CN106158554B - 一种v型通道微通道板的制作方法 - Google Patents

一种v型通道微通道板的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种V型通道微通道板的制作方法,主要用于高增益的V型通道微通道板的制作。主要技术方案是:制作V型通道微通道板的热粘接工序的操作步骤:a清洁夹具、b检查清洁白板、c安装第一片白板、d安装第二片白板、e放置石墨片、f放置荷重、g真空加热、h充氮取出夹具、i检验。本发明通过应用证明:制作的V型通道微通道板可直接应用于所属产品,从根本上克服了原微通道板堆叠使用时增益低、所属产品容易出现报废的现象,达到有效地提高和保障微通道板使用的性能质量,满足所属产品的技术要求。

Description

一种V型通道微通道板的制作方法
技术领域
本发明涉及一种微通道板的制造方法,具体是一种高增益的V型通道微通道板的制作方法。
背景技术
微通道板(简称MCP)作为一种电子倍增器,广泛应用于微光像增强器和光电倍增管(见图1),MCP1的制作工艺:拉丝,将玻璃芯料装入玻璃皮料中形成管棒,在设备和模具上先后拉出纤维单丝和复丝;排屏,将复丝放入模具中,排出六边型的复丝棒;熔压,将复丝棒放入熔压模具中,再将熔压模具放入熔压炉中,当熔压炉温度约200℃,保温1小时之后,开始抽真空,同时将熔压炉的温度升至复丝棒玻璃的软化点,保温1小时,然后给熔压模具加压一定的压力,使复丝棒中的各个复丝熔合在一起后,开始退火降温;切片,将熔合复丝棒用切片机切成所需厚度的薄片,并进行机械研磨、抛光和倒边,形成MCP抛光片;腐蚀,将MCP抛光片放入超声清洗设备中,在强酸强碱的腐蚀液中将MCP玻璃薄片皮料孔中的芯料腐蚀掉,之后用纯水清洗干净,这样就形成了多孔状的二维面阵列MCP白板;氢还原,将MCP白板放入氢还原炉中,在约500℃时通氢气对MCP白板的通道内壁进行还原,在通道内壁形成二次电子发射层,形成烧氢后的黑板;镀电极,将烧氢后的黑板放入镀膜机,蒸发镍铬材料,镀制MCP的输入和输出电极。最后制作出单片的MCP1。
随着科学技术的发展,MCP 的电子放大作用已从传统的直流放大领域转向脉冲放大领域,即转向单光电子探测领域。从电子学的角度讲,如果微光像增强器或光电倍增管要能探测单光电子,那么要求其所使用的MCP的电子增益能够达到107以上,而由于目前生产的单片MCP的增益达不到107,只能达到103,因此需要使用两片MCP来进行级联放大,即将两片单片的MCP堆叠起来使用。为了减小离子反馈,在将两片MCP堆叠起来使用时,两片MCP的斜切角要反向对齐,即通道形成V型排列(见图2),当将两片MCP1堆叠起来使用时,入射电子经过第一片MCP1放大后再经过第二片MCP1放大,这样增益就可以达到107以上。
这种将两片MCP堆叠使用的方法尽管可以提高MCP的增益,但由于将当两片MCP堆叠在一起使用时(见图2),每一片MCP均有输入电极2和输出电极3,因此电子在第一级MCP通道的输出端和第二级MCP 通道的输入端的电极位置碰撞时,将不会产生二次电子倍增效应,而且通道电极还会吸收一部分电子,这样就会损失两片MCP级联倍增应达到的增益,即降低MCP堆叠使用时增益放大的耦合效率。另外由于在MCP的安装使用过程中,将两片MCP堆叠在一起时,为了保证两片MCP的良好接触,需要在两者之间施加一定的压力,为此会造成两片MCP接触面上的损伤,从而导致发射点和亮点产生,造成所生产的微光像增强器或光电倍增管报废。为了进一步提高MCP的电子增益和解决由于堆叠使用MCP容易致使产品报废的问题,必须在微通道板的制造上寻求新的途径。
发明内容
