TW201543751A - 異向性導電膜及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之異向性導電膜具有於絕緣性黏合劑層分散或以規則之圖案排列有導電粒子之構造。於異向性導電膜單面之一部分形成有密合強度低於絕緣性黏合劑層之低密合性區域。低密合性區域係於形成於絕緣性黏合劑層之凹部填充有低密合性樹脂之區域。

Description

異向性導電膜及其製造方法
本發明係關於一種異向性導電膜及其製造方法。
於將IC晶片覆晶構裝於基板時，廣泛利用異向性導電膜。關於此種覆晶構裝，由於在IC晶片之接合面端部區域形成有高度為10~20μm之凸塊，故而於異向性導電連接時將IC晶片向基板壓入，並於該狀態下使異向性導電膜硬化。因此，有如下之問題：未形成凸塊之IC晶片之中央部區域維持向基板側翹曲而硬化，而無法緩和可能會引起尺寸精度之下降或接合面偏離等問題之翹曲之狀態。為了解決該問題，提出有於基板之背面設置作為阻止翹曲之補強材料之支持構件(專利文獻1)
專利文獻1：日本特開2008-294396號公報
然而，於專利文獻1之情形時，有如下問題：必須加工高單價之基板、或完全重新製作基板，而無法避免製造成本之高漲。又，於在基板之背面形成配線之情形時，有如下問題：必須避開支持構件而形成， 而基板之設計自由度下降。
本發明之目的在於解決以上先前之技術問題，使得可不對先前之IC晶片或基板加以變更而解決異向性導電連接時發生之於IC晶片或基板產生之翹曲的問題。
本發明人為了解決在IC晶片及基板與其他構件之異向性導電膜的翹曲之問題，而進行了各種研究，結果發現：於異向性導電連接時，若於將IC晶片向基板壓入時發生翹曲之部分、即IC晶片之未形成凸塊之中央部區域與異向性導電膜並不密合固定，則於異向性導電連接時所產生之翹曲於異向性導電連接後得以緩和，從而完成本發明。
即，本發明提供一種異向性導電膜，其係於絕緣性黏合劑層分散或以規則之圖案排列有導電粒子者，且於單面之一部分形成有密合強度低於絕緣性黏合劑層之低密合性區域。較佳之低密合性區域之態樣係於形成於絕緣性黏合劑層之凹部填充有低密合性樹脂之區域。
又，本發明提供一種異向性導電膜之製造方法，其特徵在於：於絕緣性黏合劑層單面之一部分進行形成低密合性區域之處理。進而，本發明提供一種具有以下之步驟(A)~(C)之製造方法，來作為異向性導電膜之製造方法，其中，低密合性區域為於形成於絕緣性黏合劑層之凹部填充有低密合性樹脂之區域。
步驟(A)
於形成有與低密合性區域對應之凸部之模具，塗佈含有導電粒子之絕緣性黏合劑層形成用組成物，並經加熱或紫外線照射而進行乾燥或成膜化，藉此形成於單面形成有凹部之絕緣性黏合劑層的步驟。
步驟(B)
自模具將絕緣性黏合劑層取下之步驟。
步驟(C)
於絕緣性黏合劑層之凹部填充形成低密合性區域之材料的步驟。
又，本發明提供一種連接構造體，其係利用上述異向性導電膜將第1電子零件異向性導電連接於第2電子零件而成。
進而，本發明提供一種連接方法，其係利用上述異向性導電膜將第1電子零件異向性導電連接於第2電子零件者，且將異向性導電膜自其絕緣性黏合劑層側暫時黏貼於第2電子零件，將第1電子零件搭載於暫時黏貼之異向性導電膜，並自第1電子零件側進行壓接。於該壓接時，可進行加熱或光(紫外線等)照射，或亦可同時進行加熱與光照射。
本發明之異向性導電膜係於絕緣性黏合劑層分散或以規則之圖案排列有導電粒子，且於單面之一部分形成有密合強度低於絕緣性黏合劑層之低密合性區域。因此，可使IC晶片之未形成凸塊之中央部區域與異向性導電膜不密合固定，而可緩和異向性導電連接時所產生之翹曲。
