CN103715034A - 一种光电探测器件转移制作系统及制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种光电探测器件转移制作系统及制作方法，包括阴极腔、阳极腔、工作传递腔、转移传递系统、烘箱及抽真空系统，阴极腔、阳极腔、工作传递腔之间通过阀门隔开，阴极腔和阳极腔分别位于工作传递腔两侧，转移传递系统包括水平传递系统和升降系统，水平传递系统包括阳极组件放置装置、阴极组件放置装置及水平传递装置，利用该制作系统进行光电探测器件制作时，除阳极组件组装过程外，其余工艺过程均在超高真空的清洁环境内完成，防止制作过程对倍增管核心器件造成污染；MCP阳极组件处理与光电阴极制作工艺相互独立，避免非阴极部分受阴极碱金属污染，保证MCP处于最佳性能工作状态。

Description

一种光电探测器件转移制作系统及制作方法

技术领域

本发明涉及一种光电探测及成像器件转移制作系统，具体涉及微通道板型大面积光电倍增管（MCP-PMT）的转移制作系统。

背景技术

光电倍增管是一种将极微弱的光信号转化为电信号的真空器件，它广泛应用于光分析仪器、医疗仪器、石油测井、太空探测、高能物理、激光应用等领域，涉及到国民经济多个行业。

本专利发明主要针对中微子探测的微通道板型大面积光电倍增管的制作。微通道板型大面积光电倍增管结构原理示意图如图1，主要由玻璃壳1（Ф500mm左右）、光电阴极、阳极组件（包括聚焦集、电极倍增器、MCP等）、支撑杆5、反光膜6、电极法兰盘8和接口法兰9等组成。从图1的结构示意图可以看出，设计采用上半球采用透射式阴极2，下半球采用反射式阴极7的球形光电倍增管，由于上半球光电阴极不是很厚，所以短波段的光将在透射式光电阴极体内吸收，产生光电子A1；而长波段的光会透过上半球光电阴极，照射下半球反射式光电阴极。因为反射式光电阴极后界面是镀制在玻璃基底上的铝反射膜，所以长波段的光子在反射光电阴极表面内有相对较长的光程被吸收，从而激发光电子A2，最终产生的光电子A1和A2分别都被玻壳中心的电极收集放大，间接探测到被测粒子。

由于该光电倍增管作为整个探测系统的输入前端，因此，它的质量是整个系统综合性能的关键。微通道板型大面积光电倍增管制作是一个复杂的物理、化学过程，其工艺质量与阴极薄膜的结构、表面态性质等均有关。而薄膜结构和表面态分布又受到设备真空度、真空腔内残余气体分布、阴极基底表面洁净程度以及制作过程中各种反应物质在真空环境内分布状态等的影响。

整管工作时，引起光电阴极灵敏度下降的主要原因有两条：一是参与气体的正离子对光电阴极表面的轰击，使得铯剥脱；二是电子轰击管内的阳极组件（倍增极和收集极）而释放气体。研究发现，CO₂、CO、和H₂O蒸汽对多碱光电阴极的影响最为显著，尤其是水蒸汽，当分压低至3×10^-7Pa时，能引起光电阴极灵敏度的永久性降低。

目前微通道板型大面积光电倍增管采用传统光电阴极制作工艺，是将玻璃球壳镀铝和内部阳极组件分别加工，然后将阳极组件电极盘与玻壳接口焊接后置于阴极台上，利用电极法兰口玻璃管抽真空排气、烘烤并完成光电阴极的制作，最终玻璃支管封离阴极台，完成光电倍增管的制作。现有设备及工艺主要存在以下不足之处；