本发明的主要任务和目的是,根据现行的微光像增强器和光电倍增管产品中,两片MCP堆叠使用所存在的缺陷,在传统的MCP制作工艺的基础上进行改进,制作出一种完整的V型通道的MCP,直接应用于所属产品,取消两片MCP堆叠安装的工序,从根本上克服MCP堆叠使用时增益低、所属产品容易出现报废的现象,达到有效地提高和保障MCP使用的性能质量,满足所属产品的技术要求。
本发明的主要技术方案是: V型通道微通道板的制作方法包含工序拉丝、排屏、熔压、切片、腐蚀、热粘接、氢还原、镀电极,其特征在于:热粘接工序的操作步骤:a、清洁夹具,用棉杆蘸酒精对石墨底座和重量为15g的石墨片进行清擦,之后在10倍显微镜下检查石墨底座的下沉台面和石墨片的下表面,不可有残留物,如有可用氮气枪吹净;b、检查清洁白板,将上道工序转下来的MCP白板,在10倍显微镜下进行检查,若存在残留物可用氮气枪吹净;c、安装第一片白板,将第一片MCP白板放入石墨底座的下沉台面中,下沉台面的深度X为两片白板厚度之和的70—80%,直径φ为比MCP白板外径大0.1 mm;d、安装第二片白板,将第二片MCP白板放入石墨底座的下沉台面中,注意在放入第二片MCP 白板时,其斜切角的方向应与第一片MCP白板的斜切角相反,如第一片MCP 白板的斜切角方向是往正北方向,放置第二片MCP白板时,其斜切角的方向应是往正南方向,才能形成V型通道的MCP;e、放置石墨片,将已清洁过的重量为15g的石墨片的下表面轻轻放置到第二片MCP白板的上表面,注意放下石墨片后不得旋转;f、放置荷重,在石墨片的上表面轻轻放置一个不锈钢荷重,荷重的重量根据MCP白板的面积而定,掌握压强在7—7.3克/平方厘米为宜,此时两片MCP白板在夹具上就装夹好了;g、真空加热,把装夹好的夹具放入真空炉内,启动真空泵抽真空,当真空度达到10-5mbar时,启动温度控制程序,温度控制过程为在1小时内将真空炉的温度升至510—515℃,保温3小时,之后在3小时内将真空炉温度降到室温;h、充氮取出夹具,当真空炉的温度冷却到室温时,按照真空炉的操作规程向真空炉中充入氮气,打开真空室门,取出夹具;i、检验,依次卸下不锈钢荷重、石墨片,最后取出粘接在一起的两片MCP白板,在10倍显微镜下检查其上下表面,是否存在表面划伤等,检查合格后将其装入专用的MCP包装盒子中,而后接转后续工序。
本发明通过试用证明:完全达到研制目的,所制作的完整的V型通道MCP与采用两片MCP堆叠形成的V型通道MCP相比(见图4),只有一个输入电极2和一个输出电极3,消除了降低增益的因素,增益平均提高了约27%以上;所属产品不再产生发射点和亮点,如微光像增强器、日盲紫外探测器,不仅增益有所提高,探测距离也相应的提高了20%以上,完全消除了因MCP的原因导致产品报废的现象。
附图说明
下面结合附图,对本发明作进一步详细地描述。
图1,是MCP的形状结构示意图。
图2,是两片MCP堆叠形成的V型通道MCP的示意图。
图3,是本发明制作的V型通道MCP的示意图。
图4,是图3的局部A放大图。
图5,是本发明热粘接工序的操作步骤流程图。
图6,是本发明热粘接工序的装夹示意图。
具体实施方式
参照图3、5、6,对本发明的主要技术方案进行说明:本发明是在传统的MCP制作工艺的基础上进行改进获得的,由工序拉丝→排屏→熔压→切片→腐蚀→热粘接→氢还原→镀电极组成。在原制作环境(超净工作室内、温度23±2℃,湿度≤50%,超净工作台)不变的条件下,在腐蚀工序之后和氢还原工序之前,增加一道热粘接工序,下面是热粘接工序的操作步骤(见图5、6):
a、清洁夹具,用棉杆蘸酒精对石墨底座5和重量为15g的石墨片6进行清擦,之后在10倍显微镜下检查石墨底座的下沉台面和石墨片的下表面,不可有残留物,如有可用氮气枪吹净;
b、检查清洁白板,将上道工序转下来的MCP白板4,在10倍显微镜下进行检查,若存在残留物可用氮气枪吹净;
c、安装第一片白板,将第一片MCP白板放入石墨底座5的下沉台面中,下沉台面的深度X为两片白板厚度之和的70—80%,直径φ为比MCP白板外径大0.1 mm;
d、安装第二片白板,将第二片MCP白板放入石墨底座5的下沉台面中,注意在放入第二片MCP 白板时,其斜切角的方向应与第一片MCP白板的斜切角相反,如第一片MCP 白板的斜切角方向是往正北方向,放置第二片MCP白板时,其斜切角的方向应是往正南方向,才能形成V型通道的MCP;
e、放置石墨片,将已清洁过的重量为15g的石墨片6的下表面轻轻放置到第二片MCP白板的上表面,注意放下石墨片后不得旋转;
f、放置荷重,在石墨片6的上表面轻轻放置一个不锈钢荷重7,荷重的重量根据MCP白板的面积而定,掌握压强在7—7.3克/平方厘米为宜,此时两片MCP白板在夹具上就装夹好了;
g、真空加热,把装夹好的夹具放入真空炉内,启动真空泵抽真空,当真空度达到10-5mbar时,启动温度控制程序,温度控制过程为在1小时内将真空炉的温度升至510—515℃,保温3小时,之后在3小时内将真空炉温度降到室温;
h、充氮取出夹具,当真空炉的温度冷却到室温时,按照真空炉的操作规程向真空炉中充入氮气,打开真空室门,取出夹具;
i、检验,依次卸下不锈钢荷重7、石墨片6,最后取出粘接在一起的两片MCP白板,在10倍显微镜下检查其上下表面,是否存在表面划伤等,检查合格后将其装入专用的MCP包装盒子中,而后接转后续工序。通过后续氢还原、镀电极工序后,V型通道MCP的制作就此完成。
参照图5,以上所述的夹具由石墨底座5和重量为15g的石墨片6组成;所述的荷重7,其重量=白板的面积×7—7.3克/平方厘米-石墨片重量;所述的真空炉为国内生产的卧式真空炉。
实施例一,以MCP白板外径为F25mm、通道孔径为8μm、斜角为6°、厚度为0.38mm为例的V型通道微通道板制作的热粘接工序操作步骤:其它步骤相同,所不同的是,在步骤c中,将第一片MCP白板放入石墨底座5的下沉台面中,下沉台面的深度X为0.6 mm,直径Φ25.1mm;在步骤f中,在石墨片6的上表面轻轻放置一个重量为20g的不锈钢荷重7;在步骤g中,温度控制过程为在1小时内将真空炉的温度升至512℃。
实施例二,以MCP白板外径为F33mm、通道孔径为F10μm、斜角为6°、厚度为0.48mm为例的V型通道微通道板制作的热粘接工序操作步骤:其它步骤相同,所不同的是,在步骤c中,将第一片MCP白板放入石墨底座5的下沉台面中,下沉台面的深度X为0.8 mm,直径Φ33.1 mm;在步骤f中,在石墨片6的上表面轻轻放置一个重量为45g的不锈钢荷重7;在步骤g中,温度控制过程为在1小时内将真空炉的温度升至515℃。
实施例三,以MCP白板外径为Φ20mm 、通道孔径为F6mm、斜角为6°、厚度为0.38mm为例的V型通道微通道板制作的热粘接工序操作步骤:其它步骤相同,所不同的是,在步骤c中,将第一片MCP白板放入石墨底座5的下沉台面中,直径Φ20.1 mm;在步骤f中,在石墨片6的上表面轻轻放置一个重量为8g的不锈钢荷重7;在步骤g中,温度控制过程为在1小时内将真空炉的温度升至510℃。
以上除三个实施例外,本发明还用于其它多种不同规格和型号的MCP白板热粘接,制作出微光像增强器和光电倍增管所需的V型通道微通道板,均能满足所属产品的需求。

Claims (4)

1.一种V型通道微通道板的制作方法,包含工序拉丝、排屏、熔压、切片、腐蚀、热粘接、氢还原、镀电极,其特征在于:热粘接工序的操作步骤:
