CN106233432B - 用于化学机械平面化后的基板清洁的系统、方法及设备 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例包括用于在化学机械平面化处理之后预清洁基板的系统、方法及设备。实施例提供：外壳；夹盘组件，该夹盘组件被配置成将基板固定地保持在该外壳内；以及抛光垫组件，该抛光垫组件被配置成抵靠该基板旋转同时被支撑在该外壳内。该抛光垫组件包括：抛光垫，可压缩子垫，该可压缩子垫耦接至该抛光垫，以及垫保持器，该垫保持器耦接至该可压缩子垫以及抛光电机，该抛光电机被配置成旋转该抛光垫组件。公开了众多附加方面。

Description

用于化学机械平面化后的基板清洁的系统、方法及设备
相关申请
本申请要求2014年4月23日提交的，题为“SYSTEMS,METHODS AND APPARATUS FORPOST-CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION SUBSTRATE CLEANING(用于化学机械平面化后的基板清洁的系统、方法及设备)”的美国专利申请第14/260,210号的优先权，该申请在此出于所有目的通过引用结合于此。
技术领域
本发明的实施例一般涉及包括化学机械平面化(CMP)的电子装置制造，且更具体地涉及用于CMP之后的基板抛光预清洁的方法及设备。
背景技术
在化学机械研磨或平面化(CMP)工艺之后，典型地清洁基板以移除CMP工艺期间施加或产生的可依附至基板(包括基板的边缘斜角)的碎屑及颗粒。接着CMP之后，典型地冲洗基板并将基板传输至清洁模块，诸如洗涤刷盒、兆频超声罐等。然而，使用传统清洁方法(诸如刷盒洗涤或兆频超声罐沉浸)可能难以移除接着CMP之后保留的一些颗粒及残留物。因此，期望用于CMP后的清洁工艺期间对颗粒的改进的移除而不划伤基板的方法及设备。
发明内容
在本发明的实施例的一些方面中，提供一种CMP后基板预清洁系统。该基板预清洁系统包括：外壳；夹盘组件，该夹盘组件被配置成将基板固定地保持在该外壳内；以及抛光垫组件，该抛光垫组件被配置成抵靠该基板旋转同时被支撑在该外壳内。该抛光垫组件包括：抛光垫、可压缩子垫，该可压缩子垫耦接至该抛光垫、以及垫保持器，该垫保持器耦接至该可压缩子垫。还提供抛光电机，该抛光电机被配置成旋转该抛光垫组件。
在其他方面中，提供一种CMP后基板预清洁抛光垫组件。该CMP后基板预清洁抛光垫组件包括：抛光垫、可压缩子垫，该可压缩子垫耦接至该抛光垫、以及垫保持器，该垫保持器耦接至该可压缩子垫。还提供抛光电机，该抛光电机被配置成旋转该抛光垫组件。
而又其他发面中，提供一种在CMP后基板预清洁模块中在CMP之后预清洁基板的方法。该方法包括：在化学机械平面化处理之后，将基板装载到预清洁系统中；将该基板固定至夹盘组件；在抵靠该基板的前侧按压旋转的抛光垫组件、在该基板的前侧上旋转和扫掠(sweep)旋转的抛光垫组件时，旋转该基板；以及尽管该抛光垫组件的垫保持器倾斜，也维持该抛光垫组件的抛光垫相对于基板平坦。
由以下示例实施例的详细描述、所附权利要求书、及附图，本发明的实施例的其他特征及方面将变得更完全地显而易见。
附图说明
在以下详细描述及附图中公开本发明的多种实施例。
图1为根据本发明的实施例的示出示例基板预清洁系统的横截面侧视示意图。
图2为图示没有与可压缩子垫一起使用的示例基板预清洁垫的示意图。
