CN106095172B - 触控传感器、触控传感器的制备方法、触摸屏和电子产品 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种触控传感器及其制备方法以及包含所述触控传感器的触摸屏和电子产品。所述触控传感器包括:基板以及依次形成于所述基板上的消影图样和金属桥;其中,所述消影图样形成于所述基板上与所述金属桥对应的区域,包括低反射率材料,用于消除所述金属桥的反光。本发明的触控传感器通过在与金属桥对应的位置处增加消影图样,消影效果好,实现了贴合后金属桥的不可见,而且制作工艺简单,成本低。

Description

触控传感器、触控传感器的制备方法、触摸屏和电子产品
技术领域
本发明涉及触控传感器技术领域,尤其涉及一种触控传感器及其制备方法以及包含所述触控传感器的触摸屏和电子产品。
背景技术
目前金属桥(Metal bridge)应用在OGS(One Glass Solution,单玻璃解决方案)、On-cell(外嵌式)和In-cell(内嵌式)触摸屏中的现象很普遍,这主要得益于它的低电阻,特别是在大尺寸触摸屏方面,可以有效降低RC延时(RC Delay),以及防止静电放电(ESD)。相比于ITO(氧化铟锡)搭接桥点,金属桥方案可以有效减少一张掩膜板(MASK),减少工艺流程,降低成本。但是,金属桥也存在不足,尤其是在消影问题上,金属具有的高反射率,在贴合后消影不足会观察到明亮亮点,影响视觉效果。因此,如何改善金属桥的消影是一个亟待解决的重要问题。
目前普遍采用金属黑化工艺以解决消影问题,但是黑化一方面会增加工艺步骤,增加制造成本,另一方面黑化工艺会增加金属阻抗,实际操作中制造者往往难以同时兼顾黑化后金属的阻抗和反射率,因此,在贴合后自然光下,金属的反射率和LCM(LCD Module,LCD显示模组)黑背景的反射率通常仍会存在差异,金属亮点通常无法做到真正消除,依然影响用户体验效果。由于这些缺点的存在,限制了金属材料在触摸屏传感器上的利用,现有的高端屏依然少见金属桥。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此,本发明的目的在于克服现有技术中的至少一个缺陷,提供一种触控传感器及其制备方法以及包含所述触控传感器的触摸屏和电子产品。
(二)技术方案
根据本发明实施例的一个方面,提供了一种触控传感器,包括:基板以及依次形成于所述基板上的消影图样和金属桥;其中,所述消影图样形成于所述基板上与所述金属桥对应的区域,包括低反射率材料,用于消除所述金属桥的反光。
优选地,所述低反射率材料为黑色光阻或黑色金属氧化物材料,所述黑色金属氧化物材料可以是CrO、CuO等低反射率材料。
优选地,所述触控传感器还包括:黑矩阵边框,设置于所述基板上,所述消影图样与所述黑矩阵边框位于同一层,并且所述消影图样的材料与所述黑矩阵边框的材料相同。
优选地,所述金属桥在所述基板上形成的投影为第一投影,所述消影图样在所述基板上形成的投影为第二投影,所述第一投影位于所述第二投影的范围内。
优选地,所述消影图样的形状和大小与所述金属桥的形状和大小均相同。
优选地,所述触控传感器还包括:第一透明绝缘层,形成于所述金属桥上;触控识别图案,形成于所述第一透明绝缘层及未被所述第一透明绝缘层覆盖的基板上,包括:触控信号供给区域和触控信号接收区域,其中触控信号供给区域和触控信号接收区域之间具有交接区域,所述金属桥设置于所述交接区域以实现桥接;第二透明绝缘层,形成于所述触控识别图案上方。
其中,所述触控识别图案更优选由ITO材料形成。
根据本发明实施例的另一个方面,提供了一种制作前述触控传感器的方法,所述方法包括:在基板上形成消影图样,所述消影图样由低反射率材料形成;以及在所述消影图样上形成金属桥。
优选地,所述在基板上形成消影图样之前,或者所述在基板上形成消影图样与在消影图样上形成金属桥之间,还包括:在所述基板上形成黑矩阵边框。
进一步优选,当所述黑矩阵边框的材料与所述消影图样的材料相同时,所述的在所述基板上形成黑矩阵边框和在基板上形成消影图样合并为一个步骤:在基板上同时形成所述黑矩阵边框和所述消影图样。
