CN106019657A - 一种绑定方法及绑定装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开一种绑定方法及绑定装置，绑定方法包括：控制位于通过结合剂贴附于阵列基板的驱动芯片上方的热压头向下运动，直至与驱动芯片相接触并对驱动芯片施压；控制设置于阵列基板下方的加热载台向上运动，直至与阵列基板相接触；加热载台与阵列基板的接触不晚于热压头和驱动芯片之间的接触，且加热载台与阵列基板相接触时加热载台的温度为驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时阵列基板的温度，以使得驱动芯片和阵列基板具有相同的热膨胀量，又由于加热载台和阵列基板的接触不晚于热压头和驱动芯片之间的接触避免了对阵列基板造成损伤，且在绑定之前，加热载台未一直与阵列基板接触，避免了结合剂提前固化，提高产品良率。

Description

一种绑定方法及绑定装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种绑定方法及绑定装置。
背景技术
在显示技术领域，COG是指通过结合剂ACF(异方性导电胶膜)将IC(驱动芯片)绑定到LCD(液晶面板)的阵列基板上，而COG因其能够大大减小LCD模块的体积，且易于批量生产，现已成为IC和LCD的主要连接方式。
如图1所示，目前实现COG的绑定装置包括相对设置的加热底座07和热压头02，加热底座07固定设置，热压头采用气缸01驱动，而为了减小对IC04的冲击，在热压头02上设有缓冲材料05，在绑定过程开始之前，阵列基板06预先移至加热底座07上，等待热压头02下压，在此时间内，ACF03一直处于受热状态，为避免ACF03提前固化，此时加热底座07的温度不能设定过高(＞100℃)，在绑定过程中，气缸01驱动热压头02下移并对IC04施压，通过位于加热底座07和热压头02的配合作用将IC04绑定到阵列基板06上，而由于在绑定过程中，如图2所示，在满足ACF03170℃的反应温度下，IC04的实际温度为210℃，阵列基板06的实际温度为110℃，温度差异100℃，导致IC04的膨胀长度大于阵列基板06的膨胀长度，进而冷却后IC04收缩大于阵列基板06收缩，产生弯曲变形，造成COG Mura(色调不均)，影响液晶面板内部液晶偏转，进而影响液晶屏的品质。
发明内容
本发明提供一种绑定方法及绑定装置，该绑定方法通过移动加热载台且控制加热载台与阵列基板接触时温度为驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时阵列基板的温度以减小液晶面板的弯曲变形，减少COG Mura现象的发生，提高产品良率。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种绑定方法，包括：
控制位于通过结合剂贴附于阵列基板的驱动芯片上方的热压头向下运动，直至与驱动芯片相接触并对驱动芯片施压；
控制设置于所述阵列基板下方的加热载台向上运动，直至与阵列基板相接触；所述加热载台与阵列基板的接触不晚于所述热压头和驱动芯片之间的接触，且加热载台与阵列基板相接触时加热载台的温度为驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时阵列基板的温度。