图3为根据本发明的实施例的图示与可压缩子垫一起使用的示例基板预清洁抛光垫的示意图。
图4为根据本发明的实施例的图示示例基板预清洁抛光垫组件的细节的示意图。
图5为根据本发明的实施例的描绘示例方法的流程图。
具体实施方式
以下为示例实施例的详细描述以说明本发明的原理。提供实施例以说明本发明的各方面，但本发明并不限于任何实施例。本发明的范围涵盖众多替代、修改及等效物。在以下描述中阐述众多特定细节，以便提供对本发明的透彻理解。然而，可根据权利要求书实践本发明而无须这些特定细节中的一些或全部。为了清楚的目的，没有详细描述相关于本发明的技术领域中已知的技术材料，使得本发明的实施例不会被不必要地模糊。
除非另外指明，否则如此处使用的术语“研磨(polish)”意指从基板移除材料从而导致基板的平面化和/或薄化。可在CMP工艺期间使用研磨垫执行研磨以将基板平面化和/或薄化降至端点(例如，表面平滑度)。
除非另外指明，否则如此处使用的术语“抛光(buff)”意指移除已经不注意地变成粘附至基板的残留物和/或颗粒。可在CMP后“预清洁”工艺期间使用抛光垫执行抛光。可执行预清洁工艺直至已经达到较低和/或期望阈值水平的表面颗粒。与研磨相比，抛光为使用较软的抛光垫的较少侵蚀性的工艺，不旨在薄化和/或平面化基板，而仅是移除已粘附至或者以其他方式变得附着于基板的碎屑和/或残留物。例如，可使用海绵样的材料(诸如聚醋酸乙烯酯(PVA))或另一相似和/或合适的材料执行抛光。
除非另外指明，否则如此处使用的术语“洗涤(scrub)”意指移除仅累积于基板上但无须实质的力来移除的残留物和/或颗粒。可在清洁工艺期间(典型地在预清洁工艺之后)执行洗涤。与抛光相比，洗涤为使用较软的刷子(例如，在洗涤刷盒中)的较少侵蚀性的工艺，(相较于抛光)不旨在对基板施加显著的压力。
如上所述，接着CMP之后，典型地冲洗基板并将基板直接传输至清洁模块，诸如洗涤刷盒、兆频超声罐等。然而，在传统的刷盒或兆频超声罐内可能难以移除接着CMP之后保留的一些粘附的颗粒和/或残留物。因此，本发明的实施例提供在CMP之后、但在传统的洗涤基板清洁之前(和/或代替传统的洗涤基板清洁)“预清洁”基板的抛光预清洁系统、设备及工艺。
相较于传统的清洁工艺，预清洁工艺可采用较硬的抛光垫和/或化学辅助清洁工艺，以在传统的基板清洁之前从基板清洁难以移除的颗粒和/或残留物。例如，预清洁工艺可用聚氨酯、硅树脂、聚醋酸乙烯酯或具有合适的清洁化学物(例如，研磨浆、H2O2溶液等)的相似的抛光垫或刷子来采用对基板表面的直接前侧抛光。本发明的实施例采用包括子垫的改进的自调平抛光垫组件，该子垫用于维持抛光垫的接触表面基本上平行于正被预清洁的基板的表面。该子垫被适配成压缩和/或吸收由于横向运动和摩擦而施加在抛光垫组件上的任何角矩，或校正抛光垫与基板之间的任何非平行性。通过吸收角矩或不对准，子垫允许抛光垫相对于基板保持平坦或齐平，即便在基板及抛光垫相对于彼此移动时。
更一般地，本发明的实施例通过使用夹盘(例如，真空夹盘)来支撑基板来提供在CMP之后预清洁基板的紧凑布置，使得前侧对于使用施加至基板的前侧的特定区域的相对小的抛光垫组件(例如，堆叠的抛光垫及子垫，具有一接触区域，该接触区域具有比基板的直径小的直径，例如，具有比基板的直径的一半小的直径的抛光垫组件)的直接抛光为可触及的。因此，因为使用小的抛光垫组件，所以可在清洁期间同时使用直接前侧计量，而不必通过窗口对抛光垫或类似物成像。可直接在基板的前侧上分配化学物(诸如研磨浆)，从而使分配分布以及化学消耗容易。在一些实施例中，可通过嵌入式喷洒分配器将化学物(诸如研磨浆)直接递送至基板，该嵌入式喷洒分配器安装在支撑抛光垫组件的摆臂上。这可通过改进和/或最佳化对分配的控制来减少化学物消耗。在一个或多个实施例中，可直接通过抛光垫组件递送清洁化学物(诸如研磨浆)。
