产生一比较信号，其中所述转换模块包括多个电容，且所述多个电容中每一电容耦接于所述多个采样信号其中之一与所述比较电压之间；一控制模块，用来根据所述比较信号，调整所述多个采样信号，以产生对应于所述输入电压的一数字信号，其中所述数字信号的多个位中除去一最低有效位以外的位分别对应于所述多个电容的电容值；以及一校准模块，用来根据所述数字信号，调整所述多个电容的电容值。

Description

模拟数字转换装置及相关的校准方法及校准模块

技术领域

本发明涉及一种模拟数字转换装置及相关的校准方法及校准模块，尤其涉及一种可根据数字输出信号消除制程漂移所造成的影响的模拟数字转换装置及相关的校准方法及校准模块。

背景技术

逐次逼近寄存器型模拟数字转换器是一种将二进位搜索演算法(binary searchalgorithm)应用于模拟数字转换的模拟数字转换器。一般而言，逐次逼近寄存器型模拟数字转换器的转换速率通常被外部提供的转换时钟(conversion clock)所控制。在转换时钟的每个周期，逐次逼近寄存器型模拟数字转换器必须采样一模拟输入，以及从最高有效位(the most significant bit，MSB)到最低有效位(the least significant bit，LSB)逐位地产生一相对应的数字输出。

当逐次逼近寄存器型模拟数字转换器中的电路元件因制程漂移而发生不匹配的状况时，逐次逼近寄存器型模拟数字转换器的解析度会受到影响。通常来说，现有技术可通过提高电路元件面积来降低制程漂移所造成的影响。然而，提高电路元件面积会造成额外的功率消耗并增加逐次逼近寄存器型模拟数字转换器所需芯片面积。因此，如何在不影响电路效能及成本的情况下降低制程漂移所造成的影响便成为业界亟欲探讨的议题。

发明内容

为了解决上述的问题，本发明提供一种可根据数字输出信号消除制程漂移所造成的影响的模拟数字转换装置及相关的校准方法及校准模块。

本发明公开一种模拟数字转换装置。所述模拟数字转换装置包括一转换模块，用来根据多个采样信号，采样一输入电压，以产生一比较电压，及用来根据所述比较电压产生一比较信号。所述转换模块包括多个电容，且所述多个电容中每一电容耦接于所述多个采样信号其中之一与所述比较电压之间；一控制模块，用来根据所述比较信号，调整所述多个采样信号，以产生对应于所述输入电压的一数字信号，其中所述数字信号的多个位中除去一最低有效位以外的位分别对应于所述多个电容的电容值；以及一校准模块，用来根据所述数字信号，调整所述多个电容的电容值。

本发明还公开一种校准方法，用于一模拟数字转换装置。所述模拟数字转换装置用来将一模拟输入电压转换为具有多个位的数字输出信号，且所述多个位中除去一最低有效位以外的位分别对应于所述模拟数字转换装置中多个电容的电容值。校准方法包括侦测所述多个位中一第一位是否相异于所述多个位中位于所述第一位及所述最低有效位之间的位；以及当所述多个位中一第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述最低有效位之间的位时，根据所述第一位及所述最低有效位调整所述多个电容中对应于所述第一位的一第一电容的电容值。

本发明还公开一种校准模块，用于一模拟数字转换装置。所述模拟数字转换装置用来将一模拟输入电压转换为具有多个位的数字输出信号，且所述多个位中除去一最低有效位以外的位分别对应于所述模拟数字转换装置中多个电容的电容值。所述校准模块包括一处理单元；以及一储存单元，用来储存一程序代码，所述程序代码指示所述处理单元执行以下步骤：侦测所述多个位中一第一位是否相异于所述多个位中位于所述第一位及所述最低有效位之间的位；以及当所述多个位中一第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述最低有效位之间的位时，根据所述第一位及所述最低有效位调整所述多个电容中对应于所述第一位的一第一电容的电容值。

