CN106252375A - 柔性显示器和制造柔性显示器的方法 - Google Patents
柔性显示器和制造柔性显示器的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106252375A CN106252375A CN201610319931.7A CN201610319931A CN106252375A CN 106252375 A CN106252375 A CN 106252375A CN 201610319931 A CN201610319931 A CN 201610319931A CN 106252375 A CN106252375 A CN 106252375A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- sacrifice layer
- barrier layer
- flexible display
- sacrifice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 110
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 236
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 acrylic acid organic compound Chemical class 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKDOPXIRDUMXGP-UHFFFAOYSA-K calcium lithium trifluoride Chemical compound [Li]F.F[Ca]F AKDOPXIRDUMXGP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N ctk1a7239 Chemical compound C12=CC=CC=C2N2CC=CC3=NC=CC1=C32 VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- UHPJWJRERDJHOJ-UHFFFAOYSA-N ethene;naphthalene-1-carboxylic acid Chemical compound C=C.C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 UHPJWJRERDJHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
公开了柔性显示器和制造柔性显示器的方法。在一个方面，该方法包括在支承衬底上形成牺牲层，其中牺牲层包括连续形成的多个图案以及形成在图案之间的多个槽。该方法还包括在牺牲层上形成显示单元、用水溶解并去除牺牲层、以及从支承衬底分离显示单元。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求在2015年6月10日提交于韩国知识产权局的第10-2015-0081983号韩国专利申请的权益，其公开通过引用整体并入本文。
技术领域
描述的技术总体上涉及柔性显示器和制造柔性显示器的方法。
背景技术
近年来，由于对柔性显示器的显著市场需求，已着重于对该技术的改善上进行活跃的研究。如合成树脂而非玻璃衬底的柔性衬底被用于实现这种显示器的柔性能力。然而，已存在着与在制造期间衬底的处理上存在困难有关的问题。相应地，为了解决这些问题，柔性衬底被形成在(刚性的)支承衬底上。在各种薄膜工艺被执行后，柔性衬底从支承衬底分离。
然而，在传统的制造中，因为塑料衬底是柔性的并且当在分离期间使用激光时自发射二极管受损，所以制造成本增加。
本背景技术部分公开的信息是在获得本发明构思之前由发明人已知的或者是在获得本发明构思的过程中获得的技术信息。因此，本背景技术部分公开的信息可包含不形成已经被公众所知的现有技术的信息。
发明内容
一个发明方面涉及在结构和制造工艺方面得到简化的柔性显示器及其制造方法。
另一个方面是解决以上问题和其它问题的在结构和制造工艺方面得到简化的柔性显示器及其制造方法。
另一个方面是柔性显示器设备的制造方法，该制造方法包括：在支承衬底上形成牺牲层，牺牲层具有连续形成的图案和形成在图案之间的槽；在牺牲层上形成显示单元以实现图像；通过使用水来溶解并去除牺牲层；以及将显示单元与支承衬底分离。
在形成牺牲层中，牺牲层可包括钼和氧。
在形成牺牲层中，图案可包括连续形成的多边形、圆形或椭圆形的形状。
形成显示单元可包括：在牺牲层上形成包括无机化合物的阻挡层；在阻挡层上形成半导体层；以及将发光装置形成为电连接至半导体层。
在形成阻挡层中，阻挡层的至少一部分可通过形成在牺牲层中的槽与支承衬底接触。
将显示单元与支承衬底分离可包括从支承衬底分离阻挡层。
牺牲层可包括与阻挡层接触的上表面和与支承衬底接触的下表面，阻挡层可包括与牺牲层接触的第一表面和与第一表面相对布置的第二表面，以及从支承衬底分离的阻挡层的第一表面可形成为与牺牲层的上表面对应。
阻挡层的第一表面可包括连续形成的突出部分和凹陷部分。
该制造方法还可包括在分离显示单元与支承衬底后，将保护膜附接至阻挡层的第一表面。
突出部分可与保护膜接触。
在阻挡层的第一表面与保护膜之间的凹陷部分中可形成有分离空间。
在阻挡层的凹陷部分中可存在有牺牲层的残余物。
另一方面是柔性显示设备，该柔性显示设备包括：阻挡层，具有连续形成有突出部分和凹陷部分的第一表面和与第一表面相对布置的第二表面；薄膜晶体管，形成在阻挡层的第二表面上；以及有机发光装置，电连接至薄膜晶体管。
在凹陷部分的至少一部分中可布置有包括钼和氧的材料。
柔性显示设备还可包括形成在阻挡层的第一表面上的保护膜，并且保护膜可与突出部分接触。
在阻挡层的第一表面与保护膜之间的凹陷部分中可形成有分离空间。
阻挡层可包括无机化合物。
另一方面是制造柔性显示器的方法，该制造方法包括：在支承衬底上形成牺牲层，其中牺牲层包括连续形成的多个图案和形成在图案之间的多个槽；在牺牲层上形成显示单元；用水溶解并去除牺牲层；以及在去除牺牲层后，从支承衬底分离显示单元。
在上述方法中，牺牲层包括钼和氧。在上述方法中，图案中的每个具有多边形、圆形或椭圆形的形状。在上述方法中，形成显示单元包括：在牺牲层上形成包括无机化合物的阻挡层；在阻挡层上形成半导体层；以及形成待电气连接至半导体层的发光装置。在上述方法中，阻挡层的至少一部分通过形成在牺牲层中的槽与支承衬底接触。在上述方法中，分离包括从支承衬底分离阻挡层。在上述方法中，牺牲层包括与阻挡层接触的上表面和与支承衬底接触的下表面，其中阻挡层包括与牺牲层接触的第一表面和与第一表面相对布置的第二表面，以及其中从支承衬底分离的阻挡层的第一表面与牺牲层的上表面对应。
在上述方法中，阻挡层的第一表面包括连续形成的多个突出部分和多个凹陷部分。上述方法还包括：在分离后，将保护膜附接至阻挡层的第一表面。在上述方法中，突出部分与保护膜接触。在上述方法中，在阻挡层的第一表面与保护膜之间的凹陷部分中形成有分离空间。在上述方法中，在阻挡层的凹陷部分中存在有牺牲层的残余物。
另一方面是柔性显示设备，包括：阻挡层，包括彼此相对的第一表面和第二表面，其中在第一表面上连续形成有多个突出部分和多个凹陷部分；薄膜晶体管，形成在阻挡层的第二表面上；以及有机发光装置，电气连接至薄膜晶体管。
在上述柔性显示设备中，在凹陷部分的至少一部分中布置有包括钼和氧的材料。上述柔性显示设备还包括：保护膜，形成在阻挡层的第一表面上，其中保护膜与突出部分接触。在上述柔性显示设备中，在阻挡层的第一表面与保护膜之间的凹陷部分中形成有分离空间。在上述柔性显示设备中，阻挡层包括无机化合物。
另一方面是制造柔性显示器的方法，该方法包括：在支承衬底上形成牺牲层，其中牺牲层包括多个突起和形成在突起之间的多个槽；在牺牲层上形成显示单元；去除牺牲层；以及从支承衬底分离显示单元。
在上述方法中，突起中的每个具有多边形、圆形或椭圆形的形状。在上述方法中，去除包括用水溶解牺牲层。
附图说明
通过结合附图对示例性实施方式进行的以下描述，这些和/或其它方面将变得显而易见和更易于理解。
图1是示意性地示出了根据实施方式的柔性显示设备的制造方法的剖视图。
图2A至图2E是示意性地示出了图1的牺牲层的图案的实施方式的平面图。
图3至图5是示意性地示出了图1的柔性显示设备的制造方法的剖视图。
图6是示意性地示出了根据实施方式的柔性显示设备的剖视图。
图7是示意性地示出了根据实施方式的柔性显示设备的剖视图。
图8是图7的柔性显示设备的部分VIII的放大剖视图。
具体实施方式
本示例性实施方式可具有不同的形式并且不应被理解为受限于本文所陈述的描述。相应地，示例性实施方式在以下仅通过参照附图进行描述以解释本说明书的方面。
现在将具体对附图中示出了其示例的示例性实施方式作为参照，其中在全文中相同的附图标记指代相同的元件。
将理解，虽然用语“第一”、“第二”等可在本文中被用来描述各种部件，但是这些部件不应被这些用语限制。这些用语仅用于将一个部件与另一个部件区分开。
还将理解，本文使用的用语“包括”和/或“包括有”说明所陈述的特征或部件的存在，而不排除一个或多个其它特征或部件的存在或附加。将理解，当层、区域或部件被称为形成在另一层、区域或部件“上”时，该层、区域或部件可直接或间接地形成在该另一层、区域或部件上。即，例如，可存在有中间层、区域或部件。
为了便于解释，附图中元件的尺寸可被夸大。换言之，由于附图中的部件的尺寸和厚度被任意地示出以便于解释，所以以下实施方式不受其限制。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而可用更宽的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可相互垂直，或者可代表不相互垂直的不同的方向。
当某个实施方式可通过不同的方式实现时，具体工艺顺序可以不同于所描述顺序的顺序来执行。例如，两个连续描述的工艺可基本同时执行或以与描述顺序相反的顺序执行。在本公开中，用语“基本上(substantially)”包括“完全地”的意思、“几乎完全地”的意思、或者在一些应用下并且根据本领域技术人员的任何显著的程度的意思。用语“连接”包括电气连接。
图1和图3至图5是示意性地示出了根据实施方式的柔性显示设备的制造方法的剖视图，而图2A至图2E是示意性地示出了图1的牺牲层的图案的实施方式的平面图。
参照图1，制造方法包括提供支承衬底10。支承衬底10可以是刚性元件以在制造工艺期间作为支承主体，并且可以是玻璃、金属或无机材料，例如陶瓷。
其后，在支承衬底10上形成牺牲层20。牺牲层20可以是金属氧化物并且可以是水溶性材料。在本实施方式中，牺牲层20是包括钼(Mo)和氧(O)的化合物，例如具有MoOx的化合物结构的氧化钼。
牺牲层20可形成为具有在图2A至图2E中示出的各种图案。在图2A至图2E中分别示出的牺牲层20a、20b、20c、20d和20e可具有用直线或曲线重复形成的图案，并且槽20a'、20b'、20c'、20d'和20e'可形成在图案之间。每个图案可包括突起。槽20a'-20e'可被置于突起之间或可围绕突起。
如图2A中所示，在一些实施方式中，正方形图案连续排列在牺牲层20a中，并且槽20a'可沿水平方向(X轴方向)和竖直方向(Y轴方向)形成。如图2B中所示，在另一个实施方式中，菱形图案在对角线方向上连续排列以形成牺牲层20b，并且槽20b'形成在牺牲层20b的图案之间。如图2C中所示，在另一个实施方式中，三角形图案连续排列以形成牺牲层20c，并且槽20c'形成在牺牲层20c的图案之间。如图2D中所示，在另一个实施方式中，圆形图案连续排列以形成牺牲层20d，并且槽20d'形成在牺牲层20d的图案之间。如图2E中所示，在另一个实施方式中，四边形图案(例如，平行四边形)连续排列以形成牺牲层20e，并且槽20e'形成在牺牲层20e的图案之间。虽然为了便于说明，在图2A至图2E中示出了具有各种图案的牺牲层20a、20b、20c、20d和20e，但是只要图案之间形成有槽则可形成为任何形状。
参照图3，显示单元200形成在图案化的牺牲层20a上以实现图像。显示单元200可包括薄膜晶体管(TFT)和电气连接至薄膜晶体管的发光装置。发光装置可以是液晶装置或有机发光装置。本实施方式示出了设置有有机发光装置的柔性显示设备。将随后参考图6描述显示单元200的具体结构。
在形成显示单元200后，在显示单元200上可形成封装单元300。虽未示出，但是封装单元300可以是用多于一个无机层和有机层堆叠的多层结构。封装单元300可将显示单元200与环境隔离以防止由水和氧气对显示单元200造成的损伤。
参照图4，图案化的牺牲层20a可通过使用蚀刻剂30去除。图案化的牺牲层20a通过蚀刻剂30的去除可包括通过水溶解图案化的牺牲层20a。如上所述，在一些实施方式中，由于牺牲层20a是具有水溶性的氧化钼，所以牺牲层20a可通过将水滴入牺牲层20a中来溶解。牺牲层20a可通过将牺牲层20a浸入装有水的水箱中来去除，并且各种方法可以是可用的。在溶解牺牲层20a的工艺期间，因为蚀刻剂30的在图案化的牺牲层20a之间渗透的路径增加，所以牺牲层20a可被有效地去除。
在牺牲层20a被水溶解后，显示单元200从支承衬底10分离。如图5中所示，从牺牲层20a分离的显示单元200的下部可根据牺牲层20a的图案形成为具有弯曲。
传统地，激光剥离(LLO)用于将显示单元从支承衬底分离。像这样，如果在使用激光设备进行激光扫描后执行脱离，则由于在激光设备的维护费用方面的增加而导致损耗费用增加以及最终产品的制造成本增加。另外，存在着由于激光设备的整个激光束照射所需的长激光扫描时间而导致的生产率下降的问题，以及存在着由于显示单元的部件被激光扫描损伤而导致的制造产量减小的问题。另外，由于必须形成例如聚酰亚胺(PI)衬底的柔性衬底以用于激光扫描，所以还存在着制造成本增加的问题以及柔性因柔性衬底的厚度而降低的问题。
相应地，根据本实施方式，不使用激光设备。但是，通过形成可被水溶解的水溶性的牺牲层20a以及通过在图案化牺牲层时在图案之间形成槽来增加与水的接触面积，牺牲层20a可被有效地溶解。此外，由于不使用激光设备以及不提供柔性衬底，所以制造成本可被降低，并且通过减小柔性显示设备的整体厚度，柔性可被进一步改善。
图6是示意性地示出了根据实施方式的柔性显示设备的剖视图。在图6中，将在下文中具体地描述显示单元200的结构。
在形成显示单元200之前，在牺牲层20a上形成包括无机化合物的阻挡层201。阻挡层201可防止杂质被引入到包括在显示单元200中的薄膜晶体管TFT或有机发光装置(例如，OLED)240中。阻挡层201可以是包括如氧化硅或氮化硅的材料的单层或多层。
阻挡层201可直接布置在图案化的牺牲层20a上并且形成为在从牺牲层20a分离后如图6中所示具有与牺牲层20a的图案的上表面对应的弯曲。在图中，具有弯曲的不平坦的图案形成在阻挡层201的直接与牺牲层20a接触的下表面上。虽然阻挡层201的供半导体层202(将在稍后描述)布置于其上的上表面被示出为平坦的，但是取决于牺牲层20a的图案的尺寸，整个阻挡层201可根据牺牲层20a的图案形成为具有弯曲。在这种情况下，在阻挡层201上可形成有另一个阻挡层以使得薄膜晶体管TFT形成在平坦的表面上。
同时，牺牲层20a可具有上表面和下表面。牺牲层20a的上表面与阻挡层201接触，而牺牲层20a的下表面与支承衬底10接触。阻挡层201可具有与牺牲层20a的上表面接触的第一表面和与第一表面相对布置的第二表面。在此，阻挡层201的与牺牲层20a的上表面接触的第一表面可形成为与牺牲层20a的上表面对应。相应地，如图6中所示，阻挡层201的第一表面可形成为在从支承衬底10分离后具有不平坦的图案，其中该不平坦的图案具有与牺牲层20a的上表面对应的弯曲。
薄膜晶体管TFT和电容器CAP可形成在阻挡层201上，并且有机发光装置240可布置为电气连接至薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可包括半导体层202、栅电极204、源电极206s和漏电极206d，其中半导体层202包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。将在以下具体描述薄膜晶体管TFT的一般结构。
如上所述，上述包括氧化硅或氮化硅的阻挡层201布置为使供薄膜晶体管TFT形成于其上的表面平坦化以及防止杂质被引入到薄膜晶体管TFT的半导体层202中，并且随后，半导体层202可形成在阻挡层201上。
栅电极204形成在半导体层202的上侧上，并且源电极206s和漏电极206d根据施加至栅电极204的信号彼此电气联通。考虑到与相邻层的粘合度、待堆叠的层的表面平坦度和可加工性，栅电极204可以是包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、和铜(Cu)中的至少一种材料的单层或多层。
在此，在半导体层202与栅电极204之间可布置包括氧化硅和/或氮化硅的栅绝缘层203以在半导体层202与栅电极204之间提供绝缘。
在栅电极204上可形成层间绝缘层205，并且层间绝缘层205可以是包括如氧化硅或氮化硅的材料的单层或多层。
源电极206s和漏电极206d形成在层间绝缘层205上。源电极206s和漏电极206d通过形成在栅绝缘层203和层间绝缘层205中的接触孔电气连接至半导体层202。考虑到电导率，源电极206s和漏电极206d可以是包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、和铜(Cu)中的至少一种材料的单层或多层。
同时，虽然未在图中示出，但是保护层(未示出)可形成为覆盖薄膜晶体管TFT以保护薄膜晶体管TFT的这种结构。保护层可以是如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机化合物。
同时，第一绝缘层207可形成为覆盖薄膜晶体管TFT。在这种情况中，第一绝缘层207可以是平坦化层或保护层。第一绝缘层207可在有机发光装置240布置在薄膜晶体管TFT上时平坦化薄膜晶体管TFT的上表面，并且也保护该薄膜晶体管TFT和各种元件。第一绝缘层207可包括丙烯酸有机化合物或苯并环丁烯(BCB)。在此，阻挡层201、栅绝缘层203、层间绝缘层205和第一绝缘层207可形成在显示单元200的整个区域上。
同时，在形成第一绝缘层207后，可形成第二绝缘层208。在这种情况下，第二绝缘层208可以是像素限定层。第二绝缘层208可布置在上述第一绝缘层207上并且可具有开口。第二绝缘层208可限定像素区域。
第二绝缘层208可以是有机绝缘层。有机绝缘层可包括丙烯酸聚合物，如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、具有苯酚族的聚合物衍生物、酰亚胺聚合物、丙烯酯类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物及其混合物。
有机发光装置240可包括像素电极210、具有发射层EML的中间层220和相对电极230。
在形成第二绝缘层208之前，可在形成第一绝缘层207之后在第一绝缘层207上形成像素电极210。像素电极210可以是半透明电极或反射电极。当半透明电极形成为像素电极210时，该半透明电极可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或铝锌氧化物(AZO)。当反射电极形成为像素电极210时，该反射电极可包括具有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)及其混合物的反射层以及包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或铝锌氧化物(AZO)的层。本发明构思不限于此。各种材料可以是可用的，并且其结构可被多样地改变为例如单层或多层。
在形成像素电极210后，第二绝缘层208可形成为覆盖像素电极210的边界。中间层220可形成在由第二绝缘层208限定的像素区域上。中间层220可包括根据电信号发光的发射层EML。除发射层EML以外，中间层220可以是包括布置在发射层EML与像素电极210之间的空穴注入层HIL和空穴传输层HTL以及布置在发射层EML与相对电极230之间的电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个的单层或复合结构。然而中间层220不限于此，而可具有各种结构。
覆盖包括发射层EML的中间层220并且与像素电极210相对布置的相对电极230可形成在显示单元200的整个区域上。相对电极230可以是(半)透明电极或反射电极。如果相对电极230包括(半)透明电极，则相对电极230可包括包含有锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂钙(LiF/Ca)、氟化锂铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或其混合物的层，以及铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)的(半)透明导电层。如果相对电极230包括反射电极，则相对电极230可包括包含有锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂钙(LiF/Ca)、氟化锂铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或其混合物的层。然而，相对电极230的结构和材料不限于此，并且相对电极230的结构和材料可以是可被多样地改变的。
同时，封装单元300可进一步形成在显示单元200上以将显示单元200与外部隔离。虽未在图中示出，但是封装单元300可以是包括至少一个无机层和有机层的多层。无机层和有机层可交替堆叠。
图7是示意性地示出了根据实施方式的柔性显示设备的剖视图，而图8是图7的柔性显示设备的部分VIII的放大视图。
参照图7，阻挡层201的第一表面可附加地附接有保护膜400。保护膜400可具有柔性并且可具有如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亚胺的塑料材料。保护膜400可从外部保护显示单元200并且必要时可在随后被去除。
参照图8，阻挡层201的第一表面可连续形成有突出部分201a和凹陷部分201b。突出部分201a和凹陷部分201b根据牺牲层20a的图案形成。即，凹陷部分201b形成在存在有牺牲层20a的图案的区域中，而突出部分201a形成在不存在牺牲层20a的图案的区域中，即，存在有槽的区域中。阻挡层201的突出部分201a可形成为与保护膜400直接接触。在保护膜400与阻挡层201的第一表面之间的凹陷部分201b中可形成有分离空间。
同时，在阻挡层201的凹陷部分201b中可存在有牺牲层20a的残余物。虽然根据本实施方式，牺牲层20a包括水溶性材料，但是布置在阻挡层201的凹陷部分201b中的牺牲层20a可不被完全地去除。
虽然以上已说明了柔性显示设备的制造方法，但是所描述的技术不限于此。例如，根据上述制造方法制造的任何柔性显示设备均可落入本发明构思的范围内。
将参照图7和图8说明根据实施方式的柔性显示设备。
显示单元200可形成在保护膜400上。保护膜400可在显示单元200从支承衬底10脱离之后附接至显示单元200。保护膜400保护显示单元200并且必要时可在随后被去除。
显示单元200可包括阻挡层201。阻挡层201可形成为防止杂质被引入到包括在显示单元200中的薄膜晶体管TFT和有机发光装置240中。阻挡层201可包括如氧化硅或氮化硅的无机化合物。阻挡层201可包括与保护膜400接触的第一表面和与第一表面相对布置的第二表面。阻挡层201的第一表面可具有形成有弯曲的不平坦的图案。
虽然阻挡层201的供半导体层202布置于其上的第二表面被示出为平坦的，但是整个阻挡层201可根据牺牲层20a的图案的尺寸具有与牺牲层20a的图案对应的弯曲。在这种情况下，在阻挡层201上可形成有附加的阻挡层以形成供薄膜晶体管TFT形成于其上的平坦的表面。
薄膜晶体管TFT和电容器CAP可形成在阻挡层201上，并且有机发光装置240可布置为电气连接至薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可包括半导体层202、栅电极204、源电极206s和漏电极206d，其中半导体层202包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。在以下对薄膜晶体管TFT的一般结构进行的说明中，关于其重复的描述将援引上面描述的制造方法。
阻挡层201布置为使供薄膜晶体管TFT形成于其上的表面平坦化并且防止杂质被引入到薄膜晶体管TFT的半导体层202中，并且随后半导体层202可形成在阻挡层201上。
栅电极204形成在半导体层202的上侧上，并且源电极206s和漏电极206d根据施加至栅电极204的信号彼此电气联通。在此，在半导体层202与栅电极204之间可布置有包括氧化硅和/或氮化硅的栅绝缘层203以在半导体层202与栅电极204之间提供绝缘。
层间绝缘层205可形成在栅电极204的上侧上，并且源电极206s和漏电极206d形成在层间绝缘层205上。源电极206s和漏电极206d通过形成在栅绝缘层203和层间绝缘层205中的接触孔电气连接至半导体层202。
同时，第一绝缘层207可形成为覆盖薄膜晶体管TFT。在这种情况下，第一绝缘层207可以是平坦化层或保护层。当有机发光装置240布置在薄膜晶体管TFT上时，第一绝缘层207可平坦化薄膜晶体管TFT的上表面，并且也保护薄膜晶体管TFT和各种元件。