1‧‧‧絕緣性黏合劑層
1a‧‧‧導電粒子保持層
1b‧‧‧絕緣性接著層
2‧‧‧導電粒子
3‧‧‧低密合性區域
3a‧‧‧薄膜
10‧‧‧凹部
30‧‧‧IC晶片
31‧‧‧玻璃基板
B‧‧‧凸塊
100‧‧‧異向性導電膜
圖1A係本發明之異向性導電膜之剖面圖。
圖1B係本發明之異向性導電膜之剖面圖。
圖2係本發明之異向性導電膜之剖面圖。
圖3係利用異向性導電膜將IC晶片與玻璃基板異向性導電連接之情形之說明圖。
圖4係本發明之異向性導電膜之俯視圖。
圖5係本發明之異向性導電膜之俯視圖。
以下，對本發明之異向性導電膜詳細地進行說明。
<<異向性導電膜>>
如圖1A所示般，本發明之異向性導電膜100係於絕緣性黏合劑層1分散或以規則之圖案排列有導電粒子2之異向性導電膜，並且具有「於至少單面之一部分形成有密合強度低於絕緣性黏合劑層1之低密合性區域3」之構造。
於導電粒子2以規則之圖案排列時，如圖1B所示般，絕緣性黏合劑層1亦可為由保持導電粒子2之導電粒子保持層1a與積層於其上之絕緣性接著層1b構成。於該絕緣性接著層1b形成低密合性區域3。
又，作為實現低密合性區域3之低密合性的方法，可列舉：應用低密合性材料，或利用公知之方法於絕緣性黏合劑層1形成微細柵型(grating)構造、微細凹凸構造等。
異向性導電膜整體之總厚較佳為10μm以上且60μm以下。
<低密合性區域>
低密合性區域3之較佳態樣係應用低密合性材料，具體而言，如圖1A、 1B所示般，於凹部10填充有低密合性樹脂之態樣，該凹部10被形成於絕緣性黏合劑層1或絕緣性接著層1b且較佳為深度2μm以上且30μm以下、更佳為5μm以上且15μm以下。凹部10較佳為膜層厚度之10%以上且50%以下，更佳為20%以上且50%以下。於該情形時，亦可如圖2所示般，於在單面形成有凹部10之絕緣性黏合劑層1的該單面之低密合性區域3以外之區域，於不損害絕緣性黏合劑層1之密合強度之範圍內(換言之，於異向性導電連接時自連接區域排除之範圍內)，藉由與絕緣性黏合劑層1相同之材料形成有薄於凹部10之層。具體而言，亦可形成有該低密合性樹脂之較佳為0.2μm以上且6μm以下、更佳為0.3μm以上且4μm以下之薄膜3a。與僅對凹部10填充低密合性樹脂相比，可獲得製造條件緩和之效果。又，低密合性樹脂由於不參與電性連接，故而不含有導電粒子就較為經濟之理由而言亦較佳。再者，薄膜3a相對於凹部10之深度較佳為3%以上且20%以下。其原因在於：當厚於該範圍以上時，難以產生用以消除翹曲的接著力於面內方向上之差，當薄於該範圍以下時，無法確保塗佈厚度之均勻性，對製成長條化之情形之品質產生影響。
低密合性區域3較佳為：存在於異向性導電膜之總寬度的較佳為20%以上且80%以下、更佳為30%以上且70%以下之範圍。該範圍較理想為存在於寬度方向之中央部。
關於凹部10之形狀，於圖1A、1B所示之情形時，異向性導電膜表面與凹部之內側側面所成之角為直角，且凹部之內側側面與底面所成之角亦為直角，但亦可為如自底部朝向開口部變寬之凹部形狀。又，雖然凹部之內側側面可於厚度方向直線地形成，但亦可曲線地形成。例如， 凹部亦可為半圓球形狀。藉此，可精度良好且簡易地製造低密合性樹脂之形狀。又，亦可局部地調整接著力。其目的在於：使面方向上不產生接著力之急遽變化。