1）对阳极微通道板（MCP）组件进行电子冲刷除气时，MCP释放气体会对阴极造成影响，损害阴极的灵敏度。

2）光电阴极制作工艺过程中，阴极碱源蒸气会进入MCP通道内，影响通道板性能。

3）阴极组件、MCP组件都在玻壳内进行除气，除气效率较低，容易造成污染。

4）倍增管玻壳小尺寸抽口限制了整管排气效率和内部极限真空，进而影响光电阴极的稳定性和整管寿命。

发明内容

为了解决现有光电倍增管制作方法影响光电阴极的性能和整管寿命的技术问题，本发明提供一种光电探测器件转移制作系统。

本发明的技术解决方案如下：

一种光电探测器件转移制作系统，其特殊之处在于：包括阴极腔、阳极腔、工作传递腔、转移传递系统、烘箱及抽真空系统，

所述阴极腔、阳极腔、工作传递腔之间通过阀门隔开，所述阴极腔和阳极腔分别位于工作传递腔两侧，所述阴极腔、阳极腔的上方均设置有装件口，所述工作传递腔上方设置有用于安装倍增管玻壳的铟封法兰，所述铟封法兰与工作传递腔之间设置有阀门，所述烘箱罩于工作传递腔上方，所述抽真空系统用于对阴极腔、阳极腔、工作传递腔及倍增管玻壳抽真空，

所述转移传递系统包括水平传递系统和升降系统，所述水平传递系统包括阳极组件放置装置、阴极组件放置装置及水平传递装置，

所述阳极组件放置装置包括转动驱动组件、工位转盘以及至少一个组件盘，所述组件盘圆周均布在工位转盘上，所述组件盘用于放置阳极组件，所述转动驱动组件驱动工位转盘转动，所述组件盘上纵向设置有第一通孔，所述组件盘的侧壁上上设置有挂钩，所述挂钩位于工位转盘的外侧且伸出工位转盘；

所述阴极组件放置装置与阳极组件放置装置结构相同，所述阴极组件放置装置与阳极组件放置装置分别位于水平传递装置的两端，所述阴极组件放置装置的组件盘用于放置阴极组件；

所述水平传递装置位于工作传递腔内，包括固定拖板、滑动拖板、阀门过桥、连接板及传动机构，

所述固定拖板上设置有导轨，

所述传动结构位于固定拖板的至少一侧，所述连接板的一端与传动机构连接，所述连接板的另一端与滑动拖板连接，所述连接板在传动机构的驱动下沿导轨运动带动滑动拖板沿导轨运动，所述滑动拖板的两端设置有与组件盘上挂钩相配合的凹槽；

所述阀门过桥对称设置在固定拖板两端，所述阀门过桥包括过桥板、转轴以及驱动机构，所述转轴设置固定拖板上，所述过桥板固定在转轴上；所述驱动机构驱动转轴转动实现过桥板的折叠与展开；

所述固定拖板上设置有第二通孔；

所述升降系统的动力输出端能够穿过第一通孔和第二通孔，驱动组件盘做升降运动。

作为对上述基本方案的改进，本发明的传动机构可以对称设置在固定拖板两侧，使得水平传递过程更加稳定，传动机构可以为齿轮传动机构、链条传动机构或带传动机构，连接板的一端与传动机构的传动带或传动链连接。

