CN106053919B - 一种确定芯片管脚驱动电流的方法、设备及芯片 - Google Patents

Abstract

一种确定芯片管脚驱动电流的方法、设备及芯片，用于给芯片确定适宜的驱动电流。该确定芯片管脚驱动电流的方法包括如下步骤：检测该芯片的工艺参数；获得该芯片管脚的驱动电压；获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射；根据该第一映射确定与该芯片的工艺参数以及该芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并确定该芯片管脚的驱动电流为该第一驱动电流。

Description

一种确定芯片管脚驱动电流的方法、设备及芯片

技术领域

本发明涉及计算机领域，特别涉及一种确定芯片管脚驱动电流的方法、设备及芯片。

背景技术

芯片的工艺偏差导致同样配置下芯片管脚的驱动能力差异较大，例如，在根据工艺角(英文：Process Corner)将芯片分为SS、TT、FF等不同类型时，在相同的驱动电流和驱动电压下，FF芯片管脚的驱动能力最强，TT芯片管脚的驱动能力次之，SS芯片管脚的驱动能力最弱。

目前，芯片制造者为了保证驱动能力较弱的芯片管脚的驱动能力，一般基于SS芯片发布芯片管脚的驱动电流，但是，基于SS芯片管脚驱动能力发布的驱动电流会使得TT芯片和FF芯片管脚的驱动能力过高，不仅会导致TT芯片和FF芯片功耗增加，还会造成TT芯片和FF芯片管脚的信号质量劣化。

发明内容

本申请提供一种确定芯片管脚驱动电流的方法、设备及芯片，用于给芯片确定适宜的驱动电流。

第一方面，本申请实施例提供一种确定芯片管脚驱动电流的方法，包括：检测所述芯片的工艺参数，工艺参数可以为芯片的工艺角(英文：process corner)类型；获得所述芯片管脚的驱动电压；获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射；根据所述第一映射确定与所述芯片的工艺参数以及所述芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并将所述第一驱动电流作为所述芯片管脚的驱动电流。上述步骤可以由芯片自身执行，如由芯片内部的专用集成电路(英文：application specific integrated circuit，ASIC)执行上述步骤，或者，由芯片内部的中央处理器(英文：central processing unit，CPU)来执行上述步骤；另外，上述步骤也可以由与芯片进行通信的外部器件执行。上述方案中，由于该第一映射为根据大量的仿真结果或实验结果所确定的每一种工艺参数、驱动电压组合下适宜的驱动电流，该驱动电流能够兼顾芯片管脚的驱动能力以及芯片管脚的信号质量，提高芯片的整体性能。

在一种可选的实现中，通过检测所述芯片的时序特性，根据检测的所述时序特性确定所述芯片的工艺参数。

在一种可选的实现中，在所述确定所述芯片管脚的驱动电流为所述第一驱动电流之后，将所述第一驱动电流写入所述芯片的存储单元，以便在芯片下一次启动时，芯片能够读取该存储单元中存储的第一驱动电流，进而将自身的驱动电流配置为该第一驱动电流，而不用再一次执行步骤101至步骤103，减少芯片确定自身驱动电流的时间，使芯片能够快速启动。

在一种可选的实现中，在所述芯片工作时，获得所述芯片的工作温度；获得工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射；根据所述第二映射确定与所述芯片的工艺参数、所述芯片管脚的驱动电压以及所述工作温度对应的第二驱动电流；将所述芯片管脚的驱动电流调整为所述第二驱动电流。本实现中芯片能够获得自身的温度，并根据工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射，确定出芯片当前工作条件下适宜的驱动电流，保证芯片具有较佳的性能。

第二方面，本申请实施例提供一种确定芯片管脚驱动电流的设备，该设备用于执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法。具体的，该定位设备包括用于执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法的模块。