此處，密合強度低於絕緣性黏合劑層1之低密合性區域3係設置於絕緣性黏合劑層1單面之一部分。低密合強度之程度，係指低至可使於異向性導電連接時IC晶片中所產生之翹曲於異向性導電連接後緩和之程度。低密合性區域3較佳為該區域以外之絕緣性黏合劑層1之接著強度之5%以上且50%以下，更佳為20%以上且40%以下。各者之接著強度可使用晶片剪切強度測定機(品名：Dage2400，Daisy公司製造)於室溫下進行測定。通常，低密合性區域3之接著強度較佳為300N以下，該區域以外之絕緣性黏合劑層1之接著強度較佳為600N以上。
又，當低密合區域3與其以外之區域為相同組成之情形時，未硬化狀態下之低密合區域3中特定官能基之FT-IR(fourier transform infrared radiation，傅立葉轉換紅外線光譜)之檢測波峰之絕對值，相對於其以外之區域之檢測波峰較佳為未達80%，更佳為70%以下，進而更佳為50%以下。該檢測波峰之相對比可與於環氧化合物或丙烯酸系單體之聚合中根據官能基之減少率求出反應率時所使用之公知方法相同地求出。
又，作為填充於如圖2所示之凹部10之低密合性樹脂，可使用不含有硬化成分、且不表現黏性(tack)之樹脂。例如，作為此種低密合性樹脂，可列舉玻璃轉移點為-30℃以上且70℃以下之成膜性樹脂。具體而言，可列舉苯氧樹脂或丙烯酸橡膠等ACF(anisotropic conductive film)中所使用之公知之樹脂。又，雖然亦可含環氧化合物或丙烯酸化合物等聚 合性樹脂，但凹部之含量較佳為凹部以外之區域之含量的50%以下，更佳為5%以上且50%以下，進而更佳為10%以上且40%以下。於不含有硬化成分、或過少之情形時，擔心會因硬化後之膜內出現接著強度急遽變化之部位而產生隆起等其他問題。為了抑制此種變化，凹部之形狀較佳為以膜表面側寬於凹部底部之方式具有傾斜。
再者，低密合性區域3可使用與其他區域相同之材料而構成，可藉由將環氧化合物或丙烯酸系聚合物等硬化成分之摻合量設為其他區域之80%以下、或不含反應起始劑，而製成低密合性區域並發揮功能。低密合性區域與其以外之區域可利用FT-IR測定中之官能基之減少比率之變化比率進行區別，低密合性區域為其變化比率相對小之區域。
又，設置有低密合性區域3之位置係為了使於異向性導電連接時異向性導電膜中產生之殘留應力減少而設置者，故而較佳為遠離直接有助於異向性連接之區域的區域，且設置於應力變化最大之區域。例如，如圖3所示般，於使用異向性導電膜100將端部具有凸塊B之IC晶片30異向性導電連接於玻璃基板31之配線時，與產生翹曲之部分(例如，端部形成有凸塊B之IC晶片30之被該凸塊B包圍之中央部分R)對應之區域。
又，低密合性區域3亦可如圖4所示般於異向性導電膜100之長邊方向(箭頭方向)綿延設置(較佳為寬度15μm以上，更佳為50μm以上、尤佳為150μm~5mm)，亦可如圖5所示般於異向性導電膜100之長邊方向(箭頭方向)上踏腳石(stepping stones)狀不連續地設置。
<絕緣性黏合劑層、導電粒子保持層>
構成本發明之異向性導電膜100之絕緣性黏合劑層1(圖1A)或導電 粒子保持層1a(圖1B)係將苯氧樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、胺酯(urethane)樹脂、丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂等膜形成樹脂、與熱或光陽離子、陰離子或自由基聚合性樹脂等熱或光聚合性樹脂的混合物進行成膜而成者，或其聚合膜。尤佳之絕緣性黏合劑層1或導電粒子保持層1a係將含丙烯酸酯化合物與光自由基聚合起始劑之混合物進行成膜而成者、或其聚合膜。以下，對絕緣性黏合劑層1或導電粒子保持層1a含光自由基聚合樹脂、並進行聚合之情形進行說明。
