CN106067952A - 图像感测装置、系统及其方法和电荷感测装置 - Google Patents

Abstract

一种图像感测装置、系统及其方法和电荷感测装置。图像感测装置包括电荷传感器、像素电路、选择器以及脉冲产生器。电荷传感器包括感测电极且在此感测电极上产生感应电荷。像素电路将此感应电荷转换为像素电压。在此图像感测装置将此像素电压输出之前，此像素电路通过选择器以从脉冲产生器接收脉冲电压，以使像素电路中的至少一个晶体管产生热载子注入效应，从而放大感测电极上的感应电荷。

Description

图像感测装置、系统及其方法和电荷感测装置

技术领域

本发明涉及一种电荷感应器的感测技术，且特别涉及一种图像感测装置、系统及其方法和电荷感应装置。

背景技术

现今有许多传感器可藉由许多物理或化学上的变化并将这些变化转换成电荷量，以让这些变化能够转换为感测信号。此种传感器例如是光电传感器(Phototransducer)、压电传感器或是生化反应感射器。光电传感器对可见光及其他类型的电磁射线(例如，加码射线、X光、紫外光、红外光…等)敏感而相应地产生感应电荷。藉由光电感应器所产生的感应电荷，便可感测到此类电磁射线的强度变化。由于高能电磁射线(例如：加码射线或X光)可穿透物体(例如，人体)，从而可在不破坏物体的情况下而得知物体内物件(例如，器官)的外观或是物件分布。因此，用以感测高能电磁射线的平板检测器(flat panel detector)便可应用在多种领域中，尤其是应用在放射医学、动物实验与工业非破坏性检测的图像提取技术当中。

在医学领域中，由于希望人体不要照射过多的高能射线，并且在不同应用图像检查情境(例如受测者需的体厚与成像部位)下，所需的高能射线(以下以最常用的X光为例)的强度也不相同，导致平板检测器中的光电传感器所感测到的感应电荷范围不尽相同，使得后方用来放大感应电荷的图像读取电路无法针对每种不同应用情境进行适度地调整。因此，便需要靠技术操作人员依据个人经验来将从平板检测器获得的图像数据进行适度的调整，才能将所需的图像具体呈现，以利后端进行医学诊断或是图像输出。现今的平板检测器会将图像数据以数字形式进行处理，因此需要获得高解析度的图像信息，导致图像读取电路便需要设置高解析度的数据转换器才能符合需求，导致间接地提高处理成本。另外，平板检测器将会进行对比调整处理而无法达到即时感测图像的目的。因此，如何在X光线强度变动范围很大的情况下还能够使平板检测器能够获得不同对比度的图像信息而放宽高解析度数据转换器的规格，便是目前所遭遇到的诸多问题之一。

发明内容

本发明实施例提供一种图像感测装置、系统及其方法，其通过脉冲产生器所产生的脉冲电压来调整放大电荷传感器所获得的感应电荷，藉以放宽图像读取电路中数据转换器的解析度规格要求，且降低在不同应用情境下对于图像感测装置的建置成本。

本发明实施例提供一种电荷感测装置，其通过脉冲产生器所产生的脉冲电压来调整电荷传感器所获得的感应电荷的放大倍率，藉以使此电荷感测装置能应用于不同领域的感应器上。

本发明实施例提出一种图像感测装置，其包括电荷传感器、像素电路、选择器以及脉冲产生器。电荷传感器包括感测电极。此电荷感应器在感测电极上产生感应电荷。像素电路包括至少一个晶体管。此像素电路耦接所述感测电极以在所述像素电路将所述感应电荷转换为像素电压。选择器的输入端耦接所述像素电路。脉冲产生器耦接所述选择器以产生脉冲电压。在所述图像感测装置将所述像素电压输出之前，所述像素电路通过所述选择器以从所述脉冲产生器接收所述脉冲电压，以使所述像素电路中的所述至少一个晶体管产生热载子注入效应而放大所述感测电极上的所述感应电荷。

从另一角度来看，本发明实施例提出一种图像感测系统，其包括多个电荷传感器、像素阵列、选择器以及脉冲产生器。各个电荷感应器包括感测电极。各个电荷感应器在所述感测电极上产生感应电荷。像素阵列包括对应所述电荷感应器的多个像素电路。各个包括至少一个晶体管。各个像素电路耦接对应的电荷感应器的感测电极以在各个像素电路的输出端将感应电荷转换为像素电压。选择器的输入端耦接所述像素阵列中的各个像素电路。脉冲产生器耦接所述选择器以产生脉冲电压。在所述图像感测系统将各个像素电路中的所述像素电压输出之前，各个像素电路通过所述选择器以从所述脉冲产生器接收所述脉冲电压，以使各个像素电路中的晶体管产生热载子注入效应而放大所述感测电极上的所述感应电荷。