第三方面，本申请实施例提供一种芯片，该芯片用于执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法。具体的，该芯片包括工艺参数检测单元、接口、存储单元以及处理单元，该工艺参数检测单元用于检测芯片的工艺参数，该接口用于从外部存储器获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射，该存储单元用于存储芯片管脚的驱动电压以及接口获得的第一映射，该处理单元用于通过接口、存储单元以及工艺参数检测单元执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法。

第四方面，本申请实施例提供一种确定芯片管脚驱动电流的设备，该设备用于执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法。具体的，该设备包括：处理单元、存储单元以及接口。其中，存储单元用于存储指令；接口用于连接芯片，实现设备与芯片的通信。处理单元用于通过接口以及存储单元执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法。

第五方面，本申请提供了一种计算机可读介质，用于存储计算机程序，该计算机程序包括用于执行第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法的指令。

本申请在上述各方面提供的实现的基础上，还可以进行进一步组合以提供更多实现。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例1中确定芯片管脚驱动电流方法的流程示意图；

图2为本申请实施例1中确定芯片管脚驱动电流方法的另一流程示意图；

图3为本申请实施例2中外部器件与芯片的连接关系的示意图；

图4为本申请实施例3中确定芯片管脚驱动电流设备的结构示意图；

图5为本申请实施例4中芯片的结构示意图；

图6为本申请实施例5中确定芯片管脚驱动电流设备的结构示意图。

具体实施方式

下面通过附图以及具体实施例对本申请技术方案做详细的说明，应当理解本申请实施例以及实施例中的具体特征是对本申请技术方案的详细的说明，而不是对本申请技术方案的限定，在不冲突的情况下，本申请实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。

在制造芯片时，不同批次的芯片之间不可避免地存在工艺偏差，且同一批次的芯片之间也同样存在工艺偏差，工艺偏差将导致芯片性能偏差，例如，在相同驱动电流和驱动电压下芯片管脚的驱动能力不同。

通常，芯片管脚的驱动电压是给定的，为了保证所有芯片都有足够的驱动能力，芯片制造者基于驱动能力较差的芯片提供指导驱动电流，但是，在该指导驱动电流下，驱动能力较强的芯片管脚的驱动能力会过大，不仅增加功耗，还会导致芯片管脚的信号质量劣化，例如，驱动电流过大时，芯片管脚信号的信号完整性(英文：signal integrity，SI)变差，且芯片的输入/输出(英文：input/output，IO)接口的电磁干扰(英文：electro magneticinterference，EMI)增强。

实施例1

图1为本申请实施例1提供的确定芯片管脚驱动电流的方法，该方法由该芯片自身执行，包括如下步骤：

步骤101：检测芯片的工艺参数；

具体的，芯片的工艺参数用于表征芯片的工艺偏差水平，工艺参数可以有多种实现方式。例如，工艺参数可以为工艺角(英文：process corner)类型，在3工艺角模型中，芯片被分为TT、FF、SS三类，其中，TT指的是N型场效应晶体管的典型工艺角和P型场效应晶体管的典型工艺角(英文：NFET-Typical corner&PFET-Typical corner)，FF指的是N型场效应晶体管的快工艺角和P型场效应晶体管的快工艺角(英文：NFET-Fast corner&PFET-Fastcorner)，SS指的是N型场效应晶体管的慢工艺角和P型场效应晶体管的慢工艺角(英文：NFET-Slow corner&PFET-Slow corner)。

具体实施时，工艺角类型不限于上述3工艺角模型中的三种，还可以为其他模型中定义的各种工艺角，如5工艺角模型中定义的5种工艺角。且上述工艺参数也可以通过工艺角类型之外的方式实现，工艺参数只要是能够反映芯片工艺偏差水平的参数均可。

由于不同工艺偏差水平的芯片的性能有偏差，所以，本申请实施例中可以通过对芯片的性能进行测试，根据测得的芯片性能属于哪一个范围确定芯片的工艺参数。

例如，通过芯片内部的测试时序特性的电路测试芯片的时序特性，根据测试获得的时序参数(例如，时延)确定芯片的工艺角为FF、TT还是SS。

上述通过测试芯片的时序特性确定芯片的工艺参数，只是检测芯片的工艺参数的一种方式，实际情况中，还可以通过检测能够表征芯片快慢的其他参数(例如，晶体管的载流子迁移速度)来确定芯片的工艺参数，本申请实施例不再一一举例说明。