系统的实施例通过在抛光垫组件上施加不同载荷和/或向该抛光垫组件施加不同旋转速率来实现基板的清洁。通过抛光垫组件位置及抛光垫组件扫掠轮廓(例如，包括扫掠范围、频率、形状、用于各扫掠区域的时间等)，预清洁轮廓为可控制的。多种实施例可以基板的特定区域为目标，使得可使用系统来改进基板的边缘缺陷(例如，降低基板的边缘附近的缺陷程度)，这使用传统清洁方法是难以实现的。此外，本发明的实施例可提供与使用传统CMP方法(目的为在CMP系统中取代、或重新配置附加的压板)发展的工艺类似的抛光预清洁功能。
在一些实施例中，可使用摆臂支撑抛光垫组件。可通过抛光垫组件将化学物(诸如研磨浆)施加至基板。替代地，可使用抛光垫组件并且可通过喷洒喷嘴将化学物施加至基板，该喷洒喷嘴嵌入于摆臂主体中和/或耦接至该摆臂主体。在一些实施例中，可使用尼龙硬毛刷，化学物通过刷子的中央施加，以用于抛光垫组件的原地或异地调节。在一些实施例中，金刚石整修盘(diamond dressing disk)来可被用于抛光垫组件的原地或异地调节。在一些实施例中，可在预清洁模块的外壳中包括用于改变抛光垫组件(和/或用于改变用于抛光垫组件调节的尼龙硬毛刷或金刚石盘)的表面舱口(hatch)。在抛光期间，可控制抛光垫组件与基板之间的距离和/或抛光垫组件在基板上的压力。
在一些实施例中，抛光垫组件可包括相对软的抛光垫(虽然其比典型的PVA刷子硬)，以清洁掉难以移除的颗粒。本发明的实施例提供例如在执行传统CMP之后对基板的前侧应用化学抛光工艺的能力。因此，可使用本发明的实施例来在CMP工艺之后针对清洁工艺(例如，使用传统刷盒或兆声清洁器)准备基板的前侧表面。
现在转向图1，描绘了CMP后预清洁系统100的示例实施例的侧横截面视图。特定的示例预清洁系统100包括外壳102，该外壳102封围用于保持待被预清洁的基板(未图示)的夹盘组件104(例如，真空夹盘组件)。夹盘组件104包括压板106(例如，垂直压板)，抵靠该压板，基板的背侧被保持平坦以用于在预清洁工艺期间进行支撑。在一些实施例中，使用软的和/或粘的膜来将基板夹持至压板，而没有向基板背侧添加损坏。在一些实施例中，压板106可被适配成在支撑基板时旋转。
基板的前侧由抛光垫组件108接触，该抛光垫组件108被抛光电机110驱动以旋转，该抛光电机110由摆臂组件112支撑。在一些实施例中，摆臂组件112还可支撑化学喷洒组件114，例如，该化学喷洒组件114瞄准于恰好高于抛光垫组件108的接触区域的基板处。替代地，化学喷洒组件114可由外壳102支撑。在一些实施例中，抛光垫组件108可包括一个或多个通道以通过抛光垫组件108将清洁化学物递送至基板表面。
在将清洁化学物施加于基板时，摆臂组件112被适配成在基板的前侧表面上扫掠或振荡旋转的抛光垫组件108，以影响基板的预清洁。通过驱动组件116(例如，齿轮驱动组件)使摆臂组件112振荡。驱动组件116还可被适配成远离和朝向由夹盘组件104保持的基板移动摆臂组件112并因此移动抛光垫组件108。在一些实施例中，代替摆臂，可使用线性门架(gantry)来支撑及移动抛光垫组件108、抛光电机110及(可选地)化学喷洒组件114。
