CN106083825A - 吡嗪衍生物及其在有机电致发光器件中的应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种吡嗪衍生物及其在有机电致发光器件中的应用。该材料的结构如式I所示。利用该材料制备的有机电致发光器件可降低启动电压，提高器件的电流效率和电致发光效率，延长器件的寿命，并且材料合成以及提纯的方法简单适于大规模生产等特点，是作为有机电致发光器件发光材料的理想选择。本发明使用上述荧光材料的OLED器件，其发光层的荧光效率高、稳定性好，从而使器件的发光效率和寿命都能达到实用化的要求。

Description

吡嗪衍生物及其在有机电致发光器件中的应用
技术领域
本发明属于有机电致发光显示技术领域，涉及吡嗪衍生物及其在有机电致发光器件中的应用。
背景技术
有机电致发光(简称OLED)及相关的研究早在1963年pope等人首先发现了有机化合物单晶蒽的电致发光现象。1987年美国的柯达公司用蒸镀有机小分子的方法制成了一种非晶膜型器件，将驱动电压降到了20V以内。这类器件由于具有超轻薄、全固化、自发光、亮度高、视角宽、响应速度快、驱动电压低、功耗小、色彩鲜艳、对比度高、工艺过程简单、温度特性好、可实现柔软显示等优点，可广泛应用于平板显示器和面光源，因此得到了广泛地研究、开发和使用。
经过二十几年的发展，有机EL材料已经全面实现了红、蓝、绿色发光，应用领域也从小分子扩展到了高分子以及金属络合物等领域。最近几年有机电发光显示技术己趋于成熟，一些产品已进入市场，但在产业化时程中，仍有许多问题亟待解决，特别是用于制作器件的各种有机材料，其载流子注入、传输性能，材料电发光性能、使用寿命、色纯度、各种材料之间及与各电极之间的匹配等，尚有许多问题还未解决。尤其是发光器件在发光效率和使用寿命还达不到实用化要求，这大限制了OLED技术的发展。而利用三线态发光的金属配合物磷光材料具有高的发光效率，其绿光和红光材料已经达到使用要求，但是金属配合物特殊的电子结构特征，导致其蓝光材料无法达到使用要求。
介于荧光和磷光之间的热激活延迟荧光材料的出现，大大提高了荧光材料的发光效率，几乎达到磷光材料的发光效率，弥补了磷光蓝光材料的不足，同时避免了使用贵重的稀有金属，大大降低了材料成本。但是已经报道的热激活延迟荧光材料由于在固体状态下存在聚集荧光淬灭效应，只能采用掺杂的方式制备OLED器件。因此，开发出具有在固态下聚集诱导发光的热致激活延迟荧光材料是解决上述问题的一个途径。
发明内容
本发明的目的是提供吡嗪衍生物及其在有机电致发光器件中的应用。
本发明提供的吡嗪衍生物，其结构通式如式I所示，
所述式I中，R1和R2不同，均独立地选自氢、氘氢、氟、三氟甲基和氰基中的任意一种；或，
或表示取代位；
Ar1、Ar2独立的选自取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C6-C60芳膦基、取代的或未取代的C6-C60芳硅基、取代的或未取代的C6-C60芳硼基、取代的或未取代的C2-C60杂环芳基中的任意一种；
R3、R4、R5、R6独立的选自氢、氘氢、含有C1～C8的直链或带有支链的烷基、含有C1～C8的直链或带有支链的烷氧基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C2-C60杂环芳基中的任意一种；
所述Ar1、Ar2、R3、R4、R5和R6的定义中，所述取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C6-C60芳膦基、取代的C6-C60芳硅基、取代的C6-C60芳硼基和取代的C2-C60杂环芳基中，取代基均选自氢、氘氢、卤原子、羟基、腈基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其羧酸盐、磺酸基或其磺酸盐、磷酸基或其磷酸盐、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60环烷烃基和C3-C60环烯烃基中的至少一种；
具体的，所述C6-C60芳基具体可选自苯基、萘基、联苯基、蒽基、联蒽基、对叔丁基苯基、2,4-二氟苯基、4-(N,N-二甲基胺基)苯基、4-(N,N-二苯基胺基)苯基、3-(N,N-二苯基胺基)苯基、芘基、并四苯基、菲基、苯并菲基、苯并蒽基、苯并芘基和芴基中的任意一种；