作为对基本方案的优化，本发明可优选转动驱动组件为锥形齿轮，锥形齿轮位于转盘下方与工位转盘啮合，通过转动工位手柄来使工位转盘旋转。

本发明的升降系统采用丝杠结构，包括丝母顶杆、丝杠、磁流体、传动组件，丝母顶杆与丝杠连接，磁流体的一端与丝杆连接，磁流体的另一端与传动组件的动力输出端连接。

利用本发明的装置进行光电探测器件制作的方法，包括以下步骤：

1】升起烘箱，将倍增管玻壳与工作传递腔上方的铟封法兰进行连接；

2】将阳极组件装入阳极腔，将阴极组件装入阴极腔，将所有接口部位全部密封；

3】对整个光电探测器件转移制作系统进行真空检漏，检漏合格后，对系统抽真空，

4】对系统进行烘烤，包括对真空腔室进行烘烤，对阳极组件进行烘烤、对阴极组件烘烤、对玻壳进行烘烤，

5】对阴极组件进行除气处理，对阳极组件进行电子冲刷和去气处理；

6】将阴极组件通过转移传递系统送入玻壳，进行光电阴极制作，制作完成后将阴极组件送回阴极腔室；

7】将阳极组件通过转移传递系统送入玻壳，将阳极组件电极法兰与玻壳接口法兰铟封，

8】工作传递腔充填氮气，升起烘箱，将制作好的倍增管卸下。

上述光电探测器件制作的方法还可以进行以下方面的优化选择：

上述步骤4】的烘烤温度为350℃-450℃，其中阴极组件烘烤时间为5-10小时，玻壳和阳极组件烘烤时间为15-25小时。

上述步骤5】中阴极组件除气时采用高频、电流或卤素灯加热的方式，除气温度为100℃-600℃，除气时间为2-4小时，除气后的真空度应达到1×10^-5Pa。

在步骤4】中对玻壳进行烘烤后，还需对玻壳进行降温，降温后对玻壳进行辉光放电冲洗，时间持续0.5-1小时，之后，再次对玻壳进行烘烤，烘烤温度为350℃-450℃，烘烤时间为5-10小时，真空度应达到1×10^-5Pa。

上述步骤6】中光电阴极制作时，温度控制在150℃-250℃，真空度小于1×10-5Pa，步骤7】中的铟封温度控制在80℃-150℃，真空度优于1×10-5-10-6Pa。

本发明与现有技术相比，优点是：

1、本发明的光电探测器件转移制作系统及方法，利用该制作系统可提高光电倍增管玻壳内极限真空，保证光电阴极的高性能和长寿命；除阳极组件组装过程外，其余工艺过程均在超高真空的清洁环境内完成，防止制作过程对倍增管核心器件造成污染；对MCP阳极组件进行可控计量电子冲刷及高温烘烤除气，避免工作中MCP阳极组件大量放气致光电阴极的灵敏度降低；MCP阳极组件处理与光电阴极制作工艺相互独立，避免非阴极部分受阴极碱金属污染，保证MCP处于最佳性能工作状态。

2、本发明主要用于微通道板型光大面积电倍增管研制，该转移制作系统通过一定的调整，还可用于高性能条纹相机条纹变像管等其他相关光电探测、诊断、成像器件的制作，在未来的太空探测领域及高能物理探测方面得到广泛的应用，市场前景十分广阔，因而具有极强的经济效益及社会意义。

附图说明

图1为微通道板型光电倍增管结构示意图；

图2为本发明转移制作系统结构示意图；

图3转移传递系统结构示意图；

图4水平传递装置运动原理图；

图5升降系统结构示意图；

图6微通道板型光电倍增管转移制作系统工作流程图；

图7微通道板型光电倍增管转移制作工艺流程图；

其中附图标记为：1-玻璃壳、2-透射式光阴极、3-阳极组件、4-供电信号线、5-支撑杆、6-反光膜、7-反射式光阴极、8-电极法兰盘、9-接口法兰、11-MCP-PMT、12-烘箱、13-铟封法兰、14-装件口、15-阴极腔、16-阴极组件、17-阴极工位盘、18-传动台、19-工作传递腔、20-方形插板阀、21-阳极工位盘、22-阳极MCP组件、23-阳极腔、24-监控系统、25-工位手柄、26-阀门过桥、27-滑动拖板、28-过桥手柄、29-水平传动手柄、30-传动带链、31-第三通孔、32-升降系统、33-挂钩、34-凹槽、35-第一通孔、36-连接板、37-升降手柄、38-传动带、39-磁流体、40-丝杠、41-丝母顶杆。

具体实施方式

以下结合附图对本发明进行说明。

如图1所示，本发明根据微通道板型大面积光电倍增管特点，采用了3个独立真空腔室的结构，顶部铟封法兰13通过超高真空法兰连接光电倍增管玻璃壳1，下部设置有一个插板阀。