附图说明

图1为本发明实施例一模拟数字转换装置的示意图。

图2为图1所示模拟数字转换装置一实现方式的示意图。

图3为图2所示模拟数字转换装置运作时相关信号的示意图。

图4为本发明实施例一校准方法的流程图。

图5为本发明实施例一校准模块的示意图。

其中，附图标记说明如下：

10 模拟数字转换装置

100 转换模块

102 控制模块

104 校准模块

106 采样与保持单元

108 比较单元

40 校准方法

400～406 步骤

50 校准模块

500 处理单元

510 储存单元

514 程序代码

ADJ 调整信号

CiP～C1P、CiN～C1N、CxP、CxN 电容

CA 电容阵列

Cu 单位电容值

Di～D0、Dx 位

DOUT 数字输出信号

Ni～N1、Pi～P1、SAM 采样信号

VIN 输入电压

VP 电压

Wi～W0 权重

具体实施方式

请参考图1，图1为本发明实施例一模拟数字转换装置10的示意图。模拟数字转换装置10可为一逐次逼近寄存器型模拟数字转换器，用来将一模拟输入电压VIN转换为一数字输出信号DOUT。如图1所示，模拟数字转换装置10包括一转换模块100、一控制模块102以及一校准模块104。转换模块100包括一采样与保持单元106及一比较单元108，用来根据采样信号SAM、Pi～P1、Ni～N1，采样模拟输入电压VIN以产生一比较电压VP，并根据比较电压VP产生一比较信号VOUT。其中，采样与保持单元106包括一电容阵列CA，且电容阵列CA中多个电容CiP～C1P、CiN～C1N(未绘示于图1)中每一电容耦接于采样信号Pi～P1、Ni～N1其中之一与比较电压VP之间。控制模块102根据比较信号VOUT，调整采样信号SAM、Pi～P1、Ni～N1，以取得数字输出信号DOUT的位Di～D0，其中位Di～D1分别对应于权重Wi～W1，且位Di～D1对应于采样信号Pi～P1、Ni～N1。此外，权重Wi～W1正比于电容CiP～C1P、CiN～C1N的电容值。校准模块104用来根据数字输出信号DOUT，通过一调整信号ADJ调整采样与保持单元106中电容CiP～C1P、CiN～C1N的电容值，以消除制程漂移所产生的非理想效应。

详细来说，当模拟数字转换装置10起始运作时，采样与保持单元106根据采样信号SAM，采样模拟输入电压VIN来产生一比较电压VP。比较单元108根据比较电压VP，产生比较信号VOUT至控制模块102。根据比较信号VOUT，控制模块102首先产生数字输出信号DOUT的最大有效位Di，并根据位Di调整采样信号Pi、Ni。在采样与保持单元106根据采样信号Pi、Ni通过电容CiP～C1P、CiN～C1N调整比较电压VP后，控制模块102根据比较信号VOUT，产生位于位Di之后的位Di-1，并根据位Di-1调整采样信号Pi-1、Ni-1，以此类推。通过重复上述流程，控制模块102可依序产生数字输出信号DOUT的位Di～D1，其中位Di～D1分别对应于权重Wi～W1，且权重Wi～W1正比于电容CiP～C1P、CiN～C1N的电容值。控制模块102并在取得位D1且根据位D1调整采样信号P1、N1后，根据比较信号VOUT产生位D0。

接下来，校准模块104会根据控制模块102所产生的数字输出信号DOUT的位Di～D0，调整电容阵列CA中电容CiP～C1P、CiN～C1N的电容值。当位Di～D1(即位D10～D0中除去最低有效位D0的位)中一位Dx相异于位Di～D1位于位Dx与位D0之间的位(即位Dx-1～D1)时，校准模块104根据位Dx、D0调整电容CiP～C1P、CiN～C1N中对应于位Dx的电容CxP、CxN的电容值。若位Dx相异于位Dx-1～D1且位Dx相异于位D0，校准模块104通过调整信号ADJ减少电容CxP、CxN的电容值；而若位Dx相异于位Dx-1～D1且位Dx相同于位D0，校准模块104通过调整信号ADJ增加电容CxP、CxN的电容值。据此，校准模块104可消除由电容阵列CA中电容CiP～C1P、CiN～C1N间不匹配所产生的非理想效应。