可使用包括基板支撑件120的基板升降组件118来保持和定位基板于夹盘组件104的压板106上，直至基板已经被固定至压板106，例如，经由通过夹盘组件104施加的真空压力。在一些实施例中，CMP后预清洁系统100可包括前侧喷洒棒组件122以及背侧喷洒棒组件124，两者皆安装于外壳102的上部分中且被定位成允许在基板(例如，在夹盘上旋转)降低进入和/或升高离开系统100时施加冲洗剂(例如，去离子(DI)水)。
CMP后预清洁系统100还包括控制器126，该控制器126可操作以激活、监测、及控制系统100的各种组件。在一些实施例中，控制器126包括处理器以及可操作以存储可由处理器执行的指令(例如，软件程序)的存储器。处理器可包括输入/输出(I/O)界面，该I/O界面被适配成将控制信令发送至系统的各种组件(例如，夹盘组件104、抛光垫组件108、抛光电机110、摆臂组件112、化学喷洒组件114、驱动组件116、基板升降组件118、喷洒棒组件122、124等)以及将状态信令发送至监测和控制系统100的外部系统。同样地，该I/O界面可被进一步适配成接收来自外部系统的控制信令以及来自传感器(例如，压力反馈换能器、旋转速度传感器、计量传感器等)或系统100的各种组件的其他部件的状态信令。I/O界面、外部系统、以及系统100的各种组件之间的通信可经由有线(未图示)或经由无线信令。
现在转向图2，描绘了由压板204支撑的基板202的俯视边缘视图200，正使用垫206及垫保持器208(不带有子垫，如此处所提供的(下方描述))清洁基板202。当在箭头A所指示的方向上在基板202的表面上推动垫206时，经由垫206及垫保持器208施加压力，摩擦在箭头B所指示的方向上在垫206与基板202之间产生相等且反向的剪切力。该剪切力导致垫206及垫保持器208上的角矩，且可发生垫保持器208的约0.1度至约1度的倾斜。替代地，垫及垫保持器可由于机械加工和/或相似大小的组件容差而变得相对于基板倾斜。这些因素中的任一者可导致成角度的间隙210以及垫206抵靠基板202的仅部分接触。这种成角度的间隙210意味着更长的工艺时间以及抛光期间的局部高压力区域。该高压力可导致金属表面上的划伤以及不均匀的抛光垫磨损。抛光垫206及垫保持器208的相对高的纵横比及小尺寸使得设计常平架(gimbal)来以基板表面附近的旋转点支撑垫保持器208变得困难。
转向图3，本发明的实施例的抛光垫组件108在CMP后预清洁模块100中使用子垫302、抛光垫304、及垫保持器306来解决上述问题。通过在抛光垫304与垫保持器306之间添加相对可压缩的子垫302，抛光垫304维持与基板202的完全接触。
更特定地，当由抛光垫304与基板202之间的剪切力产生角矩时，相对软的子垫302将屈服(yield)，使得抛光垫304保持与基板202的接触，在垫保持器306倾斜时分布载荷。此导致固定载荷下的更均匀的压力、更大的接触面积、以及更均匀的垫磨损。
进一步，更均匀的压力帮助防止划伤、延长抛光垫304的寿命、以及提高颗粒移除效率。当垫保持器306在没有子垫302的情况下倾斜时，抛光垫304的接触面积减少。因此，对于给定的施加力，在较小的接触面积下的抛光垫压力增加。因此，为了保持高于划伤压力阀值，应降低施加力。然而，避免划伤压力阀值以及有效地移除颗粒两者的施加力的量可能低于抛光系统的实际能力。