从再一角度来看，本发明实施例提出一种图像感测方法，其适用于具备至少一个晶体管的至少一个像素电路。此图像感测方法包括下述步骤。传输脉冲电压至所述像素电路，以使所述像素电路中的所述晶体管产生热载子注入效应而放大电荷传感器中感测电极上的感应电荷，其中所述像素电路耦接所述电荷传感器中的所述感测电极，且所述电荷感应器在所述感测电极上产生所述感应电荷。以及，通过所述像素电路以将有关于放大后的所述感应电荷的一像素电压输出。

本发明实施例提出一种电荷感测装置，其包括电荷传感器、半导体电路、选择器以及脉冲产生器。电荷传感器包括感测电极。此电荷感应器在此感测电极上产生感应电荷。半导体电路包括至少一个晶体管。此半导体电路中的晶体管耦接所述感测电极以将所述感应电荷转换为感测电压。选择器的输入端耦接所述半导体电路。脉冲产生器耦接所述选择器以产生脉冲电压。在所述电荷感测装置将所述感测电压输出之前，所述半导体电路通过所述选择器以从所述脉冲产生器接收所述脉冲电压，以使所述半导体电路中的所述晶体管产生热载子注入效应而放大所述感测电极上的所述感应电荷。

基于上述，本发明实施例所述的图像感测装置、系统及其方法在从像素电路获得像素电压之前，藉由额外增设的脉冲产生器来产生足以使像素电路中的晶体管产生热载子注入效应的脉冲电压，并将此脉冲电压传递至像素电路中的晶体管以产生热载子注入效应，使得连结于晶体管栅极且位于电荷感应器的感测电极上的感应电荷能够被放大。藉此，在图像感测装置要读取像素电压时，像素电路是依据放大后的感应电荷来产生此像素电压的，藉以降低图像感测装置的图像读取时间。并且，当脉冲电压适度地增加时，可对应地增加感应电荷被热载子注入效应所放大时的倍率。因此，可在不调整图像感测装置的图像读取电路的情况下，藉由调整脉冲电压的大小便可在不同应用情境(如，位于不同X光线强度的照射条件)下来使用此图像感测装置。如此一来，图像感测装置便能够藉由调整脉冲电压来获得不同对比度的图像信息，并同时能够放宽图像读取电路中数据转换器的解析度规格要求，从而降低图像感测装置的建置成本。另一方面，本发明实施例的电荷感测装置也可以应用在将物理或化学上的变化转换成电荷量的不同传感器上，并藉由半导体电路中的晶体管所产生的热载子注入效应来适度地放大感应电荷，而不仅应用于光电传感器。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明一实施例的一种图像感测装置100的方块图。

