CN106063043A - 各向异性导电膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的各向异性导电膜(100)具有在绝缘性粘结剂层(1)中分散或以规则图案排列有导电粒子(2)的结构。在各向异性导电膜(100)的一面的一部分形成粘附强度比绝缘性粘结剂层(1)低的低粘附性区域(3)。低粘附性区域(3)为在绝缘性粘结剂层(1)上形成的凹部(10)填充有低粘附性树脂的区域。

Description

各向异性导电膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及各向异性导电膜及其制备方法。
背景技术
将IC芯片倒装芯片安装在基板上时广泛利用各向异性导电膜。在上述倒装芯片安装中，由于在IC芯片的接合面边缘部区域形成高度为10~20μm的凸点，所以在各向异性导电连接时将IC芯片挤到基板上，保持这种状态将各向异性导电膜固化。因此，未形成凸点的IC芯片的中央部区域以向基板侧弯曲的状态固化，有无法缓和很可能引起尺寸精度降低、接合面分离等问题的弯曲状态的问题。为了解决该问题，提出了在基板的背面设置作为抵抗弯曲的增强材料的支撑部件(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-294396号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在专利文献1的情况下，必须加工高单价的基板，或全新地制备基板，有无法避免制备成本高涨的问题。另外，在基板的背面形成配线的情况下必须避开支撑部件而形成，有基板的设计自由度降低的问题。
本发明的目的在于解决以上现有技术的问题，使得不对现有的IC芯片、基板加以变更，而可解决在各向异性导电连接时发生的IC芯片、基板中产生的弯曲的问题。
解决课题的手段
本发明人为了用IC芯片和基板与作为其它部件的各向异性导电膜解决弯曲的问题，进行了各种研究，结果发现，若在各向异性导电连接时将IC芯片挤到基板上时会弯曲的部分、即IC芯片的未形成凸点的中央部区域不与各向异性导电膜粘附固定，则在各向异性导电连接时产生的弯曲在各向异性导电连接后得到缓和，从而完成本发明。
即，本发明提供各向异性导电膜，其是在绝缘性粘结剂层中分散或以规则图案排列有导电粒子的各向异性导电膜，其中，在一面的一部分形成粘附强度比绝缘性粘结剂层低的低粘附性区域。优选的低粘附性区域的方式为在绝缘性粘结剂层上形成的凹部填充有低粘附性树脂的区域。
另外，本发明提供各向异性导电膜的制备方法，其特征在于，在绝缘性粘结剂层的一面的一部分进行低粘附性区域形成处理。此外，作为低粘附性区域为在绝缘性粘结剂层上形成的凹部填充有低粘附性树脂的区域的各向异性导电膜的制备方法，本发明提供具有以下工序(A)~(C)的制备方法。
工序(A)
在形成有与低粘附性区域对应的凸部的模型上，涂布含有导电粒子的绝缘性粘结剂层形成用组合物并通过加热或紫外线照射来干燥或成膜，由此形成在一面形成有凹部的绝缘性粘结剂层的工序。
工序(B)
从模型取下绝缘性粘结剂层的工序。
工序(C)
在绝缘性粘结剂层的凹部填充低粘附性区域形成材料的工序。
另外，本发明提供连接结构体，其是用上述各向异性导电膜将第1电子零件与第2电子零件各向异性导电连接而成的。
此外，本发明提供连接方法，其是用上述各向异性导电膜将第1电子零件与第2电子零件各向异性导电连接的连接方法，其中，