在上述绑定方法中，移动加热载台且控制加热载台与阵列基板接触时温度为驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时阵列基板的温度以减小液晶面板的弯曲变形，减少COG Mura现象的发生，具体过程包括：将通过结合剂贴附有驱动芯片的阵列基板移动至热压头和加热载台之间，此时，结合剂的温度未达到固化温度；控制热压头向下运动至热压头与驱动芯片相接触并对驱动芯片施压，开始驱动芯片和阵列基板之间的绑定；控制加热载台向上运动至加热载台与阵列基板相接触，在阵列基板与加热载台的配合作用下驱动芯片绑定在阵列基板上，由于加热载台和阵列基板的接触不晚于热压头和驱动芯片之间的接触避免了在绑定开始时加热载台未与阵列基板相接触进而在热压头对驱动芯片施压时损伤阵列基板，又由于在绑定开始之前，加热载台未一直与阵列基板相接触，避免了因加热载台的温度过高而导致结合剂提前固化，又由于加热载台与阵列基板相接触时加热载台的温度为驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时阵列基板的温度，使得在绑定过程中驱动芯片和阵列基板具有相同的热膨胀量，当绑定结束恢复室温后，驱动芯片和阵列基板的收缩量一致，减小液晶面板的弯曲变形，进而减少COG Mura现象的发生，提高产品良率。
因此，上述绑定方法，通过移动加热载台且控制加热载台与阵列基板接触时温度为驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时阵列基板的温度以减小液晶面板的弯曲变形，减少COGMura现象的发生，提高产品良率。
优选地，所述加热载台与阵列基板的接触不晚于所述热压头和驱动芯片之间的接触，具体包括：在加热载台运动至与阵列基板相接触时，热压头同时运动至与驱动芯片相接触。
优选地，所述加热载台与阵列基板的接触不晚于所述热压头和驱动芯片之间的接触，具体包括：加热载台与阵列基板相接触早于热压头与驱动芯片之间的接触。
优选地，绑定方法还包括：预先加热所述加热载台至预设温度，所述预设温度为驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时阵列基板的温度。
优选地，所述预设温度根据下述公式确认为驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时阵列基板的温度：
CTE1(T1-T0)L1＝CTE2(T2-T0)L2
其中，CTE1、CTE2分别为驱动芯片、阵列基板的热膨胀系数；
T1、T0为热压头、室温的温度；
T2为预设温度；
L1、L2分别为驱动芯片、阵列基板的绑定长度。
优选地，还包括控制加热载台和热压头同时反向运动。
一种绑定装置，用于将驱动芯片绑定到阵列基板上，包括机架、热压头以及第一气缸，所述机架朝向所述热压头的一面形成阵列基板承载面，所述第一气缸安装在所述机架上，用于驱动所述热压头沿垂直于所述阵列基板承载面的方向运动，还包括加热载台、驱动器以及控制器，其中：
所述加热载台与所述驱动器相连接，所述加热载台朝向所述热压头的侧面与所述阵列基板承载面平行；
所述驱动器安装在所述机架上，用于驱动所述加热载台沿垂直于所述阵列基板承载面的方向运动；
所述控制器安装在所述机架上，用于控制所述第一气缸以及所述驱动器的动作，控制所述加热载台与所述阵列基板的接触不晚于所述热压头和驱动芯片之间的接触，且所述加热载台与阵列基板相接触时所述加热载台的温度为所述驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时所述阵列基板的温度。
优选地，所述驱动器包括第二气缸和行程开关，所述第二气缸与所述加热载台相连接，用于驱动所述加热载台沿垂直于所述阵列基板承载面的方向运动，所述行程开关设置在所述阵列基板承载面上，用于控制所述第二气缸的动作量。
优选地，所述驱动器为驱动马达。
优选地，所述控制器具体用于在绑定结束时控制所述驱动器驱动所述加热载台、所述第一气缸驱动所述热压头沿垂直于所述阵列基板承载面的方向同时反向运动。
附图说明
图1为本发明背景技术提供的一种绑定装置的结构示意图；
图2为本发明背景技术提供的绑定装置在绑定驱动芯片和阵列基板时所产生的COG Mura的示意图；