所述C6-C60芳氧基具体可选自4-苯氧基苯基、二苯并[b,d]呋喃-2-基、二苯并[b,d]呋喃-4-基、苯并呋喃-2-基、苯并呋喃-5-基和苯并呋喃-7-基中的任意一种；
所述C6-C60芳硫基具体可选自二苯并[b,d]噻吩-2-基、二苯并[b,d]噻吩-4-基、4-苯亚砜基苯基、4-苯砜基苯基、苯并噻吩-2-基、苯并噻吩-5-基和苯并噻吩-7-基中的任意一种；
所述C6-C60芳膦基具体可选自4-(二苯基氧膦基)苯基、3-(二苯基氧膦基)苯基和二苯并[b]氧膦-5-(4-苯基)-4-基中的任意一种；
所述C6-C60芳硅基具体可选自4-(三苯基硅基)苯基、4-(二苯基甲基硅基)苯基、3-(三苯基硅基)苯基和3-(二苯基甲基硅基)苯基中的任意一种；
所述C6-C60芳硼基具体可选自4-(二(2,4,6-三甲基)苯基)-硼烷苯基、二苯并[b,d]硼烷-5-苯基-4-基和三苯基硼基中的任意一种；
所述C2-C60的杂环芳基为如下式II-1～II-15所示基团中的任意一种：
所述式II-1～II-15中，Z1、Z2和Z3均独立地选自氢、氘氢、卤原子、羟基、腈基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其羧酸盐、磺酸基或其磺酸盐、磷酸基或其磷酸盐、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60环烷烃基、C3-C60环烯烃基、C6-C60芳基、至少含有一个-F或-CN或C1-C10烷基的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫醚基和取代的或未取代的C2-C60杂环芳基中的任意一种；
其中，所述取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫醚基和取代的C2-C60杂环芳基中，取代基均选自氢、氘氢、卤原子、羟基、腈基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其羧酸盐、磺酸基或其磺酸盐、磷酸基或其磷酸盐、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60环烷烃基和C3-C60环烯烃基中的至少一种；
x1为1～4的整数；x2为1～3的整数；x3为1～2的整数；x4为1～6的整数；x5为1～5的整数；
T1为氧或硫原子；
表示取代位。
上述定义中，所述C1-C8的烷基具体选自C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C1-C7的烷基、C2-C7的烷基、C3-C7的烷基、C4-C7的烷基、C5-C7的烷基、C6-C7的烷基、C1-C6的烷基、C2-C6的烷基、C3-C6的烷基、C4-C6的烷基、C5-C6的烷基、C1-C5的烷基、C2-C5的烷基、C3-C5的烷基、C4-C5的烷基、C1-C4的烷基、C2-C4的烷基、C3-C4的烷基、C1-C3的烷基、C2-C8的烷基、C3-C8的烷基、C1-C8的烷基、C1-C2的烷基和C2-C3的烷基中的至少一种；
所述C1-C8的烷氧基具体选自C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C1-C7的烷氧基、C2-C7的烷氧基、C3-C7的烷氧基、C4-C7的烷氧基、C5-C7的烷氧基、C6-C7的烷氧基、C1-C6的烷氧基、C2-C6的烷氧基、C3-C6的烷氧基、C4-C6的烷氧基、C5-C6的烷氧基、C1-C5的烷氧基、C2-C5的烷氧基、C3-C5的烷氧基、C4-C5的烷氧基、C1-C4的烷氧基、C2-C4的烷氧基、C3-C4的烷氧基、C1-C3的烷氧基、C2-C8的烷氧基、C3-C8的烷氧基、C1-C8的烷氧基、C1-C2的烷氧基和C2-C3的烷氧基中的至少一种；
所述C1-C60的烷基具体选自C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30、C31、C32、C33、C34、C35、C36、C37、C38、C39、C40、C41、C42、C43、C44、C45、C46、C47、C48、C49、C50、C51、C52、C53、C54、C55、C56、C57、C58、C59、C60、C2-C40、C3-C30、C4-C20、C5-C15、C6-C10的烷基中的至少一种；