(丙烯酸酯化合物)
成為丙烯酸酯單位之丙烯酸酯化合物，可使用先前公知之光自由基聚合性丙烯酸酯。例如可使用：單官能(甲基)丙烯酸酯(此處，(甲基)丙烯酸酯包含丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯)、二官能以上之多官能(甲基)丙烯酸酯。於本發明中，為使接著劑為熱硬化性，較佳為於丙烯酸系單體之至少一部分使用多官能(甲基)丙烯酸酯。
絕緣性黏合劑層1或導電粒子保持層1a中，丙烯酸酯化合物之含量就凹部之形狀穩定性之觀點而言，較佳為2質量%以上且70質量%以下，更佳為10質量%以上且50質量%以下。
(光自由基聚合起始劑)
作為光自由基聚合起始劑，可自公知之光自由基聚合起始劑中適宜選擇而使用。例如可列舉：苯乙酮系光聚合起始劑、苄基縮酮系光聚合起始劑、磷系光聚合起始劑等。
光自由基聚合起始劑之使用量就進行充分之光自由基聚合 反應、與抑制膜剛性下降之觀點而言，相對於丙烯酸酯化合物100質量份，較佳為0.1質量份以上且25質量份以下，更佳為0.5質量份以上且15質量份以下。
關於絕緣性黏合劑層1之層厚，就抑制導電粒子捕捉效率之下降、與抑制導通電阻之上升之觀點而言，較佳為5μm以上且60μm以下，更佳為7μm以上且40μm以下。又，導電粒子保持層1a之層厚亦就相同之觀點而言，較佳為1μm以上且20μm以下，更佳為2μm以上且15μm以下。
絕緣性黏合劑層1或導電粒子保持層1a中進而亦可含有環氧化合物與熱或光陽離子或陰離子聚合起始劑。於該情形時，較佳為如下所述般，製成使絕緣性接著層1b亦含有環氧化合物與熱或光陽離子或陰離子聚合起始劑的熱或光陽離子或陰離子聚合性樹脂層。藉此，可提高層間接著強度。對環氧化合物與熱或光陽離子或陰離子聚合起始劑於以下進行敍述。
絕緣性黏合劑層1之形成例如可藉由如下方式而進行：將含有光自由基聚合性丙烯酸酯、光自由基聚合起始劑、及導電粒子之光自由基聚合性組成物塗佈於具有為形成低密合性區域3而必要之構造的模具，並藉由加熱或紫外線照射而進行乾燥(或成膜)。又，導電粒子保持層1a係藉由如下方式而形成：使用光自由基聚合性組成物，利用膜轉印法、模具轉印法、噴墨法、靜電附著法等方法使導電粒子附著，並自導電粒子側、其相反側、或兩側照射紫外線。
<絕緣性接著層>
積層於導電粒子保持層1a之絕緣性接著層1b可使用與導電粒子保持層1a相同之材料。
絕緣性接著層1b之層厚就保持凹部、且獲得充分之接著強度之觀點而言，較佳為大於2μm且未達30μm，更佳為大於5μm且未達15μm。
(環氧化合物)
於絕緣性接著層1b為含有環氧化合物與熱或光陽離子或陰離子聚合起始劑之熱或光陽離子或陰離子聚合性樹脂層之情形時，作為環氧化合物，可較佳地列舉於分子內具有兩個以上之環氧基之化合物或樹脂。該等可為液狀，亦可為固體狀。
(熱陽離子聚合起始劑)
作為熱陽離子聚合起始劑，可採用作為環氧化合物之熱陽離子聚合起始劑所公知者，例如藉由熱而產生可使陽離子聚合性化合物進行陽離子聚合之酸者，可使用公知之錪鹽、鋶鹽、鏻鹽、二茂鐵類等，可較佳地使用對溫度表現出良好之潛伏性之芳香族鋶鹽。
熱陽離子聚合起始劑之摻合量就抑制硬化不良、抑制製品壽命下降之觀點而言，相對於環氧化合物100質量份，較佳為2~60質量份，更佳為5~40質量份。