图3为本发明提供的一种绑定方法的流程图；
图4为本发明提供的一种绑定装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图3所示，一种绑定方法，包括：
步骤S101，控制位于通过结合剂4贴附于阵列基板6的驱动芯片3上方的热压头2向下运动，直至与驱动芯片3相接触并对驱动芯片3施压；
步骤S102，控制设置于阵列基板6下方的加热载台7向上运动，直至与阵列基板6相接触；加热载台7与阵列基板6的接触不晚于热压头2和驱动芯片3之间的接触，且加热载台7与阵列基板6相接触时加热载台7的温度为驱动芯片3和阵列基板6具有相同热膨胀量时阵列基板6的温度。
在上述绑定方法中，移动加热载台7且控制加热载台7与阵列基板6接触时温度为驱动芯片3和阵列基板6具有相同热膨胀量时阵列基板6的温度以减小液晶面板的弯曲变形，减少COG Mura现象的发生，具体过程包括：将通过结合剂4贴附有驱动芯片3的阵列基板6移动至热压头2和加热载台7之间，此时，结合剂4的温度未达到固化温度；在步骤S101中，控制热压头2向下运动至热压头2与驱动芯片3相接触并对驱动芯片3施压，开始驱动芯片3和阵列基板6之间的绑定；在步骤S102中，控制加热载台7向上运动至加热载台7与阵列基板6相接触，在阵列基板6与加热载台7的配合作用下驱动芯片3绑定在阵列基板6上，由于加热载台7和阵列基板6的接触不晚于热压头2和驱动芯片3之间的接触避免了在绑定开始时加热载台7未与阵列基板6相接触进而在热压头2对驱动芯片3施压时损伤阵列基板6，又由于在绑定开始之前，加热载台7未一直与阵列基板6相接触，避免了因加热载台7的温度过高而导致结合剂4提前固化，又由于加热载台7与阵列基板6相接触时加热载台7的温度为驱动芯片3和阵列基板6具有相同热膨胀量时阵列基板6的温度，使得在绑定过程中驱动芯片3和阵列基板6具有相同的热膨胀量，当绑定结束恢复室温后，驱动芯片3和阵列基板6的收缩量一致，减小液晶面板的弯曲变形，进而减少COG Mura现象的发生，提高产品良率。
因此，上述绑定方法，通过移动加热载台7且控制加热载台7与阵列基板6接触时温度为驱动芯片3和阵列基板6具有相同热膨胀量时阵列基板6的温度以减小液晶面板的弯曲变形，减少COG Mura现象的发生，提高产品良率。
一种优选实施方式中，加热载台7与阵列基板6的接触不晚于热压头2和驱动芯片3之间的接触，具体包括：在加热载台7运动至与阵列基板6相接触时，热压头2同时运动至与驱动芯片3相接触，热压头2向下运动至与与驱动芯片3相接触时绑定反应开始，而由于热压头2与驱动芯片3相接触时加热载台7向上运动至加热载台7与阵列基板6相接触，避免了加热底座在绑定反应开始之前加热结合剂4而导致结合剂4提前固化以及在绑定开始时加热载台7未与阵列基板6相接触进而在热压头2对驱动芯片3施压时损伤阵列基板6。
一种优选实施方式中，加热载台7与阵列基板6的接触不晚于热压头2和驱动芯片3之间的接触，具体包括：加热载台7与阵列基板6相接触早于热压头2与驱动芯片3之间的接触，上述早于为1秒钟之内，热压头2向下运动至热压头2与驱动芯片3相接触时，开始驱动芯片3和阵列基板6之间的绑定，而由于加热载台7已与阵列基板6相接触，避免了在绑定开始时加热载台7未与阵列基板6相接触进而在热压头2对驱动芯片3施压时损伤阵列基板6以及加热底座在绑定反应开始之前一直加热结合剂4而导致结合剂4提前固化。
一种优选实施方式中，绑定方法还包括：预先加热加热载台7至预设温度，预设温度为驱动芯片3和阵列基板6具有相同热膨胀量时阵列基板6的温度。具体地，预设温度根据下述公式确认为驱动芯片3和阵列基板6具有相同热膨胀量时阵列基板6的温度：
CTE1(T1-T0)L1＝CTE2(T2-T0)L2
其中，CTE1、CTE2分别为驱动芯片3、阵列基板6的热膨胀系数；