所述C1-C60的烷氧基具体选自C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30、C31、C32、C33、C34、C35、C36、C37、C38、C39、C40、C41、C42、C43、C44、C45、C46、C47、C48、C49、C50、C51、C52、C53、C54、C55、C56、C57、C58、C59、C60、C2-C40、C3-C30、C4-C20、C5-C15、C6-C10的烷氧基中的至少一种；
所述C2-C60烯基具体选自C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30、C31、C32、C33、C34、C35、C36、C37、C38、C39、C40、C41、C42、C43、C44、C45、C46、C47、C48、C49、C50、C51、C52、C53、C54、C55、C56、C57、C58、C59、C60、C2-C40、C3-C30、C4-C20、C5-C15、C6-C10的烯基中的至少一种；
所述C2-C60炔基具体选自C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30、C31、C32、C33、C34、C35、C36、C37、C38、C39、C40、C41、C42、C43、C44、C45、C46、C47、C48、C49、C50、C51、C52、C53、C54、C55、C56、C57、C58、C59、C60、C2-C40、C3-C30、C4-C20、C5-C15、C6-C10的炔基中的至少一种；
所述C3-C60的环烷烃基具体选自C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30、C31、C32、C33、C34、C35、C36、C37、C38、C39、C40、C41、C42、C43、C44、C45、C46、C47、C48、C49、C50、C51、C52、C53、C54、C55、C56、C57、C58、C59、C60、C3-C40、C3-C30、C4-C20、C5-C15、C6-C10的环烷烃基中的至少一种；
所述C3-C60的环烯烃基具体选自C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30、C31、C32、C33、C34、C35、C36、C37、C38、C39、C40、C41、C42、C43、C44、C45、C46、C47、C48、C49、C50、C51、C52、C53、C54、C55、C56、C57、C58、C59、C60、C3-C40、C3-C30、C4-C20、C5-C15、C6-C10的环烯烃基中的至少一种；
更具体的，所述式I所示化合物为如下SLC-1～SLC-160结构式所示化合物中的任意一种：
另外，上述本发明提供的式I所示化合物作为发光层材料在制备有机电致发光器件中的应用及含有式I所示化合物作为发光层或载流子传输材料的有机电致发光器件，也属于本发明的保护范围。
具体的，所述有机电致发光器件由下至上依次由透明基片、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极层组成。
构成所述透明基片的材料为玻璃或柔性基片；
构成所述阳极层的材料为无机材料或有机导电聚合物；其中，所述无机材料具体为氧化铟锡、氧化锌、氧化锡锌、金、银或铜；所述有机导电聚合物具体选自聚噻吩、聚乙烯基苯磺酸钠和聚苯胺中的至少一种；
构成所述空穴注入层的材料选自TDATA、m-MTDATA和2-TNATA所示化合物中的至少一种：
构成所述空穴传输层的材料选自NPB和TPD所示化合物中的至少一种：
构成所述有机发光层的材料由主体材料和掺杂材料组成；
其中，所述掺杂材料为式I所示化合物；所述主体材料为如下化合物中的任意一种：
所述掺杂材料的质量占所述主体材料和掺杂材料总质量的1-20％，具体为10％；
构成所述电子传输层的材料为Liq、Gaq3、TPBI或Slichem-EL-068所示化合物：
构成所述阴极层的材料选自下述元素中的任意一种或任意两种组成的合金或下述元素的氟化物：锂、镁、银、钙、锶、铝、铟、铜、金和银。
具体的，所述空穴注入层的厚度为30-50nm，具体为40nm；
所述空穴传输层的厚度为5-15nm，具体为10nm；
所述有机发光层的厚度为10-100nm，具体为40nm；
所述电子传输层的厚度为10-30nm，具体为50nm；
所述阴极层的厚度为90-110nm，具体为100nm。