将各向异性导电膜从其绝缘性粘结剂层一侧对第2电子零件临时粘贴，对于临时粘贴的各向异性导电膜，搭载第1电子零件，并从第1电子零件一侧进行压接。在进行该压接时，可进行加热或光(紫外线等)照射，或可同时进行加热和光照射。
发明的效果
本发明的各向异性导电膜中，在绝缘性粘结剂层中分散或以规则图案排列有导电粒子，在一面的一部分形成有粘附强度比绝缘性粘结剂层低的低粘附性区域。因此，可使得IC芯片的未形成凸点的中央部区域不与各向异性导电膜粘附固定，可缓和在各向异性导电连接时产生的弯曲。
附图说明
[图1A]图1A为本发明的各向异性导电膜的截面图。
[图1B]图1B为本发明的各向异性导电膜的截面图。
[图2]图2为本发明的各向异性导电膜的截面图。
[图3]图3为用各向异性导电膜将IC芯片和玻璃基板各向异性导电连接的情况的说明图。
[图4]图4为本发明的各向异性导电膜的平面图。
[图5]图5为本发明的各向异性导电膜的平面图。
具体实施方式
以下详细地说明本发明的各向异性导电膜。
<<各向异性导电膜>>
如图1A所示，本发明的各向异性导电膜100为在绝缘性粘结剂层1中分散或以规则图案排列有导电粒子2的各向异性导电膜，具有至少在一面的一部分形成有粘附强度比绝缘性粘结剂层1低的低粘附性区域3的结构。
在以规则图案排列有导电粒子2的情况下，如图1B所示，绝缘性粘结剂层1可由保持导电粒子2的导电粒子保持层1a和在其上层合的绝缘性粘接层1b构成。在该绝缘性粘接层1b上形成低粘附性区域3。
另外，作为实现低粘附性区域3的低粘附性的方法，可列举出：应用低粘附性材料，或利用公知的方法在绝缘性粘结剂层1上形成微细格栅结构、微细凹凸结构等。
各向异性导电膜整体的总厚度优选为10μm以上且60μm以下。
<低粘附性区域>
低粘附性区域3的优选的方式为应用低粘附性材料，具体而言，如图1A、1B所示，为以下方式：在绝缘性粘结剂层1或绝缘性粘接层1b上形成的、优选深度为2μm以上且30μm以下、更优选为5μm以上且15μm以下的凹部10中填充低粘附性树脂。凹部10优选为膜层厚度的10%以上且50%以下，更优选为20%以上且50%以下。在这种情况下，如图2所示，在一面形成有凹部10的绝缘性粘结剂层1的这一面的低粘附性区域3以外的区域，在不损害绝缘性粘结剂层1的粘附强度的范围内(换言之，在各向异性导电连接时从连接区域排除的范围内)，可由与绝缘性粘结剂层1相同的材料形成比凹部10薄的层。具体而言，可形成该低粘附性树脂的优选0.2μm以上且6μm以下、更优选0.3μm以上且4μm以下的薄膜3a。可得到与只在凹部10中填充低粘附性树脂相比，制备条件得到缓和的效果。另外，由于低粘附性树脂不参与电气连接，所以从经济上的理由出发也优选不含有导电粒子。需说明的是，薄膜3a相对于凹部10的深度优选为3%以上且20%以下。其原因在于，在比这更厚的情况下，难以产生用于消除挠曲的、粘接力在面内方向上的差异，在薄的情况下无法确保涂布厚度的均匀性，对长条化的情况下的品质产生影响。
低粘附性区域3优选在各向异性导电膜的总宽度的优选20%以上且80%以下、更优选30%以上且70%以下的范围内存在。该范围优选在宽度方向的中央部存在。
就凹部10的形状而言，在如图1A、1B所示的情况下，各向异性导电膜表面和凹部的内侧侧面所成的角为直角，且凹部的内侧侧面和底面所成的角也为直角，但也可为从底部向开口部变宽那样的凹部形状。另外，凹部的内侧侧面可在厚度方向呈直线地形成，但也可呈曲线地形成。例如，凹部可为半圆球形状。由此，可精度良好且简易地制备低粘附性树脂的形状。另外，也可局部地调整粘接力。其原因在于，使得在面方向不产生粘接力的急剧变化。
在这里，在绝缘性粘结剂层1的一面的一部分设置粘附强度比绝缘性粘结剂层1低的低粘附性区域3。低粘附强度的程度指低至在各向异性导电连接时IC芯片产生的弯曲在各向异性导电连接后可缓和的程度。低粘附性区域3优选为该区域以外的绝缘性粘结剂层1的粘接强度的5%以上且50%以下，更优选为20%以上且40%以下。各自的粘接强度可使用芯片剪切力测定机(商品名：Dage2400，Dage公司(デイジ社)制)在室温下进行测定。通常低粘附性区域3的粘接强度优选为300N以下，该区域以外的绝缘性粘结剂层1的粘接强度优选为600N以上。
另外，在低粘附区域3和除此以外的区域为相同组成的情况下，未固化状态下的低粘附区域3的特定官能团的FT-IR检测峰的绝对值，相对于除此之外的区域的检测峰优选为低于80%，更优选为70%以下，进一步更优选为50%以下。该检测峰的相对比可与在环氧化合物或丙烯酸单体的聚合中由官能团的减少率求得反应率时采用的公知方法相同地求得。
另外，作为在如图2所示的凹部10中填充的低粘附性树脂，可使用不含有固化成分、且不表现粘性的树脂。例如，作为上述低粘附性树脂，可列举出玻璃化转变温度为-30℃以上且70℃以下的成膜性树脂。具体而言，可列举出苯氧基树脂或丙烯酸橡胶等在ACF中使用的公知的树脂。另外，可含有环氧化合物或丙烯酸化合物等聚合性树脂，但凹部的含量为凹部以外的区域的含量的优选50%以下、更优选5%以上且50%以下、进一步更优选10%以上且40%以下。在不含有固化成分或固化成分过少的情况下，在固化后的膜内可形成粘接强度急剧变化的部位，由此有产生松动等其它问题之虞。为了抑制上述变化，凹部的形状优选以使得膜表面一侧比凹部底部宽的方式倾斜。
需说明的是，低粘附性区域3可使用与其它区域相同的材料构成，但通过使环氧化合物或丙烯酸聚合物等固化成分的掺混量为其它区域的80%以下，或不含有反应引发剂，可作为低粘附性区域起作用。低粘附性区域和除此以外的区域可用FT-IR测定中的官能团减少率的变化比例来区分，低粘附性区域为该变化比例相对小的区域。
另外，由于设置低粘附性区域3的位置是为了减少在各向异性导电连接时各向异性导电膜中产生的残留应力而设置的位置，所以优选设置在以下区域，所述区域偏离直接有助于各向异性连接的区域，且应力变化最大。例如，如图3所示，为在使用各向异性导电膜100将在边缘部具有凸点B的IC芯片30与玻璃基板31的配线各向异性导电连接时，与产生弯曲的部分(例如，在边缘部形成有凸点B的IC芯片30的该凸点B所包围的中央部分R)对应的区域。
另外，如图4所示，低粘附性区域3可在各向异性导电膜100的长度方向(箭头方向)延伸设置(优选宽度为15μm以上，更优选为50μm以上，特别优选为150μm~5mm)，如图5所示，也可在各向异性导电膜100的长度方向(箭头方向)呈踏脚石状地不连续地设置。
<绝缘性粘结剂层、导电粒子保持层>
构成本发明的各向异性导电膜100的绝缘性粘结剂层1 (图1A)或导电粒子保持层1a(图1B)为将苯氧基树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、饱和聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂、丁二烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚烯烃树脂等成膜树脂和热或光阳离子、阴离子或自由基聚合性树脂等热或光聚合性树脂的混合物成膜而得到的膜或其聚合膜。特别优选的绝缘性粘结剂层1或导电粒子保持层1a为将含有丙烯酸酯化合物和光自由基聚合引发剂的混合物成膜而得到的膜或其聚合膜。以下对绝缘性粘结剂层1或导电粒子保持层1a含有光自由基聚合树脂并聚合的情况进行说明。
(丙烯酸酯化合物)
作为构成丙烯酸酯单元的丙烯酸酯化合物，可使用以往公知的光自由基聚合性丙烯酸酯。例如，可使用单官能(甲基)丙烯酸酯(在这里，(甲基)丙烯酸酯包含丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯)、双官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯。在本发明中，为了将粘接剂制成热固性，优选丙烯酸类单体的至少一部分使用多官能(甲基)丙烯酸酯。
从凹部的形状稳定性的观点出发，绝缘性粘结剂层1或导电粒子保持层1a中丙烯酸酯化合物的含量优选为2质量%以上且70质量%以下，更优选为10质量%以上且50质量%以下。
(光自由基聚合引发剂)
作为光自由基聚合引发剂，可从公知的光自由基聚合引发剂中适宜选择使用。例如，可列举出苯乙酮类光聚合引发剂、苯偶酰缩酮类光聚合引发剂、磷类光聚合引发剂等。
从充分地进行光自由基聚合反应和抑制膜刚性降低的观点出发，相对于100质量份的丙烯酸酯化合物，光自由基聚合引发剂的使用量优选为0.1质量份以上且25质量份以下，更优选为0.5质量份以上且15质量份以下。
从抑制导电粒子捕捉效率降低和抑制导通电阻上升的观点出发，绝缘性粘结剂层1的层厚度优选为5μm以上且60μm以下，更优选为7μm以上且40μm以下。另外，从相同的观点出发，导电粒子保持层1a的层厚度优选为1μm以上且20μm以下，更优选为2μm以上且15μm以下。
在绝缘性粘结剂层1或导电粒子保持层1a中也可进一步含有环氧化合物和热或光阳离子或阴离子聚合引发剂。在这种情况下，如下所述，绝缘性粘接层1b也优选设为含有环氧化合物和热或光阳离子或阴离子聚合引发剂的热或光阳离子或阴离子聚合性树脂层。由此，可提高层间粘接强度。对于环氧化合物和热或光阳离子或阴离子聚合引发剂，在下面进行叙述。
绝缘性粘结剂层1的形成例如可通过以下方法形成：将含有光自由基聚合性丙烯酸酯、光自由基聚合引发剂和导电粒子的光自由基聚合性组合物涂布在具有为了形成低粘附性区域3所需要的结构的模型上，通过加热或紫外线照射来进行干燥(或成膜)。另外，导电粒子保持层1a可通过以下方法形成：使用光自由基聚合性组合物，通过膜转印法、模具转印法、喷墨法、静电附着法等方法附着导电粒子，从导电粒子一侧、其相反一侧或两侧照射紫外线。
<绝缘性粘接层>
在导电粒子保持层1a上层合的绝缘性粘接层1b可使用与导电粒子保持层1a相同的材料。
从保持凹部、且得到充分的粘接强度的观点出发，绝缘性粘接层1b的层厚度优选比2μm大且低于30μm，更优选比5μm大且低于15μm。
(环氧化合物)
在绝缘性粘接层1b为含有环氧化合物和热或光阳离子或阴离子聚合引发剂的热或光阳离子或阴离子聚合性树脂层的情况下，作为环氧化合物，可优选列举出分子内具有2个以上环氧基的化合物或树脂。它们可为液态或固态。
(热阳离子聚合引发剂)
作为热阳离子聚合引发剂，可采用作为环氧化合物的热阳离子聚合引发剂公知的引发剂，例如为利用热产生能够使阳离子聚合性化合物阳离子聚合的酸的引发剂，可使用公知的碘鎓盐、锍盐、鏻盐、二茂铁类等，可优选使用对温度显示良好的潜伏性的芳族锍盐。
从抑制固化不良，抑制制品寿命降低的观点出发，相对于100质量份的环氧化合物，热阳离子聚合引发剂的掺混量优选为2~60质量份，更优选为5~40质量份。
(热阴离子聚合引发剂)
作为热阴离子聚合引发剂，可采用作为环氧化合物的热阴离子聚合引发剂公知的引发剂，例如为利用热产生能够使阴离子聚合性化合物阴离子聚合的碱的引发剂，可使用公知的脂族胺类化合物、芳族胺类化合物、仲胺或叔胺类化合物、咪唑类化合物、聚硫醇类化合物、三氟化硼-胺络合物、双氰胺、有机酸酰肼等，可优选使用对温度显示良好的潜伏性的胶囊化咪唑类化合物。
若热阴离子聚合引发剂的掺混量过少，则有导致固化不良的倾向，若过多，则有制品寿命降低的倾向，因此相对于100质量份的环氧化合物，优选为2质量份以上且60质量份以下，更优选为5质量份以上且40质量份以下。
(光阳离子聚合引发剂和光阴离子聚合引发剂)
作为环氧化合物用的光阳离子聚合引发剂或光阴离子聚合引发剂，可适宜使用公知的引发剂。
(丙烯酸酯化合物)
在绝缘性粘接层1b为含有丙烯酸酯化合物和热或光自由基聚合引发剂的热或光自由基聚合性树脂层的情况下，作为丙烯酸酯化合物，可从关于绝缘性粘结剂层1说明的丙烯酸酯化合物中适宜选择使用。
(热自由基聚合引发剂)
另外，作为热自由基聚合引发剂，例如可列举出有机过氧化物或偶氮类化合物等，可优选使用不产生导致气泡的氮的有机过氧化物。
若热自由基聚合引发剂的使用量过少，则导致固化不良，若过多，则导致制品寿命降低，因此相对于100质量份的丙烯酸酯化合物，优选为2质量份以上且60质量份以下，更优选为5质量份以上且40质量份以下。
(光自由基聚合引发剂)
作为丙烯酸酯化合物用的光自由基聚合引发剂，可使用公知的光自由基聚合引发剂。
若光自由基聚合引发剂的使用量过少，则导致固化不良，若过多，则导致制品寿命降低，因此相对于100质量份的丙烯酸酯化合物，优选为1质量份以上且60质量份以下，更优选为3质量份以上且40质量份以下。
需说明的是，在绝缘性粘结剂层1的另一面可层合其它的绝缘性粘接层。由此，可得到能够更精细地控制层整体的流动性的效果。在这里，作为其它的绝缘性粘接层，可设为与前述绝缘性粘接层1b相同的构成。
<导电粒子>
作为导电粒子2，可从以往公知的在各向异性导电膜中使用的导电粒子中适宜地选择使用。例如可列举出镍、钴、银、铜、金、钯等金属粒子，金属被覆树脂粒子等。也可并用2种以上。
作为导电粒子2的平均粒径，为了使得可应对配线高度的偏差，另外为了抑制导通电阻的上升，且抑制短路的发生，优选为1μm以上且10μm以下，更优选为2μm以上且6μm以下。平均粒径可利用通常的粒度分布测定装置进行测定。
为了抑制导电粒子捕捉效率的降低，且抑制短路的发生，导电粒子2在绝缘性粘结剂层1中的存在量优选每1平方mm为50个以上且40000个以下，更优选为200个以上且20000个以下。
“导电粒子2的规则图案的排列”
导电粒子2的规则图案的排列中的规则图案指在从各向异性导电膜100的表面透视导电粒子2时可识别的导电粒子2在长方形格子、正方格子、六方格子、菱形格子等的格点存在的排列。构成这些格子的假想线不仅可以是直线，也可以是曲线、折线。
以导电粒子数为基准，为了使各向异性连接稳定，以规则图案排列的导电粒子2相对于所有导电粒子2的比例优选为90%以上。该比例的测定可利用光学显微镜等进行。
另外，导电粒子2的粒子间距离、即导电粒子间的最短距离为导电粒子2的平均粒径的优选0.5倍以上、更优选1倍以上且5倍以下。
<<各向异性导电膜的制备方法>>
接着，说明本发明的各向异性导电膜的制备方法的一个实例。
本发明的各向异性导电膜可通过在绝缘性粘结剂层的一面的一部分进行低粘附性区域形成处理来制备。作为低粘附性区域形成处理，可列举出：灌注低粘附性区域形成材料，并通过公知的方法进行平滑处理；利用激光实施格栅加工；或通过光刻法实施微细凹凸加工等。
本发明的各向异性导电膜的制备方法的优选的一个实例为具有以下工序(A)~(C)的制备方法。以下对每道工序进行说明。
工序(A)
首先，在形成有与低粘附性区域对应的凸部的模型上，涂布含有导电粒子的绝缘性粘结剂层形成用组合物并通过加热或紫外线照射来干燥或成膜，由此形成在一面形成有凹部的绝缘性粘结剂层。作为模型，可使用由玻璃、硬化树脂、金属等形成的模型。
工序(B)
接着，利用公知的方法从模型取下绝缘性粘结剂层。在该工序中，优选预先在绝缘性粘结剂层上临时粘贴转印片材，将转印片材作为支撑体从模型取下绝缘性粘结剂层。
工序(C)
接着，利用公知的方法在绝缘性粘结剂层的凹部填充低粘附性区域形成材料。由此，得到本发明的优选的方式的各向异性导电膜。
可根据需要，剥离转印片材，在该面(绝缘性粘结剂层的另一面)层合其它的绝缘性粘接层。
<<各向异性导电膜的用途>>
如上所述得到的各向异性导电膜可在利用热或光将IC芯片、IC模块、柔性基板等第1电子零件和柔性基板、刚性基板、玻璃基板等第2电子零件各向异性导电连接时优选应用(除了COG以外也可应用于COF、COB、FOG、FOB等)。如上所述得到的连接结构体也是本发明的一部分。在这种情况下，从提高连接可靠性的观点出发，优选将各向异性导电膜从其绝缘性粘结剂层一侧对配线基板等第2电子零件进行临时粘贴，对于临时粘贴的各向异性导电膜，搭载IC芯片等第1电子零件，从第1电子零件一侧进行热压接。另外，也可利用光固化进行连接。
实施例
以下通过实施例来具体地说明本发明。
实施例1~5
用甲苯将60质量份的苯氧基树脂(YP-50，新日铁住金化学(株))、40质量份的丙烯酸酯(EP600，Daicel-Allnex Ltd. (ダイセル·オルネクス(株)))、2质量份的光自由基聚合引发剂(IRGACURE 369，三菱化学(株))和10质量份的平均粒径为4μm的导电粒子(镀Ni/Au树脂粒子，AUL704，积水化学工业(株))制备混合液，使得树脂固体成分为50质量%。
使用该混合液和形成有规定的凸部(在实施例1~4的情况下为与图4对应的连续地延伸设置的方式，在实施例5的情况下为与图5对应的呈踏脚石状地不连续的方式)的片型模型，在切割后制备宽度为2mm的绝缘性粘结剂层。将该绝缘性粘结剂层从模型取下，在形成有凹部的面涂布低粘附性树脂组合物使得凹部以外的干燥厚度为3μm，照射波长为365nm、累积光量为4000mL/cm2的紫外线，由此形成绝缘性粘结剂层。
在得到的绝缘性粘结剂层的凹部一侧表面整体上，涂布用甲苯将94质量份的上述苯氧基树脂、6质量份的丙烯酸酯、0.3质量份的光自由基聚合引发剂稀释而得到的低粘附性树脂组合物并干燥，使得凹部以外的干燥厚度为3μm，由此得到总厚度为25μm的各向异性导电膜。
需说明的是，使用光学显微镜测定得到的各向异性导电膜的凹部一侧表面的凹部的面积比例(%)、凹部深度(μm)相对于总厚度的深度比例(%)、从一侧的膜侧边缘至凹部边缘为止的距离(μm)和从另一侧的膜侧边缘至凹部边缘为止的距离(μm)的总和。深度根据焦点的调整计算求得。将得到的结果示出于表1中。
实施例6
(排列有导电粒子的绝缘性粘结剂层的制备)
用甲苯将60质量份的苯氧基树脂(YP-50，新日铁住金化学(株))、40质量份的丙烯酸酯(EP600，Daicel-Allnex Ltd. (ダイセル·オルネクス(株)))和2质量份的光自由基聚合引发剂(IRGACURE 369，三菱化学(株))制备混合液，使得固体成分为50质量%。在厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上涂布该混合液，使得干燥厚度为8μm，在80℃的烘箱中干燥5分钟，由此形成光自由基聚合性树脂层。
接着，对于得到的光自由基聚合性树脂层，将平均粒径为4μm的导电粒子(镀Ni/Au树脂粒子，AUL704，积水化学工业(株))相互隔开4μm以单层排列。进而从该导电粒子一侧由LED光源对光自由基聚合性树脂层照射波长为365nm、累积光量为4000mJ/cm2的紫外线，由此形成在表面固定有导电粒子的绝缘性粘结剂层。
(具有凹部的绝缘性粘接层的形成)
使用含有60质量份的上述苯氧基树脂、40质量份的丙烯酸酯、2质量份的光自由基聚合引发剂的绝缘性粘接层形成用组合物和形成有规定的凸部(与图4对应的连续地延伸设置的方式)的片型模型，形成在切割后宽度为2mm、且在中央形成有凹部的绝缘性粘接层。
(各向异性导电膜的制备)
在得到的绝缘性粘接层上重叠绝缘性粘结剂层，在40℃、0.1Pa的条件下进行层压。将得到的层合体从模型取下，在绝缘性粘接层的凹部一侧表面整体上，涂布用甲苯将80质量份的上述苯氧基树脂、20质量份的丙烯酸酯、1质量份的光自由基聚合引发剂稀释而得到的低粘附性树脂组合物并干燥，使得凹部以外的干燥厚度为3μm，由此得到总厚度为28μm的各向异性导电膜。
需说明的是，使用光学显微镜测定得到的各向异性导电膜的凹部一侧表面的凹部的面积比例(%)、凹部深度(μm)相对于总厚度的深度比例(%)、从一侧的膜边缘部至凹部边缘为止的距离(μm)和从另一侧的膜边缘部至凹部边缘为止的距离(μm)的总和。深度根据焦点的调整计算求得。将得到的结果示出于表1中。
比较例1
使用未设置凹部的片状模型，且未设置非粘附性树脂层，除此之外，与实施例1相同地制备总厚度为25μm的各向异性导电膜。
需说明的是，使用光学显微镜测定得到的各向异性导电膜的凹部一侧表面的凹部的面积比例(%)、凹部深度(μm)相对于总厚度的深度比例(%)、从一侧的膜侧边缘至凹部边缘为止的距离(μm)和从另一侧的膜侧边缘至凹部边缘为止的距离(μm)的总和。深度根据焦点的调整计算求得。将得到的结果示出于表1中。
<评价>
对于各实施例和比较例的各向异性导电性膜，分别如下所示地试验评价各向异性导电连接时的(a) 短路发生率和(b) 弯曲量。将结果示出于表1中。
(a) 短路发生率
在短路发生率的评价用IC和玻璃基板之间夹持各实施例和比较例的各向异性导电性膜，加热加压(180℃、80MPa、5秒)得到各评价用连接物，求得该评价用连接物的短路发生率。短路发生率用“短路的发生数/7.5μm间隔总数”。
短路发生率的评价用IC (7.5μm间隔的梳齿TEG (test element group)) 外径1.5×13mm
厚度 0.5mm
凸点规格 镀金、高度为15μm、尺寸为25×140μm、凸点间距为7.5μm
玻璃基板
玻璃材质Corning Inc. (コーニング社)制
外径 30×50mm
厚度 0.5mm
电极 ITO配线。
(b) 弯曲量
使用三维测量仪(Keyence Corporation ((株)キーエンス))测定在(a)中制备的评价用连接物的未安装IC芯片的一侧的玻璃配线基板表面的宽度20mm的弯曲。弯曲在实际使用方面优选为低于15μm。需说明的是，该20mm的宽度相当于在背面安装的IC芯片的宽度。