(熱陰離子聚合起始劑)
作為熱陰離子聚合起始劑，可採用作為環氧化合物之熱陰離子聚合起始劑所公知者，例如藉由熱而產生可使陰離子聚合性化合物進行陰離子聚合之鹼者，可使用公知之脂肪族胺系化合物、芳香族胺系化合物、二級或 三級胺系化合物、咪唑系化合物、聚硫醇系化合物、三氟化硼-胺錯合物、雙氰胺、有機醯肼等，可較佳地使用對溫度表現出良好之潛伏性之膠囊化咪唑系化合物。
關於熱陰離子聚合起始劑之摻合量，若過少則有變得硬化不良之傾向、若過多則有製品壽命下降之傾向，故而相對於環氧化合物100質量份，較佳為2質量份以上且60質量份以下，更佳為5質量份以上且40質量份以下。
(光陽離子聚合起始劑及光陰離子聚合起始劑)
作為環氧化合物用之光陽離子聚合起始劑或光陰離子聚合起始劑，可適宜使用公知者。
(丙烯酸酯化合物)
於絕緣性接著層1b為含有丙烯酸酯化合物與熱或光自由基聚合起始劑之熱或光自由基聚合性樹脂層之情形時，作為丙烯酸酯化合物，可自關於絕緣性黏合劑層1所說明者中適宜選擇而使用。
(熱自由基聚合起始劑)
又，作為熱自由基聚合起始劑，例如可列舉有機過氧化物或偶氮系化合物等，但可較佳地使用不產生「成為氣泡之原因之氮氣」的有機過氧化物。
關於熱自由基聚合起始劑之使用量，若過少則變得硬化不良，若過多則製品壽命下降，故而相對於丙烯酸酯化合物100質量份，較佳為2質量份以上且60質量份以下，更佳為5質量份以上且40質量份以下。
(光自由基聚合起始劑)
作為丙烯酸酯化合物用之光自由基聚合起始劑，可使用公知之光自由基聚合起始劑。
關於光自由基聚合起始劑之使用量，若過少則變得硬化不良，若過多則製品壽命下降，故而相對於丙烯酸酯化合物100質量份，較佳為1質量份以上且60質量份以下，更佳為3質量份以上且40質量份以下。
再者，亦可於絕緣性黏合劑層1之另一面積層有其他絕緣性接著層。藉此，可獲得能更為精準地控制層整體之流動性之效果。此處，作為其他絕緣性接著層，亦可製成與上述絕緣性接著層1b相同之構成。
<導電粒子>
作為導電粒子2，可自先前公知之異向性導電膜所使用者中適宜選擇而使用。例如可列舉：鎳、鈷、銀、銅、金、鈀等金屬粒子、金屬被覆樹脂粒子等。亦可併用兩種以上。
作為導電粒子2之平均粒徑，為了使之可對應配線高度之不均，又，為了抑制導通電阻之上升、且抑制短路之發生，較佳為1μm以上且10μm以下，更佳為2μm以上且6μm以下。平均粒徑可藉由通常之粒度分佈測定裝置進行測定。
關於導電粒子2於絕緣性黏合劑層1中之存在量，為了抑制導電粒子捕捉效率之下降、且抑制短路之發生，較佳為每1平方mm為50個以上且40000個以下，更佳為200個以上且20000個以下。
「導電粒子2之規則圖案之排列」
導電粒子2之規則圖案之排列中，所謂規則圖案，係指自異向性導電膜100之表面透視導電粒子2時可辨識之導電粒子2存在於長方形格子、正 方格子、六方格子、菱形格子等格子點之排列。構成該等格子之假想線不僅可為直線，亦可為曲線、摺線。
關於以規則之圖案排列之導電粒子2相對於全部導電粒子2之比率，為了實現異向性連接之穩定化，以導電粒子數基準計，較佳為90%以上。該比率之測定可藉由光學顯微鏡等而進行。
又，導電粒子2之粒子間距離、即導電粒子間之最短距離較佳為導電粒子2之平均粒徑的0.5倍以上，更佳為1倍以上且5倍以下。
<<異向性導電膜之製造方法>>
繼而，說明本發明之異向性導電膜之製造方法之一例。