本发明提供的式I所示有机电致发光材料，具有诱导发光性质，具有非常高的量子效率、较高的玻璃化温度、高的热稳定性和优良的发光性能。其合成工艺简单，提纯的方法简单适于大规模生产等特点，并可通过连接不同的基团调节产物的发光性能、热稳定性等，是作为有机电致发光器件发光层材料的理想选择。本发明使用上述荧光材料的OLED器件，其发光层的荧光效率高、稳定性好，从而使器件的发光效率和寿命都能达到实用化的要求。
附图说明
图1为本发明吡嗪衍生物的制备方法流程图；
图2为本发明实施例2所得吡嗪衍生物式(SLC-41)的紫外吸收谱图；
图3为本发明实施例2所得吡嗪衍生物式(SLC-41)的荧光光谱图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明的特征和技术内容作进一步阐述，但本发明并不限于以下实施例。请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。所述原材料如无特别说明均能从公开商业途径而得。
本发明提供的式I所示化合物可按照图1所示方法进行制备。
下述实施例对OLED材料及器件进行性能测试的测试仪器及方法如下：
OLED器件性能检测条件：
亮度和色度坐标：使用光谱扫描仪PhotoResearch PR-715测试；
电流密度和起亮电压：使用数字源表Keithley 2420测试；
功率效率：使用NEWPORT 1931-C测试。
实施例1、化合物SLC-1的制备
第一步：中间体Q-1的制备
10g(46.9mmol)的4-溴苯基乙酮醛溶解在100ml甲醇-水中，加入5g(46.9mmol)的二氨基马来氰，室温搅拌反应1小时，加入0.5g的叔丁醇钾，搅拌反应24小时，过滤，滤液减压浓缩干，用硅胶柱分离纯化，减压浓缩干，得11.6g黄色固体，收率87％。
第二步：化合物式SLC-1的制备
将10g(35mmol)中间体Q-1、11g(38.6mmol)的9-苯基-3-咔唑硼酸、7.4g(69.8mmol)的碳酸钠混合，再加入202mg(0.17mmol)的Pd(PPh3)4催化剂和100mL的甲苯，再加入20mL的乙醇和20mL的水，在氮气保护下，升温回流搅拌反应12小时，冷却到室温，用乙酸乙酯萃取，有机相用无水硫酸钠干燥，过滤，滤液减压浓缩干，用硅胶柱分离纯化，得14g黄色固体SLC-1，收率90％。HRMS：C30H17N5，标准分子量447.15，测试结果448.12。
实施例2、化合物SLC-41的制备
第一步：中间体Q-1的制备
10g(36mmol)的对溴苯基溴乙酮用80ml干燥的四氢呋喃溶解、氮气保护下，加入3.9g(36mmol)的邻苯二胺，再加入0.5ml的吡啶，室温搅拌反应24小时，过滤，滤液减压浓缩干，用硅胶柱分离纯化，得9.4g黄色固体，收率92％。
第二步：化合物式SLC-41的制备
将5g(17.5mmol)中间体Q-1、5.5g(19.3mmol)的9-苯基-3-咔唑硼酸、3.7g(34.9mmol)的碳酸钠混合，再加入100mg(0.086mmol)的Pd(PPh3)4催化剂和60mL的甲苯，再加入20mL的乙醇和20mL的水，在氮气保护下，升温回流搅拌反应12小时，冷却到室温，用乙酸乙酯萃取，有机相用无水硫酸钠干燥，过滤，滤液减压浓缩干，用硅胶柱分离纯化，得7g黄色固体SLC-1，收率89％。HRMS：C32H21N3，标准分子量447.17，测试结果448.14。该化合物的紫外吸收谱图和荧光光谱图分别如图2和图3所示。由图可知，化合物SLC-41的发光波长为516nm，半峰宽为101nm。
实施例3、化合物式SLC-83的制备
合成操作参照实施例2的第二步，5g(17.5mmol)的中间体Q-1，7.8g(19.3mmol)的中间体FPC-1替换实施例2第二步的9-苯基-3-咔唑硼酸，硅胶柱分离纯化，得到8.5g的黄色的固体，收率86％。HRMS：C41H29N3，标准分子量563.24，测试结果564.26。
实施例4、化合物SLC-122的制备
合成操作参照实施例2的第二步，5g(17.5mmol)的中间体Q-1，5.5g(19.3mmol)的9-苯基-4-咔唑硼酸替换实施例2第二步的9-苯基-3-咔唑硼酸，硅胶柱分离纯化，得到6.5g的黄色的固体，收率83％。HRMS：C32H21N3，标准分子量447.17，测试结果448.15。
实施例5、化合物SLC-149的制备
第一步：中间体Q-1的制备