同时，在已经形成第一绝缘层207后，可形成第二绝缘层208。在这种情况下，第二绝缘层208可以是像素限定层。第二绝缘层208可布置在上述第一绝缘层207上，并且可具有开口。第二绝缘层208可限定像素区域。
同时，有机发光装置240可形成在第二绝缘层208上。有机发光装置240可包括像素电极210、具有发射层EML的中间层220和相对电极230。关于有机发光装置240的重复描述将援引上面描述的说明。
同时，封装单元300可进一步形成在显示单元200上以将显示单元200从外部隔离。虽然未在图中示出，但是封装单元300可以是包括至少一个无机层和有机层的多层。无机层和有机层可交替堆叠。
如图8中所示，阻挡层201的第一表面可连续形成有突出部分201a和凹陷部分201b。突出部分201a和凹陷部分201b根据牺牲层20a的图案形成。即，凹陷部分201b形成在存在牺牲层20a的图案的区域中，而突出部分201a形成在不存在牺牲层20a的图案的区域中，即，在存在有槽的区域中。阻挡层201的突出部分201a可形成为与保护膜400直接接触。在保护膜400与阻挡层201的第一表面之间的凹陷部分201b中可形成有分离空间。
同时，在阻挡层201的凹陷部分201b中可存在有牺牲层20a的残余物。牺牲层20a可包括金属氧化物或水溶性材料。在本实施方式中，牺牲层20a可以是包括钼(Mo)和氧(O)的化合物，即，牺牲层20a可具有如氧化钼MoOx的化合物结构。虽然根据本实施方式，牺牲层20a包括水溶性材料，但是布置在阻挡层201的凹陷部分201b中的牺牲层20a可不被完全去除。
传统地(不必定是现有技术)，激光剥离(LLO)用于将显示单元从支承衬底分离。像这样，如果在使用激光设备进行激光扫描后执行脱离，则由于在激光设备的维护方面的费用的增加而导致损耗的费用增加以及最终产品的制造成本增加。另外，存在着由于激光设备的整个激光束照射所需的长激光扫描时间而导致的生产率下降的问题，以及存在着由于显示单元的部件被激光扫描损伤而导致的制造产量减小的问题。另外，由于必须形成例如聚酰亚胺(PI)衬底的柔性衬底以用于激光扫描，所以还存在着制造成本增加的问题以及柔性被柔性衬底的厚度降低的问题。
相应地，在根据本实施方式的柔性显示设备中，不使用激光设备。而是，通过形成可被水溶解的水溶性牺牲层20a以及通过在图案化牺牲层20a时在图案之间形成槽来增加与水的接触面积，牺牲层20a可被有效地被溶解。此外，由于不使用激光设备以及不提供柔性衬底，所以制造成本可被降低，并且通过减小显示设备的整体厚度，柔性可被进一步改善。
应理解，本文中描述的示例性实施方式应仅以描述性的含义来考虑，而不是出于限制的目的。对每个示例性实施方式内的特征或方面的描述应当典型地被考虑为可用于其它示例性实施方式中的其它相似的特征或方面。
虽然已参照附图描述了发明性技术，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由随附的权利要求书所限定的精神和范围的情况下，可在形式和细节上对本发明技术作出各种变化。
Claims (20)
1.制造柔性显示器的方法，所述方法包括：
在支承衬底上形成牺牲层，其中所述牺牲层包括连续形成的多个图案和形成在所述图案之间的多个槽；
在所述牺牲层上形成显示单元；
用水溶解并去除所述牺牲层；以及
在去除所述牺牲层后，从所述支承衬底分离所述显示单元。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括钼和氧。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案中的每个具有多边形、圆形或椭圆形的形状。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述显示单元包括：
在所述牺牲层上形成包括无机化合物的阻挡层；
在所述阻挡层上形成半导体层；以及
将发光装置形成为电连接至所述半导体层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述阻挡层的至少一部分通过形成在所述牺牲层中的所述槽与所述支承衬底接触。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述分离包括从所述支承衬底分离所述阻挡层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述牺牲层包括与所述阻挡层接触的上表面和与所述支承衬底接触的下表面，其中所述阻挡层包括与所述牺牲层接触的第一表面和与所述第一表面相对布置的第二表面，以及其中从所述支承衬底分离的所述阻挡层的所述第一表面与所述牺牲层的所述上表面对应。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述阻挡层的所述第一表面包括连续形成的多个突出部分和多个凹陷部分。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
在所述分离后，将保护膜附接至所述阻挡层的所述第一表面。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述突出部分与所述保护膜接触。
11.根据权利要求9所述的方法，其中在所述阻挡层的所述第一表面与所述保护膜之间的所述凹陷部分中形成有分离空间。
12.根据权利要求8所述的方法，其中在所述阻挡层的所述凹陷部分中存在有所述牺牲层的残余物。
13.柔性显示设备，包括：
阻挡层，包括彼此相对的第一表面和第二表面，其中在所述第一表面上连续形成有多个突出部分和多个凹陷部分；
薄膜晶体管，形成在所述阻挡层的所述第二表面上；以及
有机发光装置，电连接至所述薄膜晶体管。
14.根据权利要求13所述的柔性显示设备，其中在所述凹陷部分的至少一部分中布置有包括钼和氧的材料。
15.根据权利要求13所述的柔性显示设备，还包括：
保护膜，形成在所述阻挡层的所述第一表面上，
其中所述保护膜与所述突出部分接触。
16.根据权利要求15所述的柔性显示设备，其中在所述阻挡层的所述第一表面与所述保护膜之间的所述凹陷部分中形成有分离空间。
17.根据权利要求13所述的柔性显示设备，其中所述阻挡层包括无机化合物。
18.制造柔性显示器的方法，所述方法包括：
在支承衬底上形成牺牲层，其中所述牺牲层包括多个突起和形成在所述突起之间的多个槽；