本發明之異向性導電膜可藉由於絕緣性黏合劑層單面之一部分進行形成低密合性區域之處理而製造。作為形成低密合性區域之處理，可列舉：將形成低密合性區域之材料進行灌注(potting)，並利用公知之方法進行平滑處理、或利用雷射而實施柵型加工、或利用光微影法實施微細凹凸加工等。
本發明之異向性導電膜之製造方法之較佳一例係具有以下之步驟(A)~(C)之製造方法。以下，對每個步驟進行說明。
步驟(A)
首先，於形成有與低密合性區域對應之凸部之模具，塗佈含有導電粒子之絕緣性黏合劑層形成用組成物，並經加熱或紫外線照射而進行乾燥或成膜化，藉此形成單面形成有凹部之絕緣性黏合劑層。作為模具，可使用由玻璃、硬化樹脂、金屬等形成者。
步驟(B)
繼而，利用公知之方法自模具將絕緣性黏合劑層取下。於該步驟中，較佳為預先將轉印片材暫時黏貼於絕緣性黏合劑層，並以轉印片材作為支持體而自模具將絕緣性黏合劑層取下。
步驟(C)
繼而，於絕緣性黏合劑層之凹部，利用公知之方法填充形成低密合性區域之材料。藉此，獲得本發明之較佳態樣之異向性導電膜。
視需要亦可將轉印片材剝離，並於該面(絕緣性黏合劑層之另一面)積層其他絕緣性接著層。
<<異向性導電膜之用途>>
以上述方式所獲得之異向性導電膜可較佳地應用於如下之情況：將IC晶片、IC模組、撓性基板等第1電子零件、與撓性基板、剛性基板、玻璃基板等第2電子零件藉由熱或光進行異向性導電連接時(除COG(chip on glass)以外，亦可應用於COF(chip on film)、COB(Chip on Board)、FOG(film on glass)、FOB(Film on Board)等)。以如此之方式獲得之連接構造體亦係本發明之一部分。於該情形時，將異向性導電膜自其絕緣性黏合劑層側暫時黏貼於配線基板等第2電子零件，將IC晶片等第1電子零件搭載於暫時黏貼之異向性導電膜，並自第1電子零件側進行熱壓接，此種情況就提高連接可靠性方面而言，較佳。又，亦可利用光硬化進行連接。
實施例
以下，藉由實施例更具體地說明本發明。
實施例1~5
將苯氧樹脂(YP-50，新日鐵住金化學(股))60質量份、丙烯酸酯 (EP600，Daicel Allnex(股))40質量份、光自由基聚合起始劑(IRGACURE 369，三菱化學(股))2質量份、及平均粒徑4μm之導電粒子(Ni/Au鍍敷樹脂粒子，AUL704，積水化學工業(股))10質量份利用甲苯以樹脂固形物成分成為50質量%之方式製備混合液。
使用該混合液、與形成有特定凸部(於實施例1~4之情形時為與圖4對應之連續綿延設置之態樣，於實施例5之情形時為與圖5對應之踏腳石狀不連續之態樣)之片型模具，切割後製成寬度2mm之絕緣性黏合劑層。將該絕緣性黏合劑層自模具取下，於形成有凹部之面以凹部以外之乾燥厚度成為3μm之方式塗佈低密合性樹脂組成物，照射波長365nm、累計光量4000mL/cm2之紫外線，藉此形成絕緣性黏合劑層。
於所獲得之絕緣性黏合劑層之凹部側表面之整體，以凹部以外之乾燥厚度成為3μm之方式塗佈將上述苯氧樹脂94質量份、丙烯酸酯6質量份、光自由基聚合起始劑0.3質量份利用甲苯稀釋而成之低密合性樹脂組成物，並進行乾燥，藉此，獲得總厚25μm之異向性導電膜。
再者，所獲得之異向性導電膜之凹部側表面中，凹部之面積比率(%)、凹部深度(μm)相對於總厚之深度比率(%)、自一膜側端至凹部端之距離(μm)與另一膜側端至凹部端之距離(μm)之合計係使用光學顯微鏡進行測定。深度係根據焦點之調整而算出並求出。將所獲得之結果示於表1。