关于图1所示模拟数字转换装置10详细运作方式，举例说明如下。请参考图2，图2为图1所示模拟数字转换装置10一实现方式的示意图。在图2中，模拟数字转换装置10为一10位逐次逼近寄存器型模拟数字转换器，模拟输入电压VIN为输入端INP的电压VINP与输入端INN的电压VINN间的电压差(即VIN＝VINP-VINN)，比较电压VP为比较单元108输入端CINP的比较电压VPP与输入端CINN的比较电压VPN间的电压差(即VP＝VPP-VPN)。采样与保持单元106包括开关SW1、SW2及一电容阵列CA，电容阵列CA包括电容C1P～C10P及C1N～C10N，其中电容C1P～C10P分别耦接于采样信号P1～P10与输入端VPP之间，而电容C1N～C10N分别耦接于采样信号N1～N10与输入端VPN之间。电容C1P、C1N对应于位D1，且电容C1P、C1N的电容值正比于权重W1；电容C2P、C2N对应于位D2，且电容C2P、C2N的电容值正比于权重W2，以此类推。在此实施例中，权重W10～W1分别为[512 256 128 64 32 16 8 4 2 1]。电容C10P、C10N的电容值为256Cu(Cu为一单位电容值)，电容C9P、C9N的电容值为128Cu，以此类推。需注意的是，电容C1P、C1N的电容值被设计为等于电容C2P、C2N的电容值Cu。

当图2所示模拟数字转换装置10起始运作时，控制模块102切换采样信号SAM，以断开开关SW1、SW2。此时，比较电压VP等于模拟输入电压VIN，采样信号P10～P1、N10～N1都为模拟数字转换装置10中一电源电压VDD。接下来，比较单元108根据比较电压VP，产生比较信号VOUT。根据比较信号VOUT，控制模块102产生数字输出信号DOUT的位D10。当比较电压VPP大于比较电压VPN时，控制模块102调整位D10为高逻辑准位(即〝1〞)，并将采样信号P10调整为地端电压及维持采样信号N10维持为电源电压VDD；而当比较电压VPP小于比较电压VPN时，控制模块102调整位D10为低逻辑准位(即〝0〞)，并将采样信号P10维持在电源电压VDD及将采样信号N10调整为地端电压。在产生位D10并据以调整采样信号P10、N10后，比较单元108依据调整后的比较电压VPP、VPN，产生位D9并经由控制模块102调整采样信号P9、N9。通过重复实施产生位D10、D9的流程，控制模块102可依序产生数字输出信号DOUT的位D8～D1。在取得位D1且根据位D1调整采样信号P1、N1后，控制模块102根据比较信号VOUT产生位D0。

由于电容C1P～C10P及C1N～C10N的电容值可能会因制程漂移而偏离原始设计值，因此校准模块104会根据控制模块102所产生的位D10～D0，调整电容C1P～C10P及C1N～C10N的电容值，以消除制程漂移所造成的影响。为了方便说明，在以下叙述中电压及信号都以数字权重表示。在一实施例中，模拟输入电压VIN(即比较电压VP的初始值)理想的数字权重为512，且电容C10P、C10N偏移原始设计值而使得权重W10变为权重W10’。根据前述流程，控制模块102会产生1000000000作为位D10～D1。此时，电压VP＝512-W10'+256+128+64+32+16+8+4+2+1＝1023-W10'。若电容C10P、C10N的电容值因制程漂移而变为大于原始设计值256Cu(即权重W10’大于原始设计值512)，控制模块102会取得〝0〞作为位D0；而若电容C10P、C10N的电容值因制程漂移而变为小于原始设计值256Cu，则控制模块102会取得〝1〞作为位D0。因此，当位D10相异于位D9～D1且位D10相异于位D0时，校准模块104可判断电容C10P、C10N的电容值变为大于原始设计值256Cu，从而通过调整信号ADJ降低电容C10P、C10N的电容值；而当位D10相异于位D9～D1且位D10相同于位D0时，校准模块104可判断电容C10P、C10N的电容值变为小于等于原始设计值256Cu，并通过调整信号ADJ提升电容C10P、C10N的电容值。

根据上述调整电容C10P、C10N电容值的原理，校准模块104可根据位D10～D0调整电容C10P～C1P、C10N～C1N的电容值，以消除电容C10P～C1P、C10N～C1N间不匹配所产生的非理想效应。

请参考图3，图3为图2所示模拟数字转换装置10运作时相关信号的示意图。在图3中，电容C10P、C10N因制程变异偏离原始设计值，而使得权重W10由512变为513。在第1次转换程序，控制模块102所取得的位D10～D0为01111111111。由于位D10相异于位D9～D1且位D10相异于位D0，校准模块104通过调整信号ADJ降低电容C10P、C10N的电容值一位阶(如降低0.25Cu)，以使权重W10降低0.5。相似地，在第2、3次转换程序，控制模块102所取得的位D10～D0也为01111111111。由于位D10相异于位D9～D1且位D10相异于位D0，校准模块104通过调整信号ADJ降低电容C10P、C10N的电容值，以使权重W10在第2、3次转换程序中各降低0.5。