图2是依照本发明一实施例的一种图像感测系统200的方块图。

图3是图1中图像感测装置100的电路图。

图4为使用不同的脉冲电压参数来进行晶体管的热载子注入效应后所获得的电流示意图。

图5是依照本发明一实施例的一种图像感测方法的流程图。

【符号说明】

100：图像感测装置

110、210：电荷传感器

112：偏压电极

113：X光线

115：感应电极

120、220：像素阵列

130、230：像素电路

140：选择器

150、250：脉冲产生器

160、260：图像读取电路

170：电压供应器

OP1、OP2：输出端

SW：切换信号

200：图像感测系统

310：信号放大器

320：电容

240、330：多工器

M1、M2：晶体管

READ：读取信号

RST：重置信号

VDD：电压

Vout：输出信号

S510～S530：步骤

具体实施方式

为使藉由电磁感应而产生图像的图像感测装置(如，X光平板检测器)能够在不同应用情境(如，不同X光线强度)下皆获得较佳解析度及对比度的图像信息，本发明实施例的图像感测装置在用以读取图像中各个像素电压的像素电路附近设计出可让像素电路中的晶体管产生热载子注入(hot carrierinjection)效应的电路结构。藉此，本发明实施例可利用晶体管通过热载子注入效应来产生热电子以累积在晶体管的栅极，从而达到放大连结于晶体管栅极的感应电荷的效果。如此一来，本发明实施例的图像感测装置便可在像素电路中藉由热载子注入效应来调整感应电荷的放大倍率，使得图像读取电路中位于后端的数据转换器可以不需要如同以往一般地高解析度的规格需求，也就是放宽了图像读取电路中数据转换器的解析度规格要求，从而降低图像读取电路的成本。另一方面，本发明实施例也可以应用在将物理或化学上的变化转换成电荷量的不同传感器上，并藉由半导体电路中的晶体管所产生的热载子注入效应来适度地放大感应电荷，而不仅应用于光电传感器。以下主要以光电感应器来揭示符合本发明的各种实施例，应用本实施例者也可将光电感应器置换为将物理或化学上的变化转换成电荷量的他种传感器。

图1是依照本发明一实施例的一种图像感测装置100的方块图。图像感测装置100主要包括电荷传感器110、位于像素阵列120中的像素电路130、选择器140以及脉冲产生器150。图像感测装置100还可包括图像读取电路160以及电压供应器(voltage supply)170。以下详细描述图像感测装置100中的各个元件结构与其功能。

电荷传感器110包括偏压电极(bias electrode)112以及感测电极115。电压供应器170提供电压至偏压电极112，以使电荷传感器110能够接收外部的X光线113且在其感应电极112上产生感应电荷。在本实施例中，电荷传感器110可以是依据电磁感应效应来感测X光线的光电感应器(photoconductor)，也可以是用来感测其他可见光或不同不可见光频段的光电感应器，应用本实施例者并不限制电荷传感器110的种类。举例来说，其他实施例中的电荷传感器110也可以是压电传感器、生化反应感射器或他种感应器。

位于像素阵列120中的各个像素电路130包括至少一个晶体管。本发明实施例可使用2T1C、1T1C或3T1C的晶体管结构来实现像素电路130，应用本实施例者也可采用目前熟知且常用的像素电路结构来实现像素电路130。在本实施例中，像素电路130当中其中一个晶体管的栅极会耦接至电荷感应器110的感应电极112。像素电路130将感应电极112上的感应电荷转换为像素电压。

选择器140的输入端耦接像素电路130的输出端。选择器140包括第一输出端OP1以及第二输出端OP2，且选择器140依据切换信号SW以将其输入端耦接第一输出端OP1或是第二输出端OP2。选择器140的第二输出端OP1耦接图像读取电路的输入端，而脉冲产生器150的输出端则耦接选择器140的第二输出端OP2。换句话说，选择器接收切换信号SW以选择性地将像素电路130的输出端耦接至图像读取电路，或是将该像素电路的该输出端耦接该脉冲产生器的该输出端。在本实施例中，选择器140可藉由模拟式多工器来实现。另一方面，图像读取电路160可在通过选择器140而接收到像素电压后，图像读取电路160将有关于感应电荷的像素电压进行数据转换及信号放大，并将此像素电压作为输出信号Vout来输出。

需特别指出的是，本发明实施例在通过选择器140与图像读取电路160以读取各个像素电压之前，可藉由选择器140以将位于像素阵列120中所有像素电路130的输出端皆耦接至脉冲产生器150。脉冲产生器150可在此时产生经编程编辑后的脉冲电压至像素电路130中的晶体管。此处的「脉冲电压」足以使像素电路130中的晶体管产生热载子注入效应。如此一来，便可使像素电路130中的晶体管通过热载子注入效应来产生热电子并累积于此晶体管的栅极，以增加此栅极所存储的电子数量，从而放大感应电极115上的感应电荷。在使晶体管进行热载子注入效应之后，图像感测装置100再藉由选择器140以及图像读取电路160而将放大后的感应电荷的像素电压输出。并且，由于热载子注入效应所产生的电流与晶体管原本的通道电流以及所施加的脉冲电压强度及致能时间长度有端，因此本发明实施例的图像感测装置100可藉由控制脉冲产生器150所产生的脉冲电压的相应参数来调整感测电荷所要放大的倍率。换句话说，用以诱发晶体管而产生热载子注入效应所需的脉冲电压及施加此脉冲电压的时间长度将可被脉冲产生器150调整，从而调整用以放大感应电荷的增益。

藉此，便可达到在不同应用情境(如，位于不同X光线强度的照射条件)下，图像感测装置100可藉由调整脉冲电压来动态调整感测图像的感测范围，藉以获得不同对比度以及解析度的图像信息。换句话说，图像感测装置100中的图像读取电路160所需要的模拟数字转换器的解析度规格可以缩小，在进行图像处理时也可降低技术操作人员需要依据经验来调整图像的感应范围的困难度，从而减少人为处理上的差异。再者，由于本发明实施例所增设的电路结构并不会影响到电荷传感器110对于X光线的接收面积比(fill factor)，对像素电路130进行像素电压读取的速度也影响轻微。从另一角度来看，由于本发明实施例的图像感测装置100可藉由诱发晶体管而产生热载子注入效应所需的电压以将感应电极115上的感应电荷进行放大，因此用来照射电荷感应器的X光曝光强度便可减少，进而降低病人的曝光剂量，从而更为符合医疗医学的应用。同样地，由于本发明实施例的图像感测装置100可藉由晶体管来放大感应电荷，使得图像读取电路160的数据处理电路(如，信号放大器)的解析度规格要求便能够被放宽，从而降低图像感测装置的建置成本。

图1的图像感测装置100仅为本发明多种实施例的其中一种举例，以下描述其他多种实施例来实现本发明。图2是依照本发明一实施例的一种图像感测系统200的方块图。图像感测系统200包括多个电荷传感器210、像素阵列220、多工器240、脉冲产生器250以及图像读取电路260。像素阵列220上有对应所述电荷感应器210的多个像素电路230。图2中的电荷传感器210、像素电路230、多工器240、图像读取电路260及脉冲产生器250与图1中的电荷传感器110、像素电路130、选择器140、图像读取电路160及脉冲产生器150相类似，在此不再赘述。特别提及的是，同一个像素阵列220上的这些像素电路230可同时藉由单一个脉冲产生器250所产生的脉冲电压来产生热载子注入效应，藉以同时放大每个电荷传感器210所产生的感应电荷。

图3是图1中图像感测装置100的电路图。相较于图1及图3，图3详细绘示像素电路130、选择器140以及图像读取电路160的细节结构。像素电路130为2T1C的晶体管结构，具备第一晶体管M1、的二晶体管M2以及第三晶体管M3。第一晶体管M1的第一端连接电压VDD，第一晶体管M1的控制端连接电荷传感器110的感应电极115。第二晶体管M2的第一端耦接第一晶体管M1的第二端，第二晶体管M2的第二端作为像素电路130的输出端，且第二晶体管M2的控制端接收读取信号READ。第三晶体管M3的第一端连接电压VDD，第三晶体管M3的第二端耦接感应电极115，且第三晶体管M3的控制端接收重置信号RST。接受X光线113的电荷传感器110所产生的感应电荷存储于感应电极115，且第一晶体管M1便是用来将感应电荷转换为电流，从而在像素电路130的输出端产生像素电压。当读取信号READ致能时，便使像素电压通过选择器140而传送到图像读取电路260。如此一来，在图像感测装置100将像素电压输出之前，像素电路130中的第一晶体管M1便会通过选择器140以从脉冲产生器150接收脉冲电压，且此负压脉冲电压足以使第一晶体管M1产生热载子注入效应，以达到增加感应电荷的效果。

图3的图像读取电路160包括信号放大器310以及电容320。电容320的第一端及第二端分别耦接至信号放大器310的输入端及输出端。藉此，信号放大器310便可将图像读取电路160接收到的像素电压放大并转换为输出电压Vout。选择器140则可以模拟式多工器330来实现。在本实施例中，图像感测装置100还可以包括控制器，其用以控制切换信号SW、读取信号READ以及重置信号RST。

本发明实施例的图像感测装置已经在CMOS工艺中加以实验、测量以及验证。图4为使用不同的脉冲电压参数来进行晶体管的热载子注入效应后所获得的电流示意图。请参照图4，其横轴表示像素电压对应的启始电流值，而其纵轴则表示经过脉冲信号产生热载子注入效应后像素电压对应的更新电流值。从图4中可看出，不同的脉冲电压的强度会使代表电流增益的斜率产生明显变化，并且此电流增益十分趋近于线性，使得脉冲电压的电压值正相关于感应电荷因热载子注入效应而放大的倍率。如此一来，若想要调整感应电荷的放大倍率，只需要在像素阵列外设计出不同的脉冲产生器电路即可，而不会增加像素阵列中各像素电路的结构复杂度。

图5是依照本发明一实施例的一种图像感测方法的流程图，其可适用于图1的图像感测装置100或图2的图像感测系统200。在此以图1及图5作为举例，在步骤S510中，图像感测装置100可让使用者预先设定脉冲产生器150中准备产生的脉冲电压的相关参数(例如，脉冲电压强度及致能时间长度)，藉以在后续步骤中诱使像素电路130中的晶体管能够产生热载子注入效应，并调整感应电荷的放大倍率。在步骤S520中，图像感测装置100在产生输出电压Vout之前，藉由脉冲产生器150以产生脉冲电压，并藉由选择器140以传输此脉冲电压至像素电路130，以使像素电路130中的至少一个晶体管产生热载子注入效应，藉此放大电荷传感器110中感测电极115上的感应电荷。所述像素电路130耦接至电荷传感器110中的感测电极115，且电荷感应器110在感测电极115上产生感应电荷。在步骤S530中，图像感测装置100通过像素电路130、选择器140以及图像读取电路160以将有关于放大后的感应电荷的像素电压进行输出。应用本实施例者可知，步骤S510～S530可使图像感测装置100输出单张画面。当希望图像感测装置100能够输出连续的图像画面时，图像感测装置100便需循序地且连续地执行步骤S520～S530以获得连续图像画面，而步骤S510则在初始使用图像感测装置100时设定一次脉冲电压的相关参数即可。图像感测方法的相应详细步骤流程请参阅上述各实施例。

综上所述，本发明实施例所述的图像感测装置、系统及其方法在从像素电路获得像素电压之前，藉由额外增设的脉冲产生器来产生足以使像素电路中的晶体管产生热载子注入效应的脉冲电压，并将此脉冲电压传递至像素电路中的晶体管以产生热载子注入效应，使得连结于晶体管栅极且位于电荷感应器的感测电极上的感应电荷能够被放大。藉此，在图像感测装置要读取像素电压时，像素电路是依据放大后的感应电荷来产生此像素电压的，藉以降低图像感测装置的图像读取时间。并且，当脉冲电压适度地增加时，可对应地增加感应电荷被热载子注入效应所放大时的倍率。因此，可在不调整图像感测装置的图像读取电路的情况下，藉由调整脉冲电压的大小便可在不同应用情境(如，位于不同X光线强度的照射条件)下来使用此图像感测装置。如此一来，图像感测装置便能够藉由调整脉冲电压来获得不同对比度的图像信息，并同时能够放宽图像读取电路中数据转换器的解析度规格要求，从而降低图像感测装置的建置成本。另一方面，本发明实施例的电荷感测装置也可以应用在将物理或化学上的变化转换成电荷量的不同传感器上，并藉由半导体电路中的晶体管所产生的热载子注入效应来适度地放大感应电荷，而不仅应用于光电传感器。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附权利要求书界定范围为准。

Claims (24)

1.一种图像感测装置，包括：

电荷传感器，包括感测电极，该电荷感应器在该感测电极上产生感应电荷；

像素电路，包括至少一晶体管，其中该像素电路耦接该感测电极以将该感应电荷转换为一像素电压；

选择器，其输入端耦接该像素电路；以及

脉冲产生器，耦接该选择器以产生脉冲电压；

其中，在该图像感测装置将该像素电压输出之前，该像素电路通过该选择器以从该脉冲产生器接收该脉冲电压，以使该像素电路中的该至少一晶体管产生热载子注入效应而放大该感测电极上的该感应电荷。

2.如权利要求1所述的图像感测装置，其中该选择器的输入端耦接该像素电路的输出端，该选择器包括第一输出端以及第二输出端，并且

该图像感测装置还包括：

图像读取电路，耦接该选择器的该第一输出端以将该像素电压输出，

其中该脉冲产生器的输出端耦接该选择器的该第二输出端，以将该脉冲电压传送至该像素电路。

3.如权利要求2所述的图像感测装置，其中该选择器接收切换信号，以选择性地将该像素电路的该输出端耦接至该图像读取电路，或是将该像素电路的该输出端耦接该脉冲产生器的该输出端。