更优选地,所述在基板上同时形成所述黑矩阵边框和所述消影图样包括:在基板上涂覆黑色光阻材料,形成黑色光阻材料层;通过曝光显影制程形成黑色光阻图案;其中,所述黑色光阻图案包括:黑色光阻保留区域和黑色光阻去除区域,所述黑色光阻保留区域包括所述黑矩阵边框和所述消影图样。
优选地,所述在消影图样上形成金属桥之后还包括:
在所述金属桥上形成第一透明绝缘层;
在所述第一透明绝缘层及未被所述第一透明绝缘层覆盖的基板上形成触控识别图案;以及在所述触控识别图案上形成第二透明绝缘层。
根据本发明实施例的再一个方面,提供了一种触摸屏,所述触摸屏包括依次设置的如前所述的触控传感器,OCR/OCA(Optical Clear Resin/Optical Clear Adhesive,光学透明树脂/光学透明胶)以及LCD显示模组。
所述触摸屏可以是OGS、On-cell或者In-cell类型的触摸屏。
根据本发明实施例的又一个方面,提供了一种电子产品,所述电子产品包括根据本发明实施例所述的触摸屏。
(三)有益效果
本发明的触控传感器及其制备方法以及包含所述触控传感器的触摸屏和电子产品至少具有以下有益效果之一:
1、通过在与金属桥对应的位置处增加消影图样,实现了贴合后金属桥不可见,消影效果好。
2、保持了金属材料的低电阻特性,无需考虑金属的高反射率。
3、工艺简单,成本低,应用前景广阔。
附图说明
图1为根据本发明实施例的触控传感器的结构示意图。
图2为根据本发明实施例的触控传感器的制备方法的流程图。
图3为根据本发明一实施例的电容式触控显示屏的结构示意图。
图4为根据本发明一实施例的触控传感器中金属桥处的结构细节示意图。
图5为图4中沿A-A’连线的剖面示意图。
图6为根据本发明一实施例的触控传感器的制备方法的流程图。
图7为根据本发明另一实施例的触控传感器中金属桥处的结构细节示意图。
图8为根据本发明另一实施例的触控传感器的制备方法的流程图。
【附图标记说明】
1-基板;
2-触控传感器;
21-第二透明绝缘层; 22-ITO触控识别图案;
23-第一透明绝缘层; 24-金属桥
25-BM边框; 26、26’-消影图样;
3-OCR/OCA层;
4-LCM模块。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明作进一步的详细说明。
应注意,贯穿附图,相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。在以下描述中,一些具体实施例仅用于描述目的,而不应该理解为对本发明有任何限制,而只是本发明实施例的示例。在可能导致对本发明的理解造成混淆时,将省略常规结构或构造。应注意,图中各部件的形状和尺寸不反映真实大小和比例,而仅示意本发明实施例的内容。
如图1所示,根据本发明实施例的触控传感器可以包括:基板1以及依次形成于所述基板1上的消影图样26和金属桥24;其中,所述消影图样26形成于所述基板1上与所述金属桥24对应的区域,包括低反射率材料,用于消除所述金属桥24的反光。其中,所述低反射率材料为本领域常规的含义,本领域技术人员知晓:对于传感器领域使用的低反射率材料,一般而言,其是指那些在自然光照下人眼所能接受的材料表面反射光能量低的材料,包括光吸收材料和表面低反射率透明材料。在本发明实施例中,由于消影图样的存在,当光线从外部通过基板(如可以是玻璃)照射进来时,不会产生对人眼有刺激作用的反射光。相反,若没有消影图样的存在,当光线照射到金属桥上时,则会产生对人眼有刺激作用的反射光。需要说明的是,在本发明中,除去黑色光阻或者黑色金属氧化物材料(如CrO、CuO等),使用其他的低反射率材料(如Al2O3、ZnO等),也能在一定程度上解决本发明的消影问题,因此本发明中所述的低反射率材料并不以在本说明书中所列举的材料为限。
优选地,所述触控传感器还包括:
黑矩阵边框,设置于所述基板上,所述消影图样与所述黑矩阵边框位于同一层,并且所述消影图样的材料与所述黑矩阵边框的材料相同。利用上述技术方案,能够在加工时节省工艺步骤,提高效率,降低成本。