10g(46.9mmol)的4-溴苯基乙酮醛溶解在100ml甲醇-水中，加入2.8g(47mmol)的乙二胺，室温搅拌反应1小时，加入0.5g的叔丁醇钾，搅拌反应24小时，过滤，滤液减压浓缩干，用硅胶柱分离纯化，减压浓缩干，得7.5g黄色固体，收率67％。
将上述得到的7.5g黄色固体和10g高锰酸钾混合，加入100ml丙酮，升温回流反应24小时，趁热过滤，滤液减压浓缩干，用硅胶柱分离纯化，减压浓缩干，得7.0g黄色固体，收率95％。
第二步：化合物式SLC-149的制备
合成操作参照实施例2的第二步，5g(21.2mmol)的中间体Q-1，9.3g(25.5mmol)的中间体9-联苯基-4-咔唑硼酸替换实施例2第二步的9-苯基-3-咔唑硼酸，硅胶柱分离纯化，得到8.8g的黄色的固体，收率88％。HRMS：C34H23N3，标准分子量473.19，测试结果474.15。
实施例6、制备器件OLED-1～OLED-5
1)将涂布了ITO导电层的玻璃基片在清洗剂中超声处理30分钟，在去离子水中冲洗，在丙酮/乙醇混合溶剂中超声30分钟，在洁净的环境下烘烤至完全干燥，用紫外光清洗机照射10分钟，并用低能阳离子束轰击表面。
2)把上述处理好的ITO玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上蒸镀化合物2-TNATA作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
3)在上述空穴注入层上继续蒸镀NPB为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
4)在空穴传输层上继续蒸镀mCP作为主体材料和实施例2制备所得归属式I的化合物SLC-41作为掺杂材料，mCP:SLC-41的质量比为90:10，作为器件的有机发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀所得有机发光层的膜厚为40nm；
5)在有机发光层上继续蒸镀一层Liq和Slichem-EL-068作为器件的电子传输层，Liq:Slichem-EL-068＝95:5，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为50nm；
6)在电子传输层之上依次蒸镀镁/银合金层作为器件的阴极层，其中镁/银合金层的蒸镀速率为2.0～3.0nm/s，蒸镀膜厚为100nm，镁和银的质量比为1：9，得到本发明提供的OLED器件，记为OLED-1；
按照与上相同的步骤，将步骤4)中的化合物SLC-41替换为实施例3制备所得化合物SLC-83，得到本发明提供的OLED-2；
按照与上相同的步骤，将步骤4)中的化合物SLC-41替换为实施例4制备所得化合物SLC-122，得到本发明提供的OLED-3；
按照与上相同的步骤，将步骤4)中的化合物SLC-41替换为实施例5制备所得化合物SLC-149，得到本发明提供的OLED-4；
按照与上相同的步骤，将步骤4)中的化合物(式I)替换为Ir(ppy)3，得到对比器件OLED-5；
所得器件OLED-1至OLED-5的性能检测结果如表1所示。
表1、OLED-1至OLED-5的性能检测结果
由上可知，利用本发明提供的式I所示有机材料制备成的器件OLED-1至OLED-4的起亮电压更低，在亮度相同的条件下，电流效率明显比Ir(ppy)3作为掺杂材料的器件OLED-5高很多，而且器件的寿命明显延长很多。

Claims (8)

1.式I所示化合物，
所述式I中，R1和R2不同，均独立地选自氢、氘氢、氟、三氟甲基和氰基中的任意一种；或，
表示取代位；
Ar1、Ar2独立的选自取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C6-C60芳膦基、取代的或未取代的C6-C60芳硅基、取代的或未取代的C6-C60芳硼基和取代的或未取代的C2-C60杂环芳基中的任意一种；
R3、R4、R5、R6独立的选自氢、氘氢、含有C1～C8的直链或带有支链的烷基、含有C1～C8的直链或带有支链的烷氧基、取代的或未取代的C6-C60芳基和取代的或未取代的C2-C60杂环芳基中的任意一种；