在第4次转换程序中，控制模块102所取得的位D10～D0为01111111110。由于位D10相异于位D9～D1且位D10相同于位D0，校准模块104通过调整信号ADJ提升电容C10P、C10N的电容值一位阶(如提升0.25Cu)，以使权重W10增加0.5。接下来，在第5次转换程序，控制模块102所取得的位D10～D0为01111111111。由于位D10相异于位D9～D1且位D10相异于位D0，校准模块104通过调整信号ADJ降低电容C10P、C10N的电容值，以使权重W10降低0.5。最后，在第6次控制模块102所取得的位D10～D0为01111111110。由于位D10相异于位D9～D1且位D10相同于位D0，校准模块104通过调整信号ADJ提升电容C10P、C10N的电容值(如提升0.25Cu)，以使权重W10增加0.5。

由图3可知，在模拟数字转换装置10中电容C10P、C10N的电容值因制程变异偏离原始设计值情况下，校准模块104可在控制模块102产生特定的数字输出信号DOUT时，通过调整信号ADJ将电容C10P、C10N的电容值校准回原始设计值(如256Cu)。在电容C10P、C10N的电容值被调整回原始设计值后(如图3中第3次转换程序后)，电容C10P、C10N的电容值会在原始设计值及与原始设计值相差一位阶的电容值间(如256Cu及255.75Cu)切换。为了使电容C10P、C10N的校准后的电容值趋近于原始设计值，校准模块104可将每次调整电容值的位阶缩小(如由0.25Cu缩小至0.125Cu)。

在上述实施例中，校准模块在数字输出信号为特定样式时，调整模拟数字转换装置的电容阵列中电容的电容值，以消除电容阵列中电容间不匹配所产生的非理想效应。此外，由于校准模块是在数字输出信号为特定样式时调整电容阵列中电容的电容值，因此只要模拟输入电压包括对应于特定样式的模拟电压，校准模块即可校准电容阵列中电容间的不匹配。举例来说，模拟输入电压VIN可为如正弦波电压、斜波电压、随机电压等，且不限于此。换句话说，校准模块不限于模拟数字转换装置停止运作时进行校准程序，而可在模拟数字转换装置正常运作时进行校准程序。

根据不同应用及设计理念，本领域技术人员应可据以实施合适的更动及修改。举例来说，模拟数字转换器10可累计数字输出信号DOUT中每一特定样式所出现的次数，并在一特定样式的累积出现次数超过一阈值时，调整电容阵列CA，以增加校准准确度。举例来说，图2所示的模拟数字转换器10可分别计数数字输出信号DOUT为10000000000及10000000001的次数。当数字输出信号DOUT为10000000000的次数达到5次时(即阈值为4)，模拟数字转换器10降低电容阵列CA中电容C10P、C10N的电容值；而当数字输出信号DOUT为10000000001的次数达到5次时，模拟数字转换器10则增加电容阵列CA中电容C10P、C10N的电容值。

此外，第1、2图所示的模拟数字转换装置10实现于差动输入架构。本领域技术人员应可据以实施合适的更动及修改，从而改以单端输入架构来实现模拟数字转换装置10。在以单端输入架构实现的模拟数字转换装置中，输入电压VIN耦接于转换模块中比较单元的单一输入端。也就是说，比较电压VP为比较单元的单一输入端上的电压值。

进一步地，图2所示的模拟数字转换装置10也可仅调整电容C10P～C1P、C10N～C1N中部份电容的电容值。在一实施例中，图2所示的模拟数字转换装置10中电容C10P～C8P、C10N～C8N为可变电容且电容C7P～C1P、C7N～C1N为固定电容。在此状况下，校准模块104根据数字输出信号DOUT的位D10～D0，调整电容C10P～C8P、C10N～C8N的电容值。在此实施例中，校准模块104在数字输出信号DOUT的位D10～D8其中之一相异于本身及位D0之间的位时，调整电容C10P～C8P、C10N～C8N的电容值。举例来说，当数字输出信号DOUT的位D9相异于位D8～D1且位D9相异于位D0时，校准模块104降低电容C9P、C9N的电容值；而当数字输出信号DOUT的位D9相异于位D8～D1且位D9相同于位D0时，校准模块104提升电容C9P、C9N的电容值。在另一实施例中，图2所示的模拟数字转换装置10可调整电容C10P～C6P、C10N～C6N的电容值，且维持电容C5P～C1P、C5N～C1N的电容值不变。模拟数字转换装置10调整电容C10P～C6P、C10N～C6N的电容值的详细运作方式可参照上述，为求简洁在此不赘述。

