CN106086808A - 一种卷绕式真空镀膜机及镀膜工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种卷绕式真空镀膜机，包括抽真空的箱体，所述箱体内的左右两端的上部分别设有基材放卷轴和基材收卷轴，所述基材放卷轴和基材收卷轴之间的下方设有多个冷却辊，所述冷却辊的下方分别设置有一个蒸发源。本发明在一套真空镀膜机加入多个蒸发源对运动中的基材进行连续不断的蒸镀沉积，并对每次蒸镀进行冷却，可以使基材在不至于速度过低被熔断的情况下达到有效增加镀层金属厚度的目的。
Description
技术领域
本发明属于真空镀膜领域，具体涉及一种卷绕式真空镀膜机及镀膜工艺。
背景技术
真空镀膜在工业上应用很广泛，在蒸镀过程中，在蒸发源的高热量下，当薄膜运行速度小于一定值时极易熔断，速度快了镀膜厚度又达不到要求。
发明内容
根据上述阐述，本发明的目的在于提供一种卷绕式真空镀膜机，可以使基材在不至于速度过低被熔断的情况下达到有效增加镀层金属厚度的目的。
本发明提供的技术方案：一种卷绕式真空镀膜机，包括抽真空的箱体，所述箱体内的左右两端的上部分别设有基材放卷轴和基材收卷轴，所述基材放卷轴和基材收卷轴之间的下方设有多个冷却辊，所述冷却辊的下方分别设置有一个蒸发源。
在上述技术方案中，所述基材放卷轴和冷却辊之间、相邻冷却辊之间以及冷却辊和基材收卷轴之间分别设有转轴。
在上述技术方案中，所述箱体右侧上部还设置有一个观察窗。
一种镀膜工艺，包括以下步骤：将基材卷在基材放卷轴上，先后通过多个冷却辊进行多次镀膜后到达基材收卷轴。
在上述技术方案中，所述冷却辊的数量大于等于两个，所述基材为2-12μm的PET薄膜或OPP薄膜，蒸发源的加热温度为1400-2000℃，基材的运行速度5-100米/分钟。
本发明在一套真空镀膜机加入多个蒸发源对运动中的基材进行连续不断的蒸镀沉积，并对每次蒸镀进行冷却，可以使基材在不至于速度过低被熔断的情况下达到有效增加镀层金属厚度的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的结构示意图。
其中：1、箱体；2、真空泵；3、基材放卷轴；4、冷却辊；5、转轴；6、基材收卷轴；7、蒸发源；8、观察窗。
具体实施方式
下面对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种卷绕式真空镀膜机，包括抽真空的箱体，箱体一侧设有真空泵，箱体内的左右两端的上部分别设有基材放卷轴和基材收卷轴，基材放卷轴和基材收卷轴之间的下方设有多个冷却辊，冷却辊的下方分别设置有一个蒸发源。箱体右侧上部还设置有一个观察窗，便于观察箱内情况。
基材放卷轴和冷却辊之间、相邻冷却辊之间以及冷却辊和基材收卷轴之间分别设有转轴。
本发明还提供了一种镀膜工艺，包括以下步骤：将基材卷在基材放卷轴上，先后通过多个冷却辊进行多次镀膜后到达基材收卷轴。本实施方式中冷却辊的数量大于等于两个，基材为2-12μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇脂)薄膜或OPP(邻苯基苯酚)薄膜，蒸发源的加热温度为1400-2000℃，基材的运行速度5-100米/分钟。
本发明在一次装料一次抽真空情况下，对薄膜进行多次蒸镀，多次冷却，在保证薄膜不被熔断的前提下，有效的增加了金属镀层的厚度，大大提高了生产效率，降低了生产成本。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (5)
1.一种卷绕式真空镀膜机，包括抽真空的箱体，其特征在于，所述箱体内的左右两端的上部分别设有基材放卷轴和基材收卷轴，所述基材放卷轴和基材收卷轴之间的下方设有多个冷却辊，所述冷却辊的下方分别设置有一个蒸发源。
2.根据权利要求1所述的一种卷绕式真空镀膜机，其特征在于，所述基材放卷轴和冷却辊之间、相邻冷却辊之间以及冷却辊和基材收卷轴之间分别设有转轴。
3.根据权利要求1所述的一种卷绕式真空镀膜机，其特征在于，所述箱体右侧上部还设置有一个观察窗。
4.一种镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：将基材卷在基材放卷轴上，先后通过多个冷却辊进行多次镀膜后到达基材收卷轴。
5.根据权利要求4所述的一种镀膜工艺，其特征在于，所述冷却辊的数量大于等于两个，所述基材为2-12μm的PET薄膜或OPP薄膜，蒸发源的加热温度为1400-2000℃，基材的运行速度5-100米/分钟。
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Application publication date: 20161109 |
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |