CN106065465B - 用于测量沉积速率的设备 - Google Patents

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Abstract

提供一种用于测量沉积速率的设备，所述设备包括：光源单元，在真空室中位于沉积源和基板之间的沉积区域中，所述光源单元朝向从沉积源放出的沉积材料发射单色光；光传感器单元，测量当从光源单元发射的光穿过沉积区域时沉积区域中的光吸收、光散射和光发射中的至少一种；多通道形成单元，在光源单元和光传感器单元之间限定多通道路径。

Description

用于测量沉积速率的设备
技术领域
本公开涉及一种用于测量沉积速率的设备和方法。更具体地，本公开涉及这样的用于测量沉积速率的设备和方法，所述设备和方法可通过利用由于沉积材料引起的光的吸收强度、散射强度和发射强度中的至少一种的光学方法而用在实际沉积区域中，可以半永久性地使用，并且可以具有高测量精度。
背景技术
有机发光二极管(OLED)是下一代显示元件并且被期望成为LCD之后的显示器，其中，OLED可通过在涂敷有透明电极的玻璃基板上实施多层的有机薄膜和金属电极并且对它们施加电压而从有机薄膜产生发射现象。具体地，有机薄膜可通过在玻璃基板上沉积有机材料气体而以薄膜形式形成，其中，所述有机材料气体通过在高真空室中加热包含有机材料的熔炉而蒸发获得。
通过在基板上堆叠多层薄膜(例如，有机薄膜和金属薄膜)来制造OLED。用于通过沉积形成此种薄膜的OLED设备主要使用多个单元室连接的群集方案(cluster scheme)，并且被构造为转移和运输基板并在基板水平地设置在各个沉积室之间的状态下执行元件工艺。
例如，真空沉积法可通过在真空室的下部位处安置至少一个沉积源并在真空室的上部位处安置作为沉积基板的将要被处理的基板来形成薄膜。用于形成有机薄膜的这样的设备可使用连接至真空室的真空排气系统以使真空室的内部保持在预定的真空状态，然后在预定的真空状态下使沉积材料从至少一个沉积源蒸发。例如，沉积源可包括其内容纳有有机材料(其为薄膜材料)的熔炉和卷绕在熔炉的周围以电加热熔炉的加热器。因此，当随着加热器的温度升高而加热熔炉时，有机材料蒸发。
在该背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对实施例的理解，因此，它可能包括不构成在本国已被本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。
发明内容
本公开的示例性实施例提供一种用于测量沉积速率的设备，所述设备包括：光源单元，在真空室中位于沉积源和基板之间的沉积区域中，光源单元朝向从沉积源放出的沉积材料发射单色光；光传感器单元，测量当从光源单元发射的光穿过沉积区域时沉积区域中的光吸收、光散射和光发射中的至少一种；多通道形成单元，在光源单元和光传感器单元之间限定多通道路径。
所述设备可还包括：控制器，控制光源单元和光传感器单元的位置，以允许光源单元和光传感器单元中的每个的光轴位于沉积区域的中心，并基于由光传感器单元测得的光吸收、光散射和光发射中的至少一种如下计算沉积速率：透射光强度、散射光强度、PL发射强度＝k×C，其中，k是常量，C是沉积材料的浓度。
多通道形成单元可以是包围沉积区域以允许从光源单元发射的光被波导至光传感器单元的遮光壁，多通道形成单元包括内部镜面以及彼此面对的并针对光源单元和光传感器单元设置的第一波导开口和第二波导开口。
所述设备还可包括面向光源单元和光传感器单元的光收集单元，光收集单元的中心在光源单元的光轴处。
光收集单元可以是在多通道形成单元外部的凹面镜，凹面镜具有比多通道形成单元的曲率大的曲率。
所述设备还可包括：光路增加单元，使从光源单元发射的光多次穿过沉积区域的光以增加光程。
光路增加单元可包括限定四个角的第一反射镜至第四反射镜，限定第一光路和第二光路的第一反射镜至第四反射镜相交于沉积区域的中心，光源单元和光传感器单元可安装在第一反射镜至第四反射镜中的两个的后面，光源单元和光传感器单元在多通道形成单元的同一侧上。
光源单元可以是UV光源，光传感器单元可以测量再次从吸收了从光源单元发射的光的沉积材料发射的光的强度，光传感器单元包括在光传感器单元的前面的仅过滤光源单元的发射的滤光器单元。
滤光器单元可以是UV截止滤波器，并且还包括在光源单元的前面的带通滤光器并过滤具有特定带的波长的光。
设备还可包括周期地改变光源单元的强度的光源强度调节器，其中，滤光器单元仅过滤具有相同周期的信号分量。
本公开另一示例性实施例提供一种用于测量沉积速率的方法，所述方法包括下述步骤：在蒸发器的真空室内设置彼此面对的光源单元和光传感器单元，使得沉积源和处理基板之间的沉积区域处于光源单元和光传感器单元之间；从光源朝向沉积区域发射光；通过光传感器单元检测在穿过沉积区域之后从光源发射的光；测量在被光传感器单元检测后的光吸收、光散射和光发射中的至少一种，其中，沉积速率计算如下：透射光、散射光、PL发射强度＝k×C，其中，k是常量，C是从沉积源蒸发的沉积材料的浓度。
所述方法还可包括在光源单元和光传感器单元之间形成多通道的光路，并且形成包围沉积区域的遮光壁使得在光源单元和光传感器单元之间的区域是遮光的。
在光源单元和光传感器单元之间形成多通道的光路可包括将从光源单元发射的光收集至彼此面对的凹面镜，并且将收集的光传输至与光源单元安装在同一侧上的光传感器单元。
所述方法还可包括将凹面镜安装在连接光源单元和光传感器单元的同心圆的外侧。
在光源单元和光传感器单元之间形成多通道的光路可包括多次反射从光源单元发射的光并使反射光多次穿过沉积区域。
所述方法还可包括安装第一反射镜至第四反射镜以形成相交于沉积区域的中心的第一光路和第二光路。
所述方法还可包括在光源单元或者光传感器单元前面安装仅使具有特定波长的光通过的滤光器单元。
所述方法还可包括由滤光器单元过滤通过周期性地转换光源单元的强度而具有相同周期的信号分量。
当光传感器单元测量发射时，滤光器单元可使用UV截止滤波器。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，对本领域普通技术人员而言，特征将变得明显，在附图中：
图1示出根据示例性实施例的用于测量沉积速率的设备的概念图。
图2示出根据示例性实施例的第一修改实施例的用于测量沉积速率的设备的概念图。
图3示出根据示例性实施例的第二修改实施例的用于测量沉积速率的设备的示意图。
图4示出根据示例性实施例的第三修改实施例的用于测量沉积速率的设备的示意图。
图5示出根据另一示例性实施例的用于测量沉积速率的设备的示意图。
图6示出根据另一示例性实施例的修改实施例的用于测量沉积速率的设备的概念图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式体现并且不应该被理解为局限于在此阐述的实施例。当然，这些实施例被提供为使得本公开将会是彻底的和完整的，并将向本领域技术人员充分传达示例性实施方式。
在以下的详细描述中，仅以图示的方式示出并描述根据示例性实施例的用于测量沉积速率的设备。如本领域技术人员将会意识到的，在全都不脱离本公开的精神或范围的情况下，所描述的实施例可以以各种不同方式修改。因此，附图和描述被认为是本质上是说明性的而不是限制性的。同样的附图标记在整个说明书中指示同样的元件。
此外，在附图中，为了图示的清楚，会夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称为“在”另一元件或基板“上”时，所述层或元件可直接在所述另一层或基板上，或者也可存在中间层或中间元件。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个层或元件“之间”时，所述元件或层可以是这两个层或元件之间的唯一层者元件，或者还可存在一个或更多个中间层或中间元件。
图1示出根据示例性实施例的用于测量沉积速率的设备100的概念图。
如图1所示，真空蒸发器的真空室10使用：根据示例性实施例的用于测量沉积速率的设备100；沉积源11，设置在真空室10的底部，并且在沉积源11中容纳有沉积材料且在沉积源11的外部设置有加热器；处理基板13，在沉积源11上方并沉积有从沉积源11蒸发或升华的沉积材料18。用于测量沉积速率的设备100的中心设置在真空室10的处于沉积源11和处理基板13之间的沉积区域13A中。
有机发光二极管(OLED)通过在其上涂敷有透明电极的玻璃基板上形成多层的有机薄膜和金属电极并且对它们施加电压而从有机薄膜产生发射现象。此外，通过使因在高真空室内加热包括有机材料的熔炉来蒸发的有机材料气体沉积在玻璃基板上而以薄膜形式形成有机薄膜。
在通常的OLED中，至少包括发射层的中间层形成在彼此面对的电极之间，并可设置有各种层。例如，中间层可包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层等，并且是由有机材料制成的有机薄膜。
用于形成有机薄膜的有机材料在真空室10的沉积源11中被加热至蒸发点(或者升华点)，并且蒸发的有机材料从沉积源11释放以涂覆在处理基板13上。例如，物理气相沉积(PVD)工艺可在真空室10中利用具有高耐热性和化学安全的熔炉实现沉积源11。
在制造OLED的工艺中，设置在中间层上下的电极可利用本公开的沉积设备通过沉积方法形成，其他布线可通过本公开的沉积方法形成。OLED的电极和布线的材料通常在高温下蒸发，并且依赖于所使用的材料的种类。例如，镁在大约500℃至大约600℃蒸发，银在大约1000℃或以上蒸发，铝在大约1000℃蒸发，锂在大约300℃蒸发。
返回参照图1，用于测量沉积速率的设备100可包括光传感器单元130、光源单元110、多通道形成单元150和控制器170.
光传感器单元130测量当发射自光源单元110(例如，激光、发光二极管(LED)和灯等)的光经过沉积区域13A时，由于沉积材料分子而产生的吸收、散射和光致发光等。例如，光源单元110发射通过沉积区域13A的光，所以光传感器单元130对在光例如经过沉积区域13A并被沉积区域13A影响之后来自光源单元110的光强度进行测量。
多通道形成单元150安装在沉积区域13A外部，以使光传感器单元130能够测量从光源单元110发射的光与沉积材料之间的多通道的吸收光谱。控制器170控制光源单元110和光传感器单元130，从而利用由光传感器单元130测得的吸收、散射和光致发光等来精确地测量多通道中的沉积速率，并利用多通道测量值通过执行预定的修正来准确地计算沉积速率。
例如，由于OLED的电极和布线的材料通常在高温下蒸发，因此，当使用灯作为光源单元110时，温度可被设定为等于或小于蒸发温度的大约300℃或更低。在另一示例中，当使用激光作为光源单元110时，如下面的表1所示，激光可具有大约200nm至大约400nm的波长，即，对于铝和铜等的吸光度好的波长。
表1：根据激光波长的吸光度
Figure BDA0000924513200000061
如上所述，通过使具有足够大的吸收系数的单色光穿过将要被测量的沉积材料来测量出通过沉积区域13A传输的光的强度(即，密度)的减小。因此，光传感器130测量的只是将要被测量的沉积材料的浓度而不受其他沉积材料的干扰。
如图1进一步所示，控制器170可包括位置控制器171，所述位置控制器171控制光源单元110，并且设置在最适合于对由于沉积材料分子而出现的从光源单元110发射的光的吸收、散射和光致发光等进行测量且直到沉积区域A的测量距离h处，且设置在离处理基板13为距离H处。注意的是，距离H也是沉积源11与处理基板13之间的距离。此外，控制器可包括水平控制器173和计算器175，水平控制器173精确地测量光传感器单元130对光源单元110的焦距等，计算器175通过利用光传感器单元130的测量值并执行预定的修正和转换来精确计算沉积速度。
同时，多通道形成单元150可以设置为使得光传感器单元130的中心位于光源单元110的光轴处用于精确地测量光源单元110和光传感器单元130相对于框架15的焦距等，并且可以设置为使得光源单元110和光传感器单元130的位置彼此连接，从而更好地利于位置控制。
即，当从光源单元110(例如，激光或者LED灯)发射的光穿过沉积区域13A朝向光传感器单元130的中心时，由于沉积区域13A中的沉积材料分子而产生吸收、散射和PL发射等。因此，沉积区域13A中的发射光和沉积材料之间的相互作用与材料分子的浓度成比例，如以下关系表达式1所表示的，其中，k是常量，C是沉积材料的浓度。
[关系表达式1]
透射光强度、散射光强度、PL发射强度＝k×C
因此，光传感器单元130可测量光和沉积材料之间的相互作用的大小以找出沉积材料的浓度，即，沉积速率。在使用UV光源的情况下，测量结果是透射光的强度(吸光度)，散射光的强度以及PL发射强度。
在下文中，将参照图2至图6描述根据本公开的第一至第五修改实施例的用于测量沉积速率的设备。
如图2所示，在根据本公开的第一修改实施例的用于测量沉积速率的设备100中，光源单元110为具有高透过率的激光。此外，光传感器单元130可以是吸光度传感器131，当从光源单元110发射的光穿过沉积区域13A时，吸光度传感器131测量沉积材料对光的吸光度，从而测量透射光的强度。
通过吸光度传感器131测得的光束从自光源单元110入射的光束去除了因与沉积材料碰撞而散射的散射光束，如以下关系表达式2所表达的。
[关系表达式2]
测得光束＝入射光束–散射光束
控制器170可将透射光的强度(吸光度)转换成电信号，从而利用电信号的强度导出沉积材料的沉积速度。
然而，气体分子均具有仅光学地吸收与振动能量子相对应的能量并通常吸收红外区域的光作为振动能量的性质。因此，优选地使用光源单元110的红外区域的光。出于此原因，CO2、CO、CH4和C3H8等均对于红外线具有独特的吸收光谱。例如，CO2吸收4.25μm的波长，CO吸收4.7μm的波长，CH4吸收3.3μm的波长，光的吸光度根据相应气体的浓度而不同。
因此，光源单元110可产生只具有特定波段的光，并且还可产生具有不同于特定波段的波段的光。光源单元110可为例如LED、激光二极管(LD)、钨、白炽体(glower)、能斯脱灯(Nernst glower)和远红外高压汞蒸气灯等。
在这种情况下，作为任何波长的光的吸收率的吸光度A(λ)由下面的比尔–朗伯公式(公式1)定义。
A(λ)＝E(λ)bC (公式1)
在此，A(λ)代表吸光度，E(λ)代表吸收系数，b代表透射距离，C代表沉积材料的浓度。吸收系数E(λ)是波长λ的函数，因此，选择吸收系数E(λ)大的波长并因此可增加吸光度A(λ)。同时，吸光度A(λ)与光的透射距离b和沉积材料的系数成比例。因此，为了增加吸光度A(λ)和沉积材料的浓度C的成比例程度，优选的是使透射距离b的值大。此外，吸光度A(λ)具有以下公式2。
A(λ)＝-log[I(λ)/I0(λ)] 公式2
在上面的公式2中，I0(λ)代表基准光的强度，I(λ)代表测量光的强度。可认识到，在基准光的强度I0(λ)、吸收系数E(λ)和透射距离b已知的情况下，通过测量光的强度I(λ)可得到沉积材料的浓度。
此外，吸收系数E(λ)是波长(λ)的函数，因此，通过使具有足够大的吸收系数E(λ)的单色光穿过将要被测量的沉积材料以仅测量将要被测量的气体的浓度来测量透射光强度的减小而不受其他沉积材料的干扰。
根据比尔-朗伯定律，可以认识到，光的吸收率(在上面的公式1和公式2中代表吸光度A(λ))与沉积材料的浓度C和光的透射距离b成比例。为了增大光的吸收率，需要增加透射距离b。然而，在这种情况下，设备的长度长，并且相应地增加了机械装置外观的物理长度。
根据本公开的第一修改实施例，多通道形成单元150可以是用来执行将从光源单元110发射的光波导至光传感器单元130的引导功能以增加光程而不增加长度的遮光壁。遮光壁的内表面可形成镜面151以反射光。
为了使在光被反射时光的损失和漫反射最小化，在遮光壁是金属的情况下，镜面151也可通过对金属执行表面研磨来经受镜面处理，也可通过涂覆具有高反射率的金、镍、银、铜或者金/铬双层来形成。
当沿地面方向切割多通道形成单元150时，横截面可具有任何合适的形状，例如圆形或者多边形。同时，多通道形成单元150还可设置有彼此面对设置且分别针对光源单元110和光传感器单元130设置的第一波导开口153和第二波导开口155。这样，彼此面对设置的第一波导开口153和第二波导开口155针对光源单元110和光传感器单元130设置，从而更好地利于位置控制。
本公开的第二修改实施例的组件和本公开的第一修改实施例组件几乎相似，但是本公开的第二修改实施例与本公开的第一修改实施例的不同之处在于：还安装了光收集单元140以在吸收/散射沉积材料的浓度小时增加吸收/散射的比值，并且光传感器单元130对通过光收集单元140收集的光进行测量。
如图3所示，根据本公开的第二修改实施例，光收集单元140可为凹面镜并设置在面向光源单元110的位置处，使得光收集单元140的中心设置在光源单元110的光轴处。在这种情况下，光传感器单元130可设置为平行于光源单元110，以对在通过利用凹面镜反射光束再次穿过沉积区域之后而被收集的光进行测量。
凹面镜安装在多通道形成单元150的外部以具有较大的曲率，并因此收集穿过多通道形成单元150的第二波导开口155的光以扩大光收集区域。结果，通过利用凹面镜使沉积材料对从光源单元110发射的光吸收/散射的比值大而能够精确地执行测量。
本公开的第三修改实施例的组件和本公开的第一修改实施例的组件几乎相似，但是本公开的第三修改实施例与本公开的第一修改实施例的不同之处在于：还安装了光路增加单元157使光多次通过沉积区域以防止由于沉积材料(例如，吸收/散射等)而导致光透光率减小。光传感器单元130测量穿过光路增加单元157的测量光束。
如图4所示，根据本公开的第三修改示例性实施例，光收集单元140可与光源单元110和光传感器单元130设置在同一侧上，从而从光源单元110发射的光经过第一反射镜157a和沉积区域13A的中心并从第二反射镜157b反射，反射的光再次经过第三反射镜158b和沉积区域13A的中心，然后通过第四反射镜158a入射在光传感器单元130上。可安装第一至第四反射镜157a、157b、158a和158b使得光路(即，光程)可循环。
通过第一反射镜157a和第二反射镜157b形成的第一光路d1与通过第三反射镜158a和第四发射镜158b形成的第二光路d2相交于沉积区域13A的中心。邻近光源单元110的第一反射镜157a的中心和邻近光传感器单元130的第四反射镜158a的中心设置成相对于第一光路d1倾斜大约60°，使得光路可基本上无限地增加。相似地，第二反射镜157b和第三反射镜158b设置成与第二光路d2具有预定的角度。
结果，通过利用安装在四个角的第一至第四反射镜157a、157b、158a和158b，光可多次经过沉积区域。因此，可提高沉积材料的沉积速度和测量精度。
将参照图5和图6描述根据本公开另一示例性实施例和修改实施例的用于测量沉积速率的设备。
图5是用于描述根据本公开另一示例性实施例的用于测量沉积速率的设备的构造的示意图。图6是用于描述根据图5的实施例的第一修改实施例的用于测量沉积速率的设备的概念图。
根据本公开另一示例性实施例的用于测量沉积速率的设备200测量因从光源单元210发射的光而受激以自身发光的沉积材料的光致发光(PL)发射强度，从而测量沉积材料的浓度。发射的典型示例可包括荧光或者磷光，荧光或者磷光是从环境吸收的光再次发射的现象。在这种情况下，发射光的波长等于或者长于吸收光的波长。
如图5所示，在用于测量沉积速率的设备200中，光源单元210、光传感器单元230和滤光器单元260安装成面向沉积区域13A的中心，其中，光传感器单元230测量因吸收从光源单元210发射的光而再次发射的光的强度，滤光器单元260仅测量从光源单元210发射的PL。
光源单元210可以是适合产生荧光或者磷光的UV光源。安装在光传感器单元230前面的滤光器单元260可为UV截止滤波器以测量仅由作为UV光源的光源单元210产生的PL。
同时，如图6所示，在根据第一修改实施例的用于测量沉积速率的设备200中，将周期性地改变光源单元210的强度的光源强度调节器270可安装在光源单元210的前面以防止环境光的影响。在这种情况下，安装在光源单元210前面的滤光器单元260仅过滤与光接收信号具有相同周期的信号分量。因此，光传感器单元230测量光的强度，从而提高了测量方面的准确性。同时，当光源单元210本身不仅仅产生特定带的波长时，还可在光源单元210的前面安装带通滤波器以发射具有特定带的波长的光。
通过总结和回顾，当有机材料在传统沉积设备的真空室中蒸发时，有机材料可能沉积在真空室内的晶体传感器上，从而损害晶体传感器的功能。这样，通过晶体传感器测量的有机薄膜的厚度和沉积速率可能无法被适当地测量。此外，尽管已经试图将晶体传感器安装在传统沉积设备的真空室的非沉积区域中以不覆盖沉积区域，但是存在空间局限性。
相比而言，示例实施例提供了一种可在实际沉积区域中使用的、可半永久性使用的并可具有高测量精度的用于测量沉积速率的设备和方法。具体地，示例实施例提供一种在沉积区域的外部(例如，外围)的光源单元和光传感器单元，同时光源单元和光传感器单元之间的多通道与沉积区域叠置以允许对沉积区域中的光吸收、光散射和光发射的测量。