實施例6
(排列有導電粒子之絕緣性黏合劑層之製作)
將苯氧樹脂(YP-50，新日鐵住金化學(股))60質量份、丙烯酸酯 (EP600，Daicel Allnex(股))40質量份、及光自由基聚合起始劑(IRGACURE 369，三菱化學(股))2質量份利用甲苯以固形物成分成為50質量%之方式製備混合液。將該混合液以乾燥厚度成為8μm之方式塗佈於厚度50μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜，並於80℃之烘箱中進行5分鐘乾燥，藉此形成光自由基聚合性樹脂層。
繼而，使平均粒徑4μm之導電粒子(Ni/Au鍍敷樹脂粒子，AUL704，積水化學工業(股))相互間隔4μm以單層排列於所獲得之光自由基聚合性樹脂層。進而，自該導電粒子側對光自由基聚合性樹脂層自LED光源照射波長365nm、累計光量4000mJ/cm2之紫外線，藉此形成表面固定有導電粒子之絕緣性黏合劑層。
(具有凹部之絕緣性接著層之形成)
使用含有上述苯氧樹脂60質量份、丙烯酸酯40質量份、光自由基聚合起始劑2質量份之絕緣性接著層形成用組成物、與形成有特定凸部(與圖4對應之連續綿延設置之態樣)之片型模具，形成切割後寬度2mm、中央形成有凹部之絕緣性接著層。
(異向性導電膜之製作)
於所獲得之絕緣性接著層上重疊絕緣性黏合劑層，於40℃、0.1Pa之條件下進行層壓。將所獲得之積層體自模具取下，於絕緣性接著層之凹部側表面之整體，以凹部以外之乾燥厚度成為3μm之方式塗佈將上述苯氧樹脂80質量份、丙烯酸酯20質量份、光自由基聚合起始劑1質量份利用甲苯稀釋而成之低密合性樹脂組成物，並進行乾燥，藉此獲得總厚28μm之異向性導電膜。
再者，所獲得之異向性導電膜之凹部側表面之凹部之面積比率(%)、凹部深度(μm)相對於總厚之深度比率(%)、自一膜端部至凹部端之距離(μm)與自另一膜端部至凹部端之距離(μm)之合計係使用光學顯微鏡進行測定。深度係根據焦點之調整而算出並求出。將所獲得之結果示於表1。
比較例1
使用未設置凹部之片狀模具，且不設置非密合性樹脂層，除此以外，以與實施例1相同之方式製作總厚25μm之異向性導電膜。
再者，所獲得之異向性導電膜之凹部側表面的凹部之面積比率(%)、凹部深度(μm)相對於總厚之深度比率(%)、自一膜側端至凹部端之距離(μm)與自另一膜側端至凹部端之距離(μm)之合計係使用光學顯微鏡進行測定。深度係根據焦點之調整而算出並求出。將所獲得之結果示於表1。
<評價>
針對各實施例及比較例之異向性導電性膜，將異向性導電連接時之(a)短路發生率與(b)翹曲量分別如下述般進行試驗評價。將結果示於表1。
(a)短路發生率
將各實施例及比較例之異向性導電性膜夾持於短路發生率之評價用IC與玻璃基板之間，進行加熱加壓(180℃，80MPa，5秒)而獲得各評價用連接物，並求出該評價用連接物之短路發生率。短路發生率係利用「短路之發生數/7.5μm間隔總數」而算出。
短路發生率之評價用IC(7.5μm間隔之梳齒TEG(test element group，測試元件組))，外徑1.5×13mm；厚度：0.5mm
凸塊規格：鍍金、高度15μm、尺寸25×140μm、凸塊間間距7.5μm
玻璃基板
玻璃材質：Corning公司製造
外徑：30×50mm
厚度：0.5mm
電極：ITO配線
(b)翹曲量