根据不同应用及设计理念，模拟数字转换装置10的电容C10P～C1P、C10N～C1N中可变电容及固定电容的比例可被合适地调整。也就是说，只要电容C10P～C1P、C10N～C1N中具有至少一组可变电容(如电容C10P、C10N)，模拟数字转换装置10即可实施上述实施例中的校准流程，来调整可变电容的电容值。

此外，模拟数字转换装置10可还包括一储存模块(未绘示于图1、2)，用来储存校准模块104的校准结果。在此状况下，模拟数字转换装置10可在校准程序完成后将校准结果储存至储存模块。当模拟数字转换装置10下一次起始运作时，即可读取储存模块中所储存的校准结果，作为调整电容阵列CA的依据。储存单元可为唯读式存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random-Access Memory，RAM)、光碟唯读存储器(CD-ROM/DVD-ROM)、磁带(magnetic tape)、硬盘(hard disk)及光学数据储存装置(optical data storagedevice)等，而不限于此。

上述实施例中校准模块104调整电容阵列CA的流程可归纳为一校准方法40，如图4所示。校准方法40可用于一模拟数字转换装置中一校准模块。模拟数字转换装置用来将一模拟输入电压转换为具有多个位的数字输出信号，且多个位中除去一最低有效位以外的位分别对应于模拟数字转换装置中多个电容的电容值。校准方法40包括以下步骤：

步骤400：开始。

步骤402：侦测所述多个位中一第一位是否相异于所述多个位中位于所述第一位及所述最低有效位之间的位。

步骤404：当所述多个位中一第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述最低有效位之间的位时，根据所述第一位及所述最低有效位调整所述多个电容中对应于所述第一位的一第一电容的电容值。

步骤406：结束。

根据流程40，校准模块侦测数字输出信号的多个位中一第一位是否相异于所述多个位中位于第一位及最低有效位之间的位。当第一位相异于多个位中位于第一位及最低有效位之间的位时，校准模块根据第一位及最低有效位调整多个电容中对应于第一位的一第一电容的电容值。在一实施例中，当多个位中第一位相异于多个位中位于第一位及多个位中最低有效位之间的位且第一位相异于最低有效位时，校准模块降低对应于第一位的第一电容的电容值。在另一实施例中，当多个位中第一位相异于多个位中位于第一位及多个位中最低有效位之间的位且第一位相同于最低有效位时，校准模块提升对应于第一位的第一电容的电容值。

在又另一实施例中，校准模块计数所述多个位中所述第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述多个位中所述最低有效位之间的位且所述第一位相异于所述最低有效位的次数作为一第一次数；并计数所述多个位中所述第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述多个位中所述最低有效位之间的位且所述第一位相同于所述最低有效位的次数作为一第二次数。当所述第一次数或所述第二次数超过一阈值时，校准模块调整对应于第一位的第一电容的电容值。

根据不同应用及设计理念，校准模块104可以各式各样的方式实现。举例来说，请参考图5，图5为本发明实施例中一校准模块50的示意图。校准模块50用于一模拟数字转换装置，其包括一处理单元500以及一储存单元510。处理单元500可为一微处理器或一特定应用集成电路(Application-Specific Integrated Circuit，ASIC)。储存单元510可为任一数据储存装置，用来储存一程序代码514，处理单元500可通过储存单元510读取及执行程序代码514。举例来说，储存单元510可为唯读式存储器、随机存取存储器、光碟唯读存储器、磁带、硬盘及光学数据储存装置等，而不限于此。

在一实施例中，校准方法40可被编译成程序代码514，以使校准模块50根据程序代码514，实施步骤400～406来调整模拟数字转换装置中多个电容的电容值，从而消除模拟数字转换装置中的非理想效应。