已在此公开了示例实施例，虽然采用了特定的术语，但是仅以一般和描述性意义来使用和解释这些术语，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如对本领域普通技术人员来说将明显的是，自提交本申请之时起，除非另外明确表示，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其他实施例描述的特征、特性或/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求所阐述的本发明的精神和范围的情况下，可在形式和细节上作出各种改变。

Claims (10)

1.一种用于测量沉积速率的设备，所述设备包括：
光源单元，在真空室中并且位于沉积源和基板之间的沉积区域外部，所述光源单元朝向从所述沉积源放出的沉积材料发射单色光；
光传感器单元，在所述真空室中位于沉积区域外部，并且测量当从所述光源单元发射的光穿过所述沉积区域时所述沉积区域中的光吸收、光散射和光发射中的至少一种；
控制器，基于由所述光传感器单元测得的光吸收、光散射和光发射中的至少一种计算所述沉积速率，并且控制所述光源单元和所述光传感器单元的位置或所述光传感器单元对所述光源单元的水平度；
多通道形成单元，在所述光源单元和所述光传感器单元之间限定多通道路径，其中，所述多通道形成单元包围所述沉积区域。
2.根据权利要求1所述的设备，
所述控制器控制所述光源单元和所述光传感器单元的位置以使所述光源单元和所述光传感器单元中的每个的光轴位于所述沉积区域的中心，并基于由所述光传感器单元测得的光吸收、光散射和光发射中的至少一种如下计算所述沉积速率：
透射光强度、散射光强度、光致发光发射强度＝k×C，
其中，k是常量，C是所述沉积材料的浓度。
3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述多通道形成单元是包围所述沉积区域以使所述从所述光源单元发射的光被波导至所述光传感器单元的遮光壁，所述多通道形成单元包括内部镜面以及彼此面对并针对所述光源单元和所述光传感器单元设置的第一波导开口和第二波导开口。
4.根据权利要求1所述的设备，所述设备还包括面向所述光源单元和所述光传感器单元的光收集单元，所述光收集单元的中心在所述光源单元的光轴处。
5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述光收集单元是在所述多通道形成单元外部的凹面镜，所述凹面镜具有比所述多通道形成单元的曲率大的曲率。
6.根据权利要求1所述的设备，所述设备还包括：光路增加单元，使所述从所述光源单元发射的光多次穿过所述沉积区域以增加光程。
7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于：
所述光路增加单元包括限定四个角的第一反射镜至第四反射镜，限定第一光路和第二光路的所述第一反射镜至所述第四反射镜交叉于所述沉积区域的中心，
所述光源单元和所述光传感器单元安装在所述第一反射镜至所述第四反射镜中的两个的后面，所述光源单元和所述光传感器单元在所述多通道形成单元的同一侧上。
8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于：
所述光源单元是UV光源，以及
所述光传感器单元测量再次从吸收了所述从所述光源单元发射的光的所述沉积材料发射的光的强度，所述光传感器单元包括在所述光传感器单元的前面的仅过滤所述光源单元的发射的滤光器单元。
9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述滤光器单元是UV截止滤波器，并且还包括在所述光源单元的前面的带通滤光器并过滤具有特定带的波长的光。
10.根据权利要求8所述的设备，所述设备还包括周期地改变所述光源单元的强度的光源强度调节器，其中，所述滤光器单元仅过滤具有相同周期的信号分量。
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