优选地,所述金属桥在所述基板上形成的投影为第一投影,所述消影图样在所述基板上形成的投影为第二投影,所述第一投影位于所述第二投影的范围内。利用上述技术方案,能够进一步降低金属桥处的反光,从而完全解决消影问题。
作为进一步优选,所述消影图样的形状和大小与所述金属桥的形状和大小均相同,以所述第一投影与所述第二投影正好重合为佳。利用上述技术方案,能够确保在完全解决消影问题的基础上,同时不影响触控传感器底部发光层光源的正常流出。
如图2所示,根据本发明实施例制作前述触控传感器的方法可以包括:步骤S202:在基板上形成消影图样,所述消影图样由低反射率材料形成;以及步骤S204:在所述消影图样上形成金属桥。
本发明提供的触控传感器可以用于各类常见的触摸屏,如OGS、On-cell或者In-cell类型的触摸屏,以下以OGS触摸屏作为范例。本领域技术人员可以理解,对于On-cell或者In-cell类型的触摸屏,只需要在对应外嵌或内嵌的工艺中完成本发明的触控传感器制作即可。
需要说明的是,下述实施例中各具体操作步骤所涉及的镀膜、曝光、显影和刻蚀等工艺,都是本领域技术人员所熟知的常规技术手段,故不再赘述其工艺细节。
本发明实施例的一个方面提供了一种触控传感器。图3为一电容式触控显示屏的结构示意图,其包括根据本发明实施例的触控传感器,具体包括基板1、触控传感器2、OCR/OCA层3和LCM模块4,其中该基板1为保护玻璃。基板1起到保护整个触控显示屏的作用。OCR/OCA层3的作用为粘合LCM模块4与触控传感器2。LCM模块4是将液晶显示器件、连接件、控制与驱动等外围电路、PCB电路板、背光源、结构件等装配在一起的组件。
图4和图5为根据本发明实施例的触控传感器2设置在基板1上的结构示意图,其中图4为金属桥24处的结构细节示意图,图5为图4中沿A-A’连线的剖面示意图。下面结合图4和图5进一步理解本发明触控传感器2的结构。触控传感器2包括设置于基板1上的ITO触控识别图案22,触控识别图案22包括触控信号供给区域和触控信号接收区域,其中触控信号供给区域和触控信号接收区域之间具有交接区域,所述金属桥24设置于所述交接区域以实现桥接。金属桥24与基板1之间设置消影图样26。触控传感器2还包括设置于基板1上的BM(Black matrix,黑矩阵)边框25,消影图样26与BM边框25位于同一层,并且材料相同。而且,消影图样26的形状和大小与金属桥24的形状和大小相同。所以,利用光刻工艺技术,在制作BM边框25的同时形成和金属桥24形状和大小相同的消影图样26,利用BM材料低反射率吸光的特性,实现贴合后金属桥24处与LCM模块黑背景下反射率一致,自然光下金属桥24完全不可见。此外,由于消影图样26和金属桥24大小一致,整机点亮状态下和无消影图样26时显示屏效果能够实现完全一致。
为描述方便,以下将金属桥24所在层称为金属层,将BM边框25和消影图样26所在层称为BM层。进一步从图5可以看到,金属层下方为BM层,第一透明绝缘层23位于ITO触控识别图案22与金属层之间,最上方为第二透明绝缘层21,其作用是作为保护层而存在。按图示结构贴合过后,由于消影图样26的存在,在光照下,金属桥24处将和LCM模块黑背景的反射率一致,实现金属桥24不可见,即用户在使用时不再会观察到由于金属桥24的反光带来的明亮亮点。另外,金属走线27由于BM边框25的遮挡也不可见。
以下结合图4、图5和图6具体描述制作本实施例触控传感器2的具体工艺流程,其中触控传感器2可采用黄光工艺逐层制作在基板1上。
在步骤S602,在基板1上制作BM边框25和消影图样26,其中消影图样26的位置与预设的金属桥24的位置对应。
利用光刻技术制作BM边框25和消影图样26。其中,由于BM边框25和消影图样26使用相同的材料,故制作BM边框25和消影图样26在同一个步骤中即可完成。其中,所用BM材料可选用黑色光阻。
具体来讲,在基板1上涂覆黑色光阻材料BM,包括曝光显影制程形成黑色光阻图案,黑色光阻图案包括黑色光阻保留区域和黑色光阻去除区域,其中保留区域为触摸屏的BM层,即BM边框25和消影图样26所在层。