T1、T0为热压头2、室温的温度；
T2为预先设定温度；
L1、L2分别为驱动芯片3、阵列基板6的绑定长度。
公式的左边为热压头2的温度T1时，也就是驱动芯片3在绑定反应中温度为T1时驱动芯片3的热膨胀量，而公式的右边为加热载台7的温度T2时，也就是阵列基板6在绑定反应中温度为T2时阵列基板6的热膨胀量，通过上述公式计算出驱动芯片3和阵列基板6具有相同热膨胀量时阵列基板6的温度，将此温度作为设定温度预先加热加热载台7，以保证加热载台7运动至与阵列基板6相接触时加热载台7的温度为驱动芯片3和阵列基板6具有相同热膨胀量时阵列基板6的温度，使得在绑定反应的过程中，驱动芯片3和阵列基板6具有相同热膨胀量。
一种优选实施方式中，绑定方法还包括控制加热载台7和热压头2同时反向运动，在绑定过程结束以后，同时移开加热载台7和热压头2，使得在恢复室温后驱动芯片3和阵列基板6的收缩量相同，从而使驱动芯片3和阵列基板6具有相同的热胀冷缩量，消除液晶面板的弯曲变形，进而减少COG Mura现象的发生，提高产品良率。
如图4所示，一种绑定装置，用于将驱动芯片3绑定到阵列基板6上，包括机架、热压头2以及第一气缸1，机架朝向热压头2的一面形成阵列基板承载面，第一气缸1安装在机架上，用于驱动热压头2沿垂直于阵列基板承载面的方向运动，还包括加热载台7、驱动器8以及控制器5，其中：
加热载台7与驱动器8相连接，加热载台7朝向热压头2的侧面与阵列基板承载面平行；
驱动器8安装在机架上，用于驱动加热载台7沿垂直于阵列基板承载面的方向运动；
控制器5安装在机架上，用于控制第一气缸1以及驱动器8的动作，控制加热载台7与阵列基板6的接触不晚于热压头2和驱动芯片3之间的接触，且加热载台7与阵列基板6相接触时加热载台7的温度为驱动芯片3和阵列基板6具有相同热膨胀量时阵列基板6的温度。
在上述绑定装置中，在绑定开始之前，将通过结合剂4贴附有驱动芯片3的阵列基板6移动至机架的阵列基板承载面上，此时，位于阵列基板6上的结合剂4的温度未达到固化温度，在绑定过程中，控制器5控制第一气缸1以及所述驱动器8动作，第一气缸1驱动热压头2、驱动器8驱动加热载台7沿垂直于阵列基板承载面的方向相向运动，热压头2向下运动至热压头2与驱动芯片3相接触并对驱动芯片3施压，开始驱动芯片3和阵列基板6之间的绑定，加热载台7向上运动至与阵列基板6相接触，在阵列基板6与加热载台7的配合作用下驱动芯片3绑定在阵列基板6上，而由于加热载台7与阵列基板6的接触不晚于热压头2和驱动芯片3之间的接触，避免了在绑定开始时加热载台7未与阵列基板6相接触进而在热压头2对驱动芯片3施压时损伤阵列基板6，又由于在绑定开始之前，加热载台7未一直与阵列基板6相接触，避免了结合剂4提前固化，而加热载台7与阵列基板6相接触时加热载台7的温度为驱动芯片3和阵列基板6具有相同热膨胀量时阵列基板6的温度保证了驱动芯片3和阵列基板6具有相同的热胀冷缩量，接着在完成绑定后，驱动器8驱动加热载台7、第一气缸1驱动热压头2沿垂直于阵列基板承载面的方向反向运动，绑定结束恢复室温后，驱动芯片3和阵列基板6的收缩量一致，减小液晶面板的弯曲变形，进而减少COG Mura现象的发生，提高产品良率。
一种优选实施方式中，驱动器8包括第二气缸和行程开关，第二气缸1与加热载台7相连接，用于驱动加热载台7沿垂直于阵列基板承载面的方向运动，行程开关设置在阵列基板承载面上，用于控制第二气缸的动作量。
控制器5控制第二气缸动作，第二气缸驱动加热载台7沿垂直于阵列基板承载面的方向向着阵列基板6运动，当加热载台7运动至阵列基板承载面的位置行程开关动作并控制第二气缸停止动作，此时，加热载台7与阵列基板6相接触且加热载台7的动作停止，实现加热载台7的精确定位。
一种优选实施方式中，驱动器8为驱动马达，驱动马达的驱动速度可控且位置精度非常准确，可以用于实现加热载台7的精确定位。