抛光垫的寿命由抛光垫304的最薄部分所决定。若抛光垫304在垫保持器306倾斜时无法维持与基板202的均匀接触，则抛光垫304的外部边缘比抛光垫304的其他部分磨损得更快，并且因此抛光垫的寿命更迅速地消耗，即便很少使用抛光垫304的中央部分。通过使用根据本发明的实施例的设置于抛光垫304与垫保持器306之间的相对可压缩的子垫302，得到更均匀的压力分布、经历更均匀的磨损，并且因此，实现更长的抛光垫寿命。
通过使用根据本发明的实施例的在抛光垫304与垫保持器306之间的相对可压缩的子垫302，还获得改进的颗粒移除效率。利用基板上的更大的有效抛光垫接触面积，提高了基板覆盖范围。因此，降低了清洁整个基板的时间，这导致改进的处理效率。
图4为相对于先前视图逆时针旋转90度，且描绘了根据本发明的实施例的抛光垫组件400的示例的细节的放大示意性横截面侧视图。如同本文中的其它图式，图4并非按比例绘制，从而使得本发明的实施例的特征可被更清楚地呈现。图4中所示的特定示例抛光垫组件400在整体形状上为大致圆柱形的，其具有0.5mm至约5mm的整体剖面高度以及约25mm至约150mm的直径。其他形状和尺寸是可能的。所描绘的示例包括设置于抛光垫404与垫保持器406之间的可压缩子垫402。
此外，所绘制的实施例包括设置于可压缩子垫402与抛光垫404之间的可选的加强层408。在一些实施例中，加强层408提供抛光垫404与子垫402之间的改进的接合。换句话说，加强层408提供更稳定且刚性的基底来接合较软的抛光垫404及子垫402，以确保将容忍使用期间所施加的剪切力的可靠的接合。在一些实施例中，加强层408可约小于0.5mm。可使用其他厚度。加强层408可由聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)或其他相对硬性的聚合物(诸如，聚乙烯或聚丙烯)形成。
垫保持器406耦接至抛光电机410。可使用粘合剂(例如，压敏粘合剂(PSA))、热接合、或机械紧固件来将垫保持器406固定至抛光电机410。同样地，可使用粘合剂412、414、416(例如，PSA)、热接合、或机械紧固件来将抛光垫404固定至加强层408、将加强层408固定至可压缩子垫402、以及将可压缩子垫402固定至垫保持器406。在一些实施例中，加强层408可与抛光垫404和/或可压缩子垫402一体形成。同样地，在未使用可选的加强层408的实施例中，可压缩子垫402可与抛光垫404一体形成。在其他实施例中，可压缩子垫402可与抛光垫404及加强层408两者一体形成。
在一些实施例中，抛光垫404可为约0.5mm至约2mm厚。可使用其他厚度。抛光垫404可具有平坦的或有纹理的接触表面，其中纹理可为有沟槽纹理的、有浮凸纹理的、或有其他纹理的。抛光垫404的体积孔隙度可为约10％至约40％。可使用具有其他体积孔隙度的垫。在一些实施例中，抛光垫404可具有从约10至约40的萧氏(Shore)D硬度数，且在其他实施例中，可具有从约5至约30的萧氏A硬度数。可使用具有其他硬度的垫。在一些实施例中，可使用传统的研磨垫作为抛光垫。
可压缩子垫402可为约0.5mm至约2mm厚。可使用其他厚度。子垫402可具有约1psi至约20psi的可压缩弹性模量。可使用具有其他可压缩模量的垫。在一些实施例中，可压缩子垫402可被尺寸化并且可以是可足够压缩的，以容纳大至约1度的垫保持器倾斜角度。在其他实施例中，可容纳更大的倾斜角度。