在步骤S604,在BM层上形成金属走线27和金属桥24。
本步骤中,利用磁控溅射法镀一层金属膜层,然后涂覆一层光刻胶层,然后对光刻胶层进行曝光显影,从而在金属薄膜上形成光刻胶图案,其中光刻胶保留区域为要形成的金属走线27和金属桥24区域,光刻胶去除区域为需要刻蚀掉金属的区域。利用酸液去除无光刻胶区域金属,最后去除光刻胶,形成所需金属走线27和金属桥24,其中,金属桥24位于消影图样26上方,金属桥24的形状和大小与消影图样26的形状和大小相同。
在步骤S606,在金属桥24上方形成第一透明绝缘层23。
本步骤中,涂覆一层透明绝缘材料,利用曝光显影,形成金属桥24上方的绝缘层。
在步骤S608,在第一透明绝缘层23上形成ITO触控识别图案22。
本步骤具体包括镀膜、曝光、显影、刻蚀工艺,其具体操作与步骤S604形成金属走线27和金属桥24的工艺相似,其中所使用的刻蚀酸液成分有差异,此为本领域公知常识,本领域技术人员在具体操作中知晓该差异,于此不再赘述。
在步骤S610,在ITO触控识别图案22上方形成第二透明绝缘层21。
本步骤中,涂覆一层绝缘材料,利用曝光显影,形成绝缘保护层,作用为保护触控传感器与走线区。
本发明实施例利用黑色BM材料的低反射率吸光效应,利用光刻技术在金属桥24处形成和金属桥24同样形状和大小的消影图样26,无需考虑金属高反射率影响,贴合后金属桥24处的光反射率将和LCM模块黑背景一致,可实现金属桥24不可见。相比金属黑化工艺,本发明具有成本低、工艺简单、不会影响金属的阻抗、消影效果更好以及无需改变现有的工艺制程等各项优点。
图7为根据本发明另一实施例的触控传感器设置在保护玻璃上的结构示意图,本实施例的触控传感器与图4所示实施例中的触控传感器基本相同,不同点在于:金属桥24处与基板1之间的消影图样26’所采用的材料与BM边框25的材料不相同。本实施例中的消影图样26’的材料为不同于BM边框25的低反射率材料,这类材料例如可为低反射率金属氧化物CrO、CuO等。与图4所示实施例中类似地,由于消影图样26’的形状和大小与金属桥24的形状和大小相同以及消影图样26’的低反射率吸光特性,实现贴合后金属桥24处与LCM模块黑背景下反射率一致,自然光下金属桥24不可见。此外,由于消影图样26’和金属桥24大小一致,整机点亮状态下和无消影图样26’时显示屏效果一致。
以下结合图7和图8具体描述制作本实施例触控传感器的具体工艺流程:
在步骤S802,在基板上制作BM边框25。
本步骤中,首先利用光刻技术形成BM边框25,BM材料可选用黑色光阻,在保护玻璃上涂覆黑色光阻材料BM,包括曝光显影制程形成黑色光阻图案,黑色光阻图案包括黑色光阻保留区域和黑色光阻去除区域,其中黑色光阻保留区域为触摸屏BM层,即BM边框25和消影图样26’所在的层。
在步骤S804,在基板上形成低反射率材料的消影图样26’,该消影图样26’的位置与预设的金属桥24的位置对应,该消影图样26’的形状和大小与金属桥24的形状和大小相同且厚度与BM边框25相同。
本实施例中,消影图样26’使用的材料为CrO,也可以使用其他的低反射率金属氧化物,如CuO等。首先利用磁控溅射法镀一层金属膜层,然后涂覆一层光刻胶层,再对光刻胶层进行曝光显影,从而在金属薄膜上形成光刻胶图案,其中光刻胶保留区域为要形成的低反射率材料消影图样26’,光刻胶去除区域为需要刻蚀掉金属的区域。利用酸液去除无光刻胶区域金属,最后去除光刻胶,形成所需低反射率的消影图样26’。
在步骤S806,在BM层上形成金属走线27和金属桥24,其中,该金属桥24位于消影图样26的上方,金属走线位于BM边框25上方。
利用磁控溅射法镀一层金属膜层,然后涂覆一层光刻胶层,再对光刻胶层进行曝光显影,从而在金属薄膜上形成光刻胶图案,其中光刻胶保留区域为要形成的金属走线27和金属桥24区域,光刻胶去除区域为需要刻蚀掉金属的区域。利用酸液去除无光刻胶区域金属,最后去除光刻胶,形成所述金属走线27和金属桥24。
在步骤S808,在金属桥24上方形成第一透明绝缘层23。