4.如权利要求1所述的图像感测装置，其中该图像读取电路包括：

电荷感应放大器，用以将该像素电压放大为像素输出电压。

5.如权利要求1所述的图像感测装置，其中该电荷传感器为依据电磁感应效应来感测X光线的光电传感器。

6.如权利要求1所述的图像感测装置，其中该电荷传感器为用来感测可见光或不可见光频段的光电感应器。

7.如权利要求1所述的图像感测装置，其中该选择器为一模拟式多工器。

8.如权利要求1所述的图像感测装置，其中该像素电路的结构为2T1C、1T1C或3T1C的晶体管结构。

9.如权利要求1所述的图像感测装置，其中该脉冲电压的电压值正相关于该感应电荷因该热载子注入效应而放大的一倍率。

10.一种图像感测系统，包括：

多个电荷传感器，各该电荷感应器包括感测电极，该电荷感应器在该感测电极上产生感应电荷；

像素阵列，包括：

对应这些电荷感应器的多个像素电路，各该像素电路包括至少一晶体管，各该像素电路耦接对应的各该电荷感应器的该感测电极以在各该像素电路的输出端将该感应电荷转换为一像素电压；

选择器，其输入端耦接该像素阵列中的各该像素电路；以及

脉冲产生器，耦接该选择器以产生脉冲电压；

其中，在该图像感测系统将各该像素电路中的该像素电压输出之前，各该像素电路通过该选择器以从该脉冲产生器接收该脉冲电压，以使各该像素电路中的该至少一晶体管产生热载子注入效应而放大该感测电极上的该感应电荷。

11.如权利要求10所述的图像感测系统，其中该选择器的多个输入端分别耦接各该像素电路的一输出端，该选择器包括多个第一输出端以及一第二输出端，并且

该图像感测系统还包括：

图像读取电路，耦接该选择器的这些第一输出端以分别将各该像素电路的该像素电压输出，

其中该脉冲产生器的一输出端耦接该选择器的该第二输出端，以将该脉冲电压传送至各该像素电路。

12.如权利要求11所述的图像感测系统，其中该选择器接收切换信号，以选择性地将各该像素电路的该输出端耦接至该图像读取电路，或是将各该像素电路的该输出端耦接该脉冲产生器的该输出端。

13.如权利要求10所述的图像感测系统，其中该图像读取电路包括：

至少一电荷感应放大器，用以将各该像素电压放大为一像素输出电压。

14.如权利要求10所述的图像感测系统，其中各该电荷传感器为依据电磁感应效应来感测X光线的光电传感器。

15.如权利要求10所述的图像感测系统，其中该电荷传感器为用来感测可见光或不可见光频段的光电感应器。

16.如权利要求10所述的图像感测系统，其中该选择器为模拟式多工器。

17.如权利要求10所述的图像感测系统，其中该像素电路的结构为2T1C、1T1C或3T1C的晶体管结构。

18.如权利要求10所述的图像感测系统，其中该脉冲电压的电压值正相关于该感应电荷因该热载子注入效应而放大的倍率。

19.一种图像感测方法，适用于具备至少一晶体管的至少一像素电路，所述图像感测方法包括：

传输脉冲电压至该至少一像素电路，以使该至少一像素电路中的该至少一晶体管产生热载子注入效应而放大电荷传感器中感测电极上的感应电荷，其中该至少一像素电路耦接该电荷传感器中的该感测电极，且该电荷感应器在该感测电极上产生该感应电荷；以及

通过该至少一像素电路以将有关于放大后的该感应电荷的像素电压输出。

20.如权利要求19所述的图像感测方法，还包括：

将像素电压放大为像素输出电压。

21.如权利要求19所述的图像感测方法，其中该电荷传感器为依据电磁感应效应来感测X光线的光电传感器。

22.如权利要求19所述的图像感测方法，其中该电荷传感器为用来感测可见光或不可见光频段的光电感应器。

23.如权利要求19所述的图像感测方法，其中该脉冲电压的电压值正相关于该感应电荷因该热载子注入效应而放大的倍率。

24.一种电荷感测装置，包括：

电荷传感器，包括感测电极，该电荷感应器在该感测电极上产生感应电荷；

半导体电路，包括至少一晶体管，其中该半导体电路中的该至少一晶体管耦接该感测电极以将该感应电荷转换为感测电压或感测电流；

选择器，其输入端耦接该半导体电路；以及

脉冲产生器，耦接该选择器以产生脉冲电压；

其中，在该电荷感测装置将该感测电压或该感测电流输出之前，该半导体电路通过该选择器以从该脉冲产生器接收该脉冲电压，以使该半导体电路中的该至少一晶体管产生热载子注入效应而放大该感测电极上的该感应电荷。