为了确保抛光垫404在垫保持器406倾斜期间在基板上保持平坦，可选择可压缩子垫402及抛光垫404，使得可压缩子垫402比抛光垫404更可压缩两倍以上。因此，当子垫402具有约1psi至约20psi的可压缩弹性模量时，抛光垫404可具有约大于2psi至约大于40psi的可压缩弹性模量。本发明的实施例的子垫402比垫堆叠中使用的研磨垫软。
现在转向图5，以流程图的形式呈现本发明的实施例的示例方法500。在操作中，在CMP模块中处理基板之后，基板202被垂直地装载到预清洁系统100中(502)。在一些替代实施例中，可配置预清洁系统使得以水平取向装载及预清洁基板。当基板202被降低至基板支撑件120时，可经由喷洒棒组件122、124利用DI水或其他冲洗液可选地且同时地喷洒基板202的两侧(504)。基板202随后通过夹盘组件104被固定至压板106(506)。在一些实施例中，当抵靠基板的前侧按压旋转的抛光垫组件108、在基板的前侧上旋转和扫掠旋转的抛光垫组件108(510)时，旋转基板202(508)。当抛光垫组件108抵靠基板202扫掠时，产生使抛光垫组件108的垫保持器306(图3)倾斜的角矩，且可压缩子垫302屈服以维持抛光垫304相对于基板202平坦(512)。一旦达到预清洁工艺的终点，就从基板202移除抛光垫组件108，从夹盘组件104释放基板202，以及升高基板202离开预清洁系统(514)。当基板202被升高离开系统100时，可经由喷洒棒组件122、124利用DI水或其他冲洗液可选地且同时地喷洒基板202的两侧(516)。
将容易地显而易见的，可通过，例如，适当编程的通用计算机或其他计算装置(或在其控制下)执行本文中描述的各种方法。典型地，处理器(例如，一个或多个微处理器)将从存储器或类似装置接收指令，并执行那些指令，藉此执行由那些指令定义的一个或多个工艺。进一步，可以多种方式使用多种介质(例如，计算机可读介质)存储及传送执行此类方法的程序。在一些实施例中，可使用硬接线的电路或定制硬件来取代或组合软件指令以用于实现多种实施例的工艺。因此，实施例不限于任何特定的硬件及软件的组合。相应地，工艺的描述同样地描述用于执行该工艺的至少一种设备，且同样地描述用于执行该工艺的至少一种计算机可读介质和/或存储器。执行工艺的设备可包括适于执行该工艺的部件及装置(例如，处理器、输入装置及输出装置)。计算机可读介质可存储适于执行该方法的程序元件。
本公开向本领域普通技术人员提供若干实施例和/或发明的实现的描述。这些实施例和/或发明中的一些可能未在本申请中要求保护，然而可在要求本申请的优先权权益的一个或多个继续申请中要求保护。申请人意图提交额外的申请，以为已被公开和实现但未在本申请中要求保护的主题申请专利。例如，在一些实施例中，可在CMP处理期间使用可压缩子垫，以确保在处理期间被用于平面化的垫相对于(例如，平行于)基板的主要表面被保持平坦。
因此，虽然已联系本发明的示例实施例公开本发明，但是应理解，其他实施例可落入如由所附权利要求书所限定的本发明的范围内。

Claims (20)

1.一种基板预清洁系统，包括：
外壳；
夹盘组件，所述夹盘组件被配置成将基板固定地保持在所述外壳内；以及
抛光垫组件，所述抛光垫组件被配置成抵靠所述基板旋转并被支撑在所述外壳内，其中所述抛光垫组件被配置成支撑抛光垫并且包括：
可压缩子垫，所述可压缩子垫被配置成耦接至所述抛光垫，以及
垫保持器，所述垫保持器耦接至所述可压缩子垫以及抛光电机，所述抛光电机被配置成使所述抛光垫组件旋转。
2.如权利要求1所述的基板预清洁系统，其中所述可压缩子垫比所述抛光垫更可压缩两倍以上。
3.如权利要求1所述的基板预清洁系统，其中所述可压缩子垫被适配成在所述垫保持器于预清洁期间倾斜时屈服，使得所述抛光垫相对于所述基板保持平坦。
4.如权利要求1所述的基板预清洁系统，其中所述系统被适配成在化学机械平面化处理之后且在应用清洁模块之前，预清洁基板。
5.如权利要求1所述的基板预清洁系统，其中所述抛光垫组件进一步包括介于所述抛光垫与所述可压缩子垫之间的加强层。
6.如权利要求1所述的基板预清洁系统，其中使用粘合剂、热接合、及机械紧固件中的至少一者来将所述抛光垫及所述可压缩子垫一起耦接在所述抛光垫组件内。
7.如权利要求1所述的基板预清洁系统，其中所述抛光垫组件具有比所述基板的直径小的直径。
8.一种预清洁抛光垫组件，包括：
可压缩子垫，所述可压缩子垫被配置成耦接至抛光垫，以及
垫保持器，所述垫保持器耦接至所述可压缩子垫以及抛光电机，所述抛光电机被配置成抵靠基板使所述抛光垫组件旋转。
9.如权利要求8所述的预清洁抛光垫组件，其中所述可压缩子垫比所述抛光垫更可压缩两倍以上。
10.如权利要求8所述的预清洁抛光垫组件，其中所述可压缩子垫被适配成在所述垫保持器于预清洁期间倾斜时屈服，使得所述抛光垫相对于所述基板保持平坦。
11.如权利要求8所述的预清洁抛光垫组件，其中所述抛光垫组件被适配成被用于在化学机械平面化处理之后且在应用清洁模块之前，预清洁基板。
12.如权利要求8所述的预清洁抛光垫组件，其中所述抛光垫组件进一步包括介于所述抛光垫与所述可压缩子垫之间的加强层。
13.如权利要求8所述的预清洁抛光垫组件，其中使用粘合剂、热接合、及机械紧固件中的至少一者来将所述抛光垫及所述可压缩子垫一起耦接在所述抛光垫组件内。
14.如权利要求8所述的预清洁抛光垫组件，其中所述抛光垫组件具有比所述基板的直径小的直径。
15.一种在基板预清洁模块中预清洁基板的方法，所述方法包括：
在化学机械平面化处理之后，将基板装载到预清洁系统中；
将所述基板固定至夹盘组件；
当抵靠所述基板的前侧按压旋转的抛光垫组件、在所述基板的前侧上旋转和扫掠旋转的抛光垫组件时，旋转所述基板；以及
尽管所述抛光垫组件的垫保持器倾斜，也维持所述抛光垫组件的抛光垫相对于所述基板平坦。
16.如权利要求15所述的方法，进一步包括：提供抛光垫组件，所述抛光垫组件包括可压缩子垫，其中所述可压缩子垫比所述抛光垫更可压缩两倍以上。
17.如权利要求15所述的方法，进一步包括：提供抛光垫组件，所述抛光垫组件包括可压缩子垫，其中所述可压缩子垫被适配成在所述垫保持器于预清洁期间倾斜时屈服，使得所述抛光垫相对于所述基板保持平坦。
18.如权利要求15所述的方法，进一步包括：提供抛光垫组件，其中所述抛光垫组件被适配成在化学机械平面化处理之后且在应用清洁模块之前，预清洁基板。
19.如权利要求15所述的方法，进一步包括：提供抛光垫组件，所述抛光垫组件包括可压缩子垫和加强层，其中所述加强层设置在所述抛光垫与所述可压缩子垫之间。
20.如权利要求15所述的方法，进一步包括：提供抛光垫组件，其中所述抛光垫组件具有比所述基板的直径小的直径。
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