在所述牺牲层上形成显示单元；
去除所述牺牲层；以及
从所述支承衬底分离所述显示单元。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述突起中的每个具有多边形、圆形或椭圆形的形状。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述去除包括用水溶解所述牺牲层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2015-0081983 | 2015-06-10 | ||
| KR1020150081983A KR102354973B1 (ko) | 2015-06-10 | 2015-06-10 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106252375A true CN106252375A (zh) | 2016-12-21 |
Family
ID=57517377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610319931.7A Pending CN106252375A (zh) | 2015-06-10 | 2016-05-13 | 柔性显示器和制造柔性显示器的方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9806272B2 (zh) |
| KR (1) | KR102354973B1 (zh) |
| CN (1) | CN106252375A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108735917A (zh) * | 2017-04-17 | 2018-11-02 | 天马日本株式会社 | 剥离膜、显示设备的制造方法及显示设备的制造装置 |
| CN109659336A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法 |
| CN109995342A (zh) * | 2019-03-15 | 2019-07-09 | 中国科学院物理研究所 | 空气隙型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN107564424B (zh) * | 2017-06-19 | 2019-10-18 | 友达光电股份有限公司 | 形成微组件支架的方法 |
| WO2020206636A1 (en) * | 2019-04-10 | 2020-10-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Stretchable display panel, stretchable display apparatus, and method of fabricating stretchable display panel |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102469186B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2017212365A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 半導体装置用基板および表示装置 |
| KR102325171B1 (ko) * | 2017-03-20 | 2021-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP7105543B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2022-07-25 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機表示素子 |
| CN107968109A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-04-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN108550587B (zh) * | 2018-06-05 | 2020-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置 |
| CN109285455B (zh) * | 2018-09-28 | 2021-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板的制造方法及制造组件 |
| WO2020090053A1 (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | シャープ株式会社 | 表示デバイスの製造方法 |
| CN109801945B (zh) * | 2019-01-14 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置 |
| CN110620131A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-12-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板的制作方法 |
| KR20220004856A (ko) | 2020-07-02 | 2022-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널과, 이의 제조방법 |
| CN113012580B (zh) * | 2021-03-09 | 2022-11-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种牺牲层、显示面板制程方法及显示面板 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1976011A (zh) * | 2005-12-02 | 2007-06-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| CN101740495A (zh) * | 2008-11-20 | 2010-06-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 柔性半导体装置的制造方法 |