本申请实施例中，步骤101可以由芯片中的处理模块执行，如该处理模块为中央处理器(英文：central processing unit，CPU)，该CPU通过读取芯片的存储单元中的指令来执行上述步骤101。在另一种可能的实现中，步骤101由芯片中的用于检测工艺参数的硬件模块来执行，该硬件模块中固化有执行步骤101的指令。

步骤102：获得芯片管脚的驱动电压。

具体的，步骤102可以由芯片中的CPU执行，也可以由芯片中的其他类型的集成电路来执行，如芯片中的专用集成电路(英文：application specific integrated circuit，ASIC)。CPU或ASIC获得驱动电压的方式包括但不限于：

其一，芯片的存储单元中存储有芯片管脚的驱动电压的数值，CPU或ASIC可以从该存储单元中读取驱动电压的数值。

其二，与其一的区别在于，该驱动电压的数值存储在与该芯片相连的外部存储单元中，芯片中的CPU或ASIC通过与该外部存储单元相连的接口从该外部存储单元中读取驱动电压的数值。

其三，芯片的CPU或ASIC直接检测芯片被施加的驱动电压，进而确定芯片管脚的驱动电压的数值。

步骤103：获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射。

具体的，该第一映射为各种工艺参数、驱动电压的可能组合与该组合下适宜的驱动电流的映射，表1为第一映射的一种可能实现方式的示意。

表1

该第一映射可以由芯片制造商根据仿真结果或实验结果确定，也可以由使用该芯片的工程师根据仿真结果或实验结果确定。

另外，该第一映射可以存储在与芯片连接的外部存储单元中，芯片的CPU或ASIC通过与该外部存储单元相连的接口读取该第一映射。该第一映射也可以存储在芯片内部的存储单元中，芯片的CPU或ASIC从内部存储单元读取该第一映射。

步骤104：根据第一映射确定与芯片的工艺参数以及芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并确定芯片管脚的驱动电流为第一驱动电流。

具体的，在获得芯片的工艺参数、驱动电压之后，芯片的CPU或ASIC可以根据第一映射确定与芯片的工艺参数以及驱动电压对应的第一驱动电流。

上述技术方案中，芯片能够检测自身的工艺参数以及驱动电压，并获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射，根据该第一映射确定与芯片的工艺参数、驱动电压对应的驱动电流。由于该第一映射为根据大量的仿真结果或实验结果所确定的每一种工艺参数、驱动电压组合下适宜的驱动电流，该驱动电流能够兼顾芯片管脚的驱动能力以及SI、EMI等性能，能够提高芯片的整体性能。

另外，由于芯片管脚的驱动电流不适宜，导致SI以及EMI偏大，本申请之前的现有技术中需要为该芯片进行单板匹配，如在芯片中串联电阻，以改善芯片管脚的信号质量，但是对芯片额外进行的单板匹配不仅会增加芯片的成本，还会增加芯片的体积，降低集成度。而本申请实施例中，由于芯片管脚可以被配置适宜的驱动电流，兼顾芯片管脚的驱动能力以及信号质量，所以，芯片可以减少单板匹配所用的元器件，或者，不用进行单板匹配，进而降低芯片的成本，减小芯片的体积，提高集成度。

在一种可能的实现中，在步骤104之后，还包括步骤105：

将第一驱动电流写入芯片的存储单元，以使芯片从存储单元读取作为芯片管脚驱动电流的第一驱动电流。

具体的，芯片的CPU或ASIC在确定芯片的适宜的驱动电流的数值后，可以将芯片管脚的驱动电流配置为步骤103中确定出的驱动电流数值。不仅如此，芯片的CPU或ASIC还可以将步骤103中确定出的驱动电流数值写入芯片的内部存储单元，以便在芯片下一次启动时，芯片能够读取该内部存储单元中存储的驱动电流，进而将自身的驱动电流配置为该数值，而不用再一次执行步骤101至步骤104，减少芯片确定自身驱动电流的时间，使芯片能够快速启动。