该制作系统示意图如图2，各主要部分功能如下：

1）阴极腔15：放置阴极碱源材料和测试阴极灵敏度的光电子收集极，辉光放电组件等部件，内部可设置多工位，存放阴极组件16，并可对阴极组件供电。

2）阳极腔23：存放阳极MCP组件22，设置卤钨灯、电子枪，对MCP烘烤冲刷去气，内部也可设置多工位，存放阳极组件以提高效率，并可对阳极组件供电。

3）工作传递腔19：两侧利用方形插板阀20分别与阴极腔、阳极腔隔离，顶部用阀门和玻壳铟封法兰13隔离；底部设置水平传递装置和升降系统，该机构可将阴极组件或阳极组件送入玻壳进行工艺处理，还可从玻壳将阴极、阳极组件传递送回原来腔室。

4）转移传递系统：转移传递系统安装在工作传递腔内，通过水平和垂直的转移传递机构，使阴极、阳极组件的在制作系统内根据工艺需要和要求，在阴极或阳极腔室和工作腔玻壳之间运动，完成相关的工艺操作。整个转移过程分为水平传递和垂直传递两个独立的运动，相互之间实现交接。

转移传递系统详细的工作机构简图如图3、4、5。

水平传递系统工作结构示意图如图3，水平传递系统包括阳极组件放置装置、阴极组件放置装置及水平传递装置，

阳极组件放置装置包括转动驱动组件、工位转盘以及至少一个组件盘，组件盘圆周均布在工位转盘上，组件盘用于放置阳极组件，转动驱动组件驱动工位转盘转动，组件盘上纵向设置有第一通孔35，组件盘的侧壁上上设置有挂钩33，挂钩位于工位转盘的外侧且伸出工位转盘；阴极组件放置装置与阳极组件放置装置结构相同，阴极组件放置装置与阳极组件放置装置分别位于水平传递装置的两端，阴极组件放置装置的组件盘用于放置阴极组件；水平传递装置位于工作传递腔内，包括固定拖板、滑动拖板27、阀门过桥26、连接板36及传动机构，固定拖板上设置有导轨，传动结构位于固定拖板的至少一侧，连接板的一端与传动机构连接，连接板的另一端与滑动拖板连接，连接板在传动机构的驱动下沿导轨运动带动滑动拖板沿导轨运动，滑动拖板的两端设置有与组件盘上挂钩相配合的凹槽；阀门过桥对称设置在固定拖板两端，阀门过桥包括过桥板、转轴以及驱动机构，转轴设置固定拖板上，过桥板固定在转轴上；驱动机构驱动转轴转动实现过桥板的折叠与展开；过桥板的展开是指过桥板与固定拖板平齐。

转动驱动组件为锥形齿轮及用于驱动锥形齿轮的转动工位手柄，工位转盘的下方圆周设置有与锥形齿轮配合的齿，锥形齿轮位于转盘下方与工位转盘啮合。

工作时，将阴（阳）极组件装入阴（阳）极腔室的工位转盘，根据组件的功能要求，工位的数量可设置为1～3个。各工位与水平传递装置的固定拖板对齐部位设置一个球头碰珠，转动工位手柄时可根据碰珠限位力的变化和设置在阴（阳）极腔上的观察窗确定组件的位置是否到达水平传递位。水平传递时，先打开阀门，旋转过桥手柄，将阀门过桥放下，然后旋转水平传动手柄移动组件拖板，滑动拖板水平运动原理如图4，利用连接件将滑动拖板与传动链固定，在转动手柄时，传动链运动带动滑动拖板一起运动。传动链将滑动拖板端部送至工位转盘处，再旋转工位手柄，当组件到达水平传递位置时，组件盘的挂钩与滑动拖板的凹槽挂扣，再反向旋转水平传递手柄，组件将被滑动拖板拖动，在水平传递导轨上运动，送至垂直传递起点位置（图中垂直传递机构处），完成水平传递的过程。当阴极组件完成处理工艺后，由升降系统将阴极组件落至垂直传递起点位置，放入水平拖板，在通过相反的工作流程将阴极组件送回阴极腔。