综上所述，上述实施例中校准模块可根据模拟数字转换装置的数字输出信号，调整模拟数字转换装置中多个电容的电容值。如此一来，模拟数字转换装置不需使用复杂的演算法，即可消除因制程漂移所造成的非理想效应。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种模拟数字转换装置，包括：

一转换模块，用来根据多个采样信号，采样一输入电压，以产生一比较电压，及用来根据所述比较电压产生一比较信号，其中所述转换模块包括多个电容，且所述多个电容中每一电容耦接于所述多个采样信号其中之一与所述比较电压之间；

一控制模块，用来根据所述比较信号，调整所述多个采样信号，以产生对应于所述输入电压的一数字信号，其中所述数字信号的多个位中除去一最低有效位以外的位分别对应于所述多个电容的电容值；以及

一校准模块，用来在所述数字信号符合多个样式的其中一者时，调整所述多个电容的其中一者的电容值，

其中所述校准模块计数所述多个位中一第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述多个位中所述最低有效位之间的位且所述第一位相异于所述最低有效位的次数作为一第一次数，

其中所述校准模块计数所述多个位中所述第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述多个位中所述最低有效位之间的位且所述第一位相同于所述最低有效位的次数作为一第二次数，

其中所述校准模块在所述第一次数或所述第二次数超过一阈值时，调整所述多个电容的一第一电容的电容值。

2.如权利要求1所述的模拟数字转换装置，其特征在于所述校准模块是在所述多个位中所述第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述多个位中所述最低有效位之间的位且所述第一位相异于所述最低有效位时，降低所述第一电容的电容值。

3.如权利要求1所述的模拟数字转换装置，其特征在于所述校准模块是在所述多个位中所述第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述多个位中所述最低有效位之间的位且所述第一位相同于所述最低有效位时，提升所述第一电容的电容值。

4.如权利要求1所述的模拟数字转换装置，其特征在于所述多个电容中包括至少一可变电容及至少一固定电容，且所述校准模块根据所述数字信号调整所述至少一可变电容的电容值。

5.如权利要求1所述的模拟数字转换装置，其特征在于所述比较电压是所述转换模块的一第一输入端与一第二输入端间的电压差。

6.如权利要求1所述的模拟数字转换装置，其特征在于所述比较电压是所述转换模块的一输入端的电压。

7.如权利要求1所述的模拟数字转换装置，还包括：

一储存单元，用来储存所述多个电容校准过后的电容值。

8.一种校准方法，用于一模拟数字转换装置，所述模拟数字转换装置将一模拟输入电压转换为具有多个位的数字输出信号，且所述多个位中除去一最低有效位以外的位分别对应于所述模拟数字转换装置中多个电容的电容值，所述校准方法包括：

侦测所述多个位中一第一位是否相异于所述多个位中位于所述第一位及所述最低有效位之间的位；

计数所述多个位中所述第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述多个位中所述最低有效位之间的位且所述第一位相异于所述最低有效位的次数作为一第一次数；

计数所述多个位中所述第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述多个位中所述最低有效位之间的位且所述第一位相同于所述最低有效位的次数作为一第二次数；

当所述第一次数或所述第二次数超过一阈值时，根据所述第一位及所述最低有效位调整所述多个电容中对应于所述第一位的一第一电容的电容值。

9.一种校准模块，用于一模拟数字转换装置，其特征在于所述模拟数字转换装置将一模拟输入电压转换为具有多个位的数字输出信号，且所述多个位中除去一最低有效位以外的位分别对应于所述模拟数字转换装置中多个电容的电容值，所述校准模块包括：

一处理单元；以及

一储存单元，用来储存一程序代码，所述程序代码指示所述处理单元执行以下步骤：

侦测所述多个位中一第一位是否相异于所述多个位中位于所述第一位及所述最低有效位之间的位；

计数所述多个位中所述第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述多个位中所述最低有效位之间的位且所述第一位相异于所述最低有效位的次数作为一第一次数；

计数所述多个位中所述第一位相异于所述多个位中位于所述第一位及所述多个位中所述最低有效位之间的位且所述第一位相同于所述最低有效位的次数作为一第二次数；以及

当所述第一次数或所述第二次数超过一阈值时，根据所述第一位及所述最低有效位调整所述多个电容中对应于所述第一位的一第一电容的电容值。

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