本步骤中,涂覆一层绝缘材料,利用曝光显影,形成金属桥24上方的绝缘层。
在步骤S810,在第一透明绝缘层23上形成ITO触控识别图案22。
本步骤具体包括镀膜、曝光、显影、刻蚀工艺,其具体操作与步骤S604形成金属走线27和金属桥24的工艺相似,其中所使用的刻蚀酸液成分有差异,此为本领域公知常识,本领域技术人员在具体操作中知晓该差异,于此不再赘述。
在步骤S812,在ITO触控识别图案22上方形成第二透明绝缘层21。
本步骤中,涂覆一层绝缘材料,利用曝光显影,形成绝缘保护层,作用为保护触控传感器。
其中,步骤S802和S804的执行顺序无需特殊限定,两者互换对本发明的整个制程工艺和技术效果无影响。
以上是本发明较优的实施方案。实际上,无论保护玻璃上是否有BM边框,本发明都可以通过在金属桥与保护玻璃之间设置低反射率材料的消影图样,使得金属桥处的反射率较低,与LCM黑背景下的反射率一致,从而在自然光下不可见,解决消影问题,且不改变金属阻抗。也就是说,当保护玻璃上没有BM边框,同样可以通过设置消影图样解决消影问题。而对于保护玻璃上有BM边框的情况,如图7所示实施例中那样,消影图样的材料也可以与BM边框的材料不同(这就意味着需要在两个工艺步骤中分别制作BM边框及消影图样),也同样可以解决消影问题。当然,消影图样的材料如果与BM边框的材料相同,则可以在一个工艺步骤中完成制作BM边框和消影图样(如图7所示实施例中的情况),这样可以节约工序和成本。
此外,消影图样的形状和大小不一定要像上述较优实施方案中那样与金属桥的形状和大小完全相同。实际上,消影图样的形状和大小相比于金属桥的形状和大小稍大或者稍小都是可以的。例如,如果消影图样的形状和大小相对于金属桥而言稍大且其能够完全遮挡所述金属桥,则可以完全克服消影问题,当然,可能会对整机点亮效果有一定影响。因为消影图样超出金属桥的部分可能会对从LCM模块发出的光线有一定遮挡。如果消影图样的形状和大小相对于金属桥而言稍小,则至少可以基本上解决消影问题,而且从LCM模块发出的光线不会被消影图样遮挡。当然,最优的是使得消影图样的形状和大小与金属桥的形状和大小完全相同,这样既能完全解决消影问题,同时整机点亮状态下与没有消影图样时显示屏的效果是完全一致的。
需要说明的是,前述较优的实施方案中均以ITO材料形成的触控识别图案为例进行说明,事实上,本发明还可以采用其他材料来制作该触控识别图案,并不限于ITO材料。
以上是以OGS触摸屏作为范例进行说明的,对于On-cell和In-cell类型的触摸屏,在实际操作中的方法和注意事项是基本相同的。
如对于On-cell的触摸屏,是在保护玻璃上利用光刻工艺形成黑色遮光层BM时,同时形成遮光BM消影图样,位置覆盖金属桥区域,即可达到消影目的。
对于In-cell的触摸屏,则是在显示屏内部嵌入触控传感器的操作时,利用光刻工艺形成黑色遮光层BM并同时形成遮光BM消影图样,位置覆盖金属桥区域,即可达到消影目的。
本发明的消影方案不仅适用于前面提到的情况,还可适用于Metal mesh(金属网络或称金属网格)等产品的金属消影。
对于Metal mesh产品,同样在形成BM层时,可同时在传感器区域形成BM线(线宽、形状与Metal mesh一致),即可达到金属消影效果。同样地,BM材料可为黑色光阻或者Cr、CrO等低反射率材料。
需要说明的是,在附图或说明书正文中,未绘示或描述的实现方式,均为所属技术领域中普通技术人员所知的形式,并未进行详细说明。此外,上述对各元件和方法的定义并不仅限于实施例中提到的各种具体结构、形状或方式,本领域普通技术人员可对其进行简单地更改或替换。
此外,本文可提供包含特定值的参数的示范,但这些参数无需确切等于相应的值,而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应值。实施例中提到的方向用语,例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等,仅是参考附图的方向,并非用来限制本发明的保护范围。并且,除非特别描述或必须依序发生的步骤,上述步骤的顺序并无限制于以上所列,且可根据所需设计而变化或重新安排。