升降系统的结构如图5，升降系统包括丝母顶杆41、丝杠40、磁流体39、传动组件，丝母顶杆与丝杠连接，磁流体的一端与丝杆连接，磁流体的另一端与传动组件的动力输出端连接。

丝母顶杆端部为锥形开槽结构，既确保组件定位，又能够保证组件方向。垂直升降采用丝杠机构，上端接口为超高真空法兰与工作腔连接，保证系统真空密封，下端采用了磁流体密封，将外部升降手柄37的旋转通过传动带导入真空内，带动丝杠旋转，使顶杆升降，达到带动阴（阳）极组件垂直传递的目的。当阴（阳）极组件送至垂直传递位置时，限位碰珠进行限位，然后旋转垂直升降手柄，顶板端部上升，与组件接口配合实现水平到垂直的交接，继续转动升降手柄，丝母顶杆则带动阴（阳）极组件上升，通过升降手柄力的变化和观察组件位置，确定将组件送至设计位置，完成相关的工艺。阳极组件送至玻壳接口法兰后，实现电极盘与玻壳法兰的铟封工艺，无须将阳极组件送回阳极腔，最终接口与MCP-PMT一起从系统卸下。

5）真空系统：用于整个制作系统的真空获得与维持，主要由机械泵、分子泵和离子泵构成，根据系统要求配置高真空规、四级质谱、阀门等真空元器件。整个真空系统极限压强小于5×10-7Pa，系统真空总漏率小于1×10-10Torr·L/S。

6）控制及阴极监控系统：控制系统主要控制各功能模块工作，包括温度、水、电、气等参数控制，运动机构的动作控制和系统安全联锁等功能。阴极监控系统主要用于阴极制作工艺过程监控和记录，可按照系统设置进行光电阴极的制作。

7）铟封接口：利用设计好的铟封结构，在完成微通道板型光电倍增管光电阴极制作后，利用阳极组件与整管完成热铟封，保证管壳内的高真空。

8）烘箱：主要对玻壳进行烘烤去气处理，设计烘烤温度500℃，可连续工作50小时。

本发明微通道板型光电倍增管制作系统的主要工作流程如图6。首先升起烘箱，将倍增管玻壳安装到工作腔顶部法兰，阴极组件装入阴极腔，阳极组件装入阳极腔，将所有接口部位全部密封连接；然后对整个制作系统进行真空检漏，检漏合格后开启真空烘烤和玻壳烘烤系统，按照真空调试工艺对整个设备真空系统进行调试，真空调试的同时，按照工艺要求对阴极组件进行除气处理，阳极MCP组件进行电子冲刷和去气处理，确保整个系统的真空和清洁；真空调试真空度满足指标要求后，将阴极组件通过转移系统送入玻壳，进行光电阴极制作，制作完成后将阴极组件送回阴极腔室；再将阳极MCP组件送入玻壳，利用阳极MCP组件电极法兰实现与玻壳接口法兰的铟封，保证倍增管内部高真空，完成整个微通道板型大面积光电倍增管的制作。工作传递腔室充高纯干燥氮气，升起烘箱，将制作好的倍增管卸下，完成整个微通道板型光电倍增管的制作过程。