| CN101840885A (zh) * | 2009-03-19 | 2010-09-22 | 索尼公司 | 电子器件的制造方法以及显示器 |
| CN103531723A (zh) * | 2013-03-22 | 2014-01-22 | Tcl集团股份有限公司 | 柔性显示器的制备方法及用于制作柔性显示器的基板 |
| CN103682176A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刚性衬底基板及柔性显示器件的制作方法、刚性衬底基板 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100631905B1 (ko) * | 2005-02-22 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 질화물 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자 제조방법 |
| US20080176477A1 (en) | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a display device |
| KR101359916B1 (ko) | 2007-05-08 | 2014-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
| KR100913124B1 (ko) | 2009-01-05 | 2009-08-19 | 학교법인 포항공과대학교 | 레이저를 이용한 플렉서블 소자의 제조방법 |
| KR20110042899A (ko) | 2009-10-20 | 2011-04-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치의 제조방법 |
| KR101108162B1 (ko) | 2010-01-11 | 2012-01-31 | 서울대학교산학협력단 | 고해상도 유기 박막 패턴 형성 방법 |
| KR101354491B1 (ko) | 2012-01-26 | 2014-01-23 | 전북대학교산학협력단 | 고효율 발광다이오드 제조방법 |
| KR101439261B1 (ko) * | 2012-11-16 | 2014-09-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
| KR102082407B1 (ko) | 2013-04-03 | 2020-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 기판, 플렉서블 표시 장치, 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법 |
| JP6200004B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2017-09-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 透明導電積層体、透明導電積層体を含む透明電極、および透明導電積層体の製造方法｛ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｍｉｎａｔｅ、ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｅｌｅｃｔｒｏｄｅｃｏｍｐｒｉｎｓｉｎｇｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｍｉｎａｔｅ、ａｎｄｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｆｏｒｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｍｉｎａｔｅ｝ |
| US9318475B2 (en) * | 2014-05-15 | 2016-04-19 | LuxVue Technology Corporation | Flexible display and method of formation with sacrificial release layer |
-
2015
- 2015-06-10 KR KR1020150081983A patent/KR102354973B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-03 US US14/958,614 patent/US9806272B2/en active Active
-
2016
- 2016-05-13 CN CN201610319931.7A patent/CN106252375A/zh active Pending
-
2017
- 2017-10-26 US US15/795,117 patent/US10109811B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1976011A (zh) * | 2005-12-02 | 2007-06-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| CN101740495A (zh) * | 2008-11-20 | 2010-06-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 柔性半导体装置的制造方法 |
| CN101840885A (zh) * | 2009-03-19 | 2010-09-22 | 索尼公司 | 电子器件的制造方法以及显示器 |
| CN103531723A (zh) * | 2013-03-22 | 2014-01-22 | Tcl集团股份有限公司 | 柔性显示器的制备方法及用于制作柔性显示器的基板 |