在一种可能的实现中，芯片在运行的过程中，还可以根据自身的温度调整驱动电流。参照图2，芯片根据温度调节驱动电流的方法包括如下步骤：

步骤106：在芯片工作时，获得芯片的工作温度。

具体的，芯片的工作温度可以由检测工作温度的元器件检测得到，该元器件可以为芯片内部的元器件，也可以为与芯片能够进行数据传输的外部的元器件，芯片的CPU与ASIC从该元器件中获取芯片的温度。

步骤107：获得工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射。

具体的，芯片管脚的驱动电流除了跟芯片的工艺参数以及驱动电流相关之外，还与芯片的温度相关。该第二映射即为每一种工艺参数、驱动电压、芯片温度的可能组合与该组合下适宜的驱动电流的映射关系。该第二映射可以由芯片制造商根据仿真结果或实验结果确定，也可以由使用该芯片的工程师根据仿真结果或实验结果确定。

另外，该第二映射可以存储在与芯片连接的外部存储单元中，芯片的CPU或ASIC通过与该外部存储单元相连的接口读取该第二映射。该第二映射也可以存储在芯片内部的存储单元中，芯片的CPU或ASIC从内部存储单元读取该第二映射。

步骤108：根据第二映射确定与芯片的工艺参数、芯片管脚的驱动电压以及工作温度对应的第二驱动电流。

步骤109：将芯片管脚的驱动电流调整为第二驱动电流。

上述步骤107、108均可以由芯片的CPU或ASIC执行。上述技术方案中，芯片能够获得自身的温度，并根据工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射，确定出芯片当前工作条件下适宜的驱动电流，保证芯片具有较佳的驱动能力以及SI、EMI等性能。

可选的，芯片每个设定时间就根据上述步骤105至步骤108更新自身的驱动电流，使得芯片始终具有较佳的性能。

实施例2

参照图3，与实施例1的不同之处在于，实施例2中由与芯片201相连的外部器件202确定芯片201的工作温度，该外部器件可以为另一芯片，例如，设备中包括多个芯片，其中有一个芯片用于为设备中的其他芯片配置驱动电流。该外部器件也可以为与芯片201相连的固化有指令的硬件模块，该硬件模块通过执行固化的指令，实现确定设备中芯片201的驱动电流。

首先，该外部器件202获得芯片201的工艺参数，该工艺参数可以由该外部器件202自己对芯片201的性能进行检测获得，也可以由芯片201自己检测获得，该外部器件202从该芯片201中读取芯片检测的工艺参数。检测工艺参数的具体实现方式请参照实施例1，在此不再重复。

然后，该外部器件202获得芯片201的驱动电压，获得方式包括但不限于：从芯片201的内部存储单元中读取芯片201的驱动电压；或者，从芯片201外部的存储单元(包括外部器件自身的存储单元)中读取该驱动电压；或者，检测芯片201被施加的驱动电压。

然后，该外部器件获得第一映射，获得的方式包括但不限于：从芯片201内部的存储单元读取该第一映射；或者，从芯片201外部的存储单元(包括外部器件自身的存储单元)中读取该第一映射。

然后，该外部器件202确定第一映射中与芯片201的工艺参数、驱动电压对应的驱动电流的数值，将确定的驱动电流作为芯片201的驱动电流。

可选的，该外部器件202在确定芯片201的驱动电流后，将确定出的驱动电流写入芯片201的内部存储单元，以便芯片201在下一次启动时能够从内部存储单元读取驱动电流的数值，根据读取的数值配置自身的驱动电流。