所述Ar1、Ar2、R3、R4、R5和R6的定义中，所述取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C6-C60芳膦基、取代的C6-C60芳硅基、取代的C6-C60芳硼基和取代的C2-C60杂环芳基中，取代基均选自氢、氘氢、卤原子、羟基、腈基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其羧酸盐、磺酸基或其磺酸盐、磷酸基或其磷酸盐、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60环烷烃基和C3-C60环烯烃基中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：所述C2-C60的杂环芳基为如下式II-1～II-15所示基团中的任意一种：
所述式II-1～II-15中，Z1、Z2和Z3均独立地选自氢、氘氢、卤原子、羟基、腈基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其羧酸盐、磺酸基或其磺酸盐、磷酸基或其磷酸盐、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60环烷烃基、C3-C60环烯烃基、C6-C60芳基、至少含有一个-F或-CN或C1-C10烷基的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫醚基和取代的或未取代的C2-C60杂环芳基中的任意一种；其中，所述取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫醚基和取代的C2-C60杂环芳基中，取代基均选自氢、氘氢、卤原子、羟基、腈基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其羧酸盐、磺酸基或其磺酸盐、磷酸基或其磷酸盐、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60环烷烃基和C3-C60环烯烃基中的至少一种；
x1为1～4的整数；x2为1～3的整数；x3为1～2的整数；x4为1～6的整数；x5为1～5的整数；
T1为氧或硫原子；
表示取代位。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于：所述式I所示化合物为如下SLC-1～SLC-160结构式所示化合物中的任意一种：
。
4.权利要求1-3任一所述式I所示化合物作为发光层材料在制备有机电致发光器件中的应用。
5.含有权利要求1-3任一所述式I所示化合物作为发光层或载流子传输材料的有机电致发光器件。
6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于：所述有机电致发光器件由下至上依次由透明基片、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极层组成。
构成所述透明基片的材料为玻璃或柔性基片；
构成所述阳极层的材料为无机材料或有机导电聚合物；其中，所述无机材料具体为氧化铟锡、氧化锌、氧化锡锌、金、银或铜；所述有机导电聚合物具体选自聚噻吩、聚乙烯基苯磺酸钠和聚苯胺中的至少一种；
构成所述空穴注入层的材料选自TDATA、m-MTDATA和2-TNATA所示化合物中的至少一种：
构成所述空穴传输层的材料选自NPB和TPD所示化合物中的至少一种：
构成所述有机发光层的材料由主体材料和掺杂材料组成；
其中，所述掺杂材料为权利要求1-3中任一所述式I所示化合物；所述主体材料为如下化合物中的任意一种：
所述掺杂材料的质量占所述主体材料和掺杂材料总质量的1-20％，具体为10％；
构成所述电子传输层的材料为Liq、Gaq3、TPBI或Slichem-EL-068所示化合物：
构成所述阴极层的材料选自下述元素中的任意一种或任意两种组成的合金或下述元素的氟化物：锂、镁、银、钙、锶、铝、铟、铜、金和银。
7.根据权利要求5或6所述的器件，其特征在于：所述空穴注入层的厚度为30-50nm；
所述空穴传输层的厚度为5-15nm；
所述有机发光层的厚度为10-100nm；
所述电子传输层的厚度为10-30nm；
所述阴极层的厚度为90-110nm。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于：所述空穴注入层的厚度为40nm；
所述空穴传输层的厚度为10nm；
所述有机发光层的厚度为40nm；
所述电子传输层的厚度为50nm；
所述阴极层的厚度为100nm。
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