本发明微通道板型光电倍增管制作系统的工艺流程如图7，在最终传递转移处理工艺前，阴极、阳极、玻壳等处理工艺在阴极腔、阳极腔和工作腔分别独立完成。

整个MCP-PMT转移制作工艺流程是：先将镀铝玻壳安装到工作腔顶部法兰，阴极组件装入阴极腔，阳极组件装入阳极腔，将所有接口部位全部密封连接；然后对整个制作系统进行真空检漏，检漏合格（系统漏率小于1×10-10Torr·l/s）后，按照抽气工艺打开真空抽气系统，当系统真空度达到1×10-4Pa后，开始对系统进行烘烤；系统的烘烤包括真空腔室的烘烤、阴极组件烘烤、玻壳烘烤、阳极组件烘烤，烘烤温度为350℃～450℃，其中阴极组件烘烤时间5～10小时，玻壳和阳极组件烘烤时间为15～25小时；烘烤后对阴极腔室碱源进行除气，除气采用高频（或加电、卤钨灯）加热的方式，除气温度为100℃～600℃，除气过程持续2～4小时，除气后阴极腔真空度应达到1×10-5Pa；玻壳烘烤后降温，利用工作腔微调阀充入气体，对玻壳进行辉光放电清洗，时间持续0.5～1.5小时，辉光放电完成后，继续对玻壳进行烘烤，烘烤温度350℃～450℃，烘烤时间为5～10小时，烘烤后降温，玻壳真空度应达到1×10-5Pa；阳极组件烘烤后，利用电子枪对阳极MCP组件进行电子冲刷，冲刷时间24～48小时，冲刷后再对MCP阳极组件进行性能检测，时间为1～2小时，此时阳极腔真空度应达到1×10-5Pa。

以上工艺完成后，开始MCP-PMT最终的转移制作。首先，是将阴极组件通过水平和垂直转移传递1，送入玻壳进行光电阴极的制作，光电阴极制作过程中温度控制在150℃～250℃，工作腔真空度小于1×10-5Pa，通过阴极监控系统对工艺进行控制，工艺过程持续约12～24小时，光电阴极制作完成后，通过转移传递将阴极组件送回阴极腔；其次，将阳极组件通过水平和垂直转移传递2，送入玻壳，采用热铟封的方式完成阳极组件在MCP-PMT中的封安装，此过程要求温度控制在80℃～150℃，工作腔真空度在1×10-5Pa～10-6Pa，完成铟封后系统自然降温。最后关闭铟封法兰下的阀门，升起烘箱，将MCP-PMT从制作系统上取下，完成整个MCP-PMT的转移制作工艺过程。

Claims (10)

1.一种光电探测器件转移制作系统，其特征在于：包括阴极腔、阳极腔、工作传递腔、转移传递系统、烘箱及抽真空系统，

所述阴极腔、阳极腔、工作传递腔之间通过阀门隔开，所述阴极腔和阳极腔分别位于工作传递腔两侧，所述阴极腔、阳极腔的上方均设置有装件口，所述工作传递腔上方设置有用于安装倍增管玻壳的铟封法兰，所述铟封法兰与工作传递腔之间设置有阀门，所述烘箱罩于工作传递腔上方，所述抽真空系统用于对阴极腔、阳极腔、工作传递腔及倍增管玻壳抽真空，

所述转移传递系统包括水平传递系统和升降系统，所述水平传递系统包括阳极组件放置装置、阴极组件放置装置及水平传递装置，

所述阳极组件放置装置包括转动驱动组件、工位转盘以及至少一个组件盘，所述组件盘圆周均布在工位转盘上，所述组件盘用于放置阳极组件，所述转动驱动组件驱动工位转盘转动，所述组件盘上纵向设置有第一通孔，所述组件盘的侧壁上上设置有挂钩，所述挂钩位于工位转盘的外侧且伸出工位转盘；

所述阴极组件放置装置与阳极组件放置装置结构相同，所述阴极组件放置装置与阳极组件放置装置分别位于水平传递装置的两端，所述阴极组件放置装置的组件盘用于放置阴极组件；

所述水平传递装置位于工作传递腔内，包括固定拖板、滑动拖板、阀门过桥、连接板及传动机构，

所述固定拖板上设置有导轨，

所述传动结构位于固定拖板的至少一侧，所述连接板的一端与传动机构连接，所述连接板的另一端与滑动拖板连接，所述连接板在传动机构的驱动下沿导轨运动带动滑动拖板沿导轨运动，所述滑动拖板的两端设置有与组件盘上挂钩相配合的凹槽；