可选的，该外部器件202还可以在芯片运行的过程中，获得芯片201的温度，然后，根据预存的工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射确定当前工作条件下芯片201适宜的驱动电流，进而将芯片201的驱动电流调整为根据温度重新确定的驱动电流，以使芯片具有较佳的性能。

实施例3

参照图4，本申请实施例3提供一种确定芯片管脚驱动电流的设备，包括：

检测模块301，用于检测芯片的工艺参数；

获得模块302，用于获得芯片管脚的驱动电压以及工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射；

确定模块303，用于根据第一映射确定与芯片的工艺参数以及芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并确定芯片管脚的驱动电流为第一驱动电流。

可选的，检测模块301具体用于：

检测芯片的时序特性，根据检测的时序特性确定芯片的工艺参数。

可选的，设备还包括：

保存单元304，用于将第一确定模块确定的第一驱动电流写入芯片的存储单元，以使芯片从存储单元读取作为驱动电流的第一驱动电流。

可选的，获得模块302还用于：在芯片工作时，获得芯片的工作温度；以及获得工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射；

确定模块303，还用于：根据第二映射确定与芯片的工艺参数、芯片管脚的驱动电压以及工作温度对应的第二驱动电流；

该设备还包括：调整模块305，用于将芯片管脚的驱动电流调整为第二驱动电流。

以上确定芯片管脚驱动电流的设备包含的各模块的实施方式可以参照实施例1中芯片执行的对应步骤或实施例2中外部器件执行的对应步骤，本申请实施例不再赘述。

实施例4

参照图5，本申请实施例4提供一种芯片，该芯片包括：

工艺参数检测单元401，用于检测芯片的工艺参数；

接口402，用于从外部存储器获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射；

存储单元403，用于存储芯片管脚的驱动电压以及接口402获得的第一映射；

处理单元404，用于从工艺参数检测单元401获得芯片的工艺参数，从存储单元获得芯片管脚的驱动电压以及第一映射，并根据第一映射确定与芯片的工艺参数以及芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并确定芯片管脚的驱动电流为第一驱动电流。

可选的，工艺参数检测单元401具体用于：

检测芯片的时序特性，根据检测的时序特性确定芯片的工艺参数。

可选的，处理单元404还用于：

将第一驱动电流写入存储单元403，以使芯片能够从存储单元读取第一驱动电流。

可选的，芯片还包括；

温度确定单元，用于在芯片工作时，获得芯片的工作温度；

存储单元403还存储有工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射；

处理单元404还用于：根据第二映射确定与芯片的工艺参数、芯片管脚的驱动电压以及工作温度对应的第二驱动电流；将芯片管脚的驱动电流调整为第二驱动电流。

上述工艺参数检测单元401可以为用于测试时延的电路，也可以为测试其它能够表征芯片快慢的参数的电路。

以上接口402可以为芯片与外部器件进行通信的接口，例如系统总线接口。

以上存储单元403可以为一个存储元件，也可以是多个存储元件的统称。存储单元403可以包括随机存储器(英文：random-access memory，RAM)，也可以包括非易失性存储器(英文：non-volatile memory，NVM)，例如闪存(英文：flash disk)等。

以上处理单元404可以是一个处理元件，也可以是多个处理元件的统称。例如，该处理单元404可以是CPU，也可以是ASIC，或者是被配置成实施本发明实施例的一个或多个集成电路，例如：一个或多个微处理器(英文：digital singnal processor，DSP)，或，一个或者多个现场可编程门阵列(英文：field programmable gate array，FPGA)。

实施例4中芯片包含的各单元所执行操作的具体实现方式可以参照实施例1中芯片执行的对应步骤，本申请实施例不再赘述。

实施例5

参照图6，本申请实施例5提供一种确定芯片管脚驱动电流的设备，包括：处理单元501、存储单元502以及接口503。其中，存储单元502用于存储指令，该指令用于执行实施例2中的方法；接口503，用于连接芯片，使本实施例5中的设备与芯片进行通信。处理单元501，分别与存储单元502以及接口503耦合，用于执行存储单元502中的指令，使得本申请实施例5中的设备执行实施例2中外部器件所执行的步骤，确定芯片管脚的驱动电流。