一种优选实施方式中，控制器5具体用于在绑定结束时控制驱动器8驱动加热载台7、第一气缸1驱动热压头2沿垂直于阵列基板承载面的方向同时反向运动，使得在恢复室温后驱动芯片3和阵列基板6的收缩量相同，从而使驱动芯片3和阵列基板6具有相同的热胀冷缩量，消除液晶面板的弯曲变形，进而减少COG Mura现象的发生，提高产品良率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种绑定方法，其特征在于，包括：
控制位于通过结合剂贴附于阵列基板的驱动芯片上方的热压头向下运动，直至与驱动芯片相接触并对驱动芯片施压；
控制设置于所述阵列基板下方的加热载台向上运动，直至与阵列基板相接触；所述加热载台与阵列基板的接触不晚于所述热压头和驱动芯片之间的接触，且加热载台与阵列基板相接触时加热载台的温度为驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时阵列基板的温度。
2.根据权利要求1所述的绑定方法，其特征在于，所述加热载台与阵列基板的接触不晚于所述热压头和驱动芯片之间的接触，具体包括：在加热载台运动至与阵列基板相接触时，热压头同时运动至与驱动芯片相接触。
3.根据权利要求1所述的绑定方法，其特征在于，所述加热载台与阵列基板的接触不晚于所述热压头和驱动芯片之间的接触，具体包括：加热载台与阵列基板相接触早于热压头与驱动芯片之间的接触。
4.根据权利要求1所述的绑定方法，其特征在于，还包括：预先加热所述加热载台至预设温度，所述预设温度为驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时阵列基板的温度。
5.根据权利要求4所述的绑定方法，其特征在于，所述预设温度根据下述公式确认为驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时阵列基板的温度：
CTE1(T1-T0)L1＝CTE2(T2-T0)L2
其中，CTE1、CTE2分别为驱动芯片、阵列基板的热膨胀系数；
T1、T0为热压头、室温的温度；
T2为预设温度；
L1、L2分别为驱动芯片、阵列基板的绑定长度。
6.根据权利要求1所述的绑定方法，其特征在于，还包括控制加热载台和热压头同时反向运动。
7.一种绑定装置，用于将驱动芯片绑定到阵列基板上，包括机架、热压头以及第一气缸，所述机架朝向所述热压头的一面形成阵列基板承载面，所述第一气缸安装在所述机架上，用于驱动所述热压头沿垂直于所述阵列基板承载面的方向运动，其特征在于，还包括加热载台、驱动器以及控制器，其中：
所述加热载台与所述驱动器相连接，所述加热载台朝向所述热压头的侧面与所述阵列基板承载面平行；
所述驱动器安装在所述机架上，用于驱动所述加热载台沿垂直于所述阵列基板承载面的方向运动；
所述控制器安装在所述机架上，用于控制所述第一气缸以及所述驱动器的动作，控制所述加热载台与所述阵列基板的接触不晚于所述热压头和驱动芯片之间的接触，且所述加热载台与阵列基板相接触时所述加热载台的温度为所述驱动芯片和阵列基板具有相同热膨胀量时所述阵列基板的温度。
8.根据权利要求7所述的绑定装置，其特征在于，所述驱动器包括第二气缸和行程开关，所述第二气缸与所述加热载台相连接，用于驱动所述加热载台沿垂直于所述阵列基板承载面的方向运动，所述行程开关设置在所述阵列基板承载面上，用于控制所述第二气缸的动作量。
9.根据权利要求7所述的绑定装置，其特征在于，所述驱动器为驱动马达。
10.根据权利要求7所述的绑定装置，其特征在于，所述控制器具体用于在绑定结束时控制所述驱动器驱动所述加热载台、所述第一气缸驱动所述热压头沿垂直于所述阵列基板承载面的方向同时反向运动。
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