a、清洁夹具,用棉杆蘸酒精对石墨底座(5)和重量为15g的石墨片(6)进行清擦,之后在10倍显微镜下检查石墨底座的下沉台面和石墨片的下表面,不可有残留物,如有可用氮气枪吹净;
b、检查清洁白板,将上道工序转下来的MCP白板(4),在10倍显微镜下进行检查,若存在残留物可用氮气枪吹净;
c、安装第一片白板,将第一片MCP白板放入石墨底座(5)的下沉台面中,下沉台面的深度X为两片白板厚度之和的70—80%,直径φ为比MCP白板外径大0.1 mm;
d、安装第二片白板,将第二片MCP白板放入石墨底座(5)的下沉台面中,注意在放入第二片MCP 白板时,其斜切角的方向应与第一片MCP白板的斜切角相反,如第一片MCP 白板的斜切角方向是往正北方向,放置第二片MCP白板时,其斜切角的方向应是往正南方向,才能形成V型通道的MCP;
e、放置石墨片,将已清洁过的重量为15g的石墨片(6)的下表面轻轻放置到第二片MCP白板的上表面,注意放下石墨片后不得旋转;
f、放置荷重,在石墨片(6)的上表面轻轻放置一个不锈钢荷重(7),荷重的重量根据MCP白板的面积而定,掌握压强在7—7.3克/平方厘米为宜,此时两片MCP白板在夹具上就装夹好了;
g、真空加热,把装夹好的夹具放入真空炉内,启动真空泵抽真空,当真空度达到10- 5mbar时,启动温度控制程序,温度控制过程为在1小时内将真空炉的温度升至510—515℃,保温3小时,之后在3小时内将真空炉温度降到室温;
h、充氮取出夹具,当真空炉的温度冷却到室温时,按照真空炉的操作规程向真空炉中充入氮气,打开真空室门,取出夹具;
i、检验,依次卸下不锈钢荷重(7)、石墨片(6),最后取出粘接在一起的两片MCP白板,在10倍显微镜下检查其上下表面,是否存在表面划伤等,检查合格后将其装入专用的MCP包装盒子中,而后接转后续工序。
2.根据权利要求1所述的一种V型通道微通道板的制作方法,其特征在于:以MCP白板外径为F25mm、通道孔径为8μm、斜角为6°、厚度为0.38mm的V型通道微通道板制作的热粘接工序操作步骤:其它步骤相同,所不同的是,在步骤c中,将第一片MCP白板放入石墨底座(5)的下沉台面中,下沉台面的深度X为0.6 mm,直径Φ25.1 mm;在步骤f中,在石墨片(6)的上表面轻轻放置一个重量为20g的不锈钢荷重(7);在步骤g中,温度控制过程为在1小时内将真空炉的温度升至512℃。
3. 根据权利要求1所述的一种V型通道微通道板的制作方法,其特征在于:以MCP白板外径为F33mm、通道孔径为F10μm、斜角为6°、厚度为0.48mm的V型通道微通道板制作的热粘接工序操作步骤:其它步骤相同,所不同的是,在步骤c中,将第一片MCP白板放入石墨底座(5)的下沉台面中,下沉台面的深度X为0.8 mm,直径Φ33.1 mm;在步骤f中,在石墨片(6)的上表面轻轻放置一个重量为45g的不锈钢荷重(7);在步骤g中,温度控制过程为在1小时内将真空炉的温度升至515℃。
4.根据权利要求1所述的一种V型通道微通道板的制作方法,其特征在于:以MCP白板外径为Φ20mm 、通道孔径为F6μ m、斜角为6°、厚度为0.38mm的V型通道微通道板制作的热粘接工序操作步骤:其它步骤相同,所不同的是,在步骤c中,将第一片MCP白板放入石墨底座(5)的下沉台面中,直径Φ20.1 mm;在步骤f中,在石墨片(6)的上表面轻轻放置一个重量为8g的不锈钢荷重(7);在步骤g中,温度控制过程为在1小时内将真空炉的温度升至510℃。
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