| CN103682176A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刚性衬底基板及柔性显示器件的制作方法、刚性衬底基板 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108735917A (zh) * | 2017-04-17 | 2018-11-02 | 天马日本株式会社 | 剥离膜、显示设备的制造方法及显示设备的制造装置 |
| CN108735917B (zh) * | 2017-04-17 | 2021-10-22 | 天马微电子股份有限公司 | 剥离膜、显示设备的制造方法及显示设备的制造装置 |
| CN107564424B (zh) * | 2017-06-19 | 2019-10-18 | 友达光电股份有限公司 | 形成微组件支架的方法 |
| CN109659336A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法 |
| CN109659336B (zh) * | 2018-12-04 | 2021-05-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法 |
| CN109995342A (zh) * | 2019-03-15 | 2019-07-09 | 中国科学院物理研究所 | 空气隙型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| WO2020206636A1 (en) * | 2019-04-10 | 2020-10-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Stretchable display panel, stretchable display apparatus, and method of fabricating stretchable display panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20160365522A1 (en) | 2016-12-15 |
| US20180047921A1 (en) | 2018-02-15 |
| US9806272B2 (en) | 2017-10-31 |
| KR20160145898A (ko) | 2016-12-21 |
| US10109811B2 (en) | 2018-10-23 |
| KR102354973B1 (ko) | 2022-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106252375A (zh) | 柔性显示器和制造柔性显示器的方法 | |
| US20210050399A1 (en) | Flexible display device and method of manufacturing the same | |
| KR102081288B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| US9299752B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus | |
| KR102151752B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| CN102842582B (zh) | 平板显示设备的底板、平板显示设备及制造该底板的方法 | |
| CN107731866A (zh) | 可拉伸显示装置 | |
| KR102022395B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20170019553A (ko) | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| TW201517262A (zh) | 製造有機發光二極體顯示器之方法 | |
| KR102114316B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR102199216B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 | |
| KR20150003567A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| CN106960861B (zh) | 显示装置 | |
| KR20210083231A (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20160076007A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR102134842B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 | |
| US9276049B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus | |
| KR102405124B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| US20150048318A1 (en) | Organic light-emitting diode (oled) display and method of manufacturing same | |
| KR20150024729A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| CN103579285B (zh) | 有机发光显示设备及其制造方法 | |
| WO2016155194A1 (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| US9620743B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR100953541B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20161221 |