实施例5中确定芯片管脚驱动电流的设备包含的各单元所执行操作的具体实现方式可以参照实施例2中外部器件执行的对应步骤，本申请实施例不再赘述。

本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种确定芯片管脚驱动电流的方法，其特征在于，包括：

检测所述芯片的工艺参数；

获得所述芯片管脚的驱动电压；

获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射；

根据所述第一映射确定与所述芯片的工艺参数以及所述芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并确定所述芯片管脚的驱动电流为所述第一驱动电流。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测芯片的工艺参数，包括：

检测所述芯片的时序特性，根据检测的所述时序特性确定所述芯片的工艺参数。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述确定所述芯片管脚的驱动电流为所述第一驱动电流之后，所述方法还包括：

将所述第一驱动电流写入所述芯片的存储单元，以使所述芯片从所述存储单元读取作为驱动电流的所述第一驱动电流。

4.如权利要求1至2任一项所述的方法，其特征在于，还包括；

在所述芯片工作时，获得所述芯片的工作温度；

获得工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射；

根据所述第二映射确定与所述芯片的工艺参数、所述芯片管脚的驱动电压以及所述工作温度对应的第二驱动电流；

将所述芯片管脚的驱动电流调整为所述第二驱动电流。

5.一种确定芯片管脚驱动电流的设备，其特征在于，包括：

检测模块，用于检测所述芯片的工艺参数；

获得模块，用于获得所述芯片管脚的驱动电压以及工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射；

确定模块，用于根据所述第一映射确定与所述芯片的工艺参数以及所述芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并确定所述芯片管脚的驱动电流为所述第一驱动电流。

6.如权利要求5所述的设备，其特征在于，所述检测模块具体用于：

检测所述芯片的时序特性，根据检测的所述时序特性确定所述芯片的工艺参数。

7.如权利要求5或6所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：

保存单元，用于将所述确定模块确定的所述第一驱动电流写入所述芯片的存储单元，以使所述芯片从所述存储单元读取作为驱动电流的所述第一驱动电流。

8.如权利要求5至6任一项所述的设备，其特征在于，所述获得模块还用于：在所述芯片工作时，获得所述芯片的工作温度；以及获得工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射；

所述确定模块还用于：根据所述第二映射确定与所述芯片的工艺参数、所述芯片管脚的驱动电压以及所述工作温度对应的第二驱动电流；

所述设备还包括：调整模块，用于将所述芯片管脚的驱动电流调整为所述第二驱动电流。

9.一种芯片，其特征在于，包括：

工艺参数检测单元，用于检测所述芯片的工艺参数；

接口，用于从外部存储器获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射；

存储单元，用于存储所述芯片管脚的驱动电压以及所述第一映射；

处理单元，用于从所述工艺参数检测单元获得所述芯片的工艺参数，从所述存储单元获得所述芯片管脚的驱动电压以及所述第一映射，并根据所述第一映射确定与所述芯片的工艺参数以及所述芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并确定所述芯片管脚的驱动电流为所述第一驱动电流。

10.如权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述工艺参数检测单元具体用于：

检测所述芯片的时序特性，根据检测的所述时序特性确定所述芯片的工艺参数。

11.如权利要求9或10所述的芯片，其特征在于，所述处理单元还用于：

将确定的所述第一驱动电流写入所述存储单元，以使所述芯片能够从所述存储单元读取所述第一驱动电流。

12.如权利要求9至10任一项所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括；

温度确定单元，用于在所述芯片工作时，获得所述芯片的工作温度；

所述存储单元还存储有工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射；

所述处理单元还用于：根据所述第二映射确定与所述芯片的工艺参数、所述芯片管脚的驱动电压以及所述工作温度对应的第二驱动电流；将所述芯片管脚的驱动电流调整为所述第二驱动电流。