使用三維測長機(KEYENCE(股))測定(a)中所製成之評價用連接物之未安裝IC晶片側之玻璃配線基板之表面之寬度20mm之翹曲。翹曲較佳為實用上未達15μm。再者，該寬度20mm相當於安裝於背面之IC晶片之寬度。
根據表1可知，關於實施例1~6之異向性導電膜，可不使短路發生率上升，而與比較例1相比減小翹曲量。又，凹部之深度相對於 總厚之比率為20~50%之範圍，且無較大之變化(實施例1、2)。若凹部面積相對於膜表面積增大，則有翹曲量減少之傾向(實施例2~4)。無論於凹部連續地綿延設置之情形時，或為散佈之情形時，翹曲量均無較大不同(實施例2、5)。又，無論於導電粒子無規分散之情形時，或排列之情形時，翹曲量亦均無較大不同。
[產業上之可利用性]
本發明之異向性導電膜係於絕緣性黏合劑層分散或以規則之圖案排列有導電粒子，且於單面之一部分形成有密合強度低於絕緣性黏合劑層之低密合性區域。因此，可使未形成IC晶片之凸塊之中央部區域與異向性導電膜不被密合固定，而可緩和於異向性導電連接時所產生之翹曲。因此，對IC晶片等電子零件於配線基板之異向性導電連接有用。

Claims (10)

  1. 一種異向性導電膜，其係於絕緣性黏合劑層分散或以規則之圖案排列有導電粒子者，且於單面之一部分形成有密合強度低於絕緣性黏合劑層之低密合性區域。
  2. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，低密合性區域係在形成於絕緣性黏合劑層之凹部填充有低密合性樹脂之區域。
  3. 如申請專利範圍第2項之異向性導電膜，其中，於單面形成有凹部之絕緣性黏合劑層中該單面之低密合性區域以外之區域，亦藉由與絕緣性黏合劑層相同之材料而形成有薄於凹部之層。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之異向性導電膜，其中，低密合性樹脂不含有導電粒子。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之異向性導電膜，其中，低密合性區域被綿延設置於異向性導電膜之長邊方向。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之異向性導電膜，其中，低密合性區域被斷斷續續地設置於異向性導電膜之長邊方向。
  7. 一種製造異向性導電膜之方法，其係製造申請專利範圍第1項之異向性導電膜之方法，於絕緣性黏合劑層單面之一部分進行形成低密合性區域之處理。
  8. 一種製造異向性導電膜之方法，其係製造申請專利範圍第2項之異向性導電膜之方法，具有以下之步驟(A)~(C)：步驟(A)於形成有與低密合性區域對應之凸部之模具，塗佈含有導電粒子之 絕緣性黏合劑層形成用組成物，並經加熱或紫外線照射而進行乾燥或成膜化，藉此形成於單面形成有凹部之絕緣性黏合劑層之步驟；步驟(B)自模具將絕緣性黏合劑層取下之步驟；及步驟(C)於絕緣性黏合劑層之凹部填充形成低密合性區域之材料之步驟。
  9. 一種連接構造體，其係利用申請專利範圍第1至6項中任一項之異向性導電膜將第1電子零件異向性導電連接於第2電子零件而成。
  10. 一種連接方法，其係利用申請專利範圍第1至6項中任一項之異向性導電膜將第1電子零件異向性導電連接於第2電子零件者，且將異向性導電膜自其絕緣性黏合劑層側暫時黏貼於第2電子零件，將第1電子零件搭載於暫時黏貼之異向性導電膜，並自第1電子零件側進行壓接。
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