[表1]
由表1可知，实施例1~6的各向异性导电膜未使短路发生率上升，与比较例1相比，可减小弯曲量。另外，凹部深度相对于总厚度的比例在20~50%的范围内无大的变化(实施例1、2)。若凹部面积相对于膜表面积变大，则有弯曲量减少的倾向(实施例2~4)。在连续地延伸设置凹部的情况下和凹部散布的情况下，弯曲量无大的差异(实施例2、5)。另外，在导电粒子无规地分散的情况下和导电粒子排列的情况下，弯曲量也无大的差异。
产业上的可利用性
本发明的各向异性导电膜中，在绝缘性粘结剂层中分散或以规则图案排列有导电粒子，在一面的一部分形成有粘附强度比绝缘性粘结剂层低的低粘附性区域。因此，可使得IC芯片的未形成凸点的中央部区域不与各向异性导电膜粘附固定，可缓和在各向异性导电连接时产生的弯曲。由此，对IC芯片等电子零件向配线基板的各向异性导电连接有用。
符号说明
1 绝缘性粘结剂层
1a 导电粒子保持层
1b 绝缘性粘接层
2 导电粒子
3 低粘附性区域
10 凹部
30 IC芯片
31 玻璃基板
B 凸点
100 各向异性导电膜

Claims (10)

1.各向异性导电膜，其是在绝缘性粘结剂层中分散有导电粒子或以规则图案排列有导电粒子的各向异性导电膜，其中，在一面的一部分形成粘附强度比绝缘性粘结剂层低的低粘附性区域。
2.权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，低粘附性区域为在绝缘性粘结剂层上形成的凹部填充有低粘附性树脂的区域。
3.权利要求2所述的各向异性导电膜，其中，在一面形成有凹部的绝缘性粘结剂层的该一面的低粘附性区域以外的区域，也利用与绝缘性粘结剂层相同的材料形成比凹部薄的层。
4.权利要求1~3中任一项所述的各向异性导电膜，其中，低粘附性树脂不含有导电粒子。
5.权利要求1~4中任一项所述的各向异性导电膜，其中，低粘附性区域在各向异性导电膜的长度方向延伸设置。
6.权利要求1~4中任一项所述的各向异性导电膜，其中，低粘附性区域在各向异性导电膜的长度方向断续设置。
7.制备方法，其是权利要求1所述的各向异性导电膜的制备方法，其中，在绝缘性粘结剂层的一面的一部分进行低粘附性区域形成处理。
8. 制备方法，其是权利要求2所述的各向异性导电膜的制备方法，其具有以下工序(A)~(C)：
工序(A)
在形成有与低粘附性区域对应的凸部的模型上，涂布含有导电粒子的绝缘性粘结剂层形成用组合物，并通过加热或紫外线照射来干燥或成膜，由此形成在一面形成有凹部的绝缘性粘结剂层的工序；
工序(B)
从模型取下绝缘性粘结剂层的工序；和
工序(C)
在绝缘性粘结剂层的凹部填充低粘附性区域形成材料的工序。
9.连接结构体，其是用权利要求1~6中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子零件与第2电子零件各向异性导电连接而成的。
10.连接方法，其是用权利要求1~6中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子零件与第2电子零件各向异性导电连接的连接方法，其中，
将各向异性导电膜从其绝缘性粘结剂层一侧对第2电子零件临时粘贴，对于临时粘贴的各向异性导电膜，搭载第1电子零件，并从第1电子零件一侧进行压接。
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