综上所述,本发明提供了一种新型的触控传感器及其制备方法以及包含所述触控传感器的触摸屏和电子产品。所述触控传感器是通过在金属桥的对应位置设置消影图样,以解决金属桥的反光眩晕问题,且制备工艺简单,当其选用与BM边框相同材料的时候,可以完全不改变现有的工艺制程即可制作得到。而且,本发明的消影方案不仅适用于前面提到的情况,还可适用于Metal mesh等产品的金属消影,应用前景十分广阔。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种触控传感器,包括:
基板;
形成于所述基板上的消影图样;
形成于所述消影图样上并与所述消影图样接触的金属桥;
第一透明绝缘层,形成于所述金属桥上并与所述金属桥接触;
触控识别图案,形成于所述第一透明绝缘层及未被所述第一透明绝缘层覆盖的基板上,包括:触控信号供给区域和触控信号接收区域,其中触控信号供给区域和触控信号接收区域之间具有交接区域,所述金属桥设置于所述交接区域以实现桥接;以及
第二透明绝缘层,形成于所述触控识别图案上方,且所述金属桥和所述第一透明绝缘层设置在所述消影图样和第二透明绝缘层之间,
其中,所述消影图样形成于所述基板上与所述金属桥对应的区域,包括低反射率材料,用于消除所述金属桥的反光。
2.如权利要求1所述的触控传感器,其特征在于,所述低反射率材料为黑色光阻或黑色金属氧化物材料。
3.如权利要求1所述的触控传感器,其特征在于,所述触控传感器还包括:黑矩阵边框,设置于所述基板上,所述消影图样与所述黑矩阵边框位于同一层,并且所述消影图样的材料与所述黑矩阵边框的材料相同。
4.如权利要求1所述的触控传感器,其特征在于,所述金属桥在所述基板上形成的投影为第一投影,所述消影图样在所述基板上形成的投影为第二投影,所述第一投影位于所述第二投影的范围内。
5.如权利要求4所述的触控传感器,其特征在于,所述消影图样的形状和大小与所述金属桥的形状和大小均相同。
6.根据权利要求1所述的触控传感器,其特征在于,所述触控识别图案由ITO材料形成。
7.一种制作触控传感器的方法,包括:
在基板上形成消影图样,所述消影图样由低反射率材料形成;
在所述消影图样上形成金属桥,所述金属桥与所述消影图样接触;
在所述金属桥上形成第一透明绝缘层,所述第一透明绝缘层与所述金属桥接触;
在所述第一透明绝缘层及未被所述第一透明绝缘层覆盖的基板上形成触控识别图案;以及
在所述触控识别图案上形成第二透明绝缘层,所述金属桥和所述第一透明绝缘层设置在所述消影图样和第二透明绝缘层之间。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在基板上形成消影图样之前,或者所述在基板上形成消影图样与在消影图样上形成金属桥之间,还包括:在所述基板上形成黑矩阵边框。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述黑矩阵边框的材料与所述消影图样的材料相同;其中,在基板上同时形成所述黑矩阵边框和所述消影图样。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述在基板上同时形成所述黑矩阵边框和所述消影图样包括:
在基板上涂覆黑色光阻材料,形成黑色光阻材料层;
通过曝光显影制程形成黑色光阻图案;
其中,所述黑色光阻图案包括:黑色光阻保留区域和黑色光阻去除区域,所述黑色光阻保留区域包括所述黑矩阵边框和所述消影图样。
11.一种触摸屏,其特征在于,所述触摸屏包括依次设置的如权利要求1-6中任一项所述的触控传感器,OCR/OCA以及LCD显示模组。
12.如权利要求11所述的触摸屏,其特征在于,所述触摸屏是OGS、On-cell或者In-cell类型的触摸屏。
13.一种电子产品,其特征在于,所述电子产品包括如权利要求11或12所述的触摸屏。
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