CN106098549A - 使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法，包括以下步骤：在硅衬底上依次生长第一氧化物层、氮化硅层、第二氧化物层、光刻胶；进行光刻工艺，在光刻胶上形成微图形结构，使待刻蚀部分暴露；以光刻胶层为抗蚀剂层，刻蚀第二氧化物层；去除光刻胶；以第二氧化物层为抗蚀剂层，刻蚀氮化硅层；去除第二氧化物层，以氮化硅层为抗蚀剂层，刻蚀第一氧化物层；以氮化硅层和第一氧化物层为抗蚀剂层，使用湿法刻蚀的方法刻蚀硅衬底；去除氮化硅层。本发明提供了一种使用表面掩膜进行硅刻蚀的方法，能在硅湿法刻蚀过程中起到阻挡作用，有效缓解了侧向腐蚀，从而保证后续电泳法玻璃钝化正常进行。

Description

使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法
技术领域
本发明涉及半导体湿法刻蚀领域，特别是一种防止硅刻蚀时过度侧向腐蚀的使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法。
背景技术
在功率型体式半导体器件生产过程中，为了使PN结终端得到钝化保护，通常需要使用硅湿法刻蚀工艺，在硅表面刻蚀出一定面积和深度的沟槽，使PN结外露，再用薄膜或者玻璃工艺钝化，从而保证产品获得理想的击穿电压和较小的漏流。湿法刻蚀具有各向同性的特点，在纵向刻蚀的同时，横向也同时发生刻蚀，由于负性光刻胶和硅片表面粘附性不稳定，容易发生皱胶，脱胶的问题，导致硅片横向刻蚀过大，超出设计允许的范围，从而导致器件电性失效。行业内一般通过改善光刻胶的粘附性和刻蚀工艺来优化硅片从中间到边缘的侧向腐蚀均匀性和缺陷比率，由于胶的稳定性差异和湿法刻蚀的基本特性决定了传统方法往往不能取得很好的效果。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明公开了一种使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法。
本发明的技术方案如下：
一种使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法，包括以下步骤：
步骤1、在硅衬底上生长第一氧化物层；在氧化物层上生长氮化硅层；在氮化硅之上使用低温二氧化硅工艺生长第二氧化物层；在第二氧化物层之上覆盖光刻胶；
步骤2、进行光刻工艺，在光刻胶上形成微图形结构，使待刻蚀部分暴露；
步骤3、以光刻胶层为抗蚀剂层，刻蚀第二氧化物层；
步骤4、去除光刻胶；以第二氧化物层为抗蚀剂层，刻蚀氮化硅层；
步骤5、去除第二氧化物层，以氮化硅层为抗蚀剂层，刻蚀第一氧化物层；
步骤6、以氮化硅层和第一氧化物层为抗蚀剂层，使用湿法刻蚀的方法刻蚀硅衬底；
步骤7、去除氮化硅层。
其进一步的技术方案为：所述氮化硅层的厚度为
其进一步的技术方案为：所述第二氧化物层的厚度为
本发明的有益技术效果是：
本发明为了解决由于侧向过度腐蚀，造成器件电性失效，提供了一种使用表面掩膜进行硅刻蚀的方法，这种掩膜机构能在硅湿法刻蚀过程中起到阻挡作用，有效缓解了侧向腐蚀，从而保证后续电泳法玻璃钝化正常进行。
硅刻蚀工艺进行时，由于掩膜的存在，横向刻蚀会比纵向刻蚀慢，如此有效限制了硅的横向刻蚀。
附图说明
图1是步骤1的示意图。
图2是步骤2的示意图。
图3是步骤3的示意图。
图4是步骤4的示意图。
图5是步骤5的示意图。
具体实施方式
本发明具体包括以下步骤：
步骤1、在硅衬底1上生长第一氧化物层2；在第一氧化物层2上生长氮化硅层3，氮化硅层3的厚度为在氮化硅层3之上使用低温二氧化硅工艺生长第二氧化物层4，厚度为在第二氧化物层4之上覆盖光刻胶5。图1是步骤1的示意图，具体的层次结构可参见图1。
步骤2、进行光刻工艺，在光刻胶上5形成微图形结构，使待刻蚀部分暴露。图2是步骤2的示意图。
步骤3、以光刻胶5为抗蚀剂层，刻蚀第二氧化物层4；图3是步骤3的示意图。
步骤4、去除光刻胶5；以第二氧化物层4为抗蚀剂层，刻蚀氮化硅层3；图4是步骤4的示意图。
步骤5、去除第二氧化物层4，以氮化硅层3为抗蚀剂层，刻蚀第一氧化物层2；图5是步骤5的示意图。
步骤6、以氮化硅层3和第一氧化物层2为抗蚀剂层，使用湿法刻蚀的方法刻蚀硅衬底。在此步骤中，氮化硅层3作为表面掩膜，在硅湿法刻蚀过程中起到阻挡作用，有效缓解了侧向腐蚀。从而保证后续电泳法玻璃钝化正常进行。
步骤7、去除氮化硅层3。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，本发明不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在硅衬底上生长第一氧化物层；在第一氧化物层上生长氮化硅层；在氮化硅之上使用低温二氧化硅工艺生长第二氧化物层；在第二氧化物层之上覆盖光刻胶；
步骤2、进行光刻工艺，在光刻胶上形成微图形结构，使待刻蚀部分暴露；
步骤3、以光刻胶层为抗蚀剂层，刻蚀第二氧化物层；
步骤4、去除光刻胶；以第二氧化物层为抗蚀剂层，刻蚀氮化硅层；
步骤5、去除第二氧化物层，以氮化硅层为抗蚀剂层，刻蚀第一氧化物层；
步骤6、以氮化硅层和第一氧化物层为抗蚀剂层，使用湿法刻蚀的方法刻蚀硅衬底；
步骤7、去除氮化硅层。
2.如权利要求1所述的使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为
3.如权利要求1所述的使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法，其特征在于：所述第二氧化物层的厚度为
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