所述阀门过桥对称设置在固定拖板两端，所述阀门过桥包括过桥板、转轴以及驱动机构，所述转轴设置固定拖板上，所述过桥板固定在转轴上；所述驱动机构驱动转轴转动实现过桥板的折叠与展开；

所述固定拖板上设置有第二通孔；

所述升降系统的动力输出端能够穿过第一通孔和第二通孔，驱动组件盘做升降运动。

2.根据权利要求1所述的光电探测器件转移制作系统，其特征在于：所述传动机构及连接板的数量为2，对称设置在固定拖板两侧，所述传动机构为齿轮传动机构、链条传动机构或带传动机构，所述连接板的一端与传动机构的传动带或传动链连接。

3.根据权利要求1或2所述的光电探测器件转移制作系统，其特征在于：所述转动驱动组件为锥形齿轮及用于驱动锥形齿轮的转动工位手柄，所述工位转盘的下方圆周设置有与锥形齿轮配合的齿，所述锥形齿轮位于转盘下方与工位转盘啮合。

4.根据权利要求3所述的光电探测器件转移制作系统，其特征在于：所述升降系统包括丝母顶杆、丝杠、磁流体、传动组件，所述丝母顶杆与丝杠连接，所述磁流体的一端与丝杆连接，所述磁流体的另一端与传动组件的动力输出端连接。

5.一种利用权利要求1所述装置进行光电探测器件制作的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1】升起烘箱，将倍增管玻壳与工作传递腔上方的铟封法兰进行连接；

2】将阳极组件装入阳极腔，将阴极组件装入阴极腔，将所有接口部位全部密封；

3】对整个光电探测器件转移制作系统进行真空检漏，检漏合格后，对系统抽真空，

4】对系统进行烘烤，包括对真空腔室进行烘烤，对阳极组件进行烘烤、对阴极组件烘烤、对玻壳进行烘烤，

5】对阴极组件进行除气处理，对阳极组件进行电子冲刷和去气处理；

6】将阴极组件通过转移传递系统送入玻壳，进行光电阴极制作，制作完成后将阴极组件送回阴极腔室；

7】将阳极组件通过转移传递系统送入玻壳，将阳极组件电极法兰与玻壳接口法兰铟封，

8】工作传递腔充填氮气，升起烘箱，将制作好的倍增管卸下。

6.根据权利要求5所述的光电探测器件制作的方法，其特征在于：所述步骤4】的烘烤温度为350℃-450℃，其中阴极组件烘烤时间为5-10小时，玻壳和阳极组件烘烤时间为15-25小时。

7.根据权利要求5所述的光电探测器件制作的方法，其特征在于：所述步骤5】中阴极组件除气时采用高频、电流或卤素灯加热的方式，除气温度为100℃-600℃，除气时间为2-4小时，除气后的真空度应达到1×10^-5Pa。

8.根据权利要求5所述的光电探测器件制作的方法，其特征在于：在步骤4】中对玻壳进行烘烤后，还需对玻壳进行降温，降温后对玻壳进行辉光放电冲洗，时间持续0.5-1小时，之后，再次对玻壳进行烘烤，烘烤温度为350℃-450℃，烘烤时间为5-10小时，真空度应达到1×10^-5Pa。

9.根据权利要求6或7所述的光电探测器件制作的方法，其特征在于：在步骤4】中对玻壳进行烘烤后，还需对玻壳进行降温，降温后对玻壳进行辉光放电冲洗，时间持续0.5-1小时，之后，再次对玻壳进行烘烤，烘烤温度为350℃-450℃，烘烤时间为5-10小时，真空度应达到1×10^-5Pa。

10.根据权利要求5所述的光电探测器件制作的方法，其特征在于：步骤6】中光电阴极制作时，温度控制在150℃-250℃，真空度小于1×10^-5Pa，步骤7】中的铟封温度控制在80℃-150℃，真空度优于1×10^-